半导体结构及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种形成半导体结构的方法，包括：蚀刻介电层以形成开口，其中，所述介电层下面的第一导电部件暴露于所述开口；沉积延伸至所述开口中的牺牲间隔件层；对所述牺牲间隔件层进行图案化，其中，去除所述牺牲间隔件层的位于所述开口的底部处的底部部分以露出第一导电部件，并且留下所述牺牲间隔件层的位于所述开口中和所述介电层的侧壁上的第一垂直部分以形成第一环；在所述开口中形成第二导电部件，其中，所述第二导电部件被所述第一环环绕，并位于所述第一导电部件上方并电耦接至所述第一导电部件；以及去除所述第一环的至少一部分以形成空气间隔件。2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述牺牲间隔件层沉积为共形层。3.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述第二导电部件上方形成金属覆盖层，其中，所述金属覆盖层包括延伸至所述空气间隔件中的延伸部分。4.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述第二导电部件上方形成金属覆盖层，其中，在所述金属覆盖层形成后去除所述第一环。5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二导电部件包括形成接触插塞。6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二导电部件包括形成金属线。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电层的面向所述开口的所述侧壁基本是直的，并从所述介电层的顶面延伸至底面。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述开口包括沟槽和所述沟槽下面的通孔开口，并且所述第一环位于所述沟槽中，并且对所述牺牲间隔件层进行图案化进一步在所述通孔开口中形成第二环。9.一种半导体结构，包括：第一导电部件；第一蚀刻停止层，位于所述第一导电部件上方；介电层，位于所述第一蚀刻停止层上方；第二导电部件，位于所述介电层和所述第一蚀刻停止层中，其中，所述第二导电部件位于所述第一导电部件上方并接触所述第一导电部件；空气间隔件，环绕所述第二导电部件，其中，所述第二导电部件的侧壁暴露于所述空气间隔件；以及第二蚀刻停止层，位于所述介电层上方并接触所述介电层，其中，所述第二蚀刻停止层进一步位于所述第二导电部件上方。10.一种半导体结构，包括：第一导电部件；第二导电部件，位于所述第一导电部件上方并电耦接至所述第一导电部件，其中，所述第二导电部件包括；扩散阻挡；以及金属材料，位于由所述扩散阻挡形成的盆中；空气间隔件，环绕所述第二导电部件的顶部部分；以及介电层，环绕所述空气间隔件。

技术总结
方法包括蚀刻介电层以形成开口。使介电层下面的第一导电部件暴露于开口。沉积牺牲间隔件层以延伸至开口中。对牺牲间隔件层进行图案化。去除牺牲间隔件层的位于开口的底部处的底部部分以露出第一导电部件，并且留下牺牲间隔件层的位于开口内和介电层的侧壁上的垂直部分以形成环。在开口中形成第二导电部件。第二导电部件被环环绕，并位于第一导电部件上方并电耦接至第一导电部件。去除环的至少一部分以形成空气间隔件。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。结构及其形成方法。结构及其形成方法。


技术研发人员：苏怡年 陈育裕 黄冠维 陈立民
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.02.28
技术公布日：2022/7/29