像素结构及显示面板的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种像素结构及显示面板。


背景技术：

2.随着现在面板产品逐渐往窄边框化以及高分辨率的方向发展，现有超高清液晶显示器采用将栅极驱动器以薄膜覆晶封装方式的设计，将扫描线和数据线的驱动信号设计在同一侧，减小液晶显示器左右两边的宽度，实现超窄边框的效果。
3.由于数据线与像素单元之间存在寄生电容，数据线信号变化会干扰像素单元信号的稳定性，随着超窄边框设计的分辨率增加，像素单元尺寸减小，数据线与像素单元之间的寄生电容对像素单元的耦合效应更加明显，使面板产生垂直串扰，影响面板的产品质量。且在栅极驱动器以薄膜覆晶封装方式的设计中，由于像素单元内存在横向信号线垂直方向的走线，使得像素单元左右两侧数据线与像素单元电极的距离不同，导致数据线与像素单元电极的寄生电容也存在差异，采用普通的左右两侧数据线信号相反的方式不能完全抵消对像素单元的干扰。
4.有鉴于此，本领域亟需一种像素结构及显示面板，以解决寄生电容对像素单元产生垂直串扰导致的显示异常问题。


技术实现要素：

5.本技术提供一种像素结构及显示面板，能够解决寄生电容对像素单元产生垂直串扰导致的显示异常问题。
6.一方面，本技术实施例提供一种像素结构，包括：第一像素电极、第二像素电极、横向信号线、第一纵向信号线以及第二纵向信号线，所述第一像素电极包括第一主像素区和第一次像素区；所述第二像素电极与所述第一像素电极沿第一方向交替设置，所述第二像素电极包括第二主像素区和第二次像素区；所述横向信号线位于所述第一主像素区与所述第一次像素区之间，且沿第一方向延伸；所述第一纵向信号线包括第一主线和第一次线；所述第二纵向信号线包括第二主线和第二次线；其中，所述第一主线和所述第二主线均设置于所述第一主像素区上，所述第一次线和所述第二次线均设置于所述第一次像素区上，且第一纵向信号线与第二纵向信号线电性信号相反。
7.可选地，在本技术的一些实施例中，所述第一纵向信号线和所述第二纵向信号线均位于所述第一像素电极的边缘区与中心区之间范围内。
8.可选地，在本技术的一些实施例中，所述第一纵向信号线和所述第二纵向信号线关于所述第一像素电极的中心线对称。
9.可选地，在本技术的一些实施例中，所述第一纵向信号线与所述第一像素电极或所述第二像素电极中的一者电性连接，所述第二纵向信号线与所述第一像素电极或所述第二像素电极中的另一者电性连接。
10.可选地，在本技术的一些实施例中，所述第一像素电极和所述第二像素电极沿第
二方向交替设置，所述第一纵向信号线还包括第一子线，所述第一子线的一端与所述第一主线电性连接，所述第一子线的另一端与所述第一次线电性连接；所述第二纵向信号线还包括第二子线，所述第二子线的一端与所述第二主线电性连接，所述第二子线的另一端与所述第二次线电性连接。
11.可选地，在本技术的一些实施例中，所述像素结构还包括第一共享电极，且所述第一共享电极沿所述第一像素电极的中心线重合。
12.可选地，在本技术的一些实施例中，所述像素结构还包括第二共享电极，且所述第二共享电极沿所述第二像素电极的中心线重合。
13.可选地，在本技术的一些实施例中，所述第一共享电极与所述第二共享电极分别接入不同的电压信号。
14.可选地，在本技术的一些实施例中，所述横向信号线为扫描信号线；所述第一纵向信号线和所述第二纵向信号线均为数据信号线。
15.可选地，在本技术的一些实施例中，所述像素结构还包括短路检测模块，所述数据信号线所在的金属层与所述短路检测模块的引脚电性连接。
16.另一方面，本技术提供一种显示面板，包括衬底基板和上述的像素结构，所述像素结构设置在所述衬底基板上。
17.本技术提供一种像素结构及显示面板，该像素结构包括：第一像素电极、第二像素电极、横向信号线、第一纵向信号线以及第二纵向信号线，所述第一像素电极包括第一主像素区和第一次像素区；所述第二像素电极与所述第一像素电极沿第一方向交替设置，所述第二像素电极包括第二主像素区和第二次像素区；所述横向信号线位于所述第一主像素区与所述第一次像素区之间，且位于所述第二主像素区与所述第二次像素区之间；所述第一纵向信号线包括第一主线和第一次线；所述第二纵向信号线包括第二主线和第二次线；其中，所述第一主线和所述第二主线均设置于所述第一主像素区上，所述第一次线和所述第二次线均设置于所述第一次像素区上，且第一纵向信号线与第二纵向信号线电性信号相反。本技术的像素结构通过将分别连接相邻设置的第一像素电极和第二像素电极的两条数据线均设置于第一像素电极的像素区内，以抵消第一纵向信号线和第二纵向信号线与第一像素电极之间的电容耦合作用，有利于消除垂直串扰，提高显示效果。
附图说明
18.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
19.图1是本技术实施例提供的像素结构的第一种俯视图；
20.图2是本技术实施例提供的像素的电路图；
21.图3是本技术实施例提供的像素结构的第一种布局图；
22.图4是本技术实施例提供的像素结构的第二种俯视图；
23.图5是本技术实施例提供的像素结构的第二种布局图；
24.图6是本技术实施例提供的显示面板的结构示意图；
25.图7是沿图4的线a-a'截取的局部剖视图。
26.其中，
27.100/200、像素结构，10、第一像素电极，11、第一主像素区，12、第一次像素区，20、第二像素电极，21、第二主像素区，22、第二次像素区，30、横向信号线，40、第一纵向信号线，41、第一主线，42、第一次线，43、第一子线，50、第二纵向信号线，51、第二主线，52、第二次线，53、第二子线， 60、第一共享电极，70、第二共享电极，80、第一公共电极，90、第二公共电极，300、显示面板，310、衬底基板，320、第一绝缘层，330、第二绝缘层， 340、第三绝缘层，350、显示介质，360、彩膜基板，361、共电极层。
具体实施方式
28.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
29.本技术实施例提供一种像素结构及显示面板，能够解决寄生电容对像素单元产生垂直串扰导致的显示异常问题。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本技术的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。术语“第一”、“第二”、“第三”等仅仅作为标示使用，其用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。
30.请参阅图1至图4，图1是本技术实施例提供的像素结构的第一种俯视图；
31.图2是本技术实施例提供的像素的电路图；图3是本技术实施例提供的像素结构的第一种布局图；图4是本技术实施例提供的像素结构的第二种俯视图。如图1 所示，本技术实施例提供一种像素结构100，包括：第一像素电极10、第二像素电极20、横向信号线30、第一纵向信号线40以及第二纵向信号线50，第一像素电极10包括第一主像素区11和第一次像素区12；第二像素电极20与第一像素电极10沿第一方向x交替设置，第二像素电极20包括第二主像素区21和第二次像素区22；横向信号线30位于第一主像素区11与第一次像素区12之间，且沿第一方向x延伸；第一纵向信号线40包括第一主线41和第一次线42；第二纵向信号线50包括第二主线51和第二次线52；其中，第一主线41和第二主线51均设置于第一主像素区11上，第一次线42和第二次线52均设置于第一次像素区12上，且第一纵向信号线40与第二纵向信号线50电性信号相反。
32.本技术提供的像素结构，第一主线41和第二主线51均设置于第一主像素区11上，第一次线42和第二次线52均设置于第一次像素区12上，且第一纵向信号线40与第二纵向信号线50电性信号相反，这样的设计，可以抵消第一纵向信号线40和第二纵向信号线50与第一像素电极10之间的电容耦合作用，有利于消除垂直串扰，提高显示效果。且相较于现有技术中相邻两个数据线分别位于对应的像素区域内，本技术中第一纵向信号线40和第二纵向信号线50相邻的距离更近，抵消耦合作用的效果更显著。
33.在本技术实施例中，横向信号线30为扫描信号线；第一纵向信号线40和第二纵向信号线50均为数据信号线。
34.在本技术实施例中，横向信号线30位于晶体管电路区域ta，也即晶体管电路区域ta位于第一主像素区11与第一次像素区12之间，并且同时位于第二主像素区21与第二次像
素区22之间。如图2所示，每个第一像素电极10 或第二像素电极20对应的晶体管电路区域ta均设置有第一晶体管t1、第二晶体管t2以及第三晶体管t3。图2是本技术实施例中基于一横向信号线30 一数据线三薄膜晶体管的像素架构，以第一像素电极10为例：第一主像素区 11包括第一晶体管t1、第一液晶电容clca和第一存储电容csta，第一晶体管 t1的栅极电性连接于横向信号线30、其源极和漏极分别电性连接于第一纵向信号线40的第一主线41和第一液晶电容器clca。在第一晶体管t1的漏极/ 源极与公共电极a_com之间并联连接第一液晶电容器clca和第一存储电容器 csta。
35.其中，第一次像素区12包括第二晶体管t2、第三晶体管t3、第二液晶电容器clcb以及第二存储电容器cstb。第二晶体管t2的栅极电性连接于横向信号线30、其源极和漏极分别电性连接于第一纵向信号线40的第一次线42和第二液晶电容器clcb。第三晶体管t3的栅极电性连接于横向信号线30，其源极和漏极分别电性连接于第二晶体管t2的漏极/源极和公共电极a_com。相应的，第二像素电极20中的薄膜晶体管则与第二纵向信号线50电性连接。
36.在本技术实施例中，横向信号线30即为提供扫描信号的扫描线；第一纵向信号线40即为提供数据信号的第一数据线；第二纵向信号线50即为提供数据信号的第二数据线。
37.在本技术实施例中，第一纵向信号线40与第二纵向信号线50互相平行，横向信号线30垂直于第一纵向信号线40和第二纵向信号线50。这样的结构设计有利于像素结构内的走线布局。
38.在本技术实施例中，进一步地，第一纵向信号线40和第二纵向信号线50 关于第一像素电极10的中心线对称。也即，第一纵向信号线40与第二纵向信号线50离第一像素电极10的中心线之间的距离相等，有利于抵消第一纵向信号线 40和第二纵向信号线50之间信号反转对第一像素电极10的耦合作用，并且第一纵向信号线40和第二纵向信号线50均位于第一像素电极10的主像素区或次像素区上，相邻距离更短，有利于最大限度的降低画面串扰。同时，有利于利用第一像素电极10与第二像素电极20之间原本用于放置数据线的空间加大第一像素电极10或第二像素电极20开口区aa的面积，提升开口率，增加透射率。
39.在本技术实施例中，第一纵向信号线40与第一像素电极10或第二像素电极 20中的一者电性连接，第二纵向信号线50与第一像素电极10或第二像素电极20 中的另一者电性连接。如图3所示，第一纵向信号线40与第一像素电极10电性连接；第二纵向信号线50与第二像素电极20电性连接。具体地，第一主线41 与第一晶体管t1电性连接；第一次线42与第二晶体管t2电性连接。第一像素电极10与第二像素电极20沿第一方向x交替排布。具体地，第一纵向信号线40 与第二纵向信号线50也可以均位于第二像素电极20中(图中未示出)，本领域技术人员可以根据需要调整，本技术在此不做限定。
40.在本技术实施例中，如图4所示，像素结构还包括第一共享电极60，且第一共享电极60沿第一像素电极10的中心线重合。第一共享电极60用于调节第一主像素区11与第一次像素区12中的电压差，以调节第一像素电极10 的整体亮度。具体地，第一纵向信号线40与第二纵向信号线50关于第一共享电极60对称。这样的结构使得第一纵向信号线40与第二纵向信号线50离第一共享电极60之间的距离相等，有利于走线布局，且可以进一步增强抵消耦合作用的效果。其中，第一共享电极60的材料包括金属氧化物，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物等中的至少一种或者其金属组合物。
41.在本技术实施例中，像素结构还包括第二共享电极70，且第二共享电极 70沿第二像素电极20的中心线重合。第二共享电极70用于调节第二主像素区21与第二次像素区22中的电压差，以调节第二像素电极20的整体亮度。这样的结构使得第一纵向信号线40与第二纵向信号线50离第一共享电极60 之间的距离相等，有利于走线布局，且可以进一步增强抵消耦合作用的效果。其中，第二共享电极70的材料包括金属氧化物，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物等中的至少一种或者其金属组合物。
42.在本技术实施例中，第一共享电极60与第二共享电极70分别接入不同的电压信号。具体地，第一像素电极10和第二像素电极20可以视为一个循环像素单元，在显示面板300上阵列排布，但是可能会带来显示面板300分辨率降低的缺陷。因此，本实施例分别设置第一共享电极60和第二共享电极70，可以单独调节第一共享电极60和第二共享电极70的电压信号，以分别调整第一像素电极10和第二像素电极20的显示亮度，达到克服上述缺陷的目的。同时，由于第一纵向信号线40和第二纵向信号线50设置于第一像素电极10或第二像素电极20的开口区aa上，容易出现遮光问题，导致第一像素电极10和第二像素电极20的亮度不一致，通过将第一共享电极60和第二共享电极70的分别接入不同的电压信号，调整第一像素电极10和第二像素电极20的显示亮度，有利于避免色偏，实现亮度均一性。
43.在本技术实施例中，第一纵向信号线40和第二纵向信号线50均位于第一像素电极10的边缘区与中心区之间范围内，也即开口区aa上。具体地，第一像素电极10包括第一公共电极80，第一公共电极80围成的方形区域为第一像素电极10的开口区aa；相应的，第二像素电极20包括第二公共电极90，第二公共电极90围成的方形区域为第二像素电极20的开口区aa。也即，第一公共电极80和第二公共电极90设置在第一像素电极10和第二像素电极20 的非显示区。进一步地，第一纵向信号线40与第二纵向信号线50沿第一像素电极10开口区aa的宽度方向平行，第一公共电极80位于第一像素电极10 长度方向的两侧与第一纵向信号线40、第二纵向信号线50之间的距离均大于预设距离。其中，预设距离的设置需满足：第一纵向信号线40、第二纵向信号线50与第一公共电极80位于第一像素电极10长度方向的两侧之间由于电压差而形成的电场不足以使液晶分子发生明显偏转。
44.本技术提供的像素结构包括：第一像素电极10、第二像素电极20、横向信号线30、第一纵向信号线40以及第二纵向信号线50，第一像素电极10包括第一主像素区11和第一次像素区12；第二像素电极20与第一像素电极10 沿第一方向x交替设置，第二像素电极20包括第二主像素区21和第二次像素区22；横向信号线30位于第一主像素区11与第一次像素区12之间，且位于第二主像素区21与第二次像素区22之间；第一纵向信号线40包括第一主线41和第一次线42；第二纵向信号线50包括第二主线51和第二次线52；其中，第一纵向信号线40与第二纵向信号线50电性信号相反，且第一主线41 和第二主线51均设置于第一主像素区11上，第一次线42和第二次线52均设置于第一次像素区12上。本技术的像素结构通过将分别连接相邻设置的第一像素电极10和第二像素电极20的两条数据线均设置于第一像素电极10的像素区内，以抵消第一纵向信号线40和第二纵向信号线50与第一像素电极10 之间的电容耦合作用，有利于消除垂直串扰，提高显示效果。
45.作为本技术的一个具体实施方式，请参阅图5和图4，图5是本技术实施例提供的像素结构的第二种布局图。本实施例是针对上述实施例的改进，如图 5所示，本技术实施例提供一种像素结构200，其中，像素结构200与像素结构100的区别在于：第一像素电极10和第
二像素电极20沿第二方向y交替设置，第一纵向信号线40还包括第一子线43，第一子线43的一端与第一主线41电性连接，第一子线43的另一端与第一次线42电性连接；第二纵向信号线50还包括第二子线53，第二子线53的一端与第二主线51电性连接，第二子线53的另一端与第二次线52电性连接。
46.具体地，像素结构200还包括：第一像素电极10、第二像素电极20、横向信号线30、第一纵向信号线40以及第二纵向信号线50，第一像素电极10 包括第一主像素区11和第一次像素区12；第二像素电极20与第一像素电极10沿第一方向x交替设置，第二像素电极20包括第二主像素区21和第二次像素区22；横向信号线30位于第一主像素区11与第一次像素区12之间，且沿第一方向x延伸；第一纵向信号线40包括第一主线41和第一次线42；第二纵向信号线50包括第二主线51和第二次线52；其中，第一主线41和第二主线51均设置于第一主像素区11上，第一次线42和第二次线52均设置于第一次像素区12上，且第一纵向信号线40与第二纵向信号线50电性信号相反。
47.在本技术实施例中，横向信号线30位于晶体管电路区域ta，也即晶体管电路区域ta位于第一主像素区11与第一次像素区12之间，并且同时位于第二主像素区21与第二次像素区22之间。
48.在本技术实施例中，第一纵向信号线40与第二纵向信号线50互相平行，横向信号线30垂直于第一纵向信号线40和第二纵向信号线50。进一步地，第一纵向信号线40和第二纵向信号线50关于第一像素电极10的中心线对称。也即，第一纵向信号线40与第二纵向信号线50离第一像素电极10的中心线之间的距离相等，有利于抵消第一纵向信号线40和第二纵向信号线50之间信号反转对第一像素电极10的耦合作用，并且第一纵向信号线40和第二纵向信号线50均位于第一像素电极10的主像素区或次像素区上，相邻距离更短，有利于最大限度的降低画面串扰。同时，有利于利用第一像素电极10与第二像素电极20之间原本用于放置数据线的空间加大第一像素电极10或第二像素电极20开口区aa的面积，提升开口率，增加透射率。
49.在本技术实施例中，第一纵向信号线40与第一像素电极10或第二像素电极 20中的一者电性连接，第二纵向信号线50与第一像素电极10或第二像素电极20 中的另一者电性连接。如图3所示，第一纵向信号线40与奇数行的第一像素电极10电性连接，第一纵向信号线40与偶数行的第二像素电极20电性连接；相应的，第二纵向信号线50与奇数行的第二像素电极20电性连接，第二纵向信号线 50与偶数行的第一像素电极10电性连接。具体地，具体地，第一像素电极10 和第二像素电极20可以部分沿第一方向x和第二方向y交替设置；部分仅沿第一方向x交替设置(图中未示出)，本领域技术人员可以根据需要调整，本技术在此不做限定。
50.在本技术实施例中，请继续参阅图4，像素结构还包括第一共享电极60 和第二共享电极70，且第一共享电极60沿第一像素电极10的中心线重合，第二共享电极70沿第二像素电极20的中心线重合。具体地，第一纵向信号线 40与第二纵向信号线50关于第一共享电极60对称。这样的结构使得第一纵向信号线40与第二纵向信号线50离第一共享电极60之间的距离相等，有利于走线布局，且可以进一步增强抵消耦合作用的效果。
51.在本技术实施例中，第一共享电极60与第二共享电极70分别接入不同的电压信号。由于第一纵向信号线40和第二纵向信号线50设置于第一像素电极 10或第二像素电极
20的开口区aa上，容易出现遮光问题，导致第一像素电极10和第二像素电极20的亮度不一致，通过将第一共享电极60和第二共享电极70的分别接入不同的电压信号，调整第一像素电极10和第二像素电极 20的显示亮度，有利于避免色偏，实现亮度均一性。
52.在本技术实施例中，像素结构还包括短路检测模块(图中未示出)，其中，数据信号线，也即第一纵向信号线和第二纵向信号线所在的金属层与短路检测模块的引脚电性连接。
53.本技术的像素结构通过将分别连接相邻设置的第一像素电极10和第二像素电极20的两条数据线均设置于第一像素电极10的像素区内，以抵消第一纵向信号线40和第二纵向信号线50与第一像素电极10之间的电容耦合作用，有利于消除垂直串扰，提高显示效果。
54.请参阅图6和图7，图6是本技术实施例提供的显示面板300的结构示意图；
55.图7是沿图4的线a-a'截取的局部剖视图。如图6所示，本技术提供一种显示面板300，包括衬底基板310和上述的像素结构，像素结构设置在衬底基板310上。
56.在本技术实施例中，如图6所示，显示面板300还包括彩膜基板360，彩膜基板360设置于像素结构远离衬底基板310的一侧，以及位于衬底基板310 与彩膜基板360之间的像素结构以及显示介质350。
57.在本技术实施例中，衬底基板的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、或是不透光/反射材料(例如：导电材料、晶圆、陶瓷、或其它可适用的材料)、或是其它可适用的材料。
58.在本技术实施例中，显示介质350可包括液晶分子、电泳显示介质350、或是其它可适用的介质。在本发明下列实施例中的显示介质350是以液晶分子为例，但不限于此。再者，在本技术实施例中的液晶分子，优选地，是以可被水平电场转动或切换的液晶分子或者是可被横向电场转动或切换的液晶分子为范例，但不限于此。
59.具体地，如图7所示，显示面板300包括衬底基板310、以及依次设置于衬底基板310上的第一公共电极80、第二公共电极90、第一绝缘层320、第一纵向信号线40、第二纵向信号线50、第二绝缘层330、第一共享电极60、第二共享电极70、第三绝缘层340、第一主像素区11/第一次像素区12、第二主像素区21/第二次像素区22；以及彩膜基板360和设置于彩膜基板360上的共电极层361。其中，第一绝缘层320/第二绝缘层330/第三绝缘层340的材料可为无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二种材料的堆栈层)、有机材料或上述的组合。
60.本技术提供一种像素结构及显示面板300，该像素结构包括：第一像素电极10、第二像素电极20、横向信号线30、第一纵向信号线40以及第二纵向信号线50，第一像素电极10包括第一主像素区11和第一次像素区12；第二像素电极20与第一像素电极10沿第一方向x交替设置，第二像素电极20包括第二主像素区21和第二次像素区22；横向信号线30位于第一主像素区11 与第一次像素区12之间，且位于第二主像素区21与第二次像素区22之间；第一纵向信号线40包括第一主线41和第一次线42；第二纵向信号线50包括第二主线51和第二次线52；其中，第一纵向信号线40与第二纵向信号线50 电性信号相反，且第一主线41和第二主线51均设置于第一主像素区11上，第一次线42和第二次线52均设置于第一次像素区12上。本技术的像素结构通过将分别连接相邻设置的第一像素电极10和第二像素电极20的两条数据线均设置于第一像素电极10的像素区内，以抵消第一纵向信号线40和第二纵向信号线50与第一像素电极10之间的电容耦合作用，有利于消除垂直串扰，提高显示效果。
61.该显示面板可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
62.以上对本技术实施例所提供的一种像素结构及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。