发光二极管封装结构及其制作方法与显示装置的制作方法与流程

1.本发明涉及一种封装结构及其制作方法，尤其涉及一种发光二极管封装结构及其制作方法与具有此发光二极管封装结构的显示装置的制作方法。


背景技术：

2.目前主动式微型发光二极管显示器的组装方式，是先通过巨量转移的方式将微型发光二极管巨量转移至大尺寸的薄膜晶体管(thin film transistor，tft)基板上，之后再将上述整体的结构拼接至电路板上而形成完成显示器的制作。然而，上述的构装方式面临多项问题，其中1.)大尺寸的薄膜晶体管基板其翘曲度较大，因此拼接至电路板上时，容易产生翘曲，易提高封装后段制程的困难度；2.)若大尺寸的薄膜晶体管基板中有需要维修的薄膜晶体管，则因为微型发光二极管已经巨量转移至其上，因此维修难度非常高且也非常困难；3.)薄膜晶体管基板是以玻璃作为基材，因此无法在其背面直接焊接外部电路或电子元件。基于上述三点因素，不仅降低主动式微型发光二极管显示器的制作良率，也会增加大尺寸、高单元像素显示器制造的困难度。


技术实现要素：

3.本发明是针对一种发光二极管封装结构及其制作方法，其通过贯穿玻璃基板的导电通孔来连接位于玻璃基板相对两表面的主动元件与接垫，且适于通过位于玻璃基板下方的接垫直接焊接至其他外部电路或电子元件。
4.本发明还针对一种显示装置的制作方法，包括上述的发光二极管封装结构，其可解决现有的问题，且具有较佳的结构可靠度。
5.根据本发明的实施例，发光二极管封装结构包括玻璃基板、多个导电通孔、多个主动元件、绝缘层、多个发光二极管以及多个接垫。玻璃基板具有彼此相对的上表面与下表面。导电通孔贯穿玻璃基板且连接上表面与下表面。主动元件配置于玻璃基板的上表面上，且与导电通孔电性连接。绝缘层配置于玻璃基板的上表面上，且覆盖主动元件。发光二极管配置于绝缘层上且与主动元件中的至少一个电性连接。接垫配置于玻璃基板的下表面上且电性连接导电通孔。主动元件中的至少一个的源极直接通过对应的导电通孔与对应的接垫中的至少一个电性连接。
6.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构中，上述的每一主动元件包括栅极、源极、栅绝缘层、主动层以及漏极。栅极配置于玻璃基板的上表面上。源极配置于玻璃基板的上表面上，其中栅极与源极属同一膜层。栅绝缘层配置于玻璃基板的上表面上，且覆盖栅极。主动层配置于玻璃基板的上表面上，且覆盖栅绝缘层与部分源极。漏极配置于主动层上，其中发光二极管分别与主动元件中的漏极电性连接。
7.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构中，上述的接垫通过导电通孔与每一主动元件的源极及栅极电性连接。
8.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构中，上述的发光二极管封装结构还
包括重配置线路层，配置于玻璃基板的下表面上，且包括至少一重配置线路、多个导电孔以及接垫。导电孔连接重配置线路与导电通孔以及连接重配置线路与接垫。每一主动元件的栅极通过导电通孔与重配置线路层的接垫电性连接。
9.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构中，上述的发光二极管封装结构还包括图案化线路层以及多个导电孔。图案化线路层配置于绝缘层上。导电孔配置于绝缘层内，且电性连接图案化线路层与每一主动元件的漏极。发光二极管通过图案化线路层以及导电孔分别与主动元件电性连接。
10.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构中，上述的主动元件包括第一主动元件与第二主动元件。第一主动元件包括第一栅极、第一源极、第一主动层、第一栅绝缘层以及第一漏极。第一栅极、第一源极、第一主动层与第一栅绝缘层配置于玻璃基板的上表面上。第一栅极与第一源极属同一膜层。第一栅绝缘层覆盖第一栅极。第一主动层覆盖第一栅绝缘层与部分第一源极。第一漏极配置于第一主动层上。第二主动元件包括第二栅极、源极、第二主动层、第二栅绝缘层以及第二漏极。第二栅极、源极、第二主动层、第二栅绝缘层以及第二漏极配置于玻璃基板的上表面上。第二栅极、源极及第二漏极属同一膜层。第二栅绝缘层覆盖第二栅极。第二主动层覆盖第二栅绝缘层、部分源极与部分第二漏极。导电通孔与第一主动元件的第一栅极以及第二主动元件的第二栅极、源极及第二漏极电性连接。
11.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构中，上述的发光二极管封装结构还包括第一重配置线路层，配置于绝缘层上。发光二极管通过第一重配置线路层与第一主动元件的第一漏极电性连接。
12.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构中，上述的发光二极管封装结构还包括第二重配置线路层，配置于玻璃基板的下表面上，且包括至少一重配置线路、多个导电孔以及接垫。导电孔连接重配置线路与导电通孔以及连接重配置线路与接垫。第二主动元件的第二栅极与源极通过导电通孔与第二重配置线路层的接垫电性连接。
13.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构中，上述的发光二极管封装结构，还包括被动元件，内埋于第二重配置线路层内。连接第一主动元件的第一栅极以及连接第二主动元件的第二漏极的导电通孔与被动元件电性连接。
14.根据本发明的实施例，发光二极管封装结构的制作方法其包括以下步骤。提供玻璃基板。玻璃基板具有彼此相对的上表面与下表面。形成贯穿玻璃基板的多个导电通孔。导电通孔连接上表面与下表面。形成多个主动元件于玻璃基板的上表面上。主动元件与导电通孔电性连接。形成绝缘层于玻璃基板的上表面上，绝缘层覆盖主动元件。接合多个发光二极管于绝缘层上。发光二极管与主动元件中的至少一个电性连接。形成多个接垫于玻璃基板的下表面上且电性连接导电通孔。主动元件中的至少一个的源极直接通过对应的导电通孔与对应的接垫中的至少一个电性连接。
15.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述的形成每一主动元件于玻璃基板的上表面上的步骤，包括：形成栅极与源极于玻璃基板的上表面上，其中栅极与源极属同一膜层。形成栅绝缘层于玻璃基板的上表面上，栅绝缘层覆盖栅极。形成主动层于玻璃基板的上表面上，主动层覆盖栅绝缘层与部分源极。形成漏极于主动层上，其中发光二极管分别与每一主动元件中的漏极电性连接。
16.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述的形成栅极与
源极时，同时于玻璃基板的下表面上形成接垫。接垫通过导电通孔与每一主动元件的源极及栅极电性连接。
17.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述的发光二极管封装结构的制作方法还包括：形成重配置线路层于玻璃基板的下表面上。重配置线路层包括至少一重配置线路、多个导电孔以及接垫。导电孔连接重配置线路与导电通孔以及连接重配置线路与接垫。每一主动元件的栅极通过导电通孔与重配置线路层的接垫电性连接。
18.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述的于形成绝缘层之后且于提供发光二极管之前还包括：形成图案化线路层与多个导电孔。图案化线路层配置于绝缘层上，而导电孔配置于绝缘层内且电性连接图案化线路层与每一主动元件的漏极。发光二极管通过图案化线路层以及导电孔分别与主动元件电性连接。
19.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述的主动元件包括第一主动元件与第二主动元件。第一主动元件包括第一栅极、第一源极、第一主动层、第一栅绝缘层以及第一漏极。第一栅极、第一源极、第一主动层与第一栅绝缘层配置于玻璃基板的上表面上。第一栅极与第一源极属同一膜层。第一栅绝缘层覆盖第一栅极，第一主动层覆盖第一栅绝缘层与部分第一源极，而第一漏极配置于第一主动层上。第二主动元件包括第二栅极、源极、第二主动层、第二栅绝缘层以及第二漏极。第二栅极、源极、第二主动层、第二栅绝缘层以及第二漏极配置于玻璃基板的上表面上。第二栅极、源极及第二漏极属同一膜层。第二栅绝缘层覆盖第二栅极，第二主动层覆盖第二栅绝缘层、部分源极与部分第二漏极。导电通孔与第一主动元件的第一栅极以及第二主动元件的第二栅极、源极及第二漏极电性连接。
20.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述的发光二极管封装结构的制作方法还包括:于形成绝缘层之后且于提供发光二极管之前，形成第一重配置线路层于绝缘层上。发光二极管通过第一重配置线路层与第一主动元件的第一漏极电性连接。
21.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述的发光二极管封装结构的制作方法还包括:形成第二重配置线路层于玻璃基板的下表面上。第二重配置线路层包括至少一重配置线路、多个导电孔以及接垫。导电孔连接重配置线路与导电通孔以及连接重配置线路与接垫。第二主动元件的第二栅极与源极通过导电通孔与第二重配置线路层的接垫电性连接。
22.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述的发光二极管封装结构的制作方法还包括:内埋被动元件于第二重配置线路层内。连接第一主动元件的第一栅极以及连接第二主动元件的第二漏极的导电通孔与被动元件电性连接。
23.根据本发明的实施例，显示装置的制作方法其包括以下步骤。提供载板。提供发光二极管封装结构。发光二极管封装结构包括玻璃基板、多个导电通孔、多个主动元件、绝缘层、多个发光二极管以及多个接垫。玻璃基板具有彼此相对的上表面与下表面。导电通孔贯穿玻璃基板且连接上表面与下表面。主动元件配置于玻璃基板的上表面上，且与导电通孔电性连接。绝缘层配置于玻璃基板的上表面上，且覆盖主动元件。发光二极管配置于绝缘层上且与主动元件中的至少一个电性连接。接垫配置于玻璃基板的下表面上且电性连接导电通孔。主动元件中的至少一个的源极直接通过对应的导电通孔与对应的接垫中的至少一个
电性连接。单体化发光二极管封装结构，而形成各自独立的多个发光二极管封装单元。将发光二极管封装单元组装至载板上，而形成显示装置，其中每一发光二极管封装单元通过接垫直接与载板电性连接。
24.在根据本发明的实施例的显示装置的制作方法中，上述的每一发光二极管封装单元中的发光二极管的个数为三个。发光二极管分别为红色微型发光二极管、绿色微型发光二极管以及蓝色微型发光二极管。
25.基于上述，在本发明的发光二极管封装结构及其制作方法中，导电通孔贯穿玻璃基板且电性连接位于上表面的主动元件与位于下表面的接垫，其中至少一主动元件中的源极直接通过对应的导电通孔与对应的接垫电性连接，而发光二极管电性连接主动元件。藉此，后续通过单体化上述的发光二极管封装结构，即可形成各自独立且具有接垫的发光二极管封装单元，且此发光二极管封装单元可通过接垫直接与载板电性连接，而完成显示装置的制作。相较于现有技术中，将大尺寸的薄膜晶体管基板及其上巨量转移的微型发光二极管拼接至电路板上而言，本发明的是以单体化后的小尺寸发光二极管封装单元来拼接至载板上，因此不会有基板翘曲的问题产生。此外，若有坏损需要维修时，可直接将坏损的发光二极管封装单元置换一个良品的发光二极管封装单元，过程较为简单，且可降低生产成本。
附图说明
26.图1a至图1i是依照本发明的一实施例的一种发光二极管封装结构的制作方法的剖面示意图；
27.图2a与图2b是依照本发明的又一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图及其电路示意图；
28.图2c与图2d是依照本发明的又一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图及其电路示意图；
29.图2e与图2f是依照本发明的又一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图及其电路示意图；
30.图2g是依照本发明的又一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图；
31.图3a至图3d是依照本发明的一实施例的一种显示装置的制作方法的剖面示意图。
32.附图标记说明
33.100a、100b1、100b2、100b3、100c:发光二极管封装结构；
34.110:玻璃基板；
35.111:上表面；
36.113:下表面；
37.120:导电通孔；
38.132、134:接垫；
39.140:绝缘层；
40.152:图案化线路层；
41.154:导电孔；
42.160a、160b、160c:发光二极管；
43.162a、162b、162c、164a、164b、164c:接垫；
44.170a、170b、170c:重配置线路层；
45.172:重配置线路；
46.174、176:导电孔；
47.178a1、178a2、178a3、178b1、178b3、178b5、178b6、178b7、178c1、
48.178c2、178c5、178c6、178c7:接垫；
49.180:第一重配置线路层；
50.182、184:重配置线路；
51.186、188:导电孔；
52.190:第二重配置线路层；
53.192:重配置线路；
54.194、196:导电孔；
55.198a、198b、198c:接垫；
56.195:被动元件；
57.200:显示装置；
58.a:主动层；
59.a1:第一主动层；
60.a2:第二主动层；
61.d:漏极；
62.d1:第一漏极；
63.d2:第二漏极；
64.e:主动元件；
65.e1:第一主动元件；
66.e2:第二主动元件；
67.g:栅极；
68.g1:第一栅极；
69.g2:第二栅极；
70.i:栅绝缘层；
71.i1:第一栅绝缘层；
72.i2:第二栅绝缘层；
73.p:载板；
74.s、s2:源极；
75.s1:第一源极；
76.t:贯孔；
77.u:发光二极管封装单元。
具体实施方式
78.现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
79.图1a至图1i是依照本发明的一实施例的一种发光二极管封装结构的制作方法的剖面示意图。请先参考图1a，关于本实施例的发光二极管封装结构的制作方法，首先，提供玻璃基板110，其中玻璃基板110具有彼此相对的上表面111与下表面113。此处，玻璃基板110还具有多个贯孔t，其中贯孔t贯穿玻璃基板110且连接上表面111与下表面113。
80.接着，请参考图1b，电镀导电材料于贯孔t，而形成贯穿玻璃基板110的多个导电通孔120，其中导电通孔120连接玻璃基板110的上表面111与下表面113。
81.接着，请先参考图1f，形成多个主动元件e于玻璃基板110的上表面111上，其中主动元件e与导电通孔120电性连接。具体来说，形成主动元件e的步骤，首先，请参考图1c，形成栅极g与源极s于玻璃基板110的上表面111上，其中栅极g与源极s属同一膜层。在形成栅极g与源极s时，同时于玻璃基板110的下表面113上形成接垫132、134，其中接垫132、134分别电性连接导电通孔120。此处，接垫132、134通过导电通孔120与每一主动元件e(请参考图1f)的源极s及栅极g电性连接。
82.接着，请参考图1d，形成栅绝缘层i于玻璃基板110的上表面111上，其中栅绝缘层i覆盖栅极g与部分上表面111。接着，请参考图1e，形成主动层a于玻璃基板110的上表面111上，其中主动层a覆盖栅绝缘层i、部分源极s以及部分上表面111。接着，请参考图1f，形成漏极d于主动层a上。至此，已完成主动元件e的制作，其中此主动元件e例如是薄膜晶体管。
83.接着，请参考图1g，形成绝缘层140于玻璃基板110的上表面111上，其中绝缘层140覆盖主动元件e与玻璃基板110的上表面111。
84.之后，请参考图1h，形成图案化线路层152与多个导电孔154，其中图案化线路层152配置于绝缘层140上，而导电孔154配置于绝缘层140内且电性连接图案化线路层152与每一主动元件e的漏极d。
85.最后，请参考图1i，以巨量转移的方式，接合多个发光二极管160a、160b、160c于绝缘层140上，其中发光二极管160a通过接垫162a、164a与图案化线路层152的电性连接，而发光二极管160b通过接垫162b、164b与图案化线路层152的电性连接，且发光二极管160c通过接垫162c、164c与图案化线路层152的电性连接。此处，发光二极管160a、160b、160c通过接垫162a、162b、162c及导电孔154分别与主动元件e的漏极d电性连接。也就是说，发光二极管160a、160b、160c通过图案化线路层152以及导电孔154分别与主动元件e电性连接。此外，发光二极管160a、160b、160c的接垫164a、164b、164c也电性连接至形成在玻璃基板110的下表面113上的接垫(因不同剖面，未示出)来输出信号。较佳的，发光二极管160a、160b、160c例如分别是红色微型发光二极管、绿色微型发光二极管及蓝色微型发光二极管，但不以此为限。至此，已完成发光二极管封装结构100a的制作。
86.在结构上，请再参考图1i，发光二极管封装结构100a包括玻璃基板110、导电通孔120、主动元件e、绝缘层140、发光二极管160a、160b、160c以及接垫132、134。玻璃基板110具有彼此相对的上表面111与下表面113。导电通孔120贯穿玻璃基板110且连接上表面111与下表面113。主动元件e配置于玻璃基板110的上表面111上，且与导电通孔120电性连接。绝缘层140配置于玻璃基板110的上表面111上，且覆盖主动元件e。发光二极管160a、160b、160c配置于绝缘层140上且分别与主动元件e电性连接。接垫132、134配置于玻璃基板110的下表面113上且电性连接导电通孔120。主动元件e中的源极s直接通过对应的导电通孔120与对应的接垫132电性连接。
87.更具体来说，每一主动元件e包括栅极g、源极s、栅绝缘层i、主动层a以及漏极d。栅极g配置于玻璃基板110的上表面111上。源极s配置于玻璃基板110的上表面111上，其中栅极g与源极s属同一膜层。栅绝缘层i配置于玻璃基板110的上表面111上且覆盖栅极g。主动层a配置于玻璃基板110的上表面111上，且覆盖栅绝缘层i与部分源极s。漏极d配置于主动层a上，其中发光二极管160a、160b、160c分别与主动元件e中的漏极d电性连接。须说明的是，主动元件e与发光二极管160a、160b、160c电性连接的方式取决于主动元件e的极性。此处，主动元件a具体化为p型薄膜晶体管，其通过漏极d与发光二极管160a、160b、160c电性连接。于另一未示出的实施例中，主动元件亦可为n型薄膜晶体管，其可通过源极与发光二极管电性连接，此仍属于本发明所欲保护的范围。接垫132、134则通过导电通孔120分别与每一主动元件e的源极s及栅极g电性连接。
88.此外，本实施例的发光二极管封装结构100a还包括图案化线路层152以及导电孔154。图案化线路层152配置于绝缘层140上。导电孔154配置于绝缘层140内，且电性连接图案化线路层152与每一主动元件e的漏极d。发光二极管160a、160b、160c通过图案化线路层152以及导电孔154分别与主动元件e电性连接。
89.简言之，本实施例是在具有导电通孔120的玻璃基板110上制作主动元件e(即驱动电路)，之后，接合发光二极管160a、160b、160c至主动元件e上，使每个主动元件e可控制单个颜色的发光二极管160a、160b、160c，其中主动元件e中的源极s直接通过对应的导电通孔120与对应的接垫132电性连接。由于本实施例的发光二极管封装结构100a，其于玻璃基板110的下表面113上具有接垫132、134，因此于后续应用中，适于通过位于玻璃基板110下方的接垫132、134直接焊接至其他外部电路或电子元件。
90.在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
91.图2a与图2b是依照本发明的又一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图及其电路示意图。请先同时参考图1i与图2a，本实施例的发光二极管封装结构100b1与上述的发光二极管封装结构100a相似，两者的差异在于：在本实施例中，发光二极管封装结构100b1还包括重配置线路层170a，配置于玻璃基板110的下表面113上，且包括至少一重配置线路(示意地示出一层重配置线路172)、多个导电孔174以及接垫178a1、178a2、178a3。导电孔174连接重配置线路172与接垫178a1。每一主动元件e的栅极g通过导电通孔120及导电孔174与重配置线路层170a的接垫178a1电性连接。请参考图2b，此处，接垫178a1例如是扫描线/数据线接垫，而接垫178a2例如是接地线接垫(即共源极)，且接垫178a3例如是电源线接垫(即共漏极)。
92.简言之，本实施例通过在玻璃基板110的下表面113上形成重配置线路层170a，来将主动元件e的栅极g、源极s以及漏极d进行连结，可用于共阴极与共阳极共存的控制系统。再者，此设计可通过连接外部控制元件来分别对连接发光二极管160a、160b、160c的主动元件e的栅极g输入信号，以达到调控供给发光二极管160a、160b、160c的电流，使发光二极管160a、160b、160c具有明暗开关等功能，藉此来达到显示的功能。
93.图2c与图2d是依照本发明的又一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图及其电路示意图。请先同时参考图1i与图2c，本实施例的发光二极管封装结构100b2与上
述的发光二极管封装结构100a相似，两者的差异在于：在本实施例中，发光二极管封装结构100b2还包括重配置线路层170b，配置于玻璃基板110的下表面113上，且包括至少一重配置线路(示意地示出一层重配置线路172)、多个导电孔174、176以及接垫178b1、178b3、178b5、178b6、178b7。导电孔174连接重配置线路172与导电通孔120，而导电孔176连接重配置线路172与接垫178b1。每一主动元件e的栅极g通过导电通孔120及导电孔174与重配置线路层170b的接垫178b1电性连接。请参考图2d，此处，接垫178b1例如是扫描线/数据线接垫(即共栅极)，而接垫178b3例如是电源线接垫(即共漏极)，且接垫178b5、178b6、178b7分别为发光二极管160a、160b、160c的输入端。
94.简言之，本实施例通过在玻璃基板110的下表面113上形成重配置线路层170b，来将主动元件e的栅极g、源极s以及漏极d进行连结。此设计为共阴极的控制系统，阳极的部分分三端信号输入(即接垫178b5、178b6、178b7)，通过不同的外部电压供给，可以分别控制发光二极管160a、160b、160c的明暗开关等作动，藉此来达到显示的功能。
95.图2e与图2f是依照本发明的又一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图及其电路示意图。请先同时参考图1i与图2f，本实施例的发光二极管封装结构100b3与上述的发光二极管封装结构100a相似，两者的差异在于：在本实施例中，发光二极管封装结构100b3还包括重配置线路层170c，配置于玻璃基板110的下表面113上，且包括至少一重配置线路(示意地示出一层重配置线路172)、多个导电孔174、176以及接垫178c1、178c2、178c5、178c6、178c7。导电孔174连接重配置线路172与导电通孔120，而导电孔176连接重配置线路172与接垫178c1。每一主动元件e的栅极g通过导电通孔120及导电孔174与重配置线路层170c的接垫178c1电性连接。请参考图2f，此处，接垫178c1例如是扫描线/数据线接垫(即共栅极)，而接垫178c2例如是接地线接垫(即共源极)，且接垫178c5、178c6、178c7分别为发光二极管160a、160b、160c的输出端。
96.简言之，本实施例通过在玻璃基板110的下表面113上形成重配置线路层170c，来将主动元件e的栅极g、源极s以及漏极d进行连结。此设计为共阳极的控制系统，在阳极施加外部电压，而阴极的部分分三端信号输出(即接垫178c5、178c6、178c7)。阴极后端串联电阻，通过切换电阻控制分压，使发光二极管160a、160b、160c分别具有明暗开关等功能，藉此来达到显示的功能。
97.图2g是依照本发明的又一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图。请同时参考图1i与图2g，本实施例的发光二极管封装结构100c与上述的发光二极管封装结构100a相似，两者的差异在于：在本实施例中，主动元件包括第一主动元件e1与第二主动元件e2。第一主动元件e1包括第一栅极g1、第一源极s1、第一主动层a1、第一栅绝缘层i1以及第一漏极d1。第一栅极g1、第一源极s1、第一主动层a1与第一栅绝缘层i1配置于玻璃基板110的上表面111上。第一栅极g1与第一源极s1属同一膜层。第一栅绝缘层i1覆盖第一栅极g1，而第一主动层a1覆盖第一栅绝缘层i1与部分第一源极s1，且第一漏极d1配置于第一主动层a1上。
98.再者，第二主动元件e2包括第二栅极g2、源极s2、第二主动层a2、第二栅绝缘层i2以及第二漏极d3。第二栅极g3、源极s2、第二主动层a2、第二栅绝缘层i2以及第二漏极d2配置于玻璃基板110的上表面111上。第二栅极g2、源极s2及第二漏极d2属同一膜层。第二栅绝缘层i2覆盖第二栅极g2，第二主动层a2覆盖第二栅绝缘层i2、部分源极s2与部分第二漏极
d2。导电通孔120与第一主动元件e1的第一栅极g1以及第二主动元件e2的第二栅极g2、源极s2及第二漏极d2电性连接。
99.接着，请再同时参考图1g与图2g，于形成绝缘层140之后且于提供发光二极管160a、160b、160c之前，形成第一重配置线路层180于绝缘层140上。第一重配置线路层180包括重配置线路182、184以及导电孔186、188，其中导电孔186电性连接重配置线路182与第一重配置线路184，而导电孔188电性连接重配置线路182与第一主动元件e1的第一漏极d1。也就是说，发光二极管160a、160b、160c通过第一重配置线路层180与第一主动元件e1的第一漏极d1电性连接。意即，发光二极管160a、160b、160c与主动元件e中的至少一个电性连接。
100.此外，本发明的发光二极管封装结构100c还包括形成第二重配置线路层190于玻璃基板110的下表面113上。第二重配置线路层190包括至少一重配置线路192、多个导电孔194、196以及接垫198a、198b、198c。导电孔194连接重配置线路192与导电通孔120，以及导电孔196连接重配置线路192与接垫198a、198b。第二主动元件e2的第二栅极g2及源极s2通过导电通孔120与第二重配置线路层190的接垫198a、198b电性连接。也就是说，在本实施例中，至少一个主动元件(即第二主动元件e2)中的源极s2直接通过对应的导电通孔120与对应的接垫198a电性连接。此处，接垫198a例如是扫描线/数据线接垫，而接垫198b例如是接地线接垫，且接垫198c例如是电源线接垫。
101.另外，本实施例的发光二极管封装结构100c还包括内埋被动元件195于第二重配置线路层190内，其中被动元件195例如是电容，但不以此为限。连接第一主动元件e1的第一栅极g1以及连接第二主动元件e2的第二漏极d2的导电通孔120与被动元件195电性连接。
102.简言之，在本实施例中，是在玻璃基板110上通过二个主动元件(即第一主动元件e1与第二主动元件e2)以及一个被动元件195来作为驱动电路，以藉此同时控制三个发光二极管160a、160b、160c，意即一个像素的颜色。当然，于其他未示出的实施例中，主动元件的个数及被动元件的个数可依据需求而自行调整，例如五个主动元件搭配两个被动元件，此仍属于本发明所欲保护的范围。
103.图3a至图3d是依照本发明的一实施例的一种显示装置的制作方法的剖面示意图，其中图1i为图3a的局部剖面示意图。首先，请参考图1i与图3a，在完成发光二极管封装结构100a的制作之后，于玻璃基板110上接合发光二极管160a、160b、160c。接着，请参考图3b，单体化发光二极管封装结构100a，而形成各自独立的多个发光二极管封装单元u。此处，每一发光二极管封装单元u中的发光二极管160a、160b、160c的个数为三个，其中发光二极管160a、160b、160c分别为红色发光二极管、绿色发光二极管以及蓝色发光二极管。接着，将单体化后的小尺寸发光二极管封装单元u送进检验，以通过良率验证。之后，请参考图3c与图3d，提供载板p，且将通过良率验证的发光二极管封装单元u组装至载板p上，而形成显示装置200，其中每一发光二极管封装单元u通过接垫132、134(请参考图1i)直接与载板p电性连接。此处，载板p例如是大尺寸的逻辑电路板，但不以此为限。至此，已完成显示装置200的制作。
104.简言之，本实施例是将先单体化发光二极管封装结构100a，而形成小尺寸且具有接垫132、134的发光二极管封装单元u。之后，再依据所需的尺寸大小，将一定数量且通过良率验证的发光二极管封装单元u通过接垫132、134直接与载板p电性连接，而完成显示装置200的制作。相较于现有技术中，将大尺寸的薄膜晶体管基板及其上巨量转移的微型发光二
极管拼接至电路板上而言，本实施例的是以单体化后的小尺寸发光二极管封装单元u来拼接至载板p上，因此不会有基板翘曲的问题产生且可提高拼接良率。此外，若有坏损需要维修时，可直接将坏损的发光二极管封装单元u置换一个良品的发光二极管封装单元u，过程较为简单，且可降低生产成本。
105.综上所述，在本发明的发光二极管封装结构及其制作方法中，导电通孔贯穿玻璃基板且电性连接位于上表面的主动元件与位于下表面的接垫，其中至少一主动元件中的源极直接通过对应的导电通孔与对应的接垫电性连接，而发光二极管电性连接主动元件。藉此，后续通过单体化上述的发光二极管封装结构，即可形成各自独立且具有接垫的发光二极管封装单元，且此发光二极管封装单元可通过接垫直接与载板电性连接，而完成显示装置的制作。相较于现有技术中，将大尺寸的薄膜晶体管基板及其上巨量转移的微型发光二极管拼接至电路板上而言，本发明的是以单体化后的小尺寸发光二极管封装单元来拼接至载板上，因此不会有基板翘曲的问题产生。此外，若有坏损需要维修时，可直接将坏损的发光二极管封装单元置换一个良品的发光二极管封装单元，过程较为简单，且可降低生产成本。
106.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。