适用于线性功率放大器的偏置电路的制作方法

技术特征：
1.一种适用于线性功率放大器的偏置电路，与功率放大器连接，其特征在于，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一电阻、第二电阻及第三电阻；所述第一电阻一端与所述功率放大器连接，另一端与所述第一晶体管的发射极连接，所述第一晶体管的基极与第二晶体管的基极连接，所述第一晶体管的集电极与第二晶体管的集电极共同连接并与外部一电源连接；所述第二晶体管的发射极与第三电阻的一端连接，第三电阻的另一端与第二电阻的一端连接，第二电阻的另一端接地；所述第三晶体管的基极与第三电阻的另一端连接，其发射极接地，所述第三晶体管的集电极与第二晶体管的基极连接。2.如权利要求1所述的适用于线性功率放大器的偏置电路，其特征在于，还包括第一电容，所述第一电容一端与第二晶体管的基极连接，另一端接地。3.如权利要求2所述的适用于线性功率放大器的偏置电路，其特征在于，还包括第四电阻与第二电容，所述第四电阻一端与所述第一晶体管的集电极连接，另一端与一外部电源连接，所述第二电容一端与第四电阻另一端连接，另一端接地。4.如权利要求1所述的适用于线性功率放大器的偏置电路，其特征在于，还包括第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管及第五电阻；所述第四晶体管的发射极与第二晶体管的基极连接，其集电极与外部一电源连接，所述第四晶体管的基极与第五晶体管的基极连接，所述第五晶体管的基极、集电极共同连接并与所述第六晶体管的基极、集电极连接，所述第五晶体管的发射极接地；所述第七晶体管的基极、集电极共同连接并与所述第六晶体管的发射极连接，所述第七晶体管的发射极接地；所述第五电阻一端与所述第五晶体管的集电极连接，另一端与外部另一电源连接。5.如权利要求4所述的适用于线性功率放大器的偏置电路，其特征在于，还包括第三电容，所述第三电容一端与第五晶体管的基极连接，另一端接地。6.如权利要求4所述的适用于线性功率放大器的偏置电路，其特征在于，还包括第四电容，所述第四电容一端与第五电阻的另一端连接，另一端接地。

技术总结
本发明公开了一种适用于线性功率放大器的偏置电路，与功率放大器连接，其包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一电阻、第二电阻及第三电阻；第一电阻一端与功率放大器连接，另一端与第一晶体管的发射极连接，第一晶体管的基极与第二晶体管的基极连接，第一晶体管的集电极与第二晶体管的集电极共同连接并与外部一电源连接；第二晶体管的发射极与第三电阻的一端连接，第三电阻的另一端与第二电阻的一端连接，第二电阻的另一端接地；第三晶体管的基极与第三电阻的另一端连接，其发射极接地，第三晶体管的集电极与第二晶体管的基极连接。本发明的方案提升了偏置电路抑制温漂的性能，减小了镇流电阻对放大器工作状调节态温度补偿的敏感度，进一步提升了放大器线性度。进一步提升了放大器线性度。进一步提升了放大器线性度。


技术研发人员：王鹏 张宗楠
受保护的技术使用者：四川和芯微电子股份有限公司
技术研发日：2022.05.26
技术公布日：2022/9/2