高电压等级真空灭弧室用外屏蔽罩及中间屏蔽罩的制作方法

1.本发明属于高电压等级真空灭弧室屏蔽结构技术领域，尤其是一种高电压等级真空灭弧室用外屏蔽罩及中间屏蔽罩。


背景技术：

2.高电压等级的陶瓷真空灭弧室，由于电压高、体积大，产品高度比较高，一般都采用多级分压带中间屏蔽罩的绝缘结构设计，如图4所示，其结构包括位于上部的上磁壳1、位于下部的下磁壳13，上磁壳和下磁壳之间通过焊料环6封接有一中屏蔽罩4，该中屏蔽罩的上端为向侧壁3外侧卷绕的外卷段2，中屏蔽罩的下端为向侧壁外侧水平延伸的水平段5且其外侧的端部处的上端面与底面分别通过焊料环与上磁壳和下磁壳封接在一起。上述中间屏蔽罩的作用是屏蔽瓷壳与金属和真空三交面的二次电子、防止瓷壳沿面击穿，另外，也起到均匀电场的作用。然而，在真空灭弧室瓷壳封接位置外表面却没有屏蔽结构，使得此处成为灭弧室外绝缘的薄弱点，尤其是对于高电压等级真空灭弧室来说，其一般应用于充满绝缘气体的磁柱式断路器或gis等领域，对真空灭弧室外表面的绝缘要求也更高，显然现有技术的结构无法满足高电压等级真空灭弧室的使用要求。


技术实现要素：

3.本发明的目的在于克服现有技术的不足之处，提供一种高电压等级真空灭弧室用外屏蔽罩及中间屏蔽罩。该结构中，将中屏蔽罩下端的水平段延伸至上磁壳和下磁壳封接处的外侧，并嵌入外屏蔽罩内表面所设的凹槽内，由此使上磁壳和下磁壳封接处被外屏蔽罩屏蔽，有效的提高高电压等级真空灭弧室外表面的绝缘性能。
4.本发明解决技术问题所采用的技术方案是：
5.一种高电压等级真空灭弧室用外屏蔽罩及中间屏蔽罩，包括上磁壳、下磁壳和中屏蔽罩，中屏蔽罩下端向外延伸的水平段的上端面和底面分别与上磁壳和下磁壳封接在一起，其特征在于：所述水平段的外侧端部边沿一体延伸至上磁壳和下磁壳的外侧并形成外伸环，该外伸环连接一环形的外屏蔽罩，该外屏蔽罩遮挡所述上磁壳和下磁壳与水平段的封接处。
6.进一步的，所述外屏蔽罩内缘设置有凹槽，所述外伸环嵌入所述凹槽内。
7.进一步的，所述外伸环通过螺栓或限位销与外屏蔽罩固定。
8.进一步的，所述外屏蔽罩内缘设置有环形的凹槽，所述外伸环的边沿嵌入所述凹槽内，凹槽上方的外屏蔽罩、凹槽下方的外屏蔽罩和外伸环内穿装有用于固定外屏蔽罩和外伸环的螺栓。
9.进一步的，外屏蔽罩上端面设置有环形的竖槽，该竖槽底部设置有上螺纹孔，凹槽下方的外屏蔽罩内设置有下螺纹孔，上螺纹孔和下螺纹孔在外伸环嵌入外屏蔽罩凹槽后分别位于外伸环所设的通孔的上方和下方，上螺纹孔、通孔和下螺纹孔内旋合穿装的螺栓将外屏蔽罩固定在外伸环上。
10.进一步的，所述外屏蔽罩由两个半圆环对向拼接制成，两个半圆环拼接后形成所述竖槽和凹槽，每个半圆环上设置有至少一个上螺纹孔以及与上螺纹孔对位的下螺纹孔。
11.进一步的，两个半圆环对向拼接时相对的端面上分别设置有相互定位的结构。
12.本发明取得的技术效果是：
13.本发明中，将中屏蔽罩下端的水平段从封接处向外侧一体延伸成外伸环，并使新形成的外伸环嵌入一个由两个半圆环对向拼接构成的外屏蔽罩对位形成的凹槽内，再利用螺栓将外伸环和外屏蔽罩相互固定。中屏蔽罩和外屏蔽罩之间装配简便，并且有效增大真空灭弧室外表面的爬电距离，起到了屏蔽磁壳、金属材料和空气三种介质相交面的作用，而且均衡三种介质相交面的电场分布，能有效提高高电压等级真空灭弧室外表面的绝缘性能。
附图说明
14.图1是本发明的结构示意图；
15.图2是图1的i部放大图；
16.图3是一个半圆环的放大俯视图；
17.图4是现有技术的结构示意图。
具体实施方式
18.下面通过具体实施例对本发明作进一步详述，以下实施例只是描述性的，不是限定性的，不能以此限定本发明的保护范围。
19.一种高电压等级真空灭弧室用外屏蔽罩及中间屏蔽罩，如图1-3所示，包括上磁壳1、下磁壳13和中屏蔽罩4，中屏蔽罩下端向外延伸的水平段5的上端面和底面分别与上磁壳和下磁壳封接在一起，本发明的创新在于：所述水平段的外侧端部边沿一体延伸至上磁壳和下磁壳的外侧并形成外伸环11，该外伸环连接一环形的外屏蔽罩7，该外屏蔽罩遮挡所述上磁壳和下磁壳与水平段的封接处且与封接处间隔设置。
20.外屏蔽罩内缘设置有凹槽10，外伸环嵌入凹槽内。外伸环通过螺栓或限位销与外屏蔽罩固定。
21.优选的结构是：外屏蔽罩内缘设置有环形的凹槽，水平段的外伸环嵌入所述凹槽内，凹槽上方的外屏蔽罩、凹槽下方的外屏蔽罩和外伸环内穿装有用于固定外屏蔽罩和外伸环的螺栓。
22.更优选的方案是：外屏蔽罩上端面设置有环形的竖槽8，该竖槽底部设置有上螺纹孔14，凹槽下方的外屏蔽罩内设置有下螺纹孔16，上螺纹孔和下螺纹孔在外伸环嵌入外屏蔽罩凹槽后分别位于外伸环所设的通孔15的上方和下方。螺栓的上部外缘与上螺纹孔旋合，螺栓的下部12外缘与下螺纹孔旋合，上螺纹孔、通孔和下螺纹孔内旋合穿装的螺栓将外屏蔽罩固定在外伸环上。
23.外屏蔽罩由两个半圆环17对向拼接制成，两个半圆环拼接后形成所述竖槽和凹槽，每个半圆环上设置有至少一个上螺纹孔以及与上螺纹孔对位的下螺纹孔。比如每个半圆环设置有径向均布的两个上螺纹孔，而对应的通孔和下螺纹孔也是两个。
24.为了保证两个半圆环拼接时稳固，在两个半圆环对象拼接时相对的端面上分别设
置有相互定位的结构，比如：两个端面中的一个端面上设置榫头，另一个端面上设置榫槽，榫头和榫槽的嵌装配合使两个半圆环拼接后连接的更加稳固；再比如：一个端面上设置凸棱，另一个端面上设置凹陷，而凸棱和凹陷能相互嵌装配合。
25.中屏蔽罩选用1-1.5毫米左右的无氧铜板，使用引伸或旋压的方法加工。中屏蔽罩与上磁壳、下磁壳通过焊料环在真空炉中焊接成型。两个半圆环均选用质量较轻的铝材。
26.本发明中，将中屏蔽罩下端的水平段外伸环从封接处向外侧一体延伸，并使新形成的外伸环嵌入一个有两个半圆环对向拼接构成的外屏蔽罩对位设置的凹槽内，再利用螺栓将外伸环和外屏蔽罩相互固定。中屏蔽罩和外屏蔽罩之间装配简便，有效增大真空灭弧室外表面的爬电距离，起到了屏蔽磁壳、金属材料和空气三种介质相交面的作用，均衡三种介质相交面的电场分布，能有效提高高电压等级真空灭弧室外表面的绝缘性能。


技术特征：
1.一种高电压等级真空灭弧室用外屏蔽罩及中间屏蔽罩，包括上磁壳、下磁壳和中屏蔽罩，中屏蔽罩下端向外延伸的水平段的上端面和底面分别与上磁壳和下磁壳封接在一起，其特征在于：所述水平段的外侧端部边沿一体延伸至上磁壳和下磁壳的外侧并形成外伸环，该外伸环连接一环形的外屏蔽罩，该外屏蔽罩遮挡所述上磁壳和下磁壳与水平段的封接处。2.根据权利要求1所述的一种高电压等级真空灭弧室用外屏蔽罩及中间屏蔽罩，其特征在于：所述外屏蔽罩内缘设置有凹槽，所述外伸环嵌入所述凹槽内。3.根据权利要求2所述的一种高电压等级真空灭弧室用外屏蔽罩及中间屏蔽罩，其特征在于：所述外伸环通过螺栓或限位销与外屏蔽罩固定。4.根据权利要求3所述的一种高电压等级真空灭弧室用外屏蔽罩及中间屏蔽罩，其特征在于：所述外屏蔽罩内缘设置有环形的凹槽，所述外伸环的边沿嵌入所述凹槽内，凹槽上方的外屏蔽罩、凹槽下方的外屏蔽罩和外伸环内穿装有用于固定外屏蔽罩和外伸环的螺栓。5.根据权利要求4所述的一种高电压等级真空灭弧室用外屏蔽罩及中间屏蔽罩，其特征在于：外屏蔽罩上端面设置有环形的竖槽，该竖槽底部设置有上螺纹孔，凹槽下方的外屏蔽罩内设置有下螺纹孔，上螺纹孔和下螺纹孔在外伸环嵌入外屏蔽罩凹槽后分别位于外伸环所设的通孔的上方和下方，上螺纹孔、通孔和下螺纹孔内旋合穿装的螺栓将外屏蔽罩固定在外伸环上。6.根据权利要求5所述的一种高电压等级真空灭弧室用外屏蔽罩及中间屏蔽罩，其特征在于：所述外屏蔽罩由两个半圆环对向拼接制成，两个半圆环拼接后形成所述竖槽和凹槽，每个半圆环上设置有至少一个上螺纹孔以及与上螺纹孔对位的下螺纹孔。7.根据权利要求6所述的一种高电压等级真空灭弧室用外屏蔽罩及中间屏蔽罩，其特征在于：两个半圆环对向拼接时相对的端面上分别设置有相互定位的结构。

技术总结
本发明公开了一种高电压等级真空灭弧室用外屏蔽罩及中间屏蔽罩，所述水平段的外侧端部边沿一体延伸至上磁壳和下磁壳的外侧并形成外伸环，该外伸环连接一环形的外屏蔽罩，该外屏蔽罩遮挡所述上磁壳和下磁壳与水平段的封接处。本发明中，中屏蔽罩和外屏蔽罩之间装配简便，并且有效增大真空灭弧室外表面的爬电距离，起到了屏蔽磁壳、金属材料和空气三种介质相交面的作用，而且均衡三种介质相交面的电场分布，能有效提高高电压等级真空灭弧室外表面的绝缘性能。面的绝缘性能。面的绝缘性能。


技术研发人员：李小钊 薛从军 王晓琴 郑乐乐 范文兵 施大成 陈海军 李文
受保护的技术使用者：平高集团有限公司 国家电网有限公司 国网宁夏电力有限公司超高压公司
技术研发日：2022.06.27
技术公布日：2022/9/2