显示面板及显示装置的制作方法

显示面板及显示装置
【技术领域】
1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。


背景技术：

2.显示面板包括发光移位电路，发光移位电路通过发光控制信号线与子像素电连接，用于向子像素提供发光控制信号，以控制子像素的发光状态。
3.众所周知，发光移位电路包括多个晶体管。然而，当晶体管受到光照等外界影响时，其阈值电压容易发生漂移，进而影响发光移位电路的工作可靠性。例如，受到晶体管器件特性的影响，发光移位电路在输出发光使能电平时会出现电压不稳的情况，使所输出的信号出现台阶，进而影响子像素的发光状态，甚至出现发光移位电路功能失效使子像素无法正常发光的现象，严重影响了显示性能。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本发明实施例提供了一种显示面板及显示装置，用以提高发光移位电路的工作可靠性。
5.一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括衬底和位于所述衬底一侧的电路层，所述电路层包括发光移位电路；
6.所述发光移位电路包括：
7.第一输出模块，所述第一输出模块分别与第一节点、第一固定电位信号线和发光控制信号线电连接，所述第一输出模块用于响应所述第一节点的电压，将所述第一固定电位信号线所提供的发光使能电压传输至所述发光控制信号线；
8.与所述第一节点电连接的至少一个控制模块，所述控制模块包括一个或多个控制晶体管；
9.所述显示面板还包括顶部遮光层，所述顶部遮光层位于所述控制晶体管背向所述衬底的一侧，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述顶部遮光层与至少一个所述控制晶体管的沟道交叠，并且，所述顶部遮光层接收电压信号。
10.另一方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括上述显示面板。
11.上述技术方案中的一个技术方案具有如下有益效果：
12.本发明实施例通过设置顶部遮光层，一方面，顶部遮光层可以遮挡由显示面板顶部入射的外界环境光，避免这部分外界环境光照射到控制晶体管的沟道上，进而降低光照对这部分控制晶体管的阈值电压的影响，避免这部分控制晶体管的阈值发生正偏。如此一来，就可以提高控制模块中控制晶体管工作状态的可靠性，避免对第一节点的电压产生影响，使发光移位电路能够在发光时段输出稳定的低电平，提高发光元件发光亮度的准确性。
13.另一方面，电路层中设置有大量的用于形成晶体管或信号线的金属走线，当顶部遮光层位于控制晶体管背向衬底的一侧时，顶部遮光层相当于设置在了显示面板的膜层内部，通过使顶部遮光层接收电压信号，可以使顶部遮光层上有信号传输，从而避免大面积的
未加信号的金属层对电路层中晶体管的器件电性产生影响。
【附图说明】
14.为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
15.图1为本发明实施例所提供的显示面板的一种俯视图；
16.图2为本发明实施例所提供的显示面板的一种剖视图；
17.图3为本发明实施例所提供的发光移位电路的一种电路结构示意图；
18.图4为本发明实施例所提供的发光移位电路的另一种电路结构示意图；
19.图5为本发明实施例所提供的显示面板的一种膜层结构示意图；
20.图6为本发明实施例所提供的显示面板的另一种膜层结构示意图；
21.图7为本发明实施例所提供的显示面板的再一种膜层结构示意图；
22.图8为图7沿a1-a2方向的一种剖视图；
23.图9为本发明实施例所提供的显示面板的又一种膜层结构示意图；
24.图10为本发明实施例所提供的显示面板的又一种膜层结构示意图；
25.图11为本发明实施例所提供的又一种膜层结构示意图；
26.图12为本发明实施例所提供的显示面板的另一种俯视图；
27.图13为图12沿b1-b2方向的一种剖视图；
28.图14为图12沿b1-b2方向的另一种剖视图；
29.图15为本发明实施例所提供的显示面板的又一种膜层结构示意图；
30.图16为本发明实施例所提供的显示面板的又一种膜层结构示意图；
31.图17为本发明实施例所提供的显示面板的又一种膜层结构示意图；
32.图18为本发明实施例所提供显示面板的再一种局部剖视图；
33.图19为本发明实施例所提供的显示面板的又一种膜层结构示意图；
34.图20为本发明实施例所提供的显示面板的又一种局部剖视图；
35.图21为本发明实施例所提供的一种时序图；
36.图22为本发明实施例所提供的显示装置的一种结构示意图。
【具体实施方式】
37.为了更好的理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
38.应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
39.在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
40.应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示
可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
41.本发明实施例提供了一种显示面板，如图1和图2所示，图1为本发明实施例所提供的显示面板的一种俯视图，图2为本发明实施例所提供的显示面板的一种剖视图，显示面板包括衬底1和位于衬底1一侧的电路层2，电路层2包括发光移位电路3和像素电路4，其中，发光移位电路3通过发光控制信号线emit与像素电路4电连接，用于向像素电路4提供发光控制信号，而像素电路4则进一步与发光元件10电连接，用于响应发光控制信号来驱动发光元件10发光。
42.如图3和图4所示，图3为本发明实施例所提供的发光移位电路3的一种电路结构示意图，图4为本发明实施例所提供的发光移位电路3的另一种电路结构示意图，发光移位电路3包括第一输出模块5，第一输出模块5分别与第一节点n1、第一固定电位信号线vgl和发光控制信号线emit电连接。第一输出模块5用于响应第一节点n1的电压，将第一固定电位信号线vgl所提供的发光使能电压传输至发光控制信号线emit中。此外，发光移位电路3还包括与第一节点n1电连接的至少一个控制模块6，控制模块6包括一个或多个控制晶体管m0。
43.参见图2，显示面板还包括顶部遮光层7，顶部遮光层7位于控制晶体管m0背向衬底1的一侧，在垂直于衬底1所在平面的方向上，顶部遮光层7与至少一个控制晶体管m0的沟道交叠，并且，顶部遮光层7接收电压信号。
44.需要说明的是，结合图2，控制晶体管m0包括有源层p、栅极g、第一极s和第二极d，其中，有源层p包括与第一极s电连接的第一掺杂区m1、与第二极d电连接的第二掺杂区m2、以及位于第一掺杂区m1和第二掺杂区m2之间的沟道c。顶部遮光层7与控制晶体管m0的沟道交叠指的是顶部遮光层7与控制晶体管m0中有源层p的沟道c交叠。
45.根据发光移位电路3的具体结构可知，第一输出模块5是通过响应第一节点n1的电压来输出发光使能电压(低电平)的，如若第一节点n1电位不稳，那么第一输出模块5中晶体管的导通程度就会发生变化，使第一输出模块5所输出的信号不稳，无法保持恒定的低电位，进而影响发光元件10的发光状态。而控制模块6又与第一节点n1直接相连，因此，控制模块6中控制晶体管m0的器件特性会影响到第一节点n1的电位，进而较大程度地影响到第一输出模块5所输出的发光使能电压的稳定性。
46.本发明实施例通过设置顶部遮光层7，一方面，顶部遮光层7可以遮挡由显示面板顶部入射的外界环境光，避免这部分外界环境光照射到控制晶体管m0的沟道上，进而降低光照对这部分控制晶体管m0的阈值电压的影响，避免这部分控制晶体管m0的阈值发生正偏。如此一来，就可以提高控制模块6中控制晶体管m0工作状态的可靠性，避免对第一节点n1的电压产生影响，使发光移位电路3能够在发光时段输出稳定的低电平，提高发光元件10的发光亮度的准确性。
47.另一方面，电路层2中设置有大量的用于形成晶体管或信号线的金属走线，当顶部遮光层7位于控制晶体管m0背向衬底1的一侧时，顶部遮光层7相当于设置在了显示面板的膜层内部，通过使顶部遮光层7接收电压信号，可以使顶部遮光层7上有信号传输，从而避免大面积的未加信号的金属层对电路层2中晶体管的器件电性产生影响。
48.在一种可行的实施方式中，参见图3，控制模块6包括第一控制模块61，第一控制模块61中的控制晶体管m0包括第一晶体管m1和第二晶体管m2。其中，第一晶体管m1的栅极与
第一时钟信号线ck电连接，第一晶体管m1的第一极与移位控制信号线in电连接，第一晶体管m1的第二极与第二节点n2电连接；第二晶体管m2的栅极和第一极分别与第二节点n2电连接，第二晶体管m2的第二极与第一节点n1电连接。
49.如图5所示，图5为本发明实施例所提供的显示面板的一种膜层结构示意图，顶部遮光层7包括第一顶部遮光层71，在垂直于衬底1所在平面的方向上，第一顶部遮光层71与第二晶体管m2的沟道交叠。
50.发明人在研究过程中发现，发光移位电路3中第二晶体管m2的器件性能直接影响到了发光移位电路3所输出信号的稳定性。结合上述电路结构可知，第二晶体管m2的栅极与第一极电连接，此时，第二晶体管m2相当于一个单向导通的二极管。在理想状态下，在发光阶段，移位控制信号线in提供低电位，第二晶体管m2正常导通，第二晶体管m2将移位控制信号线in提供的低电位传输至第一节点n1，进而控制第一输出模块5将第一固定电位信号线vgl传输的发光使能电压(低电平)至发光控制信号线emit。
51.然而，如果第二晶体管m2受到光照等外界环境影响而导致第二晶体管m2的阈值电压正漂时，会影响到经由第二晶体管m2写入到第一节点n1的电位大小，使得第一节点n1的电位被抬高。第一节点n1的电位被抬高后，第一输出模块5输出低电平的能力减弱，此时，发光移位电路3传输至发光控制信号线emit上的信号产生小台阶，使输出的电位被抬高至偏移理想的发光使能电压。如此一来，发光元件10发光亮度变低，甚至是无法正常发光，导致发光移位电路3功能失效。
52.为此，在本发明实施例中，通过利用第一顶部遮光层71对第二晶体管m2的沟道进行遮挡，可以降低光照对第二晶体管m2的阈值电压的影响，防止第二晶体管m2的阈值正偏，如此一来，可以更大程度保证发光移位电路3在发光时段输出稳定的发光使能电压，进而保证发光元件10发光亮度的准确性。
53.进一步地，再次参见图3和图4，第一控制模块61中的控制晶体管m0还包括第三晶体管m3，第三晶体管m3的栅极与第二节点n2电连接，第三晶体管m3的第一极与第二时钟信号线xck电连接。第一控制模块61还包括第一电容c1，第一电容c1的第一极板与第二节点n2电连接，第一电容c1的第二极板与第三晶体管m3的第二极电连接。
54.如图6所示，图6为本发明实施例所提供的显示面板的另一种膜层结构示意图，在垂直于衬底1所在平面的方向上，第一顶部遮光层71还与第三晶体管m3的沟道交叠。
55.在传统的发光移位电路中，通常在第一节点n1上直接电连接一个稳压电容来稳定第一节点n1的电压。而本发明实施例则令第一电容c1不与第一节点n1直接相连，而是利用第三晶体管m3和第一电容c1所构成的整体结构，使发光阶段中第一节点n1的电位被耦合至更低，从而使第一固定电位信号线vgl传输的发光使能电压(低电平)经由第一输出模块5传输时的损耗更小，进而向发光控制信号线emit输出更低的低电位。
56.具体地，第二晶体管m2的栅极和第一极短接，相当于一个单向导通的二极管。由于第三晶体管m3和第一电容c1的存在，第二节点n2的电位会受到第二时钟信号的耦合。当第二节点n2的电位大于第一节点n1的电位时，第二晶体管m2截止，第二节点n2的电位变化不会影响到第一节点n1的电位，当第二节点n2的电位小于第一节点n1的电位时，第二晶体管m2逐渐开启，第一节点n1的电位趋于v
n1
|vth|，第二晶体管m2使第一节点n1的大部分时间都保持在一个相对稳定的电压，但是相较传统的稳压电容，第二晶体管m2的稳压能力又没
有那么强，所以当发光移位电路输出的信号跳低时，第一节点n1的电位会被耦合至更低，第一输出模块5导通程度变大，使得发光移位电路向发光控制信号线emit输出的电位更低，发光元件10的发光亮度更稳定。本发明实施例通过令第一顶部遮光层71遮挡第三晶体管m3的沟道，可以使第三晶体管m3的器件性能更稳定，从而在第二时钟信号进行高低电平跳变时第二节点n2的电位也会随之发生变化，进而调控第二晶体管m2的导通状态。
57.在一种可行的实施方式中，如图7和图8所示，图7为本发明实施例所提供的显示面板的再一种膜层结构示意图，图8为图7沿a1-a2方向的剖视图，第一顶部遮光层71复用为第一电容c1的第一极板c11或者第二极板c12。
58.结合发光移位电路3的电路结构可知，第二晶体管m2与第一电容c1彼此相连，在电路的版图设计中，第二晶体管m2也与第一电容c1相距较近。在本发明实施例中，在利用第一顶部遮光层71遮挡外界环境光的同时，通过进一步使第一顶部遮光层71复用为第一电容c1的第一极板c11或者第二极板c12，可以减小第一电容c1在第二晶体管m2水平方向的一侧所占用横向空间，优化版图设计；或者，在不增大第一电容c1在第二晶体管m2水平方向的一侧所占用横向空间的前提下，可以增大第一电容c1中两个极板之间的正对面积，提高第一电容c1的电容值的设计灵活性。
59.在一种可行的实施方式中，第一顶部遮光层71与第一电容c1的第二极板电连接。在电路的版图设计中，第二晶体管m2与第一电容c1相距较近，相应的，第一顶部遮光层71与第一电容c1的第二极板也就相距较近，因此，令第一顶部遮光层71与第一电容c1的第二极板电连接，在保证第一顶部遮光层71上有电压信号传输的同时，可减小与第一顶部遮光层71电连接的连接走线的长度。
60.或者，第一顶部遮光层71也可以与第二节点n2电连接。在电路的版图设计中，第二晶体管m2与第二节点n2之间相距较近，相应的，第一顶部遮光层71与第二节点n2也就相距较近，因此令第一顶部遮光层71与第二节点n2电连接可优化版图设计。此外，当第一顶部遮光层71与第二节点n2电连接时，第一顶部遮光层71与第二晶体管m2的第一极和栅极的电位发生同步变化，因而还可降低第一顶部遮光层71上电位跳变对第二晶体管m2的第一极和栅极上的电位的影响。
61.在一种可行的实施方式中，参见图3和图4，控制模块6包括第二控制模块62，第二控制模块62中的控制晶体管m0包括第四晶体管m4，第四晶体管m4的栅极与第一时钟信号线ck电连接，第四晶体管m4的第一极与移位控制信号线in电连接，第四晶体管m4的第二极与第一节点n1电连接。
62.需要说明的是，本发明实施例示意了图3和图4两种结构的发光移位电路3，相较于图3所示的发光移位电路3，图4所示的发光移位电路3中增加了几个常开晶体管，如第十四晶体管m14、第十五晶体管m15和第十六晶体管m16，这部分晶体管用于稳定节点电压。由于该部分晶体管持续导通，在结构上也可视为连接走线，对此，在本发明实施例中，第四晶体管m4的第二极与第一节点n1电连接既可以理解为图3所示意的第四晶体管m4的第二极与第一节点n1直接相连，也可以理解为图4所示意的第四晶体管m4的第二极通过常开的第十六晶体管m16与第一节点n1相连。
63.如图9所示，图9为本发明实施例所提供的显示面板的又一种膜层结构示意图，顶部遮光层7包括第二顶部遮光层72，在垂直于衬底1所在平面的方向上，第二顶部遮光层72
与第四晶体管m4的沟道交叠。
64.当移位控制信号线in提供低电平(发光使能电平)且第一时钟信号线ck提供低电平时，第四晶体管m4导通，将移位控制信号线in所提供的低电平传输至第一节点n1，进而控制第一输出模块5输出发光使能电压。可见，第四晶体管m4的器件性能会直接影响到第一节点n1的电位，进而影响第一输出模块5所输出发光使能电压的稳定性。本发明实施例通过利用第二顶部遮光层72对第四晶体管m4的沟道进行遮挡，可以降低光照对第四晶体管m4的阈值电压的影响，进而当第一时钟信号线ck提供低电平，第四晶体管m4可进行较大程度的导通，进而保证第一节点n1的电位与移位控制信号线in所提供的低电平趋于一致。
65.需要说明的是，参见图9，在发光移位电路3的版图设计中，第四晶体管m4与一条第一固定电压信号线vgl相距较近，在本发明实施例中，第二顶部遮光层72可以与第一固定电压信号线vgl同层设置且相互连通，以使第二顶部遮光层72上传输有第一固定电压信号线vgl所提供的发光使能电压(低电平)。
66.在一种可行的实施方式中，参见图3和图4，控制模块6包括第三控制模块63，第三控制模块63中的控制晶体管m0包括第五晶体管m5，第五晶体管m5的栅极与第一控制信号线rst电连接，第五晶体管m5的第一极与第二固定电位信号线电连接，第五晶体管m5的第二极与第一节点n1电连接。
67.如图10所示，图10为本发明实施例所提供的显示面板的又一种膜层结构示意图，顶部遮光层7包括第三顶部遮光层73，在垂直于衬底1所在平面的方向上，第三顶部遮光层73与第五晶体管m5的沟道交叠。
68.在发光移位电路3中，第五晶体管m5为防止异常断电的晶体管，一般情况下，第一控制信号线rst持续提供高电平，第五晶体管m5保持截止，第二固定电位信号线提供的高电平对第五晶体管m5中的寄生电容进行充电。在异常断电时，第五晶体管m5可以将自身存储的传输至第一节点n1，保证第一输出模块5无法输出发光使能电平，进而避免发光元件10异常发光。通过利用第三顶部遮光层73遮挡第五晶体管m5的沟道，以防止第五晶体管m5阈值正偏，可以保证第五晶体管m5工作状态的稳定性，进而使其在发光移位电路3中起到更可靠的防断电功能。
69.需要说明的是，参见图10，在发光移位电路3的版图设计中，第五晶体管m5与第一控制信号线rst相距较近，在本发明实施例中，第三顶部遮光层73可以与第一控制信号线rst同层设置且相互连通，以使第三顶部遮光层73上传输有第一控制信号线rst所提供的高电平。
70.在一种可行的实施方式中，参见图3和图4，发光移位电路3还包括第一驱动模块8，第一驱动模块8包括第六晶体管m6、第七晶体管m7和第二电容c2。其中，第六晶体管m6的栅极、第二电容c2的第一极板分别与第四节点n4电连接，第六晶体管m6的第一极与第二时钟信号线xck电连接，第六晶体管m6的第二极与第二电容c2的第二极板电连接，第七晶体管m7的栅极与第二时钟信号线xck电连接，第七晶体管m7的第一极与第六晶体管m6的第二极电连接，第七晶体管m7的第二极与第三节点n3电连接。
71.需要说明的是，如前所述，图4中所示意的第十五晶体管m15为常开晶体管，该晶体管在结构上也可视为连接走线，因此，在本发明实施例中，第六晶体管m6的栅极、第二电容c2的第一极板分别与第四节点n4电连接既可以理解为图3所示意的第六晶体管m6的栅极、
第二电容c2的第一极板分别与第四节点n4直接相连，也可以理解为图4所示意的第六晶体管m6的栅极、第二电容c2的第一极板分别通过第十五晶体管m15与第四节点n4相连。
72.控制模块6包括第四控制模块64，第四控制模块64中的控制晶体管m0包括第八晶体管m8，第八晶体管m8的栅极与第一节点n1电连接，第八晶体管m8的第一极与第一时钟信号线ck电连接，第八晶体管m8的第二极与第四节点n4电连接。
73.如图11所示，图11为本发明实施例所提供的又一种膜层结构示意图，顶部遮光层7包括第四顶部遮光层74，在垂直于衬底1所在平面的方向上，第四顶部遮光层74与第八晶体管m8的沟道交叠。
74.为减小漏流，发光移位电路3中的第八晶体管m8可以设计为双栅晶体管，由于双栅晶体管的沟道长度更大，因而其受到光照影响也就越大。在本发明实施例中，通过设置第四顶部遮光层74遮挡第八晶体管m8沟道，可以提高第八晶体管m8导通状态的稳定性，进而提高第四节点n4电位的稳定性，进而在利用第四节点n4的电压对第一驱动模块8进行驱动时，保证第一驱动模块8所输出的电位的稳定性。
75.需要说明的是，参见图11，在发光移位电路3的版图设计中，第八晶体管m8与一条第一固定电压信号线vgl相距较近，在本发明实施例中，第四顶部遮光层74可以与第一固定电压信号线vgl同层设置且相互连通，以使第四顶部遮光层74上传输有第一固定电压信号线vgl所提供的发光使能电压(低电平)。
76.在一种可行的实施方式中，顶部遮光层7接收恒定电压信号，此时，顶部遮光层7上持续传输稳定电位，可以防止顶部遮光层7上电位跳变耦合影响发光移位电路3中的节点电位。
77.示例性地，参见图9和图11，第二顶部遮光层72和第四顶部遮光层74分别与第一固定电压信号线vgl连通设置，第二顶部遮光层72和第四顶部遮光层74分别接收恒定的低电平。
78.在一种可行的实施方式中，顶部遮光层7与第一节点n1电连接。在电路的版图设计中，与第一节点n1电连接的这部分控制晶体管m0与第一节点n1相距较近，顶部遮光层7遮挡控制晶体管m0的沟道时，顶部遮光层7与第一节点n1也相距较近，因此令顶部遮光层7与第一节点n1电连接可优化版图设计。另一方面，顶部遮光层7与第一节点n1电连接时，顶部遮光层7与部分控制晶体管m0的第一极或第二极的第二极上的电位同步变化，例如，第一顶部遮光层71与第一节点n1电连接，还可降低第一顶部遮光层71上电位跳变对第二晶体管m2的第二极上的电位的影响。
79.在一种可行的实施方式中，如图12和图13所示，图12为本发明实施例所提供的显示面板的另一种俯视图，图13为图12沿b1-b2方向的一种剖视图，显示面板还包括发光器件层9，发光器件层9位于电路层2背向衬底1的一侧，发光器件层9包括多个发光元件10，发光元件10包括阳极11、位于阳极11背向衬底1一侧的发光层12、位于发光层12背向衬底1一侧的阴极13。其中，阴极13与负性电源总线pvee通过辅助连接部14电连接，顶部遮光层7位于控制晶体管m0与辅助连接部14之间。
80.如果将顶部遮光层7与控制晶体管m0的第一极和第二极同层设置，受到版图空间的限制，顶部金属层与控制晶体管m0中第一极和第二极之间的水平间隙会很小，此时外界环境经由顶部金属层与控制晶体管m0中第一极、第二极之间的缝隙射入时会产生较大干
涉。尤其是对于具有摄像功能、指纹识别功能的显示面板来说，当顶部遮光层7位于光学部件设置区时，顶部遮光层7与其它金属走线之间导致的干涉会很大程度的影响到成像质量和指纹识别精度。而本发明实施例通过将顶部遮光层7设置在控制晶体管m0与辅助连接部14之间，顶部遮光层7不会与发光移位电路3中用于形成各晶体管的金属走线同层设置，因而可以有效改善同层金属之间的干涉现象。
81.或者，在另一种可行的实施方式中，如图14所示，图14为图12沿b1-b2方向的另一种剖视图，显示面板还包括发光器件层9，发光器件层9位于电路层2背向衬底1的一侧，发光器件层9包括多个发光元件10，发光元件10包括阳极11、位于阳极11背向衬底1一侧的发光层12、位于发光层12背向衬底1一侧的阴极13。其中，顶部遮光层7与阳极11同层设置，此时，顶部遮光层7与阳极11采用同一构图工艺形成，节省了工艺流程。
82.进一步地，结合图12和图14，阴极13与负性电源总线pvee通过辅助连接部14电连接，顶部遮光层7与辅助连接部14复用。
83.需要说明的是，显示面板包括显示区和非显示区，发光移位电路3、负性电源总线pvee和辅助连接部14均是设置在非显示区的。当顶部遮光层7与辅助连接部14复用时，发光移位电路3的至少部分是与辅助连接部14交叠的，此时可以减小发光移位电路3与辅助连接部14在非显示区中占用的横向宽度，有助于减小非显示区的边框宽度。而且，辅助连接部14宽度较大，还能够对控制晶体管m0的沟道进行更大程度的遮挡。
84.进一步地，如图15和图16所示，图15为本发明实施例所提供的显示面板的又一种膜层结构示意图，图16为本发明实施例所提供的显示面板的又一种膜层结构示意图，顶部遮光层7包括多个开口15，在垂直于衬底1所在平面的方向上，开口15与控制晶体管m0的沟道不交叠，即，顶部遮光层7中开口15的设置位置对控制晶体管m0的沟道进行避让。
85.参见图14，顶部遮光层7下方通常为由有机材料形成的平坦化层16，在显示面板的工艺制程中，平坦化层16会自身分解水汽或者吸收部分水汽，后续在平坦化层16上方形成其它膜层时，这部分水汽会释放出来，导致上方膜层鼓包，进而出现膜层脱离的问题。本发明实施例通过在顶部遮光层7中设置多个开口15，可以利用这些开口15实现排气作用，使平坦化层16中的水汽被有效释放，进而避免水汽残留在平坦化层16内部导致后续出现膜层形变等问题。与此同时，通过令开口15与控制晶体管m0的沟道不交叠，可以使顶部遮光层7覆盖住控制晶体管m0的沟道，以实现对控制晶体管m0的沟道的更大程度的遮挡。
86.在一种可行的实施方式中，再次参见图3和图4，第一输出模块5包括第九晶体管m9，第九晶体管m9的栅极与第一节点n1电连接，第九晶体管m9的第一极与第一固定电位信号线vgl电连接，第九晶体管m9的第二极与发光控制信号线emit电连接。
87.如图17所示，图17为本发明实施例所提供的显示面板的又一种膜层结构示意图，在垂直于衬底1所在平面的方向上，顶部遮光层7还与第九晶体管m9的沟道交叠。
88.如若第九晶体管m9的阈值电压发生漂移，会影响到第九晶体管m9的导通程度，进而使发光移位电路3向发光控制信号线emit传输的电压无法达到第一固定电位信号线vgl所提供的发光使能电压，进而影响发光元件10的发光准确性。通过利用顶部遮光层7对第九晶体管m9的沟道也进行遮挡，可以降低光照对第九晶体管m9的阈值电压的影响，防止其阈值发生偏移。
89.在一种可行的实施方式中，再次参见图3和图4，发光移位电路还包括第二输出模
块17，第二输出模块17包括第十晶体管m10，第十晶体管m10的栅极与第三节点n3电连接，第十晶体管m10的第一极与第二固定电位信号线电连接，第十晶体管m10的第二极与发光控制信号线emit电连接。
90.再次参见图17，在垂直于衬底1所在平面的方向上，顶部遮光层7还与第十晶体管m10的沟道交叠。
91.其中，第十晶体管m10用于将第二固定电位信号线所提供的发光非使能电压传输至发光控制信号线emit中。如若第十晶体管m10的阈值电压在光照的影响下发生漂移，第十晶体管m10会出现导通程度变小或者是关态不佳的情况，进而会影响到第十晶体管m10所输出电位的稳定性，例如，当发光移位电路3需要向发光控制信号线emit传输发光使能电压时，如若第十晶体管m10关态不佳，第二固定电位信号线会经过第十晶体管m10向发光控制信号线emit漏电，进而导致发光移位电路3无法输出稳定的低电平。为此，本发明实施例通过利用顶部遮光层7对第十晶体管m10的沟道也进行遮挡，可以降低光照对第十晶体管m10的阈值电压的影响，进而防止其阈值发生偏移，提高第十晶体管m10的工作状态的可靠性。
92.需要说明的是，参见图18，在发光移位电路3的版图设计中，第九晶体管m9和第十晶体管m10与一条第一固定电压信号线vgl相距较近，也与一条第二固定电位信号线vgh相距较近。在本发明实施例中，对第九晶体管m9和第十晶体管m10的沟道进行遮挡的这部分顶部遮光层7可以与第一固定电压信号线vgl或第二固定电位信号线vgh同层设置且相互连通，以使这部分顶部遮光层7上传输有低电平或高电平。
93.在一种可行的实施方式中，如图18和图19所示，图18为本发明实施例所提供显示面板的再一种局部剖视图，图19为本发明实施例所提供的显示面板的又一种膜层结构示意图，显示面板还包括底部遮光层18，底部遮光层18位于控制晶体管m0朝向衬底1的一侧，在垂直于衬底1所在平面的方向上，底部遮光层18与至少一个控制晶体管m0的沟道交叠，从而利用底部遮光层18对经由显示面板底部入射的外界环境光进行遮挡，避免这部分外界环境光对控制晶体管m0的阈值电压产生影响。
94.在一种可行的实施方式中，参见图3和图4，第一输出模块5包括第九晶体管m9，第九晶体管m9的栅极与第一节点n1电连接，第九晶体管m9的第一极与第一固定电位信号线vgl电连接，第九晶体管m9的第二极与发光控制信号线emit电连接。
95.发光移位电路3还包括第二输出模块17，第二输出模块17包括第十晶体管m10，第十晶体管m10的栅极与第三节点n3电连接，第十晶体管m10的第一极与第二固定电位信号线电连接，第十晶体管m10的第二极与发光控制信号线emit电连接。
96.如图20所示，图20为本发明实施例所提供的显示面板的又一种局部剖视图，在垂直于衬底1所在平面的方向上，底部遮光层18至少与第九晶体管m9和/或第十晶体管m10的沟道交叠。
97.对于第九晶体管m9和第十晶体管m10这两个输出管来说，其阈值电压直接影响这两个晶体管在导通时的导通程度，进而影响发光移位电路3所输出的低电平或高电平的稳定性。结合电路的膜层结构可以看出，第九晶体管m9和第十晶体管m10的面积较大，其面积远大于其它控制晶体管的面积。为此，通过在第九晶体管m9和第十晶体管m10下方设置底部遮光层18，在优先利用底部遮光层18降低外界环境光对两个输出管器件特性的影响的同时，底部遮光层18与电路层2中其它金属线之间相距较远，因而底部遮光层18与其它信号线
之间的耦合也较小，即使设置较大面积的底部遮光层18后，也不会对寄生电容产生较大影响。
98.进一步地，底部遮光层18接收电源电压或者接地电压。
99.晶体管的阈值电压除受到光照影响外，还会受到铜棒摩擦的影响。铜棒摩擦使得衬底1积累负电荷，使晶体管的沟道载流子增加，进而导致晶体管的转移特性曲线发生偏移，阈值电压正偏。通过将底部遮光层18设置为金属遮光层，并且使其接收电源电压或者接地电压，还可利用底部遮光层18屏蔽掉摩擦电荷对控制晶体管m0的沟道的影响，更大程度地避免控制晶体管m0的阈值电压正偏。
100.此外，还需要说明的是，再次参见图3和图4，在本发明实施例中，发光移位电路还可包括第十一晶体管m11、第十二晶体管m12和第十三晶体管m13。
101.其中，第十一晶体管m11的栅极与第一时钟信号线ck电连接，第十一晶体管m11的第一极与第一固定电位信号线vgl电连接，第十一晶体管m11的第二极与第八晶体管m8的第二极电连接。第十二晶体管m12的栅极与第十一晶体管m11的第二极电连接，第十二晶体管m12的第一极与第二固定电位信号线电连接，第十二晶体管m12的第二极与第三晶体管m3的第二极电连接。第十三晶体管m13的栅极与第一节点n1连接，第十三晶体管m13的第一极与第二固定电位信号线电连接，第十三晶体管m13的第二极与第三节点n3电连接。
102.结合图3和图4，如图21所示，图21为本发明实施例所提供的一种时序图，发光移位电路3的工作过程包括第一时段t1～第五时段t5。
103.在第一时段t1，移位控制信号线in提供高电平，第一时钟信号线ck提供低电平，第二时钟信号线xck提供高电平，第十一晶体管m11将第一固定电位信号线vgl提供的低电平写入第四节点n4，控制第六晶体管m6导通，第六晶体管m6将第二时钟信号线xck提供的高电平写入第七晶体管m7的栅极，控制第七晶体管m7截止，此时，第三节点n3位置上一个驱动周期中的高电平，控制第十晶体管m10截止。第四晶体管m4将移位控制信号线in提供的高电平写入第一节点n1，控制第九晶体管m9截止，此时，发光移位电路3维持上一驱动周期所输出的高电平。
104.在第二时段t2，移位控制信号线in提供高电平，第一时钟信号线ck提供高电平，第二时钟信号线xck提供低电平，第七晶体管m7导通，将第四节点n4的低电平传输至第三节点n3，控制第十晶体管m10导通，将第二固定电位信号线提供的高电平传输至发光控制信号线emit。
105.在第三时段t3，移位控制信号线in提供高电平，第一时钟信号线ck提供低电平，第二时钟信号线xck提供高电平，发光移位电路3持续输出高电平。
106.在第四时段t4，移位控制信号线in提供低电平，第一时钟信号线ck提供高电平，第二时钟信号线xck提供低电平，同第三时段，发光移位电路3持续高电平。
107.在第五时段t5，移位控制信号线in提供低电平，第一时钟信号线ck提供低电平，第二时钟信号线xck提供高电平，第八晶体管m8导通，向第四节点n4写入电平，控制第六晶体管m6导通，第六晶体管m6将第二时钟信号线xck提供的高电平写入第七晶体管m7的栅极，控制第七晶体管m7截止。第四晶体管m4导通，将移位控制信号线in提供的低电平写入第一节点n1，控制第九晶体管m9导通，将第一固定电位信号线vgl提供的低电平传输至发光控制信号线emit中。与此同时，发光移位电路3的输出端由高跳低时，受到耦合作用，第一节点n1的
电位会被拉至更低，第九晶体管m9会导通的更完全，第一固定电位信号线vgl提供的低电平经由第九晶体管m9传输至发光控制信号线emit时的压降更小，从而使发光控制信号线emit上的电压更接近于第一固定电位信号线vgl提供的低电平。
108.基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，如图22所示，图22为本发明实施例所提供的显示装置的一种结构示意图，该显示装置包括上述显示面板100。其中，显示面板100的具体结构已经在上述实施例中进行了详细说明，此处不再赘述。当然，图22所示的显示装置仅仅为示意说明，该显示装置可以是例如手机、平板计算机、笔记本电脑、电纸书或电视机等任何具有显示功能的电子设备。
109.以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。
110.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。