金属表面导热DLC薄膜的制造方法与流程

金属表面导热dlc薄膜的制造方法
技术领域
1.本发明涉及金属表面处理技术领域，特别是涉及一种金属表面导热dlc薄膜的制造方法。


背景技术：

2.在工业上，一些半导体及其载体线路板在工作过程中会发热，而让其快速散热，从而延长半导体元器件的使用寿命，是技术人员重点解决的问题。通常，半导体外部封装由金属制成，但多数金属导热系数低无法满足散热的需求，从而影响半导体元器件的使用寿命。


技术实现要素：

3.本发明实施例的目的是提供一种金属表面导热dlc薄膜的制造方法，能够在金属表面镀上可以导热的dlc(diamond-like carbon，类金刚石)薄膜，以提升金属的散热性能。
4.为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种金属表面导热dlc薄膜的制造方法，包括：
5.将金属基板放置在真空镀膜室内；
6.对所述金属基板进行离子清洗；
7.开启离子束电源，向所述真空镀膜室通入乙炔气体，并在所述金属基板上施加射频电源，使得所述金属基板的表面上形成dlc涂层。
8.作为上述方案的改进，在所述将金属基板放置在真空镀膜室内之前，还包括步骤：
9.用超声波设备清洗所述金属基板，并在清洗完成后烘干所述金属基板。
10.作为上述方案的改进，在所述对所述金属基板进行离子清洗之前，还包括步骤：
11.对所述真空镀膜室进进行抽真空处理，使得所述真空镀膜室内的真空度达到5.0
×
10-3
pa。
12.作为上述方案的改进，所述对所述金属基板进行离子清洗，具体包括：
13.抽气步骤：对所述真空镀膜室进行抽真空处理，使得所述真空镀膜室内的真空度达到8.0
×
10-4
pa；
14.清洗步骤：向所述真空镀膜室内通入氩气，并开启离子源电源及偏压电源，以形成氩离子束对所述金属基板进行清洗。
15.作为上述方案的改进，在所述清洗步骤中，保持所述真空镀膜室内的真空度为0.5pa。
16.作为上述方案的改进，在所述清洗步骤中，所述偏压电源采用高频脉冲电源，所述偏压电源的电压为-3kv，所述偏压电源的频率80khz～1000khz。
17.作为上述方案的改进，所述清洗步骤的持续时间为15分钟。
18.作为上述方案的改进，所述离子束电源为直流电源，所述离子束电源的电压为2000v～3500v，所述离子束电源的电流为150ma～200ma。
19.作为上述方案的改进，所述射频电源的功率为220w～250w。
20.作为上述方案的改进，所述开启离子束电源，向所述真空镀膜室通入乙炔气体，并在所述金属基板上施加射频电源，使得所述金属基板的表面上形成dlc涂层的步骤的持续时间为100～120分钟。
21.实施本发明实施例，具有如下有益效果：
22.本发明实施例提供一种金属表面导热dlc薄膜的制造方法，先将金属基板放置在真空镀膜室内；再对所述金属基板进行离子清洗，从而去除金属基板表面的杂质，以提高后续镀膜的附着力；然后开启离子束电源，向所述真空镀膜室通入乙炔气体，并在所述金属基板上施加射频电源，使得所述金属基板的表面上形成dlc涂层。采用本发明实施例提供的金属表面导热dlc薄膜的制造方法，能够在金属表面镀上可以导热的dlc薄膜，以提升金属的散热性能。
附图说明
23.图1是本发明提供的实施例中的一种金属表面导热dlc薄膜的制造方法的流程图。
具体实施方式
24.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
25.请参阅图1所示，其是本发明提供的实施例中的一种金属表面导热dlc薄膜的制造方法的流程图，所述的金属表面导热dlc薄膜的制造方法包括以下步骤：
26.s1、将金属基板放置在真空镀膜室内；
27.s2、对所述金属基板进行离子清洗；
28.s3、开启离子束电源，向所述真空镀膜室通入乙炔(c2h2)气体，并在所述金属基板上施加射频电源，使得所述金属基板的表面上形成dlc涂层。
29.经测试，采用本实施例提供的金属表面导热dlc薄膜的制造方法所得到的dlc涂层具有超过1000w/mk的导热能力，因此能够提升金属的散热性能。
30.在本实施例中，先将金属基板放置在真空镀膜室内；再对所述金属基板进行离子清洗，从而去除金属基板表面的杂质，以提高后续镀膜的附着力；然后开启离子束电源，向所述真空镀膜室通入乙炔气体，并在所述金属基板上施加射频电源，使得所述金属基板的表面上形成dlc涂层。采用本发明实施例提供的金属表面导热dlc薄膜的制造方法，能够在金属表面镀上可以导热的dlc薄膜，以提升金属的散热性能。
31.作为其中一个可选的实施例，在所述步骤s1之前，还包括步骤：
32.s21、用超声波设备清洗所述金属基板，并在清洗完成后烘干所述金属基板。
33.在本实施例中，在金属基板的表面上镀膜之前，先用超声波设备对金属基板的表面进行清洗并烘干，从而先去除金属基板表面的杂质，从而能够有效提高后续镀膜的附着力。
34.作为其中一个可选的实施例，在所述步骤s2之前，还包括步骤：
35.s22、对所述真空镀膜室进进行抽真空处理，使得所述真空镀膜室内的真空度达到
5.0
×
10-3
pa。
36.在本实施例中，在对所述金属基板进行离子清洗之前，先对所述真空镀膜室进进行抽真空处理，从而使得所述真空镀膜室内的真空度达到5.0
×
10-3
pa，这样能够有效提高后续离子清洗的效率。
37.作为其中一个可选的实施例，所述步骤s2，具体包括：
38.抽气步骤：对所述真空镀膜室进行抽真空处理，使得所述真空镀膜室内的真空度达到8.0
×
10-4
pa；
39.清洗步骤：向所述真空镀膜室内通入氩气，并开启离子源电源及偏压电源，以形成氩离子束对所述金属基板进行清洗。
40.在本实施例中，通过所述抽气步骤和所述清洗步骤，能够取得较好的清洗效果，从而能够有效保证后续镀膜的质量。
41.具体地，在所述清洗步骤中，保持所述真空镀膜室内的真空度为0.5pa，这样能够取得更好的清洗效率和效果。
42.进一步地，在所述清洗步骤中，所述偏压电源采用高频脉冲电源，所述偏压电源的电压为-3kv，所述偏压电源的频率80khz～1000khz。
43.具体地，所述清洗步骤的持续时间为15分钟，这样能够保证金属基板表面的油污和杂质的去除效果，从而提高镀膜质量。
44.作为其中一个可选的实施例，所述离子束电源为直流电源，所述离子束电源的电压为2000v～3500v，所述离子束电源的电流为150ma～200ma。
45.作为其中一个可选的实施例，所述射频电源的功率为220w～250w。
46.作为其中一个可选的实施例，所述步骤s3的持续时间为100～120分钟，这样能够保证所述金属基板的表面镀上厚度为3.0um～5.5um的dlc涂层，从而保证所述金属基板的散热性能。
47.以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。