用于高功率加速器引出区的束流整形机构的制作方法

技术特征：
1.一种用于高功率加速器引出区的束流整形机构，其特征在于，该束流整形机构为用于多级加速器组合中末级前加速器引出的束流整形机构，该末级前加速器引出的束流整形机构在末级前加速器引出区偏转板前，加入剥离膜，该剥离膜用于提前把将会轰击在引出偏转板束晕粒子剥离掉。2.根据权利要求1所述一种用于高功率加速器引出区的束流整形机构，其特征在于：所述剥离膜的位置满足以下公式：1)2)公式(1)中，r1为以加速器中心为坐标原点的倒数第1圈束流的半径，r2为以加速器中心为坐标原点的倒数第2圈束流的半径；剥离膜中心坐标为(xstrip，ystrip)；偏转板入口坐标为(xinflector，yinflector)；公式(2)中，p为束晕中的h2 离子被剥离后的质子在小圈束流轨道上任意一点，该点在极坐标系中的坐标为(xp，yp)；束流轨道的径向方均根半宽度为σ，nσ为以外的粒子为束晕粒子，d为束晕中的h2 离子被剥离后质子束流轨道上距离偏转板入口的距离最小值。3.根据权利要求1所述一种用于高功率加速器引出区的束流整形机构，其特征在于：所述d为为束晕中的h2 离子被剥离后质子束流轨道上距离偏转板入口的距离最小值，该最小值的取值原则：先预设剥离膜与静电偏转板入口的角向距离为10
°
，再检查上述式(1)与式(2)是否满足，若不满足，适当增大剥离膜与静电偏转板入口的角向距离，直至式(1)与式(2)被满足。4.根据权利要求1所述一种用于高功率加速器引出区的束流整形机构，其特征在于：所述d为为束晕中的h2 离子被剥离后质子束流轨道上距离偏转板入口的距离最小值，该最小值一般要求大于10cm。5.根据权利要求1所述一种用于高功率加速器引出区的束流整形机构，其特征在于：剥离膜可以剥离倒数第二圈外侧、倒数第一圈内侧的束晕粒子，也可以只剥离倒数第一圈内侧的束晕粒子，如果剥离倒数第二圈外侧、倒数第一圈内侧的束晕粒子：剥离膜宽度为：r1-r2-2*nσ；如果剥离倒数第一圈内侧的束晕粒子：剥离膜外边缘径向位置：r1-nσ；剥离膜内边缘径向位置：大于r2 nσ；剥离膜宽度：小于r1-r2-2*nσ。6.根据权利要求1所述一种用于高功率加速器引出区的束流整形机构，其特征在于：每个束晕中的h2 离子被剥离后产生2个质子，质子束流轨道的曲率大，在质子束流轨道的尽头，还设有垃圾桶或束流应用终端，用于收集束晕中h2 离子被剥离后产生的质子束流。

技术总结
本发明公开了一种用于高功率加速器引出区的束流整形机构，所述束流整形机构布设在加速器引出区的引出偏转板前，在引出偏转板前加入剥离膜，该剥离膜用于提前把将会轰击在静电偏转板束晕粒子剥离掉。本发明对于多级加速器组合使用多级引出的场合，采用前几级采用剥离膜 偏转板的组合引出方式，和现有技术采用单一引出方式（或者采用偏转板、或者采用剥离膜）相比，前几级的引出方式，由于采用剥离膜剥离掉了束团边缘松散的束晕粒子，使得进入偏转板的粒子的品质得到提高，并且由于只是剥离掉边缘松散的粒子，使得束团中间部位紧密的粒子仍然通过偏转板进入到下一级、下一级仍然可以采用剥离膜剥离松散的束晕粒子，如此反复，有效提高了束流品质。提高了束流品质。提高了束流品质。


技术研发人员：边天剑 安世忠 冀鲁豫 付伟 周洪吉 魏素敏 管锋平 关镭镭 王飞 王哲
受保护的技术使用者：中国原子能科学研究院
技术研发日：2022.05.20
技术公布日：2022/7/29