具有能单独驱控的接触元件的光电半导体组件和用于制造光电半导体组件的方法与流程

技术特征：
1.一种具有多个光发射装置(15)的光电半导体组件(10)，所述光发射装置分别或者共同具有第一谐振镜(115)并分别包括：第二谐振镜(120)以及有源区(110)，所述有源区布置在所述第一谐振镜与所述第二谐振镜(115，120)之间并且适用于发射电磁辐射(30)，第一导电类型的第一半导体层(111)，第二导电类型的第二半导体层(112)，以及与所述第二半导体层(112)连接的第二接触元件(130)，其中，所述第二接触元件(130)和第一接触元件(125)能够从所述光发射装置的第一主表面(101)接触，其中，所述第一接触元件与所述光发射装置(15)的所述第一半导体层(111)电连接，其中，所述第一半导体层(111)布置在所述有源区(110)的背离所述第一主表面(101)的一侧，并在所述有源区(110)的背离所述第一主表面(101)的一侧上彼此电连接，其中，所述光发射装置被配置用于，通过在所述有源区(110)的背离所述第一主表面(101)的一侧上布置的第二主表面(102)耦合输出生成的激光辐射(30)，并且所述第二接触元件(130)中的至少两个第二接触元件能够分别被单独地驱控。2.根据权利要求1所述的光电半导体组件(10)，还具有电路(1421，1422，...142
n
)的布置，所述电路分别适用于驱控所述光发射装置(15)的所述第二接触元件(130)。3.根据权利要求2所述的光电半导体组件(10)，其中，所述电路(1421，1422，...142
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)的布置被布置在电路基板(140)中。4.根据权利要求3所述的光电半导体组件(10)，其中，所述电路基板(140)被布置为与所述第一主表面(101)相邻。5.根据前述权利要求中任一项所述的光电半导体组件(10)，其中，所述第一导电类型是p导电类型。6.根据前述权利要求中任一项所述的光电半导体组件(10)，还具有多个光学元件(1531，1532，
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)，所述光学元件布置在所述光发射装置(15)的背离所述第一主表面(101)的一侧上，其中，所述光学元件(1531，1532，
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153
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)中的至少两个光学元件分别被不同地设计，从而发射的辐射分别在不同的空间方向上被发射。7.根据权利要求6所述的光电半导体组件(10)，其中，所述光学元件(1531，1532，
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153
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)与所述光发射装置(15)的所述第二主表面(102)间隔开地布置。8.根据权利要求6或7所述的光电半导体组件(10)，其中，分别与不同的光学元件(1531，1532，
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)相邻的光电装置(15)能够分别被单独地驱控。9.根据权利要求6至8中任一项所述的光电半导体组件，其中，所述光学元件(1531，1532，
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)具有共同的透明载体(154)，从而这些光学元件形成多透镜阵列。10.根据前述权利要求中任一项所述的光电半导体组件(10)，还具有第一接触层(118)，所述第一接触层布置在所述光发射装置(15)的所述有源区(110)与所述光发射装置(15)的一个或多个所述第一谐振镜(115)之间并且将所述第一半导体层(111)彼此电连接。11.根据前述权利要求中任一项所述的光电半导体组件(10)，还具有第一连接导线
(149)，所述第一连接导线将相邻的光发射装置(15)的所述第一半导体层(111)彼此电连接。12.根据权利要求11所述的光电半导体组件(10)，其中，所述连接导线(149)布置在所述第二主表面(102)上。13.根据前述权利要求中任一项所述的光电半导体组件(10)，还具有布置在所述光发射装置(15)之间的分离沟槽(113)。14.根据权利要求13所述的光电半导体组件(10)，其中，所述分离沟槽(113)填充有材料，尤其是绝缘材料。15.根据权利要求13或14所述的光电半导体组件，其中，所述光发射装置具有不被所述分离沟槽(113)切断的共同的第一谐振镜(115)。16.一种电子装置(20)，所述电子装置具有根据前述权利要求中任一项所述的光电半导体组件(10)和探测器(200)。17.根据权利要求16所述的电子装置，其中，所述探测器(200)具有唯一的光敏表面(210)。18.一种用于制造根据权利要求1至15中任一项所述的光电半导体组件(10)的方法，所述方法包括：形成(s100)一个或多个第一谐振镜(115)，第二谐振镜(120)，在所述第一谐振镜与所述第二谐振镜(115，120)之间的有源区(110)以及所述光发射装置(15)的第一半导体层(111)和第二半导体层(112)，从而所述光发射装置被设置用于，通过在所述有源区(110)的背离所述第一主表面(101)的一侧上布置的第二主表面(102)耦合输出生成的激光辐射(30)，在所述有源区(105)的背离所述第一半导体表面(101)的一侧上电连接所述第一半导体层(111)，形成(s130)所述第二接触元件(130)以及所述第一接触元件(125)，从而所述第二接触元件(130)中的至少两个第二接触元件能够分别被单独地驱控，所述第一接触元件与所述光发射装置的所述第一半导体层(111)电连接并且从而所述第一接触元件和第二接触元件能够从所述光发射装置(15)的所述第一主表面(101)接触。19.根据权利要求18所述的方法，还包括在所述光发射装置的所述第一主表面(101)上方施加电路基板(140)，在所述电路基板中布置有电路(1421，1422，...142
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)的布置，所述电路分别适用于驱控所述光发射装置的所述第二接触元件(130)。20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述第一谐振镜和所述第二谐振镜(115，120)以及所述有源区(110)在生长基底(100)上方生长，所述生长基底在施加所述电路基板(140)之后被去除。

技术总结
一种光电半导体元件(10)具有多个光发射装置(15)，这些光发射装置分别包括第一谐振镜(115)，第二谐振镜(120)，有源区(110)和第二接触元件(130)。有源区(110)布置在第一谐振镜与第二谐振镜(115，120)之间并且适于发射电磁辐射(30)。与光发射装置(15)的第一导电类型的第一半导体层(111)电连接的第二接触元件(130)和第一接触元件(125)能够从光发射装置的第一主表面(101)接触。第二接触元件(130)中的至少两个第二接触元件能够分别被单独驱控。两个第二接触元件能够分别被单独驱控。两个第二接触元件能够分别被单独驱控。


技术研发人员：诺温
受保护的技术使用者：奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司
技术研发日：2020.11.24
技术公布日：2022/7/15