测量断路器断口电容的装置及方法与流程

1.本发明涉及电容检测技术领域，尤其涉及一种测量断路器断口电容的装置及方法。


背景技术：

2.多断口断路器断口间并联电容器时，电压基本能平均分配在两个断口上，用于改善断口间不均衡的电压分布，提高断路器的整体耐压水平，同时断路器电容器能降低开断过程中恢复电压的上升速度，提高断路器的开断能力，故断口并联电容器对多断口断路器的整体性能起着重要作用。
3.预防性试验是电力设备运行和维护工作中的重要一环，是保证电力系统安全运行的有效手段之一，断路器断口并联电容的电容量的测量作为一项简便易行、灵敏度高的试验手段被广泛应用在电力运维。断路器断口并联电容的介质损耗因数和电容量测试是断路器例行试验项目，按照国家电网公司《输变电设备状态检修试验规程》要求，装有断口电容的断路器每次停电试验都应测量断路器并联断口电容的介质损耗因数和电容量。
4.名称为断路器断口并联电容测量的基本原理及方法，作者为聂海全、邓亚、关晓、谷喜秀(平高集团有限公司，河南平顶山，467001)，以下简称对比文件1。
5.如图2所示，以双断口罐式断路器为例进行说明，图2为罐式断路器剖面结构图，11为罐式断路器的金属外壳，金属外壳11的顶部装有第一套管9、第二套管10共两根套管，套管内部装有第一导体1、第二导体2共两根金属导体，左侧的第一导体1与第一灭弧室3和第一断口电容5相连，右侧的第二导体2与第二灭弧室4和第二断口电容6相连，第一灭弧室3、第二灭弧室4、第一断口电容5、第二断口电容6通过金属的第三导体7连接在一起。绝缘台8一端连接罐式断路器的金属外壳11、另一端连接第三导体7起到支撑和绝缘作用将灭弧室、断口电容、金属导体与断路器的金属外壳11隔离开。断路器左侧金属的第一导体1通过金属的第一导线17与地刀12相连，右侧的第二导体2通过金属的第二导线18连接第一支柱绝缘子13、第二支柱绝缘子14共两根支柱绝缘子。第一中间法兰15、第二中间法兰16为支柱绝缘子的中间法兰。
6.如图3所示，新装断路器安装前可以通过正接线的测试方法进行测量，断路器的第一导体1接电容检测仪的第一检测端子cx，断路器的第二导体2接电容检测仪的第二检测端子in的芯线19，第二检测端子in的芯线19为高压芯线。
7.如图4所示，接线断路器投入运行后再次停电检修时，断路器一端的接地为保护接地，按照调度要求检修过程中严禁断开，无法使用正接线法测量，因为正接线要求断开断路器两侧的接地。因此只能通过反接线法测量断路器的并联断口电容，反接线测量过程存在两部分干扰电流导致无法准确测量断口并联电容的介损和电容量。第一干扰电流i1：断路器非接地侧的一次导线即第二导线18对大地电容的影响；第二干扰电流i2：断路器非接地侧一次引线支柱绝缘子即第一支柱绝缘子13、第二支柱绝缘子14电容的影响。第二干扰电流i2可以通过反接线高压屏蔽法屏蔽掉。
8.如图4所示，一台安装完毕的断路器一端接地，采用反接线高压屏蔽法屏蔽第二干扰电流i2测试数据对比如表1，由表1可知由于第一干扰电流i1的存在，三相断路器电容量初值差在35.12％～52.40％之间，远远超出国家电网公司《输变电设备状态检修试验规程》要求的不超过
±
5％的规定。
9.表1：反接线方法与正接线下的测试结果对比表
[0010][0011]
授权公告号为cn 103487665 b，名称为测量高压断路器均压电容试验方法，以下简称对比文件2。
[0012]
对比文件2中的测量方法虽然与对比文件1的方法有本质的不同，但是由于测量接线方法类似，所以同样存在干扰下测量断路器断口电容准确度较差的技术问题。
[0013]
现有技术问题及思考：
[0014]
如何解决测量断路器断口电容准确度较差的技术问题。


技术实现要素：

[0015]
本发明所要解决的技术问题是提供一种测量断路器断口电容的装置及方法，解决测量断路器断口电容准确度较差的技术问题。
[0016]
为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是：一种测量断路器断口电容的装置包括电容测量仪，电容测量仪带有检测端子，检测端子包括用于与被测断路器外引的导线电连接的芯线和屏蔽端子，还包括用于设置在被测断路器外引导线上的绝缘层和用于设置在绝缘层上与电容测量仪的屏蔽端子电连接的屏蔽层，所述绝缘层与被测断路器外引导线连接或者分离，所述电容测量仪的屏蔽端子与屏蔽层电连接或者分离。
[0017]
进一步的技术方案在于：所述绝缘层为由聚乙烯、聚氯乙烯、天然橡胶或者硅橡胶制成的绝缘层。
[0018]
进一步的技术方案在于：所述屏蔽层为由铜箔、铝箔或者锡箔制成的屏蔽层。
[0019]
进一步的技术方案在于：所述绝缘层包括绝缘块，所述绝缘块与被测断路器外引的导线连接或者分离，所述屏蔽层包括屏蔽块，所述屏蔽块与绝缘块连接或者分离。
[0020]
进一步的技术方案在于：所述绝缘块为半环形的绝缘块，绝缘块的数量为两个分别是第一绝缘块和第二绝缘块，第一绝缘块和第二绝缘块均包覆在被测断路器外引的导线上并形成绝缘层；所述屏蔽块为半环形的屏蔽块，屏蔽块的数量为两个分别是第一屏蔽块和第二屏蔽块，第一屏蔽块和第二屏蔽块均包覆在绝缘层上并形成屏蔽层。
[0021]
进一步的技术方案在于：所述第一绝缘块与第二绝缘块插接、卡接或者转动连接。
[0022]
进一步的技术方案在于：所述绝缘层包括绝缘带，所述屏蔽层包括屏蔽带。
[0023]
进一步的技术方案在于：所述绝缘层为厚度尺寸为1mm～5mm的绝缘层，所述屏蔽层为厚度尺寸为0.01mm～1mm的屏蔽层。
[0024]
一种测量断路器断口电容的方法，基于上述电容测量仪、绝缘层和屏蔽层，包括如下步骤，将绝缘层和屏蔽层包覆在被测断路器外引的导线上并使得绝缘层位于被测断路器外引导线与屏蔽层之间，将电容检测仪的检测端子的芯线与被测断路器外引导线电连接，将电容检测仪的检测端子的屏蔽端子与被测断路器外引导线上的屏蔽层电连接。
[0025]
进一步的技术方案在于：所述绝缘层包括绝缘带，所述屏蔽层包括屏蔽带，将绝缘带缠绕在被测断路器外引的导线上并形成绝缘层，将屏蔽带缠绕在绝缘层上并形成屏蔽层。
[0026]
采用上述技术方案所产生的有益效果在于：
[0027]
第一，一种测量断路器断口电容的装置包括电容测量仪，电容测量仪带有检测端子，检测端子包括用于与被测断路器外引的导线电连接的芯线和屏蔽端子，还包括用于设置在被测断路器外引导线上的绝缘层和用于设置在绝缘层上与电容测量仪的屏蔽端子电连接的屏蔽层，所述绝缘层与被测断路器外引导线连接或者分离，所述电容测量仪的屏蔽端子与屏蔽层电连接或者分离。该技术方案，通过在被测断路器外引的导线上设置绝缘层和屏蔽层，以便减少外界干扰，实现测量断路器断口电容准确度较高。
[0028]
第二，所述绝缘层包括绝缘块，所述绝缘块与被测断路器外引的导线连接或者分离，所述屏蔽层包括屏蔽块，所述屏蔽块与绝缘块连接或者分离。该技术方案，采用块状的绝缘块组合形成绝缘层，方便包套在导线上，操作较便利，工作效率较高；采用块状的屏蔽块组合形成屏蔽层，方便包套在绝缘层上，操作较便利，工作效率较高。
[0029]
第三，所述绝缘块为半环形的绝缘块，绝缘块的数量为两个分别是第一绝缘块和第二绝缘块，第一绝缘块和第二绝缘块均包覆在被测断路器外引的导线上并形成绝缘层；所述屏蔽块为半环形的屏蔽块，屏蔽块的数量为两个分别是第一屏蔽块和第二屏蔽块，第一屏蔽块和第二屏蔽块均包覆在绝缘层上并形成屏蔽层。该技术方案，采用半环形的绝缘块和半环形的屏蔽块，模块化组装，材料适用性较好，操作较简便，工作效率较高。
[0030]
第四，所述第一绝缘块与第二绝缘块插接、卡接或者转动连接。该技术方案，可以将第一绝缘块与第二绝缘块很轻松的连接在一起或者分开，使用更便利，无需使用胶水等辅助材料粘合绝缘块。
[0031]
第五，所述绝缘层包括绝缘带，所述屏蔽层包括屏蔽带。该技术方案，将绝缘带缠绕在被测断路器外引的导线上并形成绝缘层，将屏蔽带缠绕在绝缘层上并形成屏蔽层，携带和操作使用较方便、较灵活。
[0032]
第六，一种测量断路器断口电容的方法，基于上述电容测量仪、绝缘层和屏蔽层，包括如下步骤，将绝缘层和屏蔽层包覆在被测断路器外引的导线上并使得绝缘层位于被测断路器外引导线与屏蔽层之间，将电容检测仪的检测端子的芯线与被测断路器外引导线电连接，将电容检测仪的检测端子的屏蔽端子与被测断路器外引导线上的屏蔽层电连接。该技术方案，通过在被测断路器外引的导线上设置绝缘层和屏蔽层，以便减少外界干扰，实现测量断路器断口电容准确度较高。
[0033]
详见具体实施方式部分描述。
附图说明
[0034]
图1是本发明实施例1的结构图；
[0035]
图2是本发明应用中罐式断路器的结构图；
[0036]
图3是现有技术中正接线测试法的接线图；
[0037]
图4是现有技术中反接线高压屏蔽法的接线图；
[0038]
图5是本发明中反接线高压屏蔽法的接线图。
[0039]
其中：1第一导体、2第二导体、3第一灭弧室、4第二灭弧室、5第一断口电容、6第二断口电容、7第三导体、8绝缘台、9第一套管、10第二套管、11金属外壳、12地刀、13第一支柱绝缘子、14第二支柱绝缘子、15第一中间法兰、16第二中间法兰、17第一导线、18第二导线、19芯线、20屏蔽端子、31绝缘层、41导电锡纸、51第一绝缘块、52第二绝缘块、61第一屏蔽块、62第二屏蔽块、71第一凸台、72第二凸台、81第一凹槽、82第二凹槽。
具体实施方式
[0040]
下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本技术及其应用或使用的任何限制。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0041]
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，但是本技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似推广，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0042]
实施例1：
[0043]
如图1所示，本发明公开了一种测量断路器断口电容的装置包括电容测量仪、用于包覆在被测断路器外引导线上的绝缘层和用于包覆在绝缘层上与电容测量仪的屏蔽端子电连接的屏蔽层，所述绝缘层由绝缘块组成，所述屏蔽层由屏蔽块组成，所述绝缘块为半环形的绝缘块，绝缘块的数量为两个分别是第一绝缘块51和第二绝缘块52，所述屏蔽块为半环形的屏蔽块，屏蔽块的数量为两个分别是第一屏蔽块61和第二屏蔽块62，在第一绝缘块51上固定连接有第一凸台71，在第一绝缘块51上开设有第一凹槽81，在第二绝缘块52上固定连接有第二凸台72，在第二绝缘块52上开设有第二凹槽82，第一屏蔽块61包套固定连接在第一绝缘块51外侧，第二屏蔽块62包套固定连接在第二绝缘块52外侧，第一屏蔽块61与第二屏蔽块62铰接，第一凸台71与第二凹槽82插接或者分离，第二凸台72与第一凹槽81插接或者分离。
[0044]
所述绝缘层与被测断路器外引导线连接或者分离，绝缘层与被测断路器外引导线连接时，第一绝缘块51和第二绝缘块52均包覆在被测断路器外引的导线上并形成绝缘层，第一屏蔽块61和第二屏蔽块62均包覆在绝缘层上并形成屏蔽层。
[0045]
所述电容测量仪的型号为ai-6000，生产厂家为山东泛华电子科技有限公司生产，销售名称为自动抗干扰精密介质损耗测量仪。电容测量仪带有检测端子，检测端子包括用于与被测断路器外引的导线电连接的芯线和屏蔽端子，所述电容测量仪的芯线与被测断路器外引的导线电连接或者分离，电容测量仪的屏蔽端子与屏蔽层电连接或者分离。
[0046]
所述绝缘层为由聚乙烯制成的绝缘层。
[0047]
所述屏蔽层为由锡箔制成的屏蔽层。
[0048]
其中，电容测量仪本身以及相应的电连接技术为现有技术在此不再赘述。
[0049]
实施例1使用说明：
[0050]
将第一绝缘块51与第二绝缘块52张开后包覆在被测断路器外引的导线上，第一绝缘块51与第二绝缘块52插接固定在一起并形成绝缘层，第一屏蔽块61和第二屏蔽块62均包覆在绝缘层上并形成屏蔽层。
[0051]
将电容测量仪的芯线与被测断路器外引的导线电连接，将电容测量仪的屏蔽端子与屏蔽层电连接，测量电容。测量完毕后，将电容测量仪的芯线与被测断路器外引的导线分开，将电容测量仪的屏蔽端子与屏蔽层分开，将第一绝缘块51与第二绝缘块52张开后从被测断路器外引的导线上取下。
[0052]
实施例2：
[0053]
实施例2不同于实施例1之处在于，第一屏蔽块61与第二屏蔽块62不铰接，第一绝缘块51和第二绝缘块52插接在一起或者分离，第一屏蔽块61与第二屏蔽块62搭接在一起或者分离。
[0054]
本发明公开了一种测量断路器断口电容的装置包括电容测量仪、用于包覆在被测断路器外引导线上的绝缘层和用于包覆在绝缘层上与电容测量仪的屏蔽端子电连接的屏蔽层，所述绝缘层由绝缘块组成，所述屏蔽层由屏蔽块组成，所述绝缘块为半环形的绝缘块，绝缘块的数量为两个分别是第一绝缘块51和第二绝缘块52，所述屏蔽块为半环形的屏蔽块，屏蔽块的数量为两个分别是第一屏蔽块61和第二屏蔽块62，在第一绝缘块51上固定连接有第一凸台71，在第一绝缘块51上开设有第一凹槽81，在第二绝缘块52上固定连接有第二凸台72，在第二绝缘块52上开设有第二凹槽82，第一屏蔽块61包套固定连接在第一绝缘块51外侧，第二屏蔽块62包套固定连接在第二绝缘块52外侧，第一凸台71与第二凹槽82插接或者分离，第二凸台72与第一凹槽81插接或者分离。
[0055]
所述绝缘层与被测断路器外引导线连接或者分离，绝缘层与被测断路器外引导线连接时，第一绝缘块51和第二绝缘块52均包覆在被测断路器外引的导线上并形成绝缘层，第一屏蔽块61和第二屏蔽块62均包覆在绝缘层上并形成屏蔽层。
[0056]
所述电容测量仪的型号为ai-6000，生产厂家为山东泛华电子科技有限公司生产，销售名称为自动抗干扰精密介质损耗测量仪。电容测量仪带有检测端子，检测端子包括用于与被测断路器外引的导线电连接的芯线和屏蔽端子，所述电容测量仪的芯线与被测断路器外引的导线电连接或者分离，电容测量仪的屏蔽端子与屏蔽层电连接或者分离。
[0057]
所述绝缘层为由聚乙烯制成的绝缘层。
[0058]
所述屏蔽层为由锡箔制成的屏蔽层。
[0059]
其中，电容测量仪本身以及相应的电连接技术为现有技术在此不再赘述。
[0060]
实施例2使用说明：
[0061]
将第一绝缘块51与第二绝缘块52包覆在被测断路器外引的导线上，第一绝缘块51与第二绝缘块52插接固定在一起并形成绝缘层，第一屏蔽块61和第二屏蔽块62均包覆在绝缘层上并形成屏蔽层。
[0062]
实施例3：
[0063]
实施例3不同于实施例2之处在于，第一屏蔽块61与第一绝缘块51不固定连接，第二屏蔽块62与第二绝缘块52不固定连接，第一屏蔽块61与第一绝缘块51连接或者分离，第二屏蔽块62与第二绝缘块52连接或者分离。
[0064]
本发明公开了一种测量断路器断口电容的装置包括电容测量仪、用于包覆在被测断路器外引导线上的绝缘层和用于包覆在绝缘层上与电容测量仪的屏蔽端子电连接的屏蔽层，所述绝缘层由绝缘块组成，所述屏蔽层由屏蔽块组成，所述绝缘块为半环形的绝缘块，绝缘块的数量为两个分别是第一绝缘块51和第二绝缘块52，所述屏蔽块为半环形的屏蔽块，屏蔽块的数量为两个分别是第一屏蔽块61和第二屏蔽块62，在第一绝缘块51上固定连接有第一凸台71，在第一绝缘块51上开设有第一凹槽81，在第二绝缘块52上固定连接有第二凸台72，在第二绝缘块52上开设有第二凹槽82，第一凸台71与第二凹槽82插接或者分离，第二凸台72与第一凹槽81插接或者分离，第一屏蔽块61与第一绝缘块51连接或者分离，第二屏蔽块62与第二绝缘块52连接或者分离。
[0065]
所述绝缘层与被测断路器外引导线连接或者分离，绝缘层与被测断路器外引导线连接时，第一绝缘块51和第二绝缘块52均包覆在被测断路器外引的导线上并形成绝缘层，第一屏蔽块61和第二屏蔽块62均包覆在绝缘层上并形成屏蔽层。
[0066]
所述电容测量仪的型号为ai-6000，生产厂家为山东泛华电子科技有限公司生产，销售名称为自动抗干扰精密介质损耗测量仪。电容测量仪带有检测端子，检测端子包括用于与被测断路器外引的导线电连接的芯线和屏蔽端子，所述电容测量仪的芯线与被测断路器外引的导线电连接或者分离，电容测量仪的屏蔽端子与屏蔽层电连接或者分离。
[0067]
所述绝缘层为由聚乙烯制成的绝缘层。
[0068]
所述屏蔽层为由锡箔制成的屏蔽层。
[0069]
其中，电容测量仪本身以及相应的电连接技术为现有技术在此不再赘述。
[0070]
实施例3使用说明：
[0071]
将第一绝缘块51与第二绝缘块52包覆在被测断路器外引的导线上，第一绝缘块51与第二绝缘块52插接固定在一起并形成绝缘层，将第一屏蔽块61和第二屏蔽块62均包覆在绝缘层上并形成屏蔽层。
[0072]
实施例4：
[0073]
实施例4不同于实施例1之处在于，所述绝缘层由绝缘带缠绕形成，所述屏蔽层由屏蔽带缠绕形成。
[0074]
本发明公开了一种测量断路器断口电容的装置包括电容测量仪、用于包覆在被测断路器外引导线上的绝缘层和用于包覆在绝缘层上与电容测量仪的屏蔽端子电连接的屏蔽层，所述绝缘层由绝缘带缠绕形成，所述屏蔽层由屏蔽带缠绕形成。
[0075]
所述绝缘层与被测断路器外引导线连接或者分离，绝缘层与被测断路器外引导线连接时，将绝缘带缠绕在被测断路器外引的导线上并形成绝缘层，将屏蔽带缠绕在绝缘层上并形成屏蔽层。
[0076]
所述电容测量仪的型号为ai-6000，生产厂家为山东泛华电子科技有限公司生产，销售名称为自动抗干扰精密介质损耗测量仪。电容测量仪带有检测端子，检测端子包括用于与被测断路器外引的导线电连接的芯线和屏蔽端子，所述电容测量仪的芯线与被测断路器外引的导线电连接或者分离，电容测量仪的屏蔽端子与屏蔽层电连接或者分离。
[0077]
所述绝缘带为由聚乙烯制成的绝缘带。
[0078]
所述屏蔽带为由锡箔制成的屏蔽带。
[0079]
其中，电容测量仪本身以及相应的电连接技术为现有技术在此不再赘述。
[0080]
实施例4使用说明：
[0081]
使用绝缘带在被测断路器外引的导线上缠绕形成绝缘层，使用屏蔽带在绝缘层上缠绕形成屏蔽层。
[0082]
将电容测量仪的芯线与被测断路器外引的导线电连接，将电容测量仪的屏蔽端子与屏蔽层电连接，测量电容。测量完毕后，将电容测量仪的芯线与被测断路器外引的导线分开，将电容测量仪的屏蔽端子与屏蔽层分开，将屏蔽带从绝缘层上绕开取下，将绝缘带从被测断路器外引的导线上绕开取下。
[0083]
实施例5：
[0084]
本发明公开了一种测量断路器断口电容的方法，基于实施例4的装置，包括如下步骤：
[0085]
第一步，使用绝缘带缠绕在被测断路器外引的导线上并形成3mm厚度的绝缘层。
[0086]
第二步，使用屏蔽带缠绕在绝缘层上并形成0.2mm厚度的屏蔽层。
[0087]
第三步，将电容检测仪的检测端子的芯线与被测断路器外引导线电连接，将电容检测仪的检测端子的屏蔽端子与被测断路器外引导线上的屏蔽层电连接。
[0088]
本技术的构思：
[0089]
基于反接线屏蔽法的单端接地断路器断口电容测试方法，涉及一种单端接地断路器断口电容测试方法。现有技术方法测量单端接地断路器断口电容由于第一干扰电流i1的影响电容量初值差达到30％以上，由于远远超过规程要求不超过
±
5％。
[0090]
如图5所示，发明人研究发现通过在第二导线18的外部缠绕3mm的绝缘层31，在绝缘层31的外部缠绕一层导电锡纸41。将第二导线18接电容检测仪的第二检测端子in的芯线19，将第二导线18外部的导电锡纸41与第一中间法兰15和第二中间法兰16短接。电容检测仪的第二检测端子in的屏蔽端子20接导电锡纸41，用反接线高压屏蔽法测量断路器断口电容的介质损耗因数和电容量。电容量的初值差在0.1％以内，远远小于规程要求的5％以内。解决了常规的反接线测量方法误差过大的问题。
[0091]
技术贡献：
[0092]
技术方案主要分两步执行。
[0093]
1)如图5所示，在第二导线18的外部缠绕3mm的绝缘层31。
[0094]
2)如图5所示，在绝缘层31的外部缠绕一层导电锡纸41。
[0095]
绝缘层31起到将导线与外部锡纸绝缘作用，锡纸起到试验时屏蔽导线第一干扰电流的作用。
[0096]
测试方法：将电容检测仪的第二检测端子in的芯线19接断路器右侧的第二导线18，将第二导线18外部的导电锡纸41与第一中间法兰15和第二中间法兰16短接。电容检测仪的第二检测端子in的屏蔽端子20接导电锡纸41，用反接线高压屏蔽法测量断路器断口电容的介质损耗因数和电容量。
[0097]
电容测量仪：型号ai6000。
[0098]
绝缘层材质：聚乙烯、聚氯乙烯、天然橡胶或者硅橡胶。
[0099]
屏蔽层材质：铜箔、铝箔或者锡箔。
[0100]
导线材质：钢芯铝绞线、铜管母线、铝管母线、铝绞线、编制铜导线或者编织铝导线。
[0101]
绝缘层厚度：1mm～5mm。
[0102]
屏蔽层厚度：0.01mm～1mm。
[0103]
本技术保密运行一段时间后，现场技术人员反馈的有益之处在于：
[0104]
采用技术方案后用反接线屏蔽法测试结果与正接线测试结果的对比如表2所示，a、b、c三相的初值差在0.1％以内，远远小于规程要求的5％以内。解决了常规的反接线测量方法误差过大的问题。
[0105]
表2采用本技术的技术方案后采用反接线屏蔽法与正接线下的测试结果对比表
[0106] 电容量出厂值(pf)技术方案1测试值(pf)电容量初值差(％)a102310240.098％b102110210％c10251024-0.098％
[0107]
目前，本发明的技术方案已经进行了中试，即产品在大规模量产前的较小规模试验；中试完成后，在小范围内开展了用户使用调研，调研结果表明用户满意度较高；现在已开始着手准备产品正式投产进行产业化(包括知识产权风险预警调研)。