光检测装置以及电子装置的制作方法

1.本发明的一个实施方式涉及光检测装置以及电子装置。


背景技术：

2.受光元件等光检测装置广泛用于自动驾驶技术等。在自动驾驶技术中，利用光检测装置接收来自物体的反射光，测量直至物体为止的距离，生成距离图像。为了提高距离图像的分辨率，需要增加光检测装置中的每单位面积的受光元件的数量。然而，当减小受光元件的尺寸时，受光量也变小，所以受光元件的输出信号电平变小，难以进行噪音的识别。
3.因此，需要提高受光元件的灵敏度，并且放大受光元件的输出信号。针对每个受光元件而需要进行受光元件的灵敏度提高、输出信号的放大的电路，但留有构成该电路的晶体管的可靠性、消耗电力、电路面积等应研究的课题。


技术实现要素：

4.因而，本发明的一个实施方式提供可靠性以及灵敏度优良且能够实现小型化和低消耗电力化的光检测装置以及电子装置。
5.为了解决上述课题，本发明的一个实施方式提供光检测装置，该光检测装置具备：
6.受光元件，对入射光进行光电变换；以及
7.多个晶体管，用于控制施加到所述受光元件的偏置电压和控制所述受光元件的输出信号的读出，
8.所述多个晶体管至少包括具有第1耐压的一个以上的晶体管和具有比所述第1耐压高的第2耐压的一个以上的晶体管。
附图说明
9.图1是示出具备本实施方式的光检测装置的电子装置的概略结构的框图。
10.图2a是示出施加到spad的电压的图。
11.图2b是示出spad的反向偏置电压与灵敏度的关系的图。
12.图3是光检测装置的第1实施方式的框图。
13.图4a是示出偏置控制电路的第1具体例的电路图。
14.图4b是示出偏置控制电路的第2具体例的电路图。
15.图4c是示出偏置控制电路的第3具体例的电路图。
16.图5a是缓冲放大器的第1例的电路图。
17.图5b是缓冲放大器的第2例的电路图。
18.图6是第2实施方式的光检测装置1的框图。
19.图7a是示出图6的第1放大器的第1具体例的电路图。
20.图7b是示出图6的第1放大器的第2具体例的电路图。
21.图7c是示出图6的第1放大器以及第2放大器的第3具体例的电路图。
circuit)连接于spad，进行spad的复位。猝熄电路通过对spad的阴极端子施加比阳极端子高的反向偏置电压，从而使spad复位。另外，在spad中，越增大反向偏置电压，则灵敏度越提高，所以需要对spad的阴极端子施加如能够得到最佳的灵敏度那样的反向偏置电压。
38.这样，spad每当检测到光时，必须成为复位状态而对spad施加所期望的反向偏置电压，消耗电力增加。特别是，在二维平面上配置有大量的spad的受光单元阵列中，spad的数量越增加，则消耗电力越大。进而，spad存在在产生雪崩电流的期间释放光，对周围的spad造成扰乱的串扰现象，所以优选不使在受光阵列之中也可以不进行动作的spad成为复位状态。因而，考虑仅对受光单元阵列中的一部分的spad施加反向偏置电压。
39.图1是示出具备本实施方式的光检测装置1的电子装置2的概略结构的框图。图1的电子装置2具备光检测装置1和投射部3。光检测装置1具有受光单元阵列4、光控制部5以及控制部6。
40.受光单元阵列4具有能够单独地切换为接收光的导通状态或者接收不到光的截止状态的多个受光元件7。在图1的例子中，示出在二维方向(第1方向x以及第2方向y)上配置有多个受光元件7的例子，但也可以仅在一维方向(例如第1方向x)上配置。投射部3向对象物8投射光。投射部3在预定的范围内扫描光。
41.控制部6从光控制部5获取扫描来自投射部3的光的方向和速度的信息，根据其获取到的信息，动态地切换成为导通状态的受光元件7。例如，控制部6能够根据光的扫描方向和扫描速度，切换成为导通状态的受光元件7。
42.这样，本实施方式的控制部6仅使有可能会入射所期望的反射光的受光元件7成为导通状态，受光单元阵列4内的其它受光元件7成为截止状态。截止状态的受光元件7的输出信号始终是零，截止状态的受光元件7不会输出噪声。由此，能够进行光检测装置1内的各受光元件7的非同步控制。
43.图2a是示出施加到spad7的电压的图。此外，在本说明书中，对spad7和受光元件7附加有相同的符号。在图2a中，将spad7的阳极电压设为v0，将阴极电压设为v1或者v2。使spad7的阴极电压比阳极电压高的状态是反向偏置状态。
44.图2b是示出spad7的反向偏置电压与灵敏度的关系的图。图2b的横轴是spad7的反向偏置电压，纵轴是spad7的灵敏度。在图2b中，反向偏置电压vbd是击穿电压(阈值电压)，当反向偏置电压为vbd以上时，spad7能够发火。此外，发火是指spad7吸入光而产生雪崩电流。在图2b中，将反向偏置电压与击穿电压vbd的差分电压设为vex。差分电压vex越大，则spad7的灵敏度越高。更具体而言，在差分电压vex成为某种程度的大小之前，差分电压vex与spad7的灵敏度大致处于比例关系，当差分电压vex达到某种程度以上的大小时，spad7的灵敏度饱和。
45.例如，当在将图2b的曲线上的p1的反向偏置电压施加到spad7时探测到光时，spad7发火，产生大的雪崩电流。该雪崩电流的停止条件是spad7的反向偏置电压为击穿电压vbd以下。因而，spad7在发光之后至反向偏置电压成为击穿电压vbd以下为止，阴极电压下降。因此，spad7的阴极电压按照vex以上的电压宽度变化。因而，控制spad7的反向偏置电压的电路所使用的晶体管需要具有如即使施加与spad7的阴极电压的变化相应的电压也不被损坏的耐压。在此，耐压是指能够施加到晶体管的各端子间的最大电压。当将超过耐压的电压施加到晶体管的各端子间时，晶体管有可能会破损。
46.另一方面，从spad7输出的信号的信号振幅小，所以需要使用放大器进行放大。当增大该放大器所使用的晶体管的耐压时，无法增大放大器的驱动能力。因而，将来自spad7的信号进行放大的放大器所使用的晶体管的耐压优选变低。
47.这样，需要在控制spad7的控制电路内使耐压高的晶体管和耐压低的晶体管混合存在。
48.如上所述，为了提高spad7的灵敏度，需要尽可能增大施加到spad7的阴极端子的反向偏置电压。然而，当对受光单元阵列4内的所有的spad7的阴极端子始终施加高的反向偏置电压时，产生以下的问题。
49.1)必须使与spad7的阴极端子连接的放大器与所有的受光单元量相应地始终进行动作，所以消耗电力变大。当使放大器的动作停止时，在spad7发火时，放大器的输入节点的电压会急剧地下降至spad7的阳极电压，有可能会损坏放大器。
50.2)在spad7发火时，spad7自身有可能会发光，产生在发火的spad7的周边产生扰乱的串扰，光检测装置1的光检测精度会下降。
51.根据以上，在配置有多个包括spad7的受光单元的受光单元阵列4中，优选使不设想受光的受光单元可靠地截止。
52.(光检测装置1的第1实施方式)
53.图3是如图1所示用于实现受光元件7的非同步控制的光检测装置1的第1实施方式的框图。图3的光检测装置1具有与图1同样的受光单元阵列4和读出电路11。受光单元阵列4具有在第1方向x以及第2方向y上配置的多个受光单元12。包括在第1方向x上排列的多个受光单元12的受光单元群19在第2方向y上配置有多个。与各受光单元群19对应起来设置有输出布线14。受光单元群19内的各受光单元12的输出信号经由对应的输出布线14发送到读出电路11。
54.各受光单元12具有受光元件7和多个晶体管。受光元件7是对入射光进行光电变换的元件。以下，主要说明作为受光元件7而使用spad7的例子。多个晶体管用于施加到spad7的偏置电压的控制和spad7的输出信号的读出控制。多个晶体管包括耐压不同的两个以上的晶体管。
55.更详细而言，各受光单元12具有多个spad7和控制电路15。控制电路15具有偏置控制电路16和输出电路17。
56.在图3的例子中，将电阻元件18串联地连接于spad7。该电阻元件18还被称为猝熄电阻(quench resistance)。在以下的说明中，“受光元件7的一端”可能存在是指spad7的阴极端子的情况和是指与spad7串联地连接的电阻元件18的一端的情况。在任意的情况下，在本说明书中，都作为“受光元件7的一端”而进行说明。
57.偏置控制电路16在是对受光元件7施加第1偏置电压v1还是施加比第1偏置电压v1低的第2偏置电压v2之间进行切换。第1偏置电压v1和第2偏置电压v2是被施加到受光元件7的一端的反向偏置电压，第1偏置电压v1是比第2偏置电压v2高的电压。
58.输出电路17在对受光元件7施加第1偏置电压v1的状态下将受光元件7的输出信号进行放大。偏置控制电路16具有耐压比输出电路17内的晶体管高的晶体管。
59.在此，如图2b所示，在设为spad7的阳极电压v0＝0v的情况下，第1偏置电压v1是比击穿电压vbd高的电压。另外，第2偏置电压v2是比受光元件7通过光照射吸收光而使得开始
产生光电变换电流的击穿电压低的电压。
60.更具体而言，图3的偏置控制电路16具有第1切换电路21和第2切换电路22。第1切换电路21在是否对受光元件7的一端施加第1偏置电压v1之间进行切换。第2切换电路22在是否对受光元件7的一端施加第2偏置电压v2之间进行切换。
61.输出电路17具有放大器23，该放大器23在第1偏置电压v1被施加到受光元件7的一端的状态下，将受光元件7的输出信号进行放大。第1切换电路21和第2切换电路22具有耐压比控制电路15内的其它晶体管高的晶体管。也可以在放大器23的后级设置包括低耐压的晶体管的第3切换电路24。
62.这样，控制电路15具有高耐压的晶体管(第1类别的晶体管)和低耐压的晶体管(第2类别的晶体管)。高耐压的晶体管是指具有比控制spad7的控制电路15内的多个晶体管中的任意一个晶体管的耐压高的耐压的晶体管。低耐压的晶体管是指具有比控制spad7的控制电路15内的多个晶体管中的任意一个晶体管的耐压低的耐压的晶体管。设置于控制spad7的控制电路15内的多个晶体管的耐压为两个以上，例如也可以是耐压互不相同的3个种类、4个种类的晶体管设置于控制电路15内。以下，主要说明在控制电路15内设置有耐压互不相同的两个种类的晶体管的例子。本实施方式的控制电路15包括具有第1耐压的一个以上的晶体管和具有比第1耐压高的第2耐压的一个以上的晶体管。
63.图4a是示出偏置控制电路16的第1具体例的电路图。图4a的偏置控制电路16内的第1切换电路21具有pmos晶体管q1，该pmos晶体管q1连接于受光元件7的一端与放大器23的输入节点之间。第1控制信号cl1被输入到pmos晶体管q1的栅极。放大器23的输入节点以在受光元件7未发火时成为第1偏置电压v1的方式被控制。pmos晶体管q1在第1控制信号cl1为低电平时导通，对受光元件7的一端施加第1偏置电压v1。
64.图4a的偏置控制电路16内的第2切换电路22具有：nmos晶体管q2，在是否对受光元件7的一端施加第2偏置电压v2之间进行切换；电阻元件25，连接于nmos晶体管q2的栅极与源极之间；以及pmos晶体管q3，控制nmos晶体管q2的栅极电压。第2控制信号cl2被输入到pmos晶体管q3的栅极。当第2控制信号cl2成为低电平时，pmos晶体管q3导通，nmos晶体管q2的栅极成为高电平而导通，第2偏置电压v2被施加到受光元件7的一端。
65.pmos晶体管q1和nmos晶体管q2不会同时导通，所以第1偏置电压v1或者第2偏置电压v2被施加到受光元件7的一端。第1控制信号cl1和第2控制信号cl2是第1偏置电压v1～(v1－a)的电压范围的信号。电压a是比pmos晶体管q2、q3的阈值电压大的电压，且是放大器23内的晶体管的耐压以下的电压。第1控制信号cl1和第2控制信号cl2利用包括低耐压的晶体管的未图示的控制电路来生成。
66.图4b是示出偏置控制电路16的第2具体例的电路图。图4b的偏置控制电路16内的第1切换电路21与图4a同样地具有pmos晶体管q1。图4b的偏置控制电路16内的第2切换电路22具有nmos晶体管q2。nmos晶体管q2的栅极与源极短路，作为二极管发挥功能。第2偏置电压v2被施加到nmos晶体管q2的源极，在pmos晶体管q1截止时，与第2偏置电压v2近似的电压被施加到受光元件7的一端。
67.当pmos晶体管q1截止时，在该时间点，第1偏置电压v1被施加到受光元件7的一端，受光元件7能够发火。当受光元件7发火时，受光元件7的一端的电压下降，当下降至击穿电压以下的电压时，受光元件7变得无法发火，受光元件7的一端与第2偏置电压v2大致相等。
68.图4b的偏置控制电路16的电路结构比图4a的偏置控制电路16简易，但在本来不应发火的受光元件7的一端成为击穿电压以下之前发火，所以有可能会对其它发光元件的发火造成恶劣影响。
69.图4c是示出偏置控制电路16的第3具体例的电路图。图4c的偏置控制电路16内的第1切换电路21具有共源共栅连接于受光元件7的一端与放大器23的输入节点之间的两个pmos晶体管q1c、q1r。一个pmos晶体管q1c在第1控制信号clc1为低电平时导通，另一个pmos晶体管q1r在第1控制信号clr1为低电平时导通。
70.图4c的偏置控制电路16内的第2切换电路22具有在是否对受光元件7的一端施加第2偏置电压v2之间进行切换的两个nmos晶体管q2c、q2r。一个nmos晶体管q2c在第2控制信号clc2为低电平时导通，另一个nmos晶体管q2r在第2控制信号clr2为低电平时导通。
71.pmos晶体管q1c和nmos晶体管q2c在选择光检测对象的受光元件7所处的第1方向x的特定位置的受光元件群时导通。pmos晶体管q1r和nmos晶体管q2r在选择光检测对象的受光元件7所处的第2方向y的特定位置的受光元件群时导通。
72.图4c的偏置控制电路16内的第1切换电路21和第2切换电路22能够对受光单元阵列4中的特定的受光单元12内的受光元件7的一端施加第1偏置电压v1或者第2偏置电压v2，所以不需要选择应成为导通的受光单元12的专用的电路。然而，针对每个受光单元12，需要设置4个高耐压的晶体管q1c、q1r、q2c、q2r，难以实现受光单元12的小型化。
73.图3的输出电路17内的放大器23还被称为缓冲放大器。以下，有时附加相同的符号，将放大器23称为缓冲放大器23。需要缓冲放大器23的理由如下。当提高受光单元阵列4的分辨率时，与一个输出布线14连接的受光单元12的数量增大，输出布线14的寄生电容变大。当输出布线14的寄生电容变大时，读出电路11的噪音变大。当使受光单元12内的spad7小型化时，发火时的电流量减少，淹没于读出电路11的噪音，各受光单元12的光探测精度会下降。
74.另一方面，缓冲放大器23的输入端子仅连接于对应的spad7，所以寄生电容小，噪音小。因而，缓冲放大器23能够输出比读出电路11的噪音电平大的电流或者电压。由于以上的理由，在使spad7小型化，增加受光单元阵列4内的spad7的数量的情况下，需要缓冲放大器23。缓冲放大器23能够如后所述通过微细cmos工艺构成。
75.作为缓冲放大器23的具体的结构，考虑多个结构，所以以下说明两个代表性的结构。
76.图5a是缓冲放大器23的第1例的电路图。图5a的缓冲放大器23是电流输入且电压输出的跨阻抗放大器。图5a的缓冲放大器23具有差动输入放大器26和连接于差动输入放大器26的反转输入端子与输出端子间的电阻元件27。来自受光元件7的一端的输入电流被供给到差动输入放大器26的反转输入端子。第1偏置电压v1被施加到差动输入放大器26的非反转输入端子。图5a的缓冲放大器23输出将电阻元件27的电阻值与输入电流相乘而得到的电压。
77.图5b是缓冲放大器23的第2例的电路图。图5b的缓冲放大器23是电流输入且电流输出的电流输出放大器。图5b的缓冲放大器23具有差动输入放大器28和电流镜结构的两个pmos晶体管29、30。pmos晶体管29、30的尺寸比是1:n。差动输入放大器28的反转输入端子连接于受光元件7的一端，流经受光元件7的一端的电流流到差动输入放大器28的反转输入端
子。第1偏置电压v1被施加到差动输入放大器28的非反转输入端子。差动输入放大器28的输出端子连接于两个pmos晶体管29、30的栅极。电源电压vdd被施加到两个pmos晶体管29、30的源极。一个pmos晶体管29的漏极连接于差动输入放大器28的反转输入端子。从另一个pmos晶体管30的漏极输出输出电流。
78.图5b的缓冲放大器23通过调整电流镜电路的镜像比n，能够得到输入电流iin的n倍的输出电流iout。
79.这样，第1实施方式的光检测装置1在控制受光单元12内的受光元件7的控制电路15中设置有高耐压的晶体管和低耐压的晶体管。由此，将为了用于提高spad7的灵敏度最佳的反向偏置电压施加到spad7的阴极端子，能够使用高耐压的晶体管，且为了用缓冲放大器23将来自spad7的输出信号进行放大，能够使用低耐压的晶体管。
80.(光检测装置1的第2实施方式)
81.图6是第2实施方式的光检测装置1的框图。在图6中，对与图3共同的结构部分附加有相同的符号，以下，以区别点为中心而进行说明。
82.图6的光检测装置1的受光单元阵列4内的受光单元12的电路结构与图3不同。
83.图6的受光单元12具有spad7等受光元件7和控制电路15。控制电路15具有偏置控制电路16和输出电路17。偏置控制电路16具有第1切换电路21和第2切换电路22。
84.第1切换电路21和电阻元件18串联地连接于施加第1偏置电压v1的节点与spad7的阴极端子之间。电阻元件18还被称为猝熄电阻。在图3中，将缓冲放大器23的输入节点设定为第1偏置电压v1，但在图6中，对缓冲放大器23的输入节点以外的部位施加第1偏置电压v1。
85.第2切换电路22连接于施加第2偏置电压v2的节点与spad7的阴极端子之间。在图3中，经由电阻元件18将第2偏置电压v2施加到spad7的阴极端子，但在图6中，不经由电阻元件18而直接将第2偏置电压v2施加到spad7的阴极端子。
86.图6的输出电路17具有串联连接的第1放大器31和第2放大器32。第1放大器31将spad7的输出信号进行放大。第2放大器32将第1放大器31的输出信号进行放大。第1放大器31内的晶体管具有比第2放大器32内的晶体管高的耐压。第2放大器32具有比第1放大器31高的驱动能力。
87.第1放大器31的输入节点连接于spad7的阴极端子，在电压v1～v2的范围内大幅变化。因此，第1放大器31内的晶体管优选成为高耐压。高耐压的晶体管的尺寸大，但难以增大驱动能力。因此，当想要通过高耐压的晶体管提高驱动能力时，必须更加增大尺寸，受光单元12的尺寸会肥大化。因而，在图6中，在第1放大器31的后级设置有包括低耐压的晶体管的第2放大器32。第2放大器32能够使用微细工艺来制造，能够比较容易地提高放大率。
88.这样，由第1放大器31和第2放大器32构成缓冲放大器23，从而能够提高耐压和放大率，并使缓冲放大器23整体的尺寸小型化。
89.图7a是示出图6的第1放大器31的第1具体例的电路图。图7a的第1放大器31具有高耐压的nmos晶体管33和电阻元件34。电阻元件34连接于nmos晶体管33的漏极与第2放大器32的输入节点之间。nmos晶体管33的源极连接于接地节点。nmos晶体管33的栅极连接于spad7的阴极端子。
90.图7a的第1放大器31当spad7的阴极电压超过nmos晶体管33的阈值电压时，nmos晶
体管33导通，nmos晶体管33的漏极电压下降至接地电压。在第2放大器32的输入节点处，流过将第2放大器32的输入节点的电压与nmos晶体管33的漏极电压的电压差除以电阻元件34的电阻值而得到的值的电流。
91.在图7a中，使用高耐压的nmos晶体管33而构成第1放大器31，但还能够使用高耐压的pmos晶体管来构成。
92.图7b是示出图6的第1放大器31的第2具体例的电路图。图7b的第1放大器31不具有图7a的电阻，而具有电流源35。电流源35连接于nmos晶体管33的漏极。第2放大器32连接于nmos晶体管33的漏极。来自电流源35的电流流到nmos晶体管33的漏极和第2放大器32的输入节点，但在nmos晶体管33的漏极中流过的电流因spad7的阴极端子的电压变化而变化，与其相伴地，在第2放大器32的输入节点处流过的电流也发生变化。还能够代替图7b的nmos晶体管33而使用高耐压的pmos晶体管。
93.图7c是示出图6的第1放大器31以及第2放大器32的第3具体例的电路图。图7c的第1放大器31具有与图7b的第1放大器31相同的结构。图7c的第2放大器32具有电流源35、构成逆变器36的pmos晶体管37以及nmos晶体管38、与逆变器36的后级连接的nmos晶体管39以及与nmos晶体管39的源极连接的电流源40。
94.第1放大器31内的nmos晶体管33是高耐压，相对于此，第2放大器32内的各晶体管是低耐压。第1放大器31内的nmos晶体管33的耐压优良，但驱动能力差，所以利用第2放大器32内的逆变器36使第1放大器31的输出信号反转，从而提高驱动能力。也可以通过使第2放大器32的电路结构变得更复杂化，或者对制造工艺花费工夫，从而更加提高第2放大器32的驱动能力。
95.图7d是示出图6的第1放大器31的第4具体例的电路图。图7的第1放大器31具有高耐压的nmos晶体管33和电阻元件34。nmos晶体管33的漏极连接于spad7的阴极端子。电阻元件34连接于nmos晶体管33的源极与第2放大器32的输入节点之间。能够利用该电阻元件34将spad7的阴极电压变换为电流而输入到第2放大器32。与图4a同样的第1控制信号cl1被输入到nmos晶体管33的栅极。也可以代替图7d的第1放大器31内的nmos晶体管33而包括pmos晶体管37。
96.在图6中，在各个受光单元12的内部设置有第1放大器31和第2放大器32，但也可以由多个受光单元12共用第2放大器32。图8是示出图6的光检测装置1的第1变形例的框图。图8的光检测装置1的电路动作与图6相同，但在将第2放大器32设置于受光单元12的外部，由多个受光单元12共用第2放大器32这点上与图6的受光单元12不同。图8的受光单元12输出第1放大器31的输出信号。在第1方向x上排列的受光单元群19的输出信号汇集到一个布线，输入到第2放大器32。第2放大器32的输出信号经由输出布线14输入到读出电路11。
97.如图8所示，由多个受光单元12共用缓冲放大器23内的第2放大器32，从而能够简化各受光单元12的内部结构，能够使受光单元12小型化，所以能够提高受光单元阵列4的分辨率。
98.在图6中，将第1切换电路21设置于受光单元12的内部，但也可以由多个受光单元12共用第1切换电路21。图9是示出图6的光检测装置1的第2变形例的框图。图9的光检测装置1的电路动作与图6相同，但在将第1切换电路21设置于受光单元12的外部，由多个受光单元12共用第1切换电路21这点上与图6的受光单元12不同。
99.如图9所示，由多个受光单元12共用缓冲控制电路15内的第1切换电路21，从而能够简化各受光单元12的内部结构，能够使受光单元12小型化，所以能够提高受光单元阵列4的分辨率。
100.这样，在第2实施方式中，由具有高耐压的晶体管的第1放大器31和具有低耐压的晶体管的第2放大器32构成设置于受光单元12内的输出电路17的缓冲放大器23，所以即使spad7的阴极电压大幅变化，缓冲放大器23也不会被损坏，且通过由低耐压的晶体管构成第2放大器32，从而无需增大缓冲放大器23的尺寸就能够得到足够的驱动能力。
101.(光检测装置1的第3实施方式)
102.上述第1以及第2实施方式的光检测装置1具备被动猝熄电路(passive quench circuit)，但还能够应用于具备主动猝熄电路的光检测装置1。被动猝熄电路通过将电阻元件18串联地连接于spad7，经由电阻元件18使电流流到spad7，从而进行复位。被动猝熄电路的电路结构简易，但存在动作慢这样的问题。相对于此，主动猝熄电路能够使用晶体管等强制地使电流流到spad7，高速地进行spad7的复位动作。
103.图10是第3实施方式的光检测装置1的框图。图10的光检测装置1的受光单元12的内部结构与图6等不同。图10的受光单元12除了具有图6的受光单元12的结构之外，还具有控制核41和电平移位器42。另外，图10的受光单元12具有主动猝熄电路43。主动猝熄电路43具有第1切换电路21和电阻元件18，第1切换电路21的切换定时能够任意地调整，且能够调整电阻元件18的电阻值。
104.控制核41根据缓冲放大器23内的第1放大器31的输出信号，输出用于调整第1切换电路21的切换定时和电阻元件18的电阻值的控制信号。从控制核41输出的控制信号由电平移位器42变换电压电平，供给到第1切换电路21和电阻元件18。根据由电平移位器42变换后的控制信号，第1切换电路21设定将第1偏置电压v1供给到电阻元件18的一端的定时，且电阻元件18调整电阻值。
105.这样，由控制核41调整第1切换电路21的切换定时和电阻元件18的电阻值，从而能够使spad7的性能(例如，死时间、串扰、暗计数等)最佳化。
106.控制核41是小振幅的数字电路，与spad7的阴极端子的电压变化幅度大不相同。因此，无法将从控制核41输出的控制信号直接输入到第1切换电路21、电阻元件18。因而，需要通过电平移位器42的电压电平的变换。通过设置电平移位器42，能够利用从包括低耐压的晶体管的控制核41输出的控制信号来进行包括高耐压的晶体管的第1切换电路21的切换控制。电平移位器42能够包括只是进行电压电平的变换的简易的电路，构成电平移位器42的晶体管的数量也不那么多，所以即使在电平移位器42的内部包括高耐压的晶体管，包括电平移位器42的光检测装置1的电路规模也不那么大。
107.图11是示出主动猝熄电路43的一个具体例的电路图。图11的主动猝熄电路43在spad7检测到光之后，对spad7进行强制的复位动作。图11的主动猝熄电路43具有第1复位电路44、第2复位电路45以及nmos晶体管46。第1复位电路44和第2复位电路45由控制核41控制。控制核41当spad7的阴极电压下降至预定的阈值电压时，使nmos晶体管46导通。由此，spad7的阴极电压维持为预定的电压vaq。
108.第1复位电路44在是否使第1电压节点vhi与spad7的一端(spad7的阴极端子)之间的导通电阻成为第1值之间进行切换。第1复位电路44是将电流源44a与第1切换器44b串联
连接而构成的。电流源44a输出预定的电流。电流源44a是为了限制在spad7的阴极端子中流过的电流而设置的。第1切换器44b在是否使从电流源44a输出的电流流到spad7的阴极端子之间进行切换。在第1切换器44b导通时，从电流源44a输出的电流经由第1切换器44b流到spad7的阴极端子。第1复位电路44的导通电阻是指第1切换器44b导通时的第1复位电路44的阻抗。
109.第2复位电路45在是否使第1电压节点vhi与spad7的阴极端子之间的导通电阻成为比第1值小的第2值之间进行切换。第2复位电路45具有第2切换器45a。在第2切换器45a导通时，电流从第1电压节点vhi经由第2切换器45a而流到spad7的阴极端子。第2复位电路45的导通电阻是指第2切换器45a导通时的第2复位电路45的阻抗。作为第2复位电路45的导通电阻的第2值比作为第1复位电路44的导通电阻的第1值小。因此，在第2切换器45a导通时从第2复位电路45流到spad7的阴极端子的电流比在第1切换器44b导通时从第1复位电路44流到spad7的阴极端子的电流多。在本实施方式中，使第2复位电路45的导通电阻成为第2值的期间比第1复位电路44的导通电阻成为第1值的期间短。
110.控制核41在spad7检测到光之后利用第1复位电路44使第1电压节点vhi与spad7的阴极端子之间的导通电阻成为第1值，之后利用第2复位电路45成为第2值。更具体而言，控制核41在spad7检测到光之后，将spad7的一端(阴极端子)维持为第1电压，之后利用第1复位电路44使导通电阻成为第1值，之后利用第2复位电路45使导通电阻成为第2值。导通电阻越小，则越容易流过电流，所以通过切换第1电压节点vhi与spad7的阴极端子之间的导通电阻，能够使在spad7的阴极端子中流过的电流变化。
111.这样，控制核41在spad7检测到光之后的复位动作时，首先使来自第1复位电路44的被限制的电流流到spad7的阴极端子，之后使来自第2复位电路45的大电流流到spad7的阴极端子。
112.从控制核41输出的第1切换器44b用的控制信号经由第1电平移位器47输入到mos晶体管q1的栅极。同样地，从控制核41输出的第2切换器45a用的控制信号经由第2电平移位器48输入到mos晶体管q2的栅极。第1电平移位器47和第2电平移位器48进行使电压从spad7的阴极电压的电压电平下降至mos晶体管q1、q2的栅极电压电平的控制。
113.这样，在第3实施方式的光检测装置1中，在控制受光单元12内的主动猝熄电路43时，在利用电平移位器42对从控制核41输出的控制信号的电压电平进行变换之后，对主动猝熄电路43内的第1切换电路21和电阻元件18供给控制信号，所以能够使用包括低耐压的晶体管的控制核41，没有问题地控制包括高耐压的晶体管的第1切换电路21。
114.(光检测装置1的第4实施方式)
115.上述第1～第3实施方式的光检测装置1具备高耐压的晶体管和低耐压的晶体管。在高耐压的晶体管和低耐压的晶体管中，被施加的电压大不相同。另外，被施加到受光单元12内的spad7的阴极端子的电压大幅变化。
116.这样，第1～第3实施方式的光检测装置1具有受光元件7、包括高耐压的晶体管的电路以及包括低耐压的晶体管的电路，被施加到这些电路的电压分别大不相同，所以需要针对每个电路而进行元件分离。
117.图12是第4实施方式的光检测装置1的示意性的剖视图。图12示出了将光检测装置1内的各电路配置于相同的基板上的例子。在图12的例子中，沿着基板的面方向配置有形成
受光元件7的区域(以下，受光元件区域)51、包括高耐压的晶体管的电路(以下，称为高耐压部)52以及包括低耐压的晶体管的电路(以下，称为低耐压部)53。在受光元件区域51与高耐压部52之间以及高耐压部52与低耐压部53之间，配置有在基板的深度方向上延伸的元件分离层54，实现电绝缘。元件分离层54能够通过利用蚀刻从基板的上表面形成沟槽，在该沟槽内填充绝缘物而形成。
118.在受光元件区域51的下方配置有基底层55，该基底层55被设定为与spad7的阳极端子相同电位。spad7的阴极端子设置于基板的上表面侧。
119.图12的元件分离层54未延伸至基板的背面，基底层55跨过受光元件区域51、高耐压部52以及低耐压部53地配置。因此，高耐压部52和低耐压部53有可能会受到基底层55的电压的影响。因而，在图12中，在高耐压部52和低耐压部53的下方分别配置保护层(图12的虚线部分)56，比保护层56靠上方不受到基底层55的电压的影响。
120.保护层56的具体的材料不被限定，但在图12的例子中，将扩散到pn结面的耗尽层70用作保护层56。例如，分别由n型半导体层67、69形成高耐压部52和低耐压部53，由p型半导体层形成基底层55，对n型半导体层67、69施加比p型半导体层高的电压，从而从形成于n型半导体层67、69与p型半导体层的界面的pn结面上下形成耗尽层70。通过在基底层55与高耐压部52之间以及基底层55与低耐压部53之间形成耗尽层70，从而基底层55的电压不影响到高耐压部52、低耐压部53。
121.图13是使图12的剖面构造更具体化的剖视图。如图13所示，受光元件区域51从基板上表面侧往下表面侧具有n 型半导体层61、p 型半导体层62以及p－型半导体层63。n 型半导体层61和p 型半导体层62构成光电变换部。p－型半导体层63是电位与阳极电极65相同的基底层55。在p－型半导体层63的下方配置有p 型半导体层64，在其下方配置有阳极电极65。在受光元件区域51的基板的上表面侧，以与n 型半导体层61相接的方式配置有阴极电极66。
122.高耐压部52从基板上表面侧往下表面侧具有n－型半导体层67和p－型半导体层63。在n－型半导体层67的上表面侧形成有高耐压的晶体管。在图13中，示出了一个晶体管的剖面构造，但高耐压部52、配置成低耐压的晶体管的数量是任意的。低耐压部53从基板上表面侧往下表面侧具有n－型半导体层69和p－型半导体层63。位于高耐压部52的下方的p－半导体层68以及位于低耐压部53的下方的p－半导体层63与构成位于受光元件区域51的下方的基底层55的p－半导体层63一体地形成。
123.如图13所示，使受光元件区域51、高耐压部52以及低耐压部53分离的元件分离层54未到达基板的背面，构成基底层55的p－型半导体层63从受光元件区域51经由高耐压部52至低耐压部53为止连贯地形成。因此，被施加到p－型半导体层63的电压有可能会对高耐压部52和低耐压部53造成影响。因而，在图13中，在高耐压部52和低耐压部53，在p－型半导体层63之上形成n－型半导体层67、69，对n－型半导体层67、69施加比p－型半导体层63高的电压，从而在n－型半导体层67、69和p－型半导体层63的界面附近形成耗尽层70，实现电分离。
124.图14是图13的光检测装置1的俯视图。在图12以及图13中图示出图14的a－a线的剖面构造。如图14所示，各个受光元件区域51利用元件分离层54电分离地配置。图14的空心部分是元件分离层54。高耐压部52和低耐压部53针对每个受光元件区域51而设置，但与多
个受光元件区域51对应的多个高耐压部52连贯地形成，同样地，与多个受光元件区域51对应的多个低耐压部53连贯地形成。
125.图15是图12的第1变形例的剖视图。在图12中，将耗尽层70作为保护层56，但在图15中，例如将包括绝缘物的保护层56(还被称为绝缘层)设置于高耐压部52和低耐压部53。保护层56在高耐压部52和低耐压部53的下方，例如隔着p型半导体层71而配置，在保护层56的下方配置有基底层55。即使在设置包括绝缘物的保护层56的情况下，能够防止基底层55的电压被施加到高耐压部52和低耐压部53。此外，也可以代替p型半导体层71而设置n型半导体层。
126.图16是图12的第2变形例的剖视图。图16的光检测装置1使受光元件区域51与高耐压部52之间的元件分离层54以及高耐压部52与低耐压部53之间的元件分离层54从基板的上表面贯通至下表面。由此，被施加到配置于受光元件区域51的下方的基底层55的电压不被施加到高耐压部52和低耐压部53内的p－型半导体层72、73，在高耐压部52和低耐压部53不必一定设置保护层56。
127.在图12～图16中，示出了将构成光检测装置1的受光元件区域51、高耐压部52以及低耐压部53配置于相同的基板上的例子，但也可以将构成光检测装置1的构件分开配置于多个基板，将这多个基板进行贴合。
128.图17是图12的第3变形例的剖视图。图17的光检测装置1利用接合部77将配置受光元件区域51的第1基板75与配置高耐压部52以及低耐压部53的第2基板76进行接合。接合部77由导电材料料形成，以使得能够在第1基板75与第2基板76之间收发各种信号。在第1基板75形成有受光元件区域51和基底层55，未形成高耐压部52、低耐压部53。在第1基板75上的多个受光元件区域51之间配置有元件分离层54。在第2基板76，高耐压部52与低耐压部53利用元件分离层54分离而交替地形成。在高耐压部52的下方配置有半导体层78，在低耐压部53的下方配置有半导体层79。在半导体层78、79的下方配置有共同的半导体层60。半导体层78、79、60的导电类型不被限制。
129.在第2基板76不存在受光元件区域51，所以不需要图12等的保护层56。另外，也无需如图16那样，使元件分离层54从上表面贯通至下表面。
130.在图17中，示出了将第1基板75与第2基板76进行贴合的例子，但也可以将3个以上的基板进行贴合。例如，也可以将配置受光元件区域51的第1基板75、配置高耐压部52的第2基板76以及配置低耐压部53的第3基板进行贴合。
131.这样，在第4实施方式中，在受光元件区域51、高耐压部52以及低耐压部53之间配置元件分离层54而电分离，所以能够在相同的基板配置受光元件区域51、高耐压部52以及低耐压部53。另外，在与配置受光元件区域51的基板不同的基板配置高耐压部52、低耐压部53，将这些基板进行贴合，从而能够实现可靠性高的光检测装置1。在任意的构造中，都能够使光检测装置1单片化。
132.(电子装置2的具体例)
133.本实施方式的光检测装置1能够嵌入到进行tof(time of flight，飞行时间)方式的距离测量的电子装置2。图18是示出具备内置本实施方式的光检测装置1的受光部80的电子装置2的概略结构的框图。图18的电子装置2具备投射部3、光控制部5、受光部80、信号处理部81以及图像处理部82。其中，由投射部3、光控制部5、受光部80以及信号处理部81构成
距离测量装置83。图1的电子装置2中的至少一部分能够包括1个或者多个半导体ic(integrated circuit，集成电路)。例如，既可以将信号处理部81和图像处理部82集成到一个半导体芯片的内部，也可以连受光部80都包括地集成到该半导体芯片。另外，也可以连投射部3都包括地集成到该半导体芯片。
134.投射部3投射第1光。第1光例如是预定的频带的激光。激光是指相位以及频率一致的相干的光。投射部3按照预定的周期间歇地投射脉冲状的第1光。投射部3投射第1光的周期是为了根据第1光的一个脉冲用距离测量装置83测量距离而所需的时间以上的时间间隔。
135.投射部3具有振荡器84、投射控制部85、光源86、第1驱动部87以及第2驱动部88。振荡器84生成与投射第1光的周期相应的振荡信号。第1驱动部87与振荡信号同步地，对光源86间歇地供给电力。光源86根据来自第1驱动部87的电力，间歇地射出第1光。光源86既可以是射出单一的激光的激光元件，也可以是同时射出多个激光的激光组件。投射控制部85与振荡信号同步地，控制第2驱动部88。第2驱动部88根据来自投射控制部85的指示，将与振荡信号同步的驱动信号供给到光控制部5。
136.光控制部5控制从光源86射出的第1光的前进方向。光控制部5具有第1透镜89、分束器90、第2透镜91、半反射镜92以及扫描反射镜93。
137.第1透镜89使从投射部3射出的第1光聚光，引导到分束器90。分束器90使来自第1透镜89的第1光分支成两个方向，引导到第2透镜91和半反射镜92。第2透镜91将来自分束器90的分支光引导到受光部80。将第1光导光到受光部80的理由在于为了由受光部80检测投射定时。半反射镜92使来自分束器90的分支光通过，引导到扫描反射镜93。
138.扫描反射镜93与来自投射部3内的第2驱动部88的驱动信号同步地，对反射镜面进行旋转驱动。由此，控制通过半反射镜92而入射到扫描反射镜93的反射镜面的分支光(第1光)的反射方向。通过按照一定周期对半反射镜92的反射镜面进行旋转驱动，能够至少在一维方向上扫描从光控制部5射出的第1光。通过将对反射镜面进行旋转驱动的轴设置为两个方向，还能够在二维方向上扫描从光控制部5射出的第1光。在图1中，示出了利用扫描反射镜93在x方向以及y方向上扫描从电子装置2投射的第1光的例子。
139.当在从电子装置2投射的第1光的扫描范围内存在人、物体等对象物8的情况下，第1光被对象物8反射。被对象物8反射的反射光中的至少一部分经由受光部80内的第3透镜94导光到受光传感器95。
140.受光部80具有光检测器101、放大器102、第3透镜94、受光传感器95以及a/d变换器96。光检测器101接收由分束器90分支后的光，变换为电信号。能够利用光检测器101来检测第1光的投射定时。放大器102将从光检测器101输出的电信号进行放大。
141.第3透镜94使被半反射镜92反射的第2光成像于受光传感器95。受光传感器95接收第2光而变换为电信号。受光传感器95具有上述光检测装置1。该光检测装置1还被称为sipm(silicon photomultiplier，硅光电倍增管)。
142.a/d变换器96按照预定的采样速率对从受光传感器95输出的电信号进行采样而进行a/d变换，生成数字信号。
143.信号处理部81测量直至使第1光反射的对象物8为止的距离，并且将与第2光相应的数字信号存储于存储部97。信号处理部81具有存储部97、距离测量部98以及存储控制部
99。
144.距离测量部98根据第1光以及反射光，测量直至对象物8为止的距离。更具体而言，距离测量部98根据第1光的投射定时与由受光传感器95接收到的第2光所包含的反射光的受光定时的时间差，测量直至对象物为止的距离。即，距离测量部98根据以下的式(1)，测量距离。
145.距离＝光速
×
(反射光的受光定时－第1光的投射定时)/2
…
(1)
146.式(1)式中的“反射光的受光定时”更准确而言是指反射光的波峰位置的受光定时。距离测量部98根据由a/d变换器96生成的数字信号来检测第2光所包含的反射光的波峰位置。
147.通过使用图18所示的电子装置2，能够精度良好地测量直至对象物8为止的距离。图18所示的电子装置2能够搭载于车辆而用于自动驾驶技术。或者，图18所示的电子装置2能够搭载于智能手机、平板等便携设备而应用于三维图像显示、vr(virtual reality，虚拟现实)、ar(augmented reality，增强现实)、mr(mixed reality，混合现实)技术。
148.此外，能够将上述实施方式总结成以下的技术方案。
149.技术方案1
150.一种光检测装置，具备：
151.受光元件，对入射光进行光电变换；以及
152.多个晶体管，用于控制施加到所述受光元件的偏置电压和控制所述受光元件的输出信号的读出，
153.所述多个晶体管至少包括具有第1耐压的一个以上的晶体管和具有比所述第1耐压高的第2耐压的一个以上的晶体管。
154.技术方案2
155.根据技术方案1所记载的光检测装置，其中，所述光检测装置具备：
156.偏置控制电路，在是对所述受光元件施加第1偏置电压还是施加比所述第1偏置电压低的第2偏置电压之间进行切换；以及
157.输出电路，在对所述受光元件施加所述第1偏置电压的状态下，将所述受光元件的输出信号进行放大，
158.所述偏置控制电路具有耐压比所述输出电路内的晶体管高的晶体管。
159.技术方案3
160.根据技术方案2所记载的光检测装置，其中，
161.所述第1偏置电压是比所述受光元件通过光照射吸收光而使得开始产生光电变换电流的击穿电压高的电压，
162.所述第2偏置电压是比所述击穿电压低的电压。
163.技术方案4
164.根据技术方案2或者3所记载的光检测装置，其中，
165.所述偏置控制电路具有：
166.第1切换电路，在是否对所述受光元件的一端施加所述第1偏置电压之间进行切换；以及
167.第2切换电路，在是否对所述受光元件的一端施加所述第2偏置电压之间进行切
换，
168.所述输出电路具有放大器，该放大器在所述第1偏置电压被施加到所述受光元件的一端的状态下，将所述受光元件的输出信号进行放大，
169.所述第1切换电路以及所述第2切换电路具有耐压比所述放大器内的晶体管高的晶体管。
170.技术方案5
171.根据技术方案4所记载的光检测装置，其中，
172.所述放大器以所述第1偏置电压为基准，将所述受光元件的输出电流变换为电压而输出，或者输出与所述受光元件的输出电流相应的电流。
173.技术方案6
174.根据技术方案4或者5所记载的光检测装置，其中，
175.所述第1切换电路具有第1晶体管，该第1晶体管在是否在对所述受光元件的一端施加所述第1偏置电压的状态下将所述受光元件的输出信号供给到所述放大器之间进行切换，
176.所述第2切换电路具有：
177.第2晶体管，在是否对所述受光元件的一端施加所述第2偏置电压之间进行切换；以及
178.第3晶体管，控制所述第2晶体管的栅极电压，
179.所述第1晶体管至所述第3晶体管具有比所述放大器内的晶体管高的耐压。
180.技术方案7
181.根据技术方案6所记载的光检测装置，其中，
182.所述第2切换电路具有包括所述第3晶体管的电平移位器，
183.所述电平移位器用比输入到所述第3晶体管的栅极的信号振幅大的信号振幅控制所述第2晶体管的栅极电压。
184.技术方案8
185.根据技术方案4或者5所记载的光检测装置，其中，
186.所述第1切换电路具有第1晶体管，该第1晶体管在是否在对所述受光元件的一端施加所述第1偏置电压的状态下将所述受光元件的输出信号供给到所述放大器之间进行切换，
187.所述第2切换电路具有整流电路，该整流电路在所述第1晶体管截止而所述第1偏置电压不被施加到所述受光元件的一端时，对所述受光元件的一端施加所述第2偏置电压，
188.所述第1晶体管以及所述整流电路内的晶体管具有比所述放大器内的晶体管高的耐压。
189.技术方案9
190.根据技术方案4或者5所记载的光检测装置，其中，
191.所述光检测装置具备受光单元阵列，该受光单元阵列具有在二维平面上的第1方向以及第2方向上配置的多个所述受光元件，
192.所述第1切换电路具有第1晶体管以及第2晶体管，该第1晶体管以及该第2晶体管共源共栅连接于所述受光元件的一端与所述放大器的输入节点之间，
193.所述第2切换电路具有第3晶体管以及第4晶体管，该第3晶体管以及该第4晶体管在是否对所述受光元件的一端施加所述第2偏置电压之间进行切换，
194.所述第1晶体管以及所述第3晶体管在选择光检测对象的所述受光元件所处的所述第1方向的特定位置的受光元件群时导通，
195.所述第2晶体管以及所述第4晶体管在选择光检测对象的所述受光元件所处的所述第2方向的特定位置的受光元件群时导通。
196.技术方案10
197.根据技术方案4或者5所记载的光检测装置，其中，具备：
198.电阻元件，在所述受光元件的一端与基准电压节点之间，串联地连接于所述第1切换电路；
199.猝熄控制电路，根据所述放大器的输出信号，进行使所述受光元件的一端的电压初始化的控制；以及
200.电平移位器，将所述猝熄控制电路的输出信号的信号电平进行变换，
201.根据所述电平移位器的输出信号对所述第1切换电路进行切换控制，
202.所述猝熄控制电路内的晶体管具有比所述第1切换电路内的晶体管低的耐压。
203.技术方案11
204.根据技术方案4至10中的任意一项所记载的光检测装置，其中，
205.所述放大器具有：
206.第1放大器，将所述受光元件的输出信号进行放大；以及
207.第2放大器，将所述第1放大器的输出信号进行放大，
208.所述第1放大器内的晶体管具有比所述第2放大器内的晶体管高的耐压，
209.所述第2放大器的驱动能力比所述第1放大器高。
210.技术方案12
211.根据技术方案11所记载的光检测装置，其中，
212.所述第1放大器输出与所述受光元件的输出信号相应的电流或者电压。
213.技术方案13
214.根据技术方案11或者12所记载的光检测装置，其中，
215.所述光检测装置具备受光单元阵列，该受光单元阵列具有在二维平面上的第1方向以及第2方向上配置的多个受光单元，
216.所述输出电路内的所述第1放大器针对所述多个受光单元的每个受光单元而分别设置，
217.所述输出电路内的所述第2放大器按照两个以上的受光单元中有一个的比例设置。
218.技术方案14
219.根据技术方案4至8、10至12中的任意一项所记载的光检测装置，其中，所述光检测装置具备：
220.受光单元阵列，具有在二维平面上的第1方向以及第2方向上配置的多个受光单元；以及
221.电阻元件，在所述受光元件的一端与基准电压之间，串联地连接于所述第1切换电
路，
222.所述受光元件以及所述电阻元件针对所述多个受光单元的每个受光单元而分别设置，
223.所述第1切换电路按照两个以上的受光单元中有一个的比例设置。
224.技术方案15
225.根据技术方案4至14中的任意一项所记载的光检测装置，其中，
226.所述受光元件、所述第1切换电路以及所述第2切换电路以及所述放大器在相同的基板上电分离地配置。
227.技术方案16
228.根据技术方案15所记载的光检测装置，其中，
229.所述受光元件、所述第1切换电路以及所述第2切换电路以及所述放大器利用在所述基板的深度方向上配置的绝缘层电分离地配置。
230.技术方案17
231.根据技术方案15所记载的光检测装置，其中，
232.所述受光元件、所述第1切换电路以及所述第2切换电路以及所述放大器利用扩散到配置于所述基板的内部的p型半导体层以及n型半导体层的界面的耗尽层或者绝缘层电分离地配置。
233.技术方案18
234.根据技术方案4至14中的任意一项所记载的光检测装置，其中，所述光检测装置具备：
235.第1基板，配置所述受光元件；以及
236.第2基板，所述第1切换电路以及所述第2切换电路与所述放大器电分离地配置，
237.所述第1基板以及所述第2基板在层叠的状态下进行信号的收发。
238.技术方案19
239.一种电子装置，具备：
240.技术方案1至18中的任意一项所记载的光检测装置；以及
241.测量部，根据光的投射定时与导通状态的所述受光元件中的受光定时的时间差，测量直至物体为止的距离。
242.技术方案20
243.根据技术方案19所记载的电子装置，其中，具备：
244.投射部，投射光；以及
245.控制部，将有可能会接收从所述投射部投射的光被物体反射后的光的所述受光元件控制成导通状态。
246.本公开的方式并不限定于上述各个实施方式，还包括本领域技术人员能够想到的各种变形，本公开的效果也不限定于上述内容。即，能够在不脱离从权利要求书所规定的内容及其均等物导出的本公开的概念性思想和要旨的范围进行各种追加、变更以及部分的删除。