一种绝缘胶膜、制备方法及其应用与流程

1.本发明属于新型电子封装材料技术领域，更具体地，本发明涉及一种应用于半导体系统级封装用的绝缘胶膜材料。
技术背景
2.随着通讯科学和技术的快速发展发展，尤其是近年来以高性能计算机、服务器、智能手机、超薄电脑、无人驾驶、物联网技术和5g通讯技术为主的快速发展，对电子系统的小型化、轻薄化、多功能、高性能等方面提出了越来越高的要求。绝缘电介质材料是电子封装技术的一种重要材料。相比较于陶瓷介质材料，聚合物基电介质复合材料具有易加工、价廉、质轻等优势，在电子封装领域已有广泛的应用。在印刷线路板、封装基板、封装载板、扇出型板级封装再布线等半导体电子封装中，环氧树脂基复合材料以其优异的粘结性、可加工性强、各项性能易于调整等特征，相比其他聚合物基复合材料具有更多的应用。
3.但是，环氧树脂绝缘胶膜经常出现在使用过程中压合时结合情况差以及除胶过程中除胶不均匀，从而导致器件失效的问题，而此前的研究多集中在对介质层的改进上，虽然实现了一定的改进，但并未完全解决问题，此外对于介质层成分的改进虽然能够提升后期使用压合时的结合，但是可能带来了新的问题，或者使其其他性能受到影响。


技术实现要素：

4.本发明人在研究过程中发现，环氧树脂绝缘胶膜压合时结合情况差以及除胶过程中除胶不均匀的问题主要由于在制备过程中环氧树脂绝缘胶膜的厚度不均匀导致的，虽然这种不均匀可能只有几十μm，但是对于后期使用影响很大。在研究如何提高环氧树脂绝缘胶膜厚度均匀性过程中，本发明人意外地发现了制备过程中负载介质层的载体层的性能对于在制备成膜时介质层的形态有较大的影响。通过进一步研究，本发明人发现可以通过调节载体层的参数实现环氧树脂绝缘胶膜介质层的均匀、稳定和高力学性能。
5.为了克服绝缘胶膜制备的成膜品质和成膜均匀性问题，本发明提供通过调节载体膜的断裂伸长率范围，有效增加了介质膜的成膜品质和均匀程度，提高了介质膜与铜层或芯片之间的结合力，以及除胶过程的均匀性。避免介质膜和铜层在受到冷热冲击时，产生爆裂现象，可应用于封装基板、封装载板、扇出型板级封装再布线等半导体电子封装领域。
6.为了实现上述发明目的，本发明采取了以下技术方案。
7.本发明一个方面提供了一种绝缘胶膜材料，绝缘胶膜材料包括载体膜、介质膜和覆盖膜，介质膜置于载体膜和覆盖膜中间形成三明治结构，其中所述载体膜为断裂伸长率为160％-280％的载体膜；所述介质膜是由含偶联剂的电子浆料涂层制成。
8.进一步地，所述电子浆料中包含环氧树脂、固化剂、填料、硅烷偶联剂和溶剂。
9.进一步地，载体膜的材料选自聚合物薄膜材料或纸基膜材料。更进一步地，聚合物薄膜材料选自聚酯薄膜(pet)、聚醚醚酮薄膜(peek)、聚醚酰亚胺薄膜(pei)、聚酰亚胺薄膜(pi)、聚碳酸酯薄膜(pc)；纸基膜材料选自离型纸、淋膜纸。
10.进一步地，载体膜的表面离型力为0.15～0.35n/mm。
11.进一步地，载体膜能够耐受160℃。
12.进一步地，介质膜由环氧树脂、固化剂、填料和偶联剂组成。
13.进一步地，环氧树脂选自双酚a型环氧树脂、双酚f型环氧树脂、酚醛型环氧树脂、邻甲酚醛型环氧树脂、多官能团环氧树脂、脂环族环氧树脂、间苯二酚环氧树脂、橡胶改性环氧树脂、氨酯改性环氧树脂、联苯环氧树脂、双环戊二烯环氧树脂、溴化环氧树脂。
14.进一步地，所述环氧树脂至少包含一种液体环氧树脂和一种固体环氧树脂，液体环氧树脂和固体环氧树脂的重量比为0.25～0.55：1。
15.进一步地，固化剂为分子结构中含有能够与环氧基发生反应的氨基、羟基、酚羟基、羧基、酸酐、氰基、酯基中的一种或多种。固化剂的添加量以氨基当量、羟基当量、酚羟基当量、羧基当量、酸酐当量、氰基当量、酯基当量之和与环氧当量的比例为0.1～1.2为基础进行添加。
16.进一步地，填料粒子为二氧化硅，其中填料粒子的尺寸为20nm～10μm，优选为50nm～5μm,更优选为200nm～1μm。填料粒子占介质膜的质量即不含溶剂等挥发成分质量的40％～90％。
17.进一步地，硅烷偶联剂的含量低于介质膜的质量的0.1％，优选为0.05-0.1％。为了提高环氧树脂与填料之间的结合力，选用硅烷偶联剂为含氨基、环氧基、巯基的偶联剂中的一种或多种组合以上，其中含有氨基的偶联剂如γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-氨丙基三甲基硅烷、n-β(氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷、n-β(氨乙基)-γ-氨丙基甲基二乙氧基硅烷、n-β(氨乙基)-γ-氨丙基甲基三乙氧基硅烷、苯氨基甲基三乙氧基硅烷、苯氨基甲基三甲氧基硅烷、氨乙基氨乙基氨丙基三甲氧基硅烷、多氨基烷基三烷氧基硅烷，含有环氧基硅烷偶联剂如γ-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、3-[(2,3)-环氧丙氧]丙基甲基二甲氧基硅烷、环氧基功能性硅烷等，含有巯基的硅烷偶联剂如γ―巯丙基三乙氧基硅烷、(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷、γ-巯丙基三甲氧基硅烷等。介质膜的质量为100％时，偶联剂的含量低于0.2％。
[0018]
进一步地，所述溶剂为可挥发溶剂，选自芳香类溶剂、卤化烃类、脂肪烃类、脂环烃类、醇类、酮类、酯类、酰胺类；所述芳香类溶剂选自二甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、六甲基苯、乙苯等；卤化烃类选自氯苯、二氯苯、二氯甲烷等；脂肪烃类选自戊烷、己烷、辛烷等；脂环烃类选自环己烷、环己酮、甲苯环己酮等；醇类选自甲醇、乙醇、异丙醇；酯类选自醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丙酯；酮类选自丙酮、2-丁酮、甲基异丁基甲酮等；酰胺选自二甲基甲酰胺、六甲基磷酰胺，n-甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺等中的一种或多种。
[0019]
进一步地，覆盖膜材料选自聚合物薄膜材料、纸基膜材料，所述聚合物薄膜材料选自双向拉伸聚丙烯薄膜(bopp)、聚酯薄膜(pet)、聚醚醚酮薄膜(peek)、聚醚酰亚胺薄膜(pei)、聚酰亚胺薄膜(pi)、聚碳酸酯薄膜(pc)；纸基膜材料选自离型纸、淋膜纸。覆盖膜材料的厚度为10μm～300μm，优选为20μm～100μm，更优选为30μm～60μm。
[0020]
本发明另一个方面提供了一种上述绝缘胶膜材料的制备方法，其包括以下步骤：
[0021]
s1)将制备介质膜电子浆料的原料进行混合，获得介质膜的电子浆料；
[0022]
s2)将介质膜的电子浆料涂覆在载体膜表面，并干燥获得负载介质膜的载体膜；
[0023]
s3)将覆盖膜覆盖在介质膜表面进行贴合，得到绝缘胶膜材料。
[0024]
进一步地，所述介质膜电子浆料的原料包括环氧树脂、填料、固化剂和溶剂。
[0025]
进一步地，电子浆料的混合方法包括搅拌、球磨、砂磨、超声等中的一种或多种组合使用；
[0026]
进一步地，电子浆料的涂覆方式选自凹版印刷、微凹版印刷、逗号刮刀、狭缝挤出；
[0027]
进一步地，干燥的温度为50℃～150℃；
[0028]
进一步地，贴合温度为室温至150℃，贴合的方法为热压贴合。
[0029]
本发明又一个方面提供了上述任一绝缘胶膜材料作为半导体电子封装材料中的电介质层中的用途，所述半导体电子封装材料为封装基板、封装载板、扇出型板级封装再布线的材料。
[0030]
有益效果
[0031]
本发明意外发现制备过程中环氧树脂绝缘胶膜的厚度不均匀导致在生产和使用过程中的多种问题，虽然这种不均匀可能只有几十μm，但是对于后期使用影响很大。在此基础上通过调节载体层的参数实现环氧树脂绝缘胶膜介质层的均匀、稳定和高力学性能。
[0032]
本发明的方法简单，仅需挑选合适的载体层材料，而无需额外制备或改进步骤，效果显著。
附图说明
[0033]
图1为绝缘胶膜材料的结构示意图，其中1-1为载体膜材料，1-2为介质膜1，1-3为覆盖膜材料。
具体实施方式
[0034]
为了使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施和对比例方式做详细的说明，但不能理解为对本发明的可实施范围的限定。
[0035]
结合图1说明本发明的方案，本发明提供了一种绝缘胶膜材料，绝缘胶膜材料包括载体膜、介质膜和覆盖膜，介质膜置于载体膜和覆盖膜中间形成三明治结构，其中所述载体膜为断裂伸长率为160％-280％的载体膜；所述介质膜是由含偶联剂的电子浆料涂层制成；
[0036]
当载体膜的断裂伸长率小于160％时，会导致介质膜表面均匀度下降，使介质膜的力学性能下降。当载体膜的断裂伸长率大于280％时，会导致介质膜收缩，使介质膜表面出现孔洞，无法使用。
[0037]
所述电子浆料中包含环氧树脂、固化剂、填料、硅烷偶联剂和溶剂。
[0038]
载体膜的材料选自聚合物薄膜材料或纸基膜材料。聚合物薄膜材料选自聚酯薄膜(pet)、聚醚醚酮薄膜(peek)、聚醚酰亚胺薄膜(pei)、聚酰亚胺薄膜(pi)、聚碳酸酯薄膜(pc)；纸基膜材料选自离型纸、淋膜纸。
[0039]
载体膜的表面离型力为0.15～0.35n/mm。
[0040]
载体膜能够耐受160℃。当载体膜的耐温性能不足160℃时，在绝缘胶膜使用过程的热固化阶段，载体膜会产生变形，引起胶膜介质层的不均一，影响产品良率。离型层的种类和厚度不受限定，只要能够保证电子浆料在载体膜上能够铺展成均一的薄膜且绝缘胶膜固化后能够与载体膜进行分离即可。
[0041]
介质膜由环氧树脂、固化剂、填料和偶联剂组成。
[0042]
所述环氧树脂选自双酚a型环氧树脂、双酚f型环氧树脂、酚醛型环氧树脂、邻甲酚醛型环氧树脂、多官能团环氧树脂、脂环族环氧树脂、间苯二酚环氧树脂、橡胶改性环氧树脂、氨酯改性环氧树脂、联苯环氧树脂、双环戊二烯环氧树脂、溴化环氧树脂，所述双酚a型环氧树脂选自如南亚npel-128,npel-127,npel-144,npes-609,npes-901,npes-902,npes-903,npes-904,npes-907,npes-909,如国都化工yd-001，yd-012,yd-013k，yd-014,yd-134,yd-134d,yd-134l,yd-136、yd-128,yd-127，亨斯迈生产的gy 2600，gy 6010，gy 6020，my 790-1，ly 1556，gy507等，所述双酚f型环氧树脂选自如南亚生产的npef-170,cvc生产的epalloy 8220、epalloy 8220e、epalloy 8230，亨斯迈生产的gy 281，gy 282，gy 285，py 306，py 302-2，py 313等，所述酚醛型环氧树脂选自如南亚生产的nppn-638s、nppn-631、cvc生产的epalloy 8240、epalloy8240、epalloy 8250、epalloy 8330等，所述邻甲酚醛型环氧树脂选自如南亚生产的npcn-701、npcn-702、npcn-703、npcn-704、npcn-704l、npcn-704k80等，所述多官能团环氧树脂选自如南亚生产的nppn-431a70、cvc生产的erisys ga-240等，所述脂环族环氧树脂选自如cvc生产的epalloy 5000、epalloy 5200、je-8421等，所述间苯二酚环氧树脂选自如cvc生产的erisys rdge、所述橡胶改性环氧树脂选自cvc生产的hypox ra 95、hypox ra840、hypox ra 1340、hypox rf 928、hypox rm 20、hypox rm 22、hypox rk 84l、hypox rk 820等，聚氨酯改性环氧树脂、所述联苯环氧树脂选自如日本三井化学生产的yx4000，yx4000k，yx4000h，yx4000hk，yl6121h，yl6121hn；双环戊二烯环氧树脂、所述溴化环氧树脂，如岳阳巴陵石化生产的cydb-500，cydb-700，cydb-900，cydb-400，cydb-450a80等中的一种或多种。所述环氧树脂至少包含一种液体环氧树脂和一种固体环氧树脂，液体环氧树脂和固体环氧树脂的重量比为0.25～0.55：1。
[0043]
所述固化剂为分子结构中含有能够与环氧基发生反应的氨基、羟基、酚羟基、羧基、酸酐、氰基、酯基中的一种或多种。具体选自二氰二胺、9,9'-螺二[9h-芴]-2,2'-二胺、二氨基二苯基砜、乙二胺、三乙烯四胺、4,4-二氨基二苯基甲烷、聚酰胺、甲基纳迪克酸酐、四氢苯酐、六氢苯酐、甲基四氢苯酐、甲基六氢苯酐、十二烯基丁二酸酐、n-十二烷基丁二酸酐、辛烯基酸酐、苯基丁二酸酐、2,3-奈二甲酸酐、2-甲基咪唑，2-甲基-4-乙基咪唑，十一烷基咪唑、十七烷基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2,4,6-三(二甲胺基甲基)酚、苯胺甲醛树脂、活性酯、酸酐改性聚丁二烯、苯酚甲醛树脂、线性酚醛树脂等中的一种或多种。固化剂的添加量以氨基当量、羟基当量、酚羟基当量、羧基当量、酸酐当量、氰基当量、酯基当量之和与环氧当量的比例为0.1～1.2为基础进行添加。
[0044]
所述填料粒子为二氧化硅，其中填料粒子的尺寸为20nm～10μm，优选为50nm～5μm,更优选为200nm～1μm。填料粒子占介质膜的质量即不含溶剂等挥发成分质量的40％～90％。
[0045]
所述硅烷偶联剂的含量为介质膜的质量的0.1％以下，优选为0.05-0.1％。为了提高环氧树脂与填料之间的结合力，选用硅烷偶联剂为含氨基、环氧基、巯基的偶联剂中的一种或多种组合以上，其中含有氨基的偶联剂如γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-氨丙基三甲基硅烷、n-β(氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷、n-β(氨乙基)-γ-氨丙基甲基二乙氧基硅烷、n-β(氨乙基)-γ-氨丙基甲基三乙氧基硅烷、苯氨基甲基三乙氧基硅烷、苯氨基甲基三甲氧
基硅烷、氨乙基氨乙基氨丙基三甲氧基硅烷、多氨基烷基三烷氧基硅烷，含有环氧基硅烷偶联剂如γ-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、3-[(2,3)-环氧丙氧]丙基甲基二甲氧基硅烷、环氧基功能性硅烷等，含有巯基的硅烷偶联剂如γ―巯丙基三乙氧基硅烷、(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷、γ-巯丙基三甲氧基硅烷等。介质膜的质量为100％时，偶联剂的含量低于0.2％。
[0046]
所述溶剂为可挥发溶剂，选自芳香类溶剂、卤化烃类、脂肪烃类、脂环烃类、醇类、酮类、酯类、酰胺类；所述芳香类溶剂选自二甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、六甲基苯、乙苯等；卤化烃类选自氯苯、二氯苯、二氯甲烷等；脂肪烃类选自戊烷、己烷、辛烷等；脂环烃类选自环己烷、环己酮、甲苯环己酮等；醇类选自甲醇、乙醇、异丙醇等；酯类选自醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丙酯等；酮类选自丙酮、2-丁酮、甲基异丁基甲酮等；酰胺选自二甲基甲酰胺、六甲基磷酰胺，n-甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺等中的一种或多种。
[0047]
所述覆盖膜材料选自聚合物薄膜材料、纸基膜材料，所述聚合物薄膜材料选自双向拉伸聚丙烯薄膜(bopp)、聚酯薄膜(pet)、聚醚醚酮薄膜(peek)、聚醚酰亚胺薄膜(pei)、聚酰亚胺薄膜(pi)、聚碳酸酯薄膜(pc)；纸基膜材料选自离型纸、淋膜纸。覆盖膜材料的厚度为10μm～300μm，优选为20μm～100μm，更优选为30μm～60μm。
[0048]
本发明还提供了上述绝缘胶膜材料的制备方法，其包括以下步骤：
[0049]
s1)将制备介质膜电子浆料的原料进行混合，获得介质膜的电子浆料；
[0050]
s2)将介质膜的电子浆料涂覆在载体膜表面，并干燥获得负载介质膜的载体膜；
[0051]
s3)将覆盖膜覆盖在介质膜表面进行贴合，得到绝缘胶膜材料。
[0052]
所述介质膜电子浆料的原料包括环氧树脂、填料、固化剂和溶剂。
[0053]
电子浆料的混合方法包括搅拌、球磨、砂磨、超声等中的一种或多种组合使用；
[0054]
电子浆料的涂覆方式选自凹版印刷、微凹版印刷、逗号刮刀、狭缝挤出；
[0055]
干燥的温度为50℃～150℃；
[0056]
贴合温度为室温至150℃，贴合的方法为热压贴合。
[0057]
上述任一绝缘胶膜材料作为半导体电子封装材料中的电介质层中的用途，所述半导体电子封装材料为封装基板、封装载板、扇出型板级封装再布线的材料。
[0058]
实施例1
[0059]
按表1所述各配方中各组分的配比进行称量各组分的质量，经过球磨混合得到环氧树脂复合物电子浆料。球磨过程中的转速为600rpm，研磨介质为直径1mm的氧化锆球，球磨时间为12小时。
[0060]
表1
[0061]
[0062][0063]
将环氧树脂复合物电子浆料涂覆于厚度50μm的pet离型载体膜表面，载体膜的离型力为0.15～0.35n/mm。形成干膜厚度为20μm的介质膜，贴合厚度为18μm的bopp覆盖膜。其中，使用的载体膜的断裂伸长率为179％，厚度为50μm。载体膜的断裂伸长率测试标准可以采用gbt1040.1 2018和gbt1040.3 2006。
[0064]
经过测试得到配方a介质膜厚度差为3.2μm，表面粗糙度为290nm。经过测试得到配方b介质膜厚度差为2.9μm，表面粗糙度为330nm。经过测试得到配方c介质膜厚度差为3.4μm，表面粗糙度为300nm。如果使用的载体膜断裂伸长率小于160％，或者大于280％，则会导致绝缘胶膜收缩或出现孔洞，使介质膜的均匀性下降，影响介质膜的力学性能。
[0065]
实施例2
[0066]
采用与实施例1类似的方法，区别仅在于分步法制备本发明所涉及的多层绝缘胶膜材料的方法，介质膜的厚度为25μm，载体膜的断裂伸长率为243％。
[0067]
经过测试得到配方a介质膜厚度差为4.1μm，表面粗糙度为290nm。经过测试得到配方b介质膜厚度差为3.3μm，表面粗糙度为330nm。经过测试得到配方c介质膜厚度差为3.9μm，表面粗糙度为300nm。如果使用的载体膜断裂伸长率小于160％，或者大于280％，则会导致绝缘胶膜收缩或出现孔洞，使介质膜的均匀性下降，影响介质膜的力学性能。
[0068]
实施例3
[0069]
采用与实施例1类似的方法，区别仅在于分步法制备本发明所涉及的多层绝缘胶膜材料的方法，介质膜的厚度为25μm，载体膜的断裂伸长率为182％。
[0070]
经过测试得到介质膜厚度差为3.5μm，表面粗糙度为290nm。经过测试得到配方b介质膜厚度差为2.8μm，表面粗糙度为330nm。经过测试得到配方c介质膜厚度差为3.1μm，表面粗糙度为300nm。如果使用的载体膜断裂伸长率小于160％，或者大于280％，则会导致绝缘胶膜收缩或出现孔洞，使介质膜的均匀性下降，影响介质膜的力学性能。
[0071]
实施例4
[0072]
采用与实施例1类似的方法，区别仅在于采用分步法制备本发明所涉及的多层绝缘胶膜材料的方法，载体膜的断裂伸长率为170％。
[0073]
经过测试得到介质膜厚度差为4.1μm，表面粗糙度为290nm。经过测试得到配方b介质膜厚度差为2.8μm，表面粗糙度为330nm。经过测试得到配方c介质膜厚度差为3.3μm，表面粗糙度为300nm。如果使用的载体膜断裂伸长率小于160％，或者大于280％，则会导致绝缘胶膜的均匀性下降，影响介质膜的力学性能
[0074]
对比例1
[0075]
采用与实施例1类似的方法，区别仅在于采用分步法制备本发明所涉及的多层绝
缘胶膜材料的方法，载体膜的断裂伸长率为93％。
[0076]
经过测试得到介质膜厚度差为9.6μm，表面粗糙度为290nm。经过测试得到配方b介质膜厚度差为7.9μm，表面粗糙度为330nm。经过测试得到配方c介质膜厚度差为8.4μm，表面粗糙度为300nm。如果使用的载体膜断裂伸长率小于160％，或者大于280％，则会导致绝缘胶膜收缩或出现孔洞，使介质膜的均匀性下降，影响介质膜的力学性能。
[0077]
对比例2
[0078]
采用与实施例1类似的方法，区别仅在于采用分步法制备本发明所涉及的多层绝缘胶膜材料的方法，载体膜的断裂伸长率为105％。
[0079]
经过测试得到介质膜厚度差为10.3μm，表面粗糙度为290nm。经过测试得到配方b介质膜厚度差为13.2μm，表面粗糙度为330nm。经过测试得到配方c介质膜厚度差为11.7μm，表面粗糙度为300nm。如果使用的载体膜断裂伸长率小于160％，或者大于280％，则会导致绝缘胶膜收缩或出现孔洞，使介质膜的均匀性下降，影响介质膜的力学性能。
[0080]
对比例3
[0081]
采用与实施例1类似的方法，区别仅在于采用分步法制备本发明所涉及的多层绝缘胶膜材料的方法，载体膜的断裂伸长率为290％。
[0082]
经过测试得到介质膜厚度差为10.1μm，表面粗糙度为290nm。经过测试得到配方b介质膜厚度差为8.3μm，表面粗糙度为330nm。经过测试得到配方c介质膜厚度差为8.7μm，表面粗糙度为300nm。如果使用的载体膜断裂伸长率小于160％，或者大于280％，则会导致绝缘胶膜收缩或出现孔洞，使介质膜的均匀性下降，影响介质膜的力学性能。
[0083]
对比例4
[0084]
采用与实施例1类似的方法，区别仅在于采用分步法制备本发明所涉及的多层绝缘胶膜材料的方法，载体膜的断裂伸长率为307％。
[0085]
经过测试得到介质膜厚度差为12.4μm，表面粗糙度为290nm。经过测试得到配方b介质膜厚度差为12.9μm，表面粗糙度为330nm。经过测试得到配方c介质膜厚度差为12.4μm，表面粗糙度为300nm。如果使用的载体膜断裂伸长率小于160％，或者大于280％，则会导致绝缘胶膜收缩或出现孔洞，使介质膜的均匀性下降，影响介质膜的力学性能。
[0086]
与粗糙度低于300nm的光滑表面贴合具有高的剥离强度(大于0.5n/mm)和低的热膨胀系数(小于30ppm/k)。
[0087]
将上述绝缘胶膜材料与厚度为38μm的铜箔光面进行真空压合、经过180℃,60min热固化后测试铜层与绝缘介质层之间的90
°
剥离强度，即结合力。
[0088]
本实施例提供了一种适用于封装基板、封装载板、扇出型板级封装再布线等半导体电子封装领域中的电介质层，
[0089]
表2
[0090]
[0091]