氟化钇系喷涂被膜、喷涂构件及氟化钇系喷涂被膜的制造方法与流程

技术特征：
1.一种氟化钇系喷涂被膜，其特征在于，包含斜方晶系的yf3晶相，不含斜方晶系以外的yf3晶相，维氏硬度为350以上。2.根据权利要求1所述的氟化钇系喷涂被膜，其特征在于，还包含氧氟化钇晶相。3.根据权利要求2所述的氟化钇系喷涂被膜，其特征在于，所述氧氟化钇为选自y5o4f7、y6o5f8、y7o6f9及yof中的1种以上。4.根据权利要求1～3中任一项所述的氟化钇系喷涂被膜，其特征在于，不含y2o3晶相。5.根据权利要求1～4中任一项所述的氟化钇系喷涂被膜，其特征在于，膜厚为10～500μm。6.一种喷涂被膜，是在基材上形成的权利要求1～5中任一项所述的氟化钇系喷涂被膜，其特征在于，使具有规定的表面积的所述喷涂被膜与所述基材一起在超纯水中浸渍，用输出功率200w进行30分钟超声波清洗，将所述喷涂被膜与所述基材一起从清洗液中取出并干燥，其次，使所述喷涂被膜与所述基材一起在超纯水中浸渍，用输出功率200w进行15分钟超声波处理，将所述喷涂被膜与所述基材一起从处理液中取出，其次，在所述处理液中加入每20ml所述处理液2ml的5.3n的硝酸水溶液，使从所述喷涂被膜脱落的所述处理液中的钇系粒子溶解，、其次，通过icp发光分光分析法对所述处理液中所含的钇量定量时，与单位所述规定的表面积的所述钇系粒子中的钇质量相当的值为1μg/cm2以下。7.一种喷涂构件，其特征在于，包括基材、和在该基材上形成的权利要求1～6中任一项所述的氟化钇系喷涂被膜。8.根据权利要求7所述的喷涂构件，其特征在于，所述氟化钇系喷涂被膜为单层结构被膜。9.根据权利要求7或8所述的喷涂构件，其特征在于，为半导体制造装置用。10.一种氟化钇系喷涂被膜的制造方法，是制造权利要求1～6中任一项所述的氟化钇系喷涂被膜的方法，其特征在于，包含如下工序：对包含斜方晶系的yf3晶相、不含斜方晶系以外的yf3晶相的喷涂粉进行等离子体喷涂。11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述等离子体喷涂为大气等离子体喷涂。12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述大气等离子体喷涂工序中的喷涂距离为50～90mm。13.根据权利要求10～12中任一项所述的制造方法，其特征在于，在所述等离子体喷涂中，作为等离子体气体，使用包含氩气及氢气的混合气体。14.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述氩气的供给速度为40nlpm以上。15.根据权利要求13或14所述的制造方法，其特征在于，所述氢气的供给速度为8nlpm以上。16.根据权利要求10～15中任一项所述的制造方法，其特征在于，所述喷涂粉的氧含有率为7质量％以下。
17.根据权利要求10～16中任一项所述的制造方法，其特征在于，所述喷涂粉中所含的钇系晶相只包含斜方晶系的yf3晶相或者只包含斜方晶系的yf3晶相和氧氟化钇晶相，所述喷涂粉为造粒
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未烧成粉或造粒
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烧成粉。18.根据权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述氧氟化钇为选自y5o4f7、y6o5f8及y7o6f9中的1种以上。19.根据权利要求10～16中任一项所述的制造方法，其特征在于，所述喷涂粉中所含的钇系晶相只包含斜方晶系的yf3晶相及y2o3晶相，所述喷涂粉为造粒
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未烧成粉。20.根据权利要求10～19中任一项所述的制造方法，其特征在于，不含如下工序：对通过等离子体喷涂所形成的氟化钇系喷涂被膜进行热处理。

技术总结
通过对包含斜方晶系的YF3晶相、不含斜方晶系以外的YF3晶相的喷涂粉进行等离子体喷涂，制造包含斜方晶系的YF3晶相、不含斜方晶系以外的YF3晶相、维氏硬度为350以上的氟化钇系喷涂被膜。能够提供被膜硬度高、暴露于卤素系气体等离子体时产生的粒子量少的氟化钇系喷涂被膜，这样的喷涂被膜作为半导体制造工序中使用的半导体制造装置用构件中所形成的喷涂被膜优异。另外，根据本发明，能够高效率地制造这样的氟化钇系喷涂被膜。这样的氟化钇系喷涂被膜。这样的氟化钇系喷涂被膜。


技术研发人员：岩崎凌 浜谷典明 谷口友悟
受保护的技术使用者：信越化学工业株式会社
技术研发日：2020.12.09
技术公布日：2022/7/29