二氧化硅纳米层包覆的
γ-氧化铝粉体
技术领域
1.本发明涉及γ-氧化铝粉体加工技术领域，尤其涉及二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体。
背景技术：
2.γ-氧化铝粉体用于制镶牙水泥、瓷器、油漆的填料、媒染剂、金属铝等，由于γ-氧化铝在加热至一定温度后会转化为α-氧化铝，导致γ-氧化铝在高温环境状态下具有一定的局限性，二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体在高温环境下具有一定的稳定性，使得γ-氧化铝在超出一定温度后不会转化，保持了γ-氧化铝自身的特性；而二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体在制备时，通常使用化学沉淀干燥的方式进行制备，所需的工序较多，而且容易产生废弃液，在处理时也会浪费时间，降低制备效率。
技术实现要素：
3.本发明提出了二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体，以解决上述背景技术中提出的问题。
4.本发明提出了二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体，包括以下步骤：s1、将γ-氧化铝粉体投入质量分数为25-40%的二氧化硅溶胶中；s2、通过加热式搅拌器搅拌γ-氧化铝粉体和二氧化硅溶胶，搅拌的温度控制在60-80℃，搅拌20-40分钟后加入交联剂，制得混合溶胶；s3、将混合溶胶继续通过加热式搅拌器进处理，搅拌的温度控制在90-100℃，用于去除混合溶胶中残留的水溶液；s4、经s3处理后，将混合溶胶投入抽气式搅拌器内，搅拌的同时进行抽气处理，搅拌30-60分钟后，加入质量分数为2-5%的催化剂，抽气的时间为10-20分钟，用于将混合溶胶干燥处理；s5、经s4处理后的混合溶胶放入烘箱内，烘箱的温度为150-180℃，烘箱工作的时间为35-50分钟，用于将混合溶胶固化处理；s6、将固化后的混合溶胶放入煅烧炉内，煅烧炉内的温度控制在550-600℃，煅烧的时间为4-8小时后取出并冷却至室温；s7、经s6处理后将煅烧后的混合溶液粉碎并过筛处理，用于制得二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体。
5.优选的，所述γ-氧化铝粉体和二氧化硅纳溶胶的质量比为3:2。
6.优选的，所述交联剂为二丙烯酰胺。
7.优选的，所述加热式搅拌器的初次转速为50-80转每分钟、二次转速为80-100转每分钟。
8.优选的，所述催化剂为乙二胺。
9.本发明提出的二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体，有益效果在于：本发明通过高温处理的方式制得二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体，并且还通过高温蒸发制备过程中产生的废弃液，相对于化学处理的方式，本方案节省了时间以及制备工序，同时还蒸发处理的废弃液，提升了二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体制备效率。
具体实施方式
10.下面结合具体实施例来对本发明做进一步说明。
11.实施例1本发明提出了二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体，包括以下步骤：s1、将γ-氧化铝粉体投入质量分数为25%的二氧化硅溶胶中，γ-氧化铝粉体和二氧化硅纳溶胶的质量比为3:2；s2、通过加热式搅拌器搅拌γ-氧化铝粉体和二氧化硅溶胶，搅拌的温度控制在60℃，转速为50转每分钟，搅拌20分钟后加入二丙烯酰胺交联剂，制得混合溶胶；s3、将混合溶胶继续通过加热式搅拌器进处理，搅拌的温度控制在90℃，80转每分钟，用于去除混合溶胶中残留的水溶液；s4、经s3处理后，将混合溶胶投入抽气式搅拌器内，搅拌的同时进行抽气处理，搅拌30分钟后，加入质量分数为2%的乙二胺催化剂，抽气的时间为10分钟，用于将混合溶胶干燥处理，催化剂为；s5、经s4处理后的混合溶胶放入烘箱内，烘箱的温度为150℃，烘箱工作的时间为35分钟，用于将混合溶胶固化处理；s6、将固化后的混合溶胶放入煅烧炉内，煅烧炉内的温度控制在550℃，煅烧的时间为4小时后取出并冷却至室温；s7、经s6处理后将煅烧后的混合溶液粉碎并过筛处理，用于制得二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体。
12.实施例2二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体，包括以下步骤：s1、将γ-氧化铝粉体投入质量分数为30%的二氧化硅溶胶中，γ-氧化铝粉体和二氧化硅纳溶胶的质量比为3:2；s2、通过加热式搅拌器搅拌γ-氧化铝粉体和二氧化硅溶胶，搅拌的温度控制在66℃，转速为61转每分钟，搅拌28分钟后加入二丙烯酰胺交联剂，制得混合溶胶；s3、将混合溶胶继续通过加热式搅拌器进处理，搅拌的温度控制在93℃，86转每分钟，用于去除混合溶胶中残留的水溶液；s4、经s3处理后，将混合溶胶投入抽气式搅拌器内，搅拌的同时进行抽气处理，搅拌40分钟后，加入质量分数为3.2%的乙二胺催化剂，抽气的时间为14分钟，用于将混合溶胶干燥处理，催化剂为；s5、经s4处理后的混合溶胶放入烘箱内，烘箱的温度为165℃，烘箱工作的时间为40分钟，用于将混合溶胶固化处理；s6、将固化后的混合溶胶放入煅烧炉内，煅烧炉内的温度控制在560℃，煅烧的时
间为5小时后取出并冷却至室温；s7、经s6处理后将煅烧后的混合溶液粉碎并过筛处理，用于制得二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体。
13.实施例3二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体，包括以下步骤：s1、将γ-氧化铝粉体投入质量分数为35%的二氧化硅溶胶中，γ-氧化铝粉体和二氧化硅纳溶胶的质量比为3:2；s2、通过加热式搅拌器搅拌γ-氧化铝粉体和二氧化硅溶胶，搅拌的温度控制在72℃，转速为70转每分钟，搅拌35分钟后加入二丙烯酰胺交联剂，制得混合溶胶；s3、将混合溶胶继续通过加热式搅拌器进处理，搅拌的温度控制在98℃，90转每分钟，用于去除混合溶胶中残留的水溶液；s4、经s3处理后，将混合溶胶投入抽气式搅拌器内，搅拌的同时进行抽气处理，搅拌50分钟后，加入质量分数为4%的乙二胺催化剂，抽气的时间为18分钟，用于将混合溶胶干燥处理，催化剂为；s5、经s4处理后的混合溶胶放入烘箱内，烘箱的温度为170℃，烘箱工作的时间为45分钟，用于将混合溶胶固化处理；s6、将固化后的混合溶胶放入煅烧炉内，煅烧炉内的温度控制在580℃，煅烧的时间为6.5小时后取出并冷却至室温；s7、经s6处理后将煅烧后的混合溶液粉碎并过筛处理，用于制得二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体。
14.实施例4本发明提出了二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体，包括如下步骤：二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体，包括以下步骤：s1、将γ-氧化铝粉体投入质量分数为40%的二氧化硅溶胶中，γ-氧化铝粉体和二氧化硅纳溶胶的质量比为3:2；s2、通过加热式搅拌器搅拌γ-氧化铝粉体和二氧化硅溶胶，搅拌的温度控制在80℃，转速为80转每分钟，搅拌40分钟后加入二丙烯酰胺交联剂，制得混合溶胶；s3、将混合溶胶继续通过加热式搅拌器进处理，搅拌的温度控制在100℃， 100转每分钟，用于去除混合溶胶中残留的水溶液；s4、经s3处理后，将混合溶胶投入抽气式搅拌器内，搅拌的同时进行抽气处理，搅拌60分钟后，加入质量分数为2-5%的乙二胺催化剂，抽气的时间为20分钟，用于将混合溶胶干燥处理，催化剂为；s5、经s4处理后的混合溶胶放入烘箱内，烘箱的温度为180℃，烘箱工作的时间为50分钟，用于将混合溶胶固化处理；s6、将固化后的混合溶胶放入煅烧炉内，煅烧炉内的温度控制在600℃，煅烧的时间为8小时后取出并冷却至室温；s7、经s6处理后将煅烧后的混合溶液粉碎并过筛处理，用于制得二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体。
15.以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，
任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
γ-氧化铝粉体
技术领域
1.本发明涉及γ-氧化铝粉体加工技术领域，尤其涉及二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体。
背景技术：
2.γ-氧化铝粉体用于制镶牙水泥、瓷器、油漆的填料、媒染剂、金属铝等，由于γ-氧化铝在加热至一定温度后会转化为α-氧化铝，导致γ-氧化铝在高温环境状态下具有一定的局限性，二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体在高温环境下具有一定的稳定性，使得γ-氧化铝在超出一定温度后不会转化，保持了γ-氧化铝自身的特性；而二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体在制备时，通常使用化学沉淀干燥的方式进行制备，所需的工序较多，而且容易产生废弃液，在处理时也会浪费时间，降低制备效率。
技术实现要素：
3.本发明提出了二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体，以解决上述背景技术中提出的问题。
4.本发明提出了二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体，包括以下步骤：s1、将γ-氧化铝粉体投入质量分数为25-40%的二氧化硅溶胶中；s2、通过加热式搅拌器搅拌γ-氧化铝粉体和二氧化硅溶胶，搅拌的温度控制在60-80℃，搅拌20-40分钟后加入交联剂，制得混合溶胶；s3、将混合溶胶继续通过加热式搅拌器进处理，搅拌的温度控制在90-100℃，用于去除混合溶胶中残留的水溶液；s4、经s3处理后，将混合溶胶投入抽气式搅拌器内，搅拌的同时进行抽气处理，搅拌30-60分钟后，加入质量分数为2-5%的催化剂，抽气的时间为10-20分钟，用于将混合溶胶干燥处理；s5、经s4处理后的混合溶胶放入烘箱内，烘箱的温度为150-180℃，烘箱工作的时间为35-50分钟，用于将混合溶胶固化处理；s6、将固化后的混合溶胶放入煅烧炉内，煅烧炉内的温度控制在550-600℃，煅烧的时间为4-8小时后取出并冷却至室温；s7、经s6处理后将煅烧后的混合溶液粉碎并过筛处理，用于制得二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体。
5.优选的，所述γ-氧化铝粉体和二氧化硅纳溶胶的质量比为3:2。
6.优选的，所述交联剂为二丙烯酰胺。
7.优选的，所述加热式搅拌器的初次转速为50-80转每分钟、二次转速为80-100转每分钟。
8.优选的，所述催化剂为乙二胺。
9.本发明提出的二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体，有益效果在于：本发明通过高温处理的方式制得二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体，并且还通过高温蒸发制备过程中产生的废弃液，相对于化学处理的方式，本方案节省了时间以及制备工序，同时还蒸发处理的废弃液，提升了二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体制备效率。
具体实施方式
10.下面结合具体实施例来对本发明做进一步说明。
11.实施例1本发明提出了二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体，包括以下步骤：s1、将γ-氧化铝粉体投入质量分数为25%的二氧化硅溶胶中，γ-氧化铝粉体和二氧化硅纳溶胶的质量比为3:2；s2、通过加热式搅拌器搅拌γ-氧化铝粉体和二氧化硅溶胶，搅拌的温度控制在60℃，转速为50转每分钟，搅拌20分钟后加入二丙烯酰胺交联剂，制得混合溶胶；s3、将混合溶胶继续通过加热式搅拌器进处理，搅拌的温度控制在90℃，80转每分钟，用于去除混合溶胶中残留的水溶液；s4、经s3处理后，将混合溶胶投入抽气式搅拌器内，搅拌的同时进行抽气处理，搅拌30分钟后，加入质量分数为2%的乙二胺催化剂，抽气的时间为10分钟，用于将混合溶胶干燥处理，催化剂为；s5、经s4处理后的混合溶胶放入烘箱内，烘箱的温度为150℃，烘箱工作的时间为35分钟，用于将混合溶胶固化处理；s6、将固化后的混合溶胶放入煅烧炉内，煅烧炉内的温度控制在550℃，煅烧的时间为4小时后取出并冷却至室温；s7、经s6处理后将煅烧后的混合溶液粉碎并过筛处理，用于制得二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体。
12.实施例2二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体，包括以下步骤：s1、将γ-氧化铝粉体投入质量分数为30%的二氧化硅溶胶中，γ-氧化铝粉体和二氧化硅纳溶胶的质量比为3:2；s2、通过加热式搅拌器搅拌γ-氧化铝粉体和二氧化硅溶胶，搅拌的温度控制在66℃，转速为61转每分钟，搅拌28分钟后加入二丙烯酰胺交联剂，制得混合溶胶；s3、将混合溶胶继续通过加热式搅拌器进处理，搅拌的温度控制在93℃，86转每分钟，用于去除混合溶胶中残留的水溶液；s4、经s3处理后，将混合溶胶投入抽气式搅拌器内，搅拌的同时进行抽气处理，搅拌40分钟后，加入质量分数为3.2%的乙二胺催化剂，抽气的时间为14分钟，用于将混合溶胶干燥处理，催化剂为；s5、经s4处理后的混合溶胶放入烘箱内，烘箱的温度为165℃，烘箱工作的时间为40分钟，用于将混合溶胶固化处理；s6、将固化后的混合溶胶放入煅烧炉内，煅烧炉内的温度控制在560℃，煅烧的时
间为5小时后取出并冷却至室温；s7、经s6处理后将煅烧后的混合溶液粉碎并过筛处理，用于制得二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体。
13.实施例3二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体，包括以下步骤：s1、将γ-氧化铝粉体投入质量分数为35%的二氧化硅溶胶中，γ-氧化铝粉体和二氧化硅纳溶胶的质量比为3:2；s2、通过加热式搅拌器搅拌γ-氧化铝粉体和二氧化硅溶胶，搅拌的温度控制在72℃，转速为70转每分钟，搅拌35分钟后加入二丙烯酰胺交联剂，制得混合溶胶；s3、将混合溶胶继续通过加热式搅拌器进处理，搅拌的温度控制在98℃，90转每分钟，用于去除混合溶胶中残留的水溶液；s4、经s3处理后，将混合溶胶投入抽气式搅拌器内，搅拌的同时进行抽气处理，搅拌50分钟后，加入质量分数为4%的乙二胺催化剂，抽气的时间为18分钟，用于将混合溶胶干燥处理，催化剂为；s5、经s4处理后的混合溶胶放入烘箱内，烘箱的温度为170℃，烘箱工作的时间为45分钟，用于将混合溶胶固化处理；s6、将固化后的混合溶胶放入煅烧炉内，煅烧炉内的温度控制在580℃，煅烧的时间为6.5小时后取出并冷却至室温；s7、经s6处理后将煅烧后的混合溶液粉碎并过筛处理，用于制得二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体。
14.实施例4本发明提出了二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体，包括如下步骤：二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体，包括以下步骤：s1、将γ-氧化铝粉体投入质量分数为40%的二氧化硅溶胶中，γ-氧化铝粉体和二氧化硅纳溶胶的质量比为3:2；s2、通过加热式搅拌器搅拌γ-氧化铝粉体和二氧化硅溶胶，搅拌的温度控制在80℃，转速为80转每分钟，搅拌40分钟后加入二丙烯酰胺交联剂，制得混合溶胶；s3、将混合溶胶继续通过加热式搅拌器进处理，搅拌的温度控制在100℃， 100转每分钟，用于去除混合溶胶中残留的水溶液；s4、经s3处理后，将混合溶胶投入抽气式搅拌器内，搅拌的同时进行抽气处理，搅拌60分钟后，加入质量分数为2-5%的乙二胺催化剂，抽气的时间为20分钟，用于将混合溶胶干燥处理，催化剂为；s5、经s4处理后的混合溶胶放入烘箱内，烘箱的温度为180℃，烘箱工作的时间为50分钟，用于将混合溶胶固化处理；s6、将固化后的混合溶胶放入煅烧炉内，煅烧炉内的温度控制在600℃，煅烧的时间为8小时后取出并冷却至室温；s7、经s6处理后将煅烧后的混合溶液粉碎并过筛处理，用于制得二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体。
15.以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，
任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
再多了解一些
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