发光装置的制造方法和发光装置与流程

1.本发明的一实施方式涉及发光装置的制造方法和发光装置。


背景技术：

2.以往，已知一种将发光元件等的电子元件安装于配线基材上的方法。例如，首先，通过将未硬化或半硬化的粘合剂涂布于配线基材的表面上，对与配置有发光元件的一侧为相反侧的配线基材的主面进行光照射，经由配线基材使涂布有粘合剂的规定部位硬化来粘贴并支承发光元件。之后，将存在于粘合剂的规定部位以外的部位的未硬化或半硬化的粘合剂除去，在该除去部分中，根据电镀法连接设置于发光元件的电极和配线基材的配线。像以上这样，能够将发光元件等的电子元件安装于配线基材上(参照专利文献1)。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：(日本)特开2017－183458号公报


技术实现要素：

6.发明所要解决的技术问题
7.近年，对于基材的高热传导性和驱动电路，特别是对于配线的高集成化的要求变高，作为满足这些要求的基材，期待si基材等的非透明基材。然而，在使用非透明基材的情况下，不能像以往技术那样使照射光通过，作为其结果，不能正确地将发光元件安装于配线基材上。
8.本发明的一实施方式的目的在于，提供一种不论配线基材是透明基材还是非透明基材，都能够正确地将发光元件安装于配线基材上的发光装置的制造方法和从该制造方法得到的发光装置。
9.用于解决技术问题的技术方案
10.为了达成上述目的，在本发明的一实施方式中，
11.提供一种包含发光装置的制造方法，该发光装置的制造方法包含将在同一面侧具备p侧的电极和n侧的电极的发光元件设置在基材上的工序，
12.所述工序依次包含：
13.在所述基材上，形成正极侧的配线晶种层和负极侧的配线晶种层的步骤；
14.在所述基材上的载置有所述发光元件的区域内形成抗蚀图案的至少一部分的步骤；
15.以所述p侧电极和所述正极侧的配线晶种层分隔对置，并且所述n侧电极和所述负极侧的配线晶种层分隔对置的方式，将所述发光元件载置于所述抗蚀图案上的步骤；
16.以所述抗蚀图案为掩膜，对所述正极侧的配线晶种层和与该正极侧的配线晶种层分隔配置的所述p侧电极之间、以及所述负极侧的配线晶种层和与该负极侧的配线晶种层分隔配置的所述n侧电极之间进行电镀接合的步骤；
17.除去所述抗蚀图案的步骤。
18.为了达成上述目的，在本发明的一实施方式中，提供一种发光装置，该发光装置具备：
19.配线基材，其具备基材和配置在所述基材上的、正极侧的配线和负极侧的配线；
20.发光元件，其位于所述配线基材上，具备p侧电极和n侧电极；
21.第一导电部件，其连结所述正极侧的配线和所述p侧电极之间；
22.第二导电部件，其连结所述负极侧的配线和所述n侧电极之间；
23.在剖视图中，所述第一导电部件和所述第二导电部件的至少一方的导电部件的外侧侧面与连结所述配线的外侧端部和所述电极的外侧端部的直线相比向外侧突出。
24.发明的效果
25.根据本发明的一实施方式，不论配线基材是透明基材还是非透明基材，都能够正确地将发光元件安装于配线基材。
附图说明
26.图1a是示意性表示基材上的配线晶种层的形成方案的立体图。
27.图1b是示意性地表示抗蚀图案的形成方案的立体图。
28.图1c是示意性地表示发光元件的载置方案的立体图。
29.图1d是示意性地表示配线晶种层和发光元件的电极之间的电镀接合方案的立体图。
30.图1e是示意性地表示抗蚀图案的除去方案的立体图。
31.图2a是示意性地表示基材上的配线晶种层的形成方案的俯视图。
32.图2b是示意性地表示向图2a的i－i’之间的基材上的配线晶种层的形成方案的剖视图。
33.图2c是示意性地表示抗蚀图案的形成方案的俯视图。
34.图2d是示意性地表示图2c的ii－ii’之间的抗蚀图案的形成方案的剖视图。
35.图2e是示意性地表示在载体基材上搭载有发光元件的发光元件搭载载体基材的立体图。
36.图2f是示意性地表示将发光元件搭载载体基材载置于第一抗蚀图案上的方案的俯视图。
37.图2g是示意性地表示图2f的iii－iii’之间的第一抗蚀图案上的发光元件搭载载体基材的载置方案的剖视图。
38.图2h是示意性地表示将载体基材从发光元件剥离的方案的俯视图。
39.图2i是示意性地表示将载体基材从发光元件剥离的方案的剖视图。
40.图2j是示意性地表示配线晶种层和发光元件的电极之间的电镀接合方案的剖视图。
41.图2k是示意性地表示抗蚀图案的除去方案的剖视图。
42.图2l是示意性地表示与第二抗蚀图案的除去部位对应的配线晶种层的局部部分的切断方案的俯视图。
43.图2m是示意性地表示与第二抗蚀图案的除去部位对应的配线晶种层的局部部分
的切断方案的剖视图。
44.图2n是示意性地表示实施了化学电镀处理的方案的剖视图。
45.图3是示意性地表示本发明的一实施方式的发光装置的结构的剖视图。
46.图4是示意性地表示本发明的其他实施方式的发光装置的结构的剖视图。
具体实施方式
47.[发光装置的制造方法]
[0048]
以下，基于附图对本发明的一实施方式的发光装置的制造方法进行详细说明。需要说明的是，在以下的说明中，根据需要使用表示特定的方向和位置的用语。然而，这些用语的使用是为了使参照附图的发明便于理解，并不将本发明的技术范围限于这些用语的含义内。并且，在多个附图表示的相同附图标记的部分表示相同或同等的部分。
[0049]
另外，以下所示的实施方式示例用于具体化本发明的技术思想的发光装置的制造方法，并不限定本发明。并且，以下所记载的构成部件的尺寸、材质、形状、它们的相对配置等，只要没有特定的记载，均不旨在将本发明的范围限于此，而是表示作为例示。并且，附图所表示的部件的大小和位置关系等，存在为了使说明明确而夸张的情况。
[0050]
实施方式1
[0051]
以下，一边参照附图，一边对本发明的实施方式1的发光装置的制造方法进行说明。
[0052]
实施方式1作为一例，将同一面侧具备p侧电极和n侧电极的单一的发光元件安装于配线基材上来制造发光装置。
[0053]
在该实施方式中，本发明的实施方式1的制造方法包含下述的(a)工序～(e)工序。
[0054]
(a)基材上的配线晶种层的形成工序
[0055]
图1a是示意性地表示基材上的配线晶种层的形成方案的立体图。
[0056]
如图1a所示，在基材10上空出规定的间隔形成正极侧的配线晶种层11和负极侧的配线晶种层12。也可以准备空出规定的间隔而形成有正极侧的配线晶种层11和负极侧的配线晶种层12的基材10。
[0057]
作为配线晶种层11、12间的规定的间隔，优选为以之后载置的发光元件30的p侧电极能够与正极侧的配线晶种层11对置、并且n侧电极能够与负极侧的配线晶种层12对置的方式构成的间隔。例如，在发光元件的俯视的大小为50μm
×
50μm的情况下，配线晶种层11、12的间隔能够为14μm。
[0058]
作为基材10，不仅限于透明的基材，也可以使用非透明的基材。作为透明的基材的材料，能够列举出玻璃、石英、蓝宝石、陶瓷(例如，透明的氧化铝)，有机薄膜(例如pet)。并且，作为非透明的基材的材料，能够列举出半导体(例如si、ge、gaas、inp)，陶瓷(例如，氧化铝、aln)、金属(例如al、cu)，有机材料(例如，fr4)。
[0059]
(b)抗蚀图案的形成工序
[0060]
图1b是示意性地表示抗蚀图案的形成方案的立体图。
[0061]
在基材10上的载置有发光元件30的区域内形成抗蚀图案20的至少一部分。需要说明的是，本说明书中所说“抗蚀图案”是指，在基材10上的载置有发光元件30的区域内使基材的一部分露出以确保之后能够镀层生长的区域的有图案的抗使剂层，也能够称为“图案
化抗蚀剂层”或者“抗蚀剂层图案化”。
[0062]
如图1b所示那样，可以在基材10上的载置有发光元件30的区域形成抗蚀图案20，抗蚀图案20的一部分也可以从载置有发光元件30的区域向外侧伸出。
[0063]
以下，以之后将抗蚀图案20的全部配置于载置有发光元件30的区域内的情况为例。
[0064]
具体来说，在之后配置发光元件30的时候，以发光元件30的各电极(p侧电极/n侧电极)和各配线晶种层11、12能够分隔对置的方式，使具有小于发光元件30的平面尺寸的平面尺寸的抗蚀图案20形成于载置有发光元件30的区域内。也就是说，在俯视图中，在没有配置抗蚀图案20的区域中，以发光元件30的各电极(p侧电极/n侧电极)和各配线晶种层11、12重合的方式配置抗蚀图案20。由此，能够在发光元件30的电极和各配线晶种层11、12之间适当地确保空间(具体来说是用于之后使电镀成长的狭小空间)。抗蚀图案20的平面尺寸能够为发光元件30的平面尺寸的20％以上40％以下。
[0065]
抗蚀图案20在俯视图中，可以在之后载置发光元件30的区域内，即可以至少在正极侧的配线晶种层11和负极侧的配线晶种层12之间形成。
[0066]
作为抗蚀图案20的形成方案，能够使用光刻蚀法或网版印刷法。若使用光刻蚀法，则能够形成精细的抗蚀图案。
[0067]
优选抗蚀图案20的抗蚀剂具有黏着性。通过抗蚀剂具有黏着性，能够将之后载置的发光元件30粘贴并支承在抗蚀图案20上。
[0068]
作为抗蚀图案20，优选上述的具有黏着性，并相对于之后使用的电镀液兼具耐化学性的类型。例如，作为抗蚀图案20，能够使用苯酚树脂、环氧类树脂、硅胶类树脂、亚克力类树脂。如果使用抗蚀图案20，作为发光元件的粘贴支承和电镀接合时的掩膜，由于不需要设置与各自的目的相适应的部件，因而能够削减工序数。并且，由于不会受到在分别使用不同的部件的情况下产生的、彼此的形成条件的组合导致的制约(例如溶解于一方的溶剂、合适的处理温度不同等)，因而能够容易地实施工序。
[0069]
抗蚀图案20的剖面形状可以是矩形或者正方形。即，与发光元件30接触的抗蚀图案20的接触面(上表面)和侧面能够为大致垂直的关系。由此，能够正确地确保发光元件30与抗蚀图案20的接触区域以及之后连结配线晶种层和发光元件的电极的镀层生长区域。
[0070]
抗蚀图案的剖面形状可以为锥形。可以是从基材10朝向发光元件30而宽度扩大的形状，也可以是从基材10朝向发光元件30宽度变窄的形状。如果是从基材10朝向发光元件30宽度变大的形状，则能够增加发光元件30和抗蚀图案20接合的面积，而能够更切实地将发光元件和抗蚀图案贴合。
[0071]
在剖视图中，优选使抗蚀图案20的高度高于正极侧的配线晶种层11和负极侧的配线晶种层12的高度。由此，由于高度的不同，在之后在抗蚀图案20上载置发光元件30的情况下，能够夹着抗蚀图案20，使设置在基材10上的配线晶种层和载置在抗蚀图案20上的发光元件30的电极彼此分隔。
[0072]
通过该分隔，能够在之后的电镀处理时确保用于通过电镀连结的配线晶种层和发光元件30的电极之间的空间。作为电镀处理，能够使用电解电镀或化学电镀。
[0073]
需要说明的是，这里的“抗蚀图案20的高度”是指抗蚀图案20的厚度。抗使剂层的高度能够为1μm以上3μm以下。优选抗蚀图案20的高度小于配线晶种层11、12之间的距离。如
果抗蚀图案20的高度大于配线晶种层11、12之间的距离，则在电镀处理时，存在利用电镀连结配线晶种层和发光元件的电极之前，电镀导致配线晶种层11和配线晶种层12连结的可能。但是，如果抗蚀图案20的高度小于配线晶种层11、12之间的距离，则能够抑制电镀导致配线晶种层11和配线晶种层12连结的情况。
[0074]
(c)发光元件的载置工序
[0075]
图1c是示意性地表示发光元件的载置方案的立体图。
[0076]
如图1c所示，在抗蚀图案20上载置发光元件30。
[0077]
在(a)工序和(b)工序的任一个都能够进行使之后载置的发光元件30的电极和配线晶种层11、12彼此对置的预先调整。由此，在(c)工序中，在将发光元件30载置于抗蚀图案20上的时候，发光元件30的p侧电极31和正极侧的配线晶种层11分隔对置，并且能够使发光元件30的n侧电极32和负极侧的配线晶种层12分隔对置。由此，能够在发光元件30的电极31、32和配线晶种层11、12之间适当地确保用于使电镀p生长的狭小空间。
[0078]
另外，能够切实地将发光元件30载置于抗蚀图案20上。需要说明的是，本说明书所说的“发光元件30的电极和配线晶种层对置”是指，在剖视图中，发光元件30的电极的一部分和配线晶种层的一部分彼此面对的关系。
[0079]
在将发光元件30载置于抗蚀图案20的时候，如果抗蚀图案20的材料是热可塑性，则可以一边热压接合一边载置。由此，能够将发光元件30粘贴于抗蚀图案20，而能够确保发光元件30和抗蚀图案20的密合性。通过抗蚀图案被热压接合等加压，抗蚀图案的剖面形状可以为桶状(向外侧膨出的形状)。
[0080]
(d)配线晶种层和发光元件的电极之间的电镀接合工序
[0081]
图1d是示意性地表示配线晶种层和发光元件的电极之间的电镀接合方案的立体图。
[0082]
如图1d所示，以抗蚀图案20为掩膜，使正极侧的配线晶种层11和与正极侧的配线晶种层11间隔配置的p侧电极31之间、以及负极侧的配线晶种层12和与负极侧的配线晶种层12间隔配置的n侧电极32之间电镀接合。其结果为，正极侧的配线晶种层11和p侧电极31电连接，负极侧的配线晶种层12和n侧电极32电连接。
[0083]
在(d)工序中，在适当确保该狭小空间的状态下，以抗蚀图案20为掩膜实施电镀处理。
[0084]
作为电镀处理，能够使用电解电镀或化学电镀。作为电镀液，能够使用铜(cu)。如果使用铜的电镀液，则发光元件的电极和配线晶种层之间通过铜连接，而能够电镀接合发光元件的电极和配线晶种层之间。需要说明的是，电镀液除了铜以外，能够使用金(au)、锌(zn)、铬(cr)以及/或者镍(ni)等。
[0085]
(e)抗蚀图案的除去工序
[0086]
图1e是示意性地表示抗蚀图案的除去方案的立体图。
[0087]
如图1e所示，除去抗蚀图案20。
[0088]
抗蚀图案20的除去可以通过将抗蚀剂层浸入能够剥离的剥离液进行，也可以通过这以外的方法进行。例如，在腔室内，经由电镀完成配线晶种层11、12和电极31、32之间的接合之后，使用喷嘴将任意的抗蚀剂层剥离液喷涂于抗蚀图案20。通过该抗蚀剂层剥离液，抗蚀图案20被溶解，使用规定的气体等将被溶解的抗蚀图案20向与基材10相比的外侧排出。
[0089]
抗蚀剂层剥离液可以是包含硫酸和有机类溶剂等的混合液。作为有机类溶剂，例如，能够使用从2－丙醇等的醇类溶剂、丙酮等的酮类溶剂、乙酸乙酯等的酯类溶剂以及醚类溶剂组成的群选择的至少一种的溶剂。作为用于排出被溶解的抗蚀图案20而使用的气体，例如，能够列举出氩气、氮气等。
[0090]
像以上这样，能够在基材10上安装发光元件30，而由此制造实施方式1的发光装置70。
[0091]
基于上述的(a)工序～(e)工序，实施方式1的发光装置的制造方法由于不需要以往的制造方法中的、为了使用于将发光元件与基材接合的粘合剂硬化，而从基材中的与配置有发光元件的一侧为相反侧的主面侧进行光照射的工序，因而不论基材10是透明基材还是非透明基材，都能够正确地将发光元件安装于基材10。
[0092]
实施方式2
[0093]
以下，一边参照附图，一边对本发明的实施方式2的发光装置的制造方法进行说明。
[0094]
如上述这样，实施方式1是将单一的发光元件安装于单一的配线基材上来制造发光装置的方式。与此相对，实施方式2是实施方式1的应用例，是至少将两个发光元件安装于单一的配线基材上来制造发光装置的方式。由于实施方式2是实施方式1的应用例，因而省略与实施方式1中的内容重复部分的说明。
[0095]
本发明的实施方式2的发光装置的制造方法是将在同一面侧至少分别具备两个p侧电极和n侧电极的发光元件设置在基材上的方式。在该方式中，本发明的实施方式2的制造方法包含下述的工序。
[0096]
(a)基材上的配线晶种层的形成工序
[0097]
图2a是示意性地表示基材上的配线晶种层的形成方案的俯视图。图2b是示意性地表示图2a的i－i’之间的基材上的配线晶种层的形成方案的剖视图。
[0098]
如图2a和图2b所示，在基材100上空出规定的间隔形成正极侧的配线晶种层110和负极侧的配线晶种层120。也可以准备空出规定的间隔而形成有正极侧的配线晶种层110和负极侧的配线晶种层120的基材100。
[0099]
具体地说，从之后在各配线晶种层110、120的上方，空出规定的间隔配置至少两个的发光元件的观点来看，以正极侧的配线晶种层110和负极侧的配线晶种层120分别在大致相同方向延伸的方式在基材100上形成配线晶种层110、120。在这里，“正极侧的配线晶种层110和负极侧的配线晶种层120分别在大致相同方向延伸”虽然是指两者在完全相同方向(平行方向)延伸的情况，也包含在两者的之间形成的角度为
±
1度以内的情况。
[0100]
如图2a所示这样，在俯视图中，正极侧的配线晶种层110和负极侧的配线晶种层120可以包含凹部111。设置于正极侧的配线晶种层110的凹部111设置在正极侧中的与配线晶种层110中的负极侧的配线晶种层120对置的边侧。设置于负极侧的配线晶种层120的凹部111设置在负极侧的配线晶种层120中的与正极侧的配线晶种层110对置的边侧。
[0101]
凹部111能够设置在载置有发光元件的区域内。在俯视图中，凹部111能够以第一抗蚀图案210进入配线晶种层120的凹部111内的方式形成。即，凹部111能够形成于被第一抗蚀图案210覆盖的位置。虽然在图2a中凹部111的形状为半圆状，也可以为这以外的形状(矩形等)。凹部111可以仅形成于正极侧的配线晶种层110或者负极侧的配线晶种层120的
任意一方。
[0102]
通过凹部111形成于被第一抗蚀图案210覆盖的位置，由于第一抗蚀图案210与配线晶种层接触的面积减少，与基材100接触的面积增加，因而能够使抗蚀图案和基材100的密合性提高。
[0103]
(b)抗蚀图案的形成工序
[0104]
图2c是示意性地表示抗蚀图案的形成方案的俯视图。图2d是示意性地表示图2c的ii－ii’间的抗蚀图案的形成方案的剖视图。
[0105]
如图2c和图2d所示，在空出规定的间隔而至少载置有两个发光元件300的区域内，使第一抗蚀图案210分别形成于基材100上。第一抗蚀图案210与实施方式1的抗蚀图案20对应。
[0106]
具体地说，之后将至少两个的发光元件300空出规定的间隔载置的时候，以各发光元件300的电极能够分别与配线晶种层110、120分隔对置的方式，在载置有各发光元件300的区域内，分别形成具有小于发光元件300的平面尺寸的平面尺寸的第一抗蚀图案210。
[0107]
通过分别形成该第一抗蚀图案210，而能够在之后载置于第一抗蚀图案210上的各发光元件300的电极和配线晶种层110、120之间确保空间(具体来说是之后用于使镀层生长的狭小空间)。
[0108]
作为第一抗蚀图案210的平面形状，优选图2c所示的十字形状。这是由于能够确保电镀接合时的电镀液的流路，并且能够使发光元件300稳定地载置于第一抗蚀图案210上。作为第一抗蚀图案210的其他平面形状，例如能够采用正方形、矩形、三角形等任意的形状。
[0109]
第一抗蚀图案210可以与发光元件的电极310、320接触，也可以不与发光元件的电极310、320。在第一抗蚀图案210与发光元件的电极310、320接触的情况下，在确保规定的必要充分的电镀接合区域的基础上，能够使第一抗蚀图案的与发光元件300的接触面积变大。由此，能够提高第一抗蚀图案210的与发光元件300的密合力。
[0110]
并且，在发光元件的电极310、320的表面存在凹陷的情况下，如果在凹陷部位进行镀层生长，则由于存在电镀接合结束之后电镀液残存于凹陷内的可能，因而可以不在设置于发光元件的电极310、320表面的凹陷使镀层生长。在该情况下，俯视图中与十字形状的抗蚀图案的发光元件的电极表面接触的前端部可以覆盖存在于发光元件的电极表面的凹陷。
[0111]
另一方面，在第一抗蚀图案210不与发光元件的电极310、320接触的情况下，电极全域出现镀层生长而厚膜化。在为了切断配线晶种层110的局部部分的薄膜而使用闪蚀的情况下，由于镀层生长区域仅在局部部分的厚度部分被蚀刻，镀层生长区域变厚，而能够确保镀层生长区域的导电性。
[0112]
与实施方式1同样，优选第一抗蚀图案210具有黏着性。第一抗蚀图案210通过使用具有与形成于后述的载体基材500的树脂材料400相比黏着性更高的材料，在将搭载于载体基材500的发光元件复制到基材10的时候，能够不使发光元件从第一抗蚀图案剥落地将载体基材500从发光元件剥离。
[0113]
优选第一抗蚀图案210的高度为配线晶种层110的厚度的10倍以上30倍以下。在为了切断后述的配线晶种层110的局部部分110a而使用闪蚀的情况下，虽然连接电极和配线晶种层的镀层生长区域也被蚀刻，但由于第一抗蚀图案210为规定以上的高度，镀层生长区域在水平方向也厚膜化，因而即使由于闪蚀而镀层生长区域被蚀刻，也能够保持良好的电
极和配线晶种层之间的电连接性。
[0114]
在(b)工序中，在第一抗蚀图案210的形成之外，在正极侧的配线晶种层110上或负极侧的配线晶种层120上形成第二抗蚀图案220。
[0115]
也可以在正极侧的配线晶种层110上或负极侧的配线晶种层120上的、彼此相邻的一方的发光元件300和另一方的发光元件300之间的部分形成第二抗蚀图案220。即，可以在预先掌握彼此相邻的一方的发光元件300和另一方的发光元件300之间部分的位置的基础上，形成第二抗蚀图案220。
[0116]
以下，如图2c所示，基于在正极侧的配线晶种层110上形成第二抗蚀图案220的方案进行说明。由于第二抗蚀图案220的存在，能够在之后的电镀处理工序中，在第二抗蚀图案220的形成部位抑制配线晶种层110的镀层生长。
[0117]
在配线晶种层110中的第二抗蚀图案220的形成部位，为了维持电镀处理前的厚度(薄膜厚)，如果通过后述的闪蚀除去第二抗蚀图案220形成部位的配线晶种层，则能够对配线晶种层110进行电切断。
[0118]
从进一步切实切断配线晶种层110的观点来看，优选在俯视图中，从相对于配线晶种层110的延伸方向垂直的方向的一端至另一端连续形成第二抗蚀图案220。
[0119]
第二抗蚀图案220可以与第一抗蚀图案210同时形成，也可以分别形成。通过同时形成第二抗蚀图案220和第一抗蚀图案210，能够缩短工序数。
[0120]
(c)发光元件的载置工序
[0121]
图2e是示意性地表示在载体基材上搭载有发光元件的发光元件搭载载体基材的立体图。图2f是示意性地表示将发光元件搭载载体基材载置于第一抗蚀图案上的方案的俯视图。图2g是示意性地表示图2f的iii－iii’间的第一抗蚀图案上的发光元件搭载载体基材的载置方案的剖视图。
[0122]
如图2e～图2g所示，分别在各第一抗蚀图案210上载置发光元件300。具体地说，以发光元件300的电极面330和第一抗蚀图案210彼此对置的方式，将发光元件搭载载体基材600载置于空出规定的间隔而形成的至少两个的第一抗蚀图案210上。此时，发光元件300的p侧电极310和正极侧的配线晶种层110分隔对置，并且发光元件300的n侧电极320和负极侧的配线晶种层120分隔对置。
[0123]
以下，对上述的发光元件搭载载体基材600进行说明。准备发光元件搭载载体基材的工序包含以下的步骤。
[0124]
1)带有树脂材料的载体基材的形成
[0125]
在载体基材500上连续涂布树脂材料400而得到带有树脂材料400的载体基材500。例如，作为树脂材料400，能够列举出从硅胶类树脂材、环氧类树脂材以及亚克力类树脂材组成的群中选择至少一种的树脂材。或者，作为载体基材500，能够使用玻璃基材等。
[0126]
2)带有树脂材料的载体基材上的发光元件的贴合
[0127]
将发光元件300贴合于带有树脂材料400的载体基材500上。具体地说，以至少两个的发光元件300的发光面340与单一的载体基材500上的树脂材料400接合的方式，将发光元件300贴合于单一的带有树脂材料的载体基材500上。
[0128]
通过以上这样，能够制作在载体基材500上搭载有发光元件300的发光元件搭载载体基材600。在图2e中，在发光元件搭载载体基材600中，发光元件300一行排列三个，也可以
为三个以上，例如可以在一行排列10000个～30000个。
[0129]
将发光元件搭载载体基材600载置于第一抗蚀图案210上之后，如图2h和图2i所示，将载体基材500从各发光元件300剥离。需要说明的是，载体基材500的剥离可以在后述的配线晶种层和发光元件之间的电镀接合工序之后。
[0130]
(d)配线晶种层和发光元件的电极之间的电镀接合工序
[0131]
图2j是示意性地表示配线晶种层和发光元件的电极之间的电镀接合方案的剖视图。
[0132]
如图2j所示，以第一抗蚀图案210和第二抗蚀图案220为掩膜，使正极侧的配线晶种层110和与正极侧的配线晶种层110分隔配置的p侧电极310之间、以及负极侧的配线晶种层120和与负极侧的配线晶种层120分隔配置的n侧电极320之间电镀接合。
[0133]
由于第二抗蚀图案220也作为掩膜作用，因而在电镀处理时，能够在配线晶种层110中的第二抗蚀图案220的形成部位处抑制镀层生长。
[0134]
(e)抗蚀图案的除去工序
[0135]
图2k是示意性地表示抗蚀图案的除去方案的剖视图。
[0136]
如图2k所示，除去第一抗蚀图案210和第二抗蚀图案220。
[0137]
图2l是示意性地表示与第二抗蚀图案的除去部位对应的配线晶种层的局部部分的切断方案的俯视图。图2m是示意性地表示与第二抗蚀图案的除去部位对应的配线晶种层的局部部分的切断方案的剖视图。
[0138]
第一抗蚀图案210和第二抗蚀图案220的除去之后，如图2l和图2m所示那样，切断与第二抗蚀图案220的除去部位对应的配线晶种层110的局部部分110a。由此，配线晶种层110能够在局部部分110a被电切断。
[0139]
作为切断的方法，例如能够使用闪蚀。在闪蚀中，能够通过浸入蚀刻液，来除去配线晶种层的局部部分110a。作为其他方法，也可以使蚀刻液作为喷雾，来除去配线晶种层110的局部部分110a。
[0140]
作为用于闪蚀的蚀刻液，能够使用从过氧化氢、硫酸、过硫酸铵、过硫酸钠、盐酸、硝酸、氯化铁以及氯化铜等组成的群中选择的至少一种。
[0141]
图2n是示意性地表示实施化学电镀处理的方案的剖视图。
[0142]
如图2n所示那样，在切断配线晶种层110的局部部分110a之后，可以相对于导电部件p实施化学电镀处理而形成焊盘导电部件c。通过进行这样的电镀处理，由于配线晶种层(例如cu)以不会露出的方式被涂覆，因而能够抑制配线晶种层腐蚀的情况，并且能够抑制导线从配线晶种层剥落的情况。作为通过化学电镀处理形成的层，能够列举出ni(镍)、pd(钯)、au(金)的层叠(最外层表面为au)，或者au(金)、pd(钯)、au(金)的层叠等。
[0143]
像以上这样，能够将至少两个的发光元件300正确地安装于基材100上。其结果为，能够制造实施方式2的发光装置。
[0144]
根据以往的方法，以形成于透明基材上表面的晶种层图案为掩膜，而使从基材背面曝光硬化的粘合层部分作为电镀处理时的发光元件保持用的粘合层图案。即，由于粘合层图案必须是晶种层图案的倒置图案，因而发光元件的保持图案和电路图案的设计密不可分，而对电路图案产生制约。例如，希望在发光元件的正下方进行与周围分离的岛状的电路部分的电气和机械连接的情况下，在以往的方法中配线晶种层需要为岛状，由于在该情况
下不能通电，因而不能进行电解电镀的镀层生长，而不能与发光元件侧电极连接。
[0145]
另外，由于岛状区域被发光元件、基材和粘合层围绕而电镀液的流路封闭，因而即使使用化学电镀处理也不能连接。因此，不能够在发光元件的正下方形成岛状的发光元件保持以及配线图案。
[0146]
然而，如果是实施方式2的制造方法，则除了配线晶种层的图案，也能够通过抗蚀剂层来规定电镀后的配线晶种层的图案形状。因此，通过与之后的蚀刻(闪蚀)等组合而能够得到类似岛状的配线晶种层那样的自由的配线晶种层的图案形状。
[0147]
在实施方式2中，由于是切断正极侧的配线晶种层110，而不切断负极侧的配线晶种层120的构成，因而各发光元件的负极侧为公共电极，各发光元件的正极侧为彼此独立的电极。由此，能够独立地对各发光元件进行点亮控制。需要说明的是，在切断负极侧的配线晶种层120，而不切断正极侧的配线晶种层110的构成的情况下，各发光元件的正极侧为公共电极，各发光元件的负极侧为彼此独立的电极。即使在该情况下，也能够独立地进行各发光元件的点亮控制。
[0148]
上述，对在空出规定的间隔而形成的至少两个的第一抗蚀图案210上粘贴“单一”的发光元件搭载载体基材600的内容进行了说明。然而，并不限于此。例如，可以在该至少两个的第一抗蚀图案210上，空出规定的间隔粘贴“至少两个的”发光元件搭载载体基材600。在该情况下，第一抗蚀图案210能够成为在俯视图中沿与配线晶种层延伸方向相同的方向延伸的形状。
[0149]
[发光装置]
[0150]
通过上述实施方式1和2的制造方法得到的发光装置能够采用以下的构成。图3是示意性地表示本发明的一实施方式的发光装置的构成的剖视图。图4是示意性地表示本发明的其他实施方式的发光装置的构成的剖视图。如图3所示，本发明的一实施方式的发光装置70具备：配线基材10x，其具备配置在基材10和基材10上的、正极侧的配线11和负极侧的配线12；发光元件30，其位于配线基材10x上，具备p侧电极31和n侧电极32；第一导电部件p1，其连结正极侧的配线11和p侧的电极31之间；第二导电部件p2，其连结负极侧的配线12和n侧电极32之间。
[0151]
在该构成中，本发明的一实施方式是在剖视图中，第一导电部件p1和第二导电部件p2的至少一方的导电部件的外侧侧面p11、p21以与连结配线的外侧端部11a、12a和电极的外侧端部31a、32a的直线相比向外侧突出的方式构成。需要说明的是，这里所说的“剖视图”是指，从切断p侧电极31和n侧电极32以及分别与它们对置配置的正极侧的配线11和负极侧的配线12的方向观察的视图。
[0152]
在上述发光装置的制造过程中的导电部件形成阶段，通过从配线晶种层朝向电极，一方的侧面沿着抗蚀剂层的侧面并且另一方的侧面在发光元件30和配线基材10x之间的空置状态的空间生长，来形成导电部件。第一导电部件p1和第二导电部件p2的内侧侧面p12、p22的形状能够取决于在上述导电部件形成阶段形成于基材上的抗蚀图案的侧面形状。如上所述，在抗蚀图案的剖面形状为矩形或者正方形的情况下，由于抗蚀图案的侧面相对于配线的上表面正交，因而由此第一导电部件p1和第二导电部件p2的内侧侧面p12、p22的形状也能够相对于制造完成时的配线(与制造过程中的配线晶种层对应)的上表面正交。这里所说的“正交”是指，在剖视图中导电部件的内侧侧面和配线的上表面的角度为90度或
者90度
±
5度的状态。需要说明的是，不仅限于第一导电部件p1和第二导电部件p2的内侧侧面相对于配线的上表面正交，第一导电部件p1和第二导电部件p2的至少一方的导电部件的内侧侧面也可以相对于配线的上表面正交。
[0153]
另一方面，最终得到的第一导电部件p1和第二导电部件p2的外侧侧面p11、p21的形状并不取决于抗蚀图案的侧面形状。从该理由可知，最终得到的导电部件的外侧侧面p11、p21与连结配线的端部11a、12a和发光元件30的电极的端部31a、32a的直线相比向外侧突出。通过导电部件的外侧侧面突出，由于导电部件和发光元件的接触面积增加，因而放热性能够提高。另外，如上述那样，由于导电部件的内侧侧面是沿着制造过程中配置的抗蚀图案的侧面生长的一侧，因而在抗蚀图案的除去后，最终得到的第一导电部件p1和第二导电部件p2之间成为空出一定间隔的状态。因此，能够适当避免第一导电部件p1和第二导电部件p2的接触导致的短路发生。从以上的情况可知，根据本发明的一实施方式的发光装置70，能够同时使放热性提高以及抑制短路的发生。
[0154]
需要说明的是，在剖视图中，根据电极的端部31a、32a和配线的端部11a，12a的位置关系，导电部件的突出端部的位置也不同。具体地说，如图3所示那样，在剖视图中，在电极的端部31a、32a与配线的端部11a、12a相比位于外侧的情况下，能够采用导电部件p的突出端部px位于电极31、32侧的构成。另一方面，如图4所示那样，在剖视图中，在配线的端部11αa、12αa与电极的端部31αa、32αa相比位于外侧的情况下，能够采用导电部件的突出端部py位于基材10α侧的构成。
[0155]
并且，如本发明的制造方法的一栏中已经记述的那样，由于能够不经由基材曝光而形成粘合层图案地形成导电部件，因而作为基材，不仅能够使用透明的基材，也能够使用非透明的基材。因此，也能够增加能够利用的基材的种类。
[0156]
在实施方式1和实施方式2中使用的发光元件具备半导体层叠体和电极。发光元件具备：发光面(也称为主发光面)、相对于发光面沿不同方向(例如垂直方向)延伸的侧面、发光面的相反侧的面即设置有正负一对电极的电极面。
[0157]
作为发光元件，能够选择能够发出具有任意波长的光的半导体发光元件。例如，作为发光元件，能够选择发光二极管等。作为一例，作为发光元件，能够使用发出青色光的元件。并不限于此，作为发光元件，也可以使用发出青色光以外的其他颜色光的元件。在发光装置中，在使用空出规定的间隔而分别配置的多个发光元件的情况下，可以使用各自发出同色光的元件，也可以使用发出不同色的元件。
[0158]
例如，作为能够发出青色光的发光元件的半导体层叠体，能够使用氮化物半导体(in
x
alyga
1-x-y
n，0≤x，0≤y，x y≤1)。在该情况下，氮化物半导体发光元件例如是具有蓝宝石基板和层叠于蓝宝石基板的氮化物半导体的层叠构成。氮化物半导体层叠构造包含发光层、以夹着发光层的方式定位的n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层。电极即n侧电极和p侧电极分别与n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层电连接。
[0159]
发光元件可以具有俯视图中的任意形状，例如正方形、矩形等形状。另外，可以为三角形、六边形等的多边形等。发光元件30的俯视图中的大小例如在俯视图中具有10μm以上100μm以下，优选为具有20μm以上80μm以下的纵横尺寸。发光元件30的高度为1μm以上50μm以下，优选为2μm以上10μm以下。
[0160]
在实施方式1和实施方式2的任一个都优选采用下述方案。
[0161]
在将发光元件配置于基材上之后，从容易将从发光元件发出的光引导至规定方向的观点来看，优选以围绕发光元件的侧面的方式设置光反射部件。在多个发光元件邻接排列的情况下，可以以填充邻接的发光元件彼此间的方式设置。光反射部件例如能够使用将光反射的白色粉末等加入至透明树脂的白色树脂。光反射部件可以例如是含有氧化钛等的无机白色粉末的硅胶树脂。从适当地反射从发光元件发出的光的观点来看，光反射部件可以是相对于该光例如具有60％以上的反射率的白色树脂，优选为具有90％以上的反射率的白色树脂。作为在发光元件的侧面形成光反射部件的方法，在发光元件的上表面设置抗蚀剂层，将白色树脂涂布于发光元件的上表面和邻接的发光元件之间后，通过除去配置于发光元件的上表面的抗蚀剂层，使残存于发光元件的侧面的白色树脂成为光反射部件。
[0162]
透光性部件可以设置在发光元件的侧面和光反射部件之间及/或发光元件的发光面上。作为透光性部件的材料，例如能够列举出硅胶类树脂、环氧胶树脂、亚克力类树脂。
[0163]
可以在发光元件的发光面侧设置波长转换部件，其能够吸收从发光元件发出的光，而将其转化为不同波长的光。波长转换部件包含荧光体等的波长转换材而构成。作为荧光体，例如能够列举发出黄色系光的yag荧光体((y,lu,gd)3(al,ga)5o
12
:ce)、发出绿色系光的β塞隆荧光体，发出红色系光的氟化物荧光体(例如k2(si,ti,ge)f6:mn等)、氮化物荧光体(例如sr,ca)alsin3:eu)等。波长转换部件可以包含单一种的波长转换材，也可以包含多个波长转换材。
[0164]
以上，对本发明的一实施方式进行了说明，但其不过是示例本发明的应用范围中的典型例。因此，本发明并不限于此，能够进行各种改变以使本领域技术人员容易理解。
[0165]
工业实用性
[0166]
本实施方式的发光装置能够应用于汽车的头灯、投影仪等。
[0167]
附图标记说明
[0168]
10 基材；
[0169]
10x，10xα 配线基材；
[0170]
11 正极侧的配线晶种层；
[0171]
11a，11αa 正极侧的配线端部；
[0172]
12 负极侧的配线晶种层；
[0173]
12a，12αa 负极侧的配线端部；
[0174]
20 抗蚀图案；
[0175]
30，30α 发光元件；
[0176]
31，31α 发光元件的p侧电极；
[0177]
31a，31αap 侧的电极的端部；
[0178]
32，32α 发光元件的n侧电极；
[0179]
32a，32αan 侧的电极端部；
[0180]
33 发光元件的电极面；
[0181]
70，70α 发光装置；
[0182]
100 基材；
[0183]
110 正极侧的配线晶种层；
[0184]
120 负极侧的配线晶种层；
[0185]
210 第一抗蚀图案；
[0186]
220 第二抗蚀图案；
[0187]
300 发光元件；
[0188]
310 发光元件的p侧电极；
[0189]
320 发光元件的n侧电极；
[0190]
330 发光元件的电极面；
[0191]
340 发光元件的发光面；
[0192]
400 树脂材料；
[0193]
500 载体基材；
[0194]
600 发光元件搭载载体基材；
[0195]
p 导电部件；
[0196]
p1，p1α 第一导电部件；
[0197]
p11 第一导电部件的外侧侧面；
[0198]
p12 第一导电部件的内侧侧面；
[0199]
p2，p2α 第二导电部件；
[0200]
p21 第二导电部件测定外侧侧面；
[0201]
p22 第二导电部件测定内侧侧面；
[0202]
px，py 导电部件的突出端部；
[0203]
c 焊盘导电部件。