一种金属氧化物半导体场效应管的制作方法

1.本发明涉及半导体场效应管技术领域，具体为一种金属氧化物半导体场效应管。


背景技术：

2.金属氧化物半导体场效应管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效应晶体管。
3.目前部分的金属氧化物半导体场效应管具有的功能是控制两个引脚之间电流的开关，或是通过栅极金属板上的电荷的多少控制两个引脚之间电流的大小，该效应管功能过于单一为此提出了一种金属氧化物半导体场效应管。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种金属氧化物半导体场效应管，以解决上述背景技术中提出的问题。
5.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种金属氧化物半导体场效应管，包括框架，所述框架的内部安装有电效应场，所述电效应场的内部安装有一号p形半导体，所述一号p形半导体顶端的一侧安装有一号n形半导体，所述一号p形半导体顶端的另一侧安装有二号n形半导体，所述一号p形半导体底端的一侧安装有三号n形半导体，所述一号p形半导体底端的另一侧安装有四号n形半导体，所述三号n形半导体和四号n形半导体之间安装有n形半导体通道，所述一号p形半导体的顶端安装有增强型金属氧化物半导体场，所述一号p形半导体的底端安装有耗尽型金属氧化物半导体场，所述一号p形半导体的顶端固定连接有一号氧化层，所述所述一号p形半导体的底端固定连接有二号氧化层，所述一号氧化层的顶端安装有一号金属板，所述二号氧化层的底端安装有二号金属板，所述一号金属板和二号金属板均电性连接有栅极g。
6.更进一步地，所述增强型金属氧化物半导体场包括一号源级g板和一号漏级d板，一号源级g板的底端和一号氧化层的顶端固定，一号漏级d板的底端和一号氧化层的顶端固定，一号源级g板的底端贯穿一号氧化层和一号n形半导体接触，一号漏级d板的底端贯穿一号氧化层和二号n形半导体接触，所述一号源级g板的顶端电性连接有一号源级g线，所述一号漏级d板的顶端电性连接有一号漏级d线，所述一号源级g线电性连接有一号工作场，所述一号漏级d线电性连接有一号工作场。
7.更进一步地，所述耗尽型金属氧化物半导体场包括二号源级g板和二号漏级d板，二号源级g板的顶端和二号氧化层的底端固定，二号漏级d板的顶端和一号氧化层的底端固定，二号源级g板的顶端贯穿二号氧化层和三号n形半导体接触，二号漏级d板的顶端贯穿一号氧化层和四号n形半导体接触，所述二号源级g板的顶端电性连接有二号源级g线，所述二号漏级d板的顶端电性连接有二号漏级d线，所述二号源级g线电性连接有二号工作场，所述二号漏级d线电性连接有二号工作场。
8.更进一步地，所述一号工作场包括一号电源、二号p形半导体、五号n形半导体、开
关和一号工作装置，一号电源、二号p形半导体、五号n形半导体、开关和一号工作装置依次电性相连，二号p形半导体一侧和五号n形半导体一侧固定。
9.更进一步地，所述二号工作场包括三号电源、灯泡和二号工作装置、三号电源、灯泡和二号工作装置依次电性相连。
10.更进一步地，所述栅极g包括二号电源，所述二号电源的正极电性连接有一号电线和二号电线，一号电线和一号金属板电性连接，二号电线和二号金属板电性连接，所述二号电源的负极电性连接有三号电线，三号电线和一号源级g线电线连接。
11.与现有技术相比，本发明的有益效果是：
12.该金属氧化物半导体场效应管，通过增强型金属氧化物半导体场和耗尽型金属氧化物半导体场相互作用的设置，使得该装置还具有了控制两个不能够同时工作的装置的运行，该设计保证了上述两个工作装置的互不干扰，保证了机械的正常运行。
13.该金属氧化物半导体场效应管，通过耗尽型金属氧化物半导体场上灯泡的设置，使得工人能够直观的观察该效应管是否正常运行，当增强型金属氧化物半导体场运行时，灯泡应关闭，增强型金属氧化物半导体场停止时，灯泡发亮，通过这种方式，便于工人去观察该效应管是否故障，防止了因故障而导致机械出现损坏。
附图说明
14.图1为本发明的等轴测图；
15.图2为本发明的内部等轴测图；
16.图3为本发明的剖视图；
17.图4为本发明的电效应场的剖视图；
18.图5为本发明的电路简图；
19.图6为图5开关闭合时的电路简图。
20.图中：1、一号n形半导体；2、二号n形半导体；3、三号n形半导体；4、四号n形半导体；5、一号p形半导体；6、一号氧化层；7、二号氧化层；8、n形半导体通道；9、一号金属板；10、二号金属板；11、一号源级g板；12、一号漏级d板；13、二号源级g板；14、二号漏级d板；15、一号源级g线；16、一号漏级d线；17、二号源级g线；18、二号漏级d线；19、一号电源；20、二号p形半导体；21、五号n形半导体；22、开关；23、一号工作装置；24、二号电源；25、一号电线；26、二号电线；27、三号电线；28、三号电源；29、灯泡；30、二号工作装置；31、框架；32、电效应场。
具体实施方式
21.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
22.需要说明的是，在本发明的描述中，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，并不是指示或暗示所指的装置或元件所必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
23.此外，应当理解，为了便于描述，附图中所示出的各个部件的尺寸并不按照实际的比例关系绘制，例如某些层的厚度或宽度可以相对于其他层有所夸大。
24.应注意的是，相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义或说明，则在随后的附图的说明中将不需要再对其进行进一步的具体讨论和描述。
25.如图1-图6所示，本发明提供一种技术方案：一种金属氧化物半导体场效应管，包括框架31，所述框架31的内部安装有电效应场32，所述电效应场32的内部安装有一号p形半导体，一号p形半导体5顶端的一侧安装有一号n形半导体1，一号p形半导体5顶端的另一侧安装有二号n形半导体2，一号p形半导体5底端的一侧安装有三号n形半导体3，一号p形半导体5底端的另一侧安装有四号n形半导体4，三号n形半导体3和四号n形半导体4之间安装有n形半导体通道8，一号p形半导体5的顶端安装有增强型金属氧化物半导体场，一号p形半导体5的底端安装有耗尽型金属氧化物半导体场，一号p形半导体5的顶端固定连接有一号氧化层6，一号p形半导体5的底端固定连接有二号氧化层7，一号氧化层6的顶端安装有一号金属板9，二号氧化层7的底端安装有二号金属板10，一号金属板9和二号金属板10均电性连接有栅极g。
26.如图3所示，增强型金属氧化物半导体场包括一号源级g板11和一号漏级d板12，一号源级g板11的底端和一号氧化层6的顶端固定，一号漏级d板12的底端和一号氧化层6的顶端固定，一号源级g板11的底端贯穿一号氧化层6和一号n形半导体1接触，一号漏级d板12的底端贯穿一号氧化层6和二号n形半导体2接触，一号源级g板11的顶端电性连接有一号源级g线15，一号漏级d板12的顶端电性连接有一号漏级d线16，一号源级g线15电性连接有一号工作场，一号漏级d线16电性连接有一号工作场。
27.如图3所示，耗尽型金属氧化物半导体场包括二号源级g板13和二号漏级d板14，二号源级g板13的顶端和二号氧化层7的底端固定，二号漏级d板14的顶端和一号氧化层6的底端固定，二号源级g板13的顶端贯穿二号氧化层7和三号n形半导体3接触，二号漏级d板14的顶端贯穿一号氧化层6和四号n形半导体4接触，二号源级g板13的顶端电性连接有二号源级g线17，二号漏级d板14的顶端电性连接有二号漏级d线18，二号源级g线17电性连接有二号工作场，二号漏级d线18电性连接有二号工作场。
28.如图1所示一号工作场包括一号电源19、二号p形半导体20、五号n形半导体21、开关22和一号工作装置23，一号电源19、二号p形半导体20、五号n形半导体21、开关22和一号工作装置23依次电性相连，二号p形半导体20一侧和五号n形半导体21一侧固定。二号工作场包括三号电源28、灯泡29和二号工作装置30、三号电源28、灯泡29和二号工作装置30依次电性相连。
29.如图2所示，栅极g包括二号电源24，二号电源24的正极电性连接有一号电线25和二号电线26，一号电线25和一号金属板9电性连接，二号电线26和二号金属板10电性连接，二号电源24的负极电性连接有三号电线27，三号电线27和一号源级g线15电线连接。
30.工作原理：如图5和图6所示，当三号电源28开始正常工作时，由于电性连接的原因，使得灯泡29和二号工作装置30开始正常工作，电子通过二号漏级d线18经过二号漏级d板14、四号n形半导体4、n形半导体通道8、三号n形半导体3、二号源级g板13和二号源级g线17流到三号电源28的正极，此时完成耗尽型金属氧化物半导体场的正常工作流程，此时由
于开关22处于打开状态，增强型金属氧化物半导体场不在工作状态，当闭合开关时22，一号电源19供电，当一号电源19供电时，一号电源19会通过三号电线27促使二号电源24使一号金属板9和二号金属板10中的离子经过一号电线25和二号电线26流到二号电源24的正极，使得一号金属板9和二号金属板10带正电，此时带正电的一号金属板9上的正电荷就会吸引一号p形半导体5、一号n形半导体1和二号n形半导体2上带负电荷的电子，二号金属板10上正电荷就会吸引三号n形半导体3、四号n形半导体4、一号p形半导体5、n形半导体通道8上的上带负电荷的电子，因此在一号n形半导体1和二号n形半导体2之间靠近一号氧化层6的位置那个区域的一号p形半导体5转变成为了含有自由电子的新n形半导体通道8，相反由于三号n形半导体3和四号n形半导体4之间处在n形半导体通道8，使得该n形半导体通道8消失，三号n形半导体3和四号n形半导体4之间离子无法流到，使得耗尽型金属氧化物半导体场处于关闭状态，但由于新n形半导体通道8的产生，使得一号n形半导体1和二号n形半导体2之间离子可以流到，增强型金属氧化物半导体场中的电子流动方向与耗尽型金属氧化物半导体场的类似，使得增强型金属氧化物半导体场正常运行，一号工作装置23开始工作，为了保证增强型金属氧化物半导体场的正常运行，在增强型金属氧化物半导体场安装有二号p形半导体20和五号n形半导体21，二号p形半导体20和五号n形半导体21能组成半导体，使得装置的电流只能沿着一个方向流动，若需要再次开启耗尽型金属氧化物半导体场，则把关闭开关22，一号电源19不在供电，使得一号金属板9和二号金属板10不在带正电，导致新n形半导体通道8消失，而原来的n形半导体通道8出现，使得耗尽型金属氧化物半导体场开始正常工作。
31.尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。