显示基板及其制造方法、显示装置与流程

显示基板及其制造方法、显示装置
1.本技术为申请日为2019年04月09日、申请号为201910281690.5、发明名称为“显示基板及其制造方法、显示装置”的中国专利申请的分案申请。
技术领域
2.本技术涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。


背景技术：

3.诸如高分子发光二极管(英文：polymer light-emitting diode；简称：pled)等电致发光显示装置具有轻薄、低功耗、高对比度、高色域以及可柔性显示等优点，广泛应用于显示行业。
4.电致发光显示装置主要依靠电致发光显示基板进行显示。电致发光显示基板通常包括衬底基板以及设置在衬底基板上的薄膜晶体管(英文：thin film transistor；简称：tft)、平坦层、阳极、像素界定层(英文：pixel definition layer；简称：pdl)、发光层和阴极，像素界定层包括由挡墙结构限定出的像素区，发光层位于像素区内。目前，通常通过喷墨打印工艺在像素区内打印发光材料溶液，然后对像素区内的发光材料溶液进行干燥处理以去除发光材料溶液的溶剂，使发光材料溶液的溶质保留形成发光层。
5.但是，在对像素区中的发光材料溶液进行干燥处理的过程中，发光材料溶液容易出现“咖啡环效应”，导致最终形成的发光层中，边缘区域的厚度与中央区域的厚度存在差异，发光层的厚度的均匀性较差，导致发光层的发光亮度的均匀性较差。


技术实现要素：

6.本技术提供一种显示基板及其制造方法、显示装置，可以提高发光层的发光亮度的均匀性。所述技术方案如下：
7.第一方面，提供一种显示基板的制造方法，所述方法包括：
8.在衬底基板上形成平坦层，所述平坦层具有凸起结构；
9.在形成有所述平坦层的衬底基板上形成阳极，所述阳极至少位于所述凸起结构远离所述衬底基板的一面上；
10.在形成有所述阳极的衬底基板上形成像素界定层，所述像素界定层包括由挡墙结构限定出的像素区，所述像素区在所述衬底基板上的正投影覆盖所述凸起结构在所述衬底基板上的正投影，所述像素区的边缘区域与所述阳极远离所述衬底基板的一面平齐；
11.通过喷墨打印工艺在所述像素区中形成发光层，所述发光层与所述阳极远离所述衬底基板的一面连接。
12.可选地，所述阳极呈拱形，所述阳极覆盖所述凸起结构远离所述衬底基板的一面和所述凸起结构的侧面，所述像素界定层覆盖所述阳极的侧面。
13.可选地，在通过喷墨打印工艺在所述像素区中形成发光层之后，所述方法还包括：在形成有所述发光层的衬底基板上形成阴极。
14.可选地，在通过喷墨打印工艺在所述像素区中形成发光层之前，所述方法还包括：通过喷墨打印工艺在所述像素区中依次形成空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层和所述空穴传输层沿远离所述衬底基板的方向叠加；
15.所述通过喷墨打印工艺在所述像素区中形成发光层，包括：通过喷墨打印工艺在形成有所述空穴传输层的所述像素区中形成发光层，所述空穴传输层和所述发光层沿远离所述衬底基板的方向叠加，所述发光层通过所述空穴传输层和所述空穴注入层与所述阳极远离所述衬底基板的一面连接。
16.可选地，在通过喷墨打印工艺在形成有所述空穴传输层的所述像素区中形成发光层之后，所述方法还包括：
17.通过蒸镀工艺在形成有所述发光层的所述像素区中依次形成电子传输层和电子注入层，所述发光层、所述电子传输层和所述电子注入层沿远离所述衬底基板的方向叠加；
18.所述在形成有所述发光层的衬底基板上形成阴极，包括：在形成有所述电子注入层的衬底基板上形成阴极，所述阴极通过所述电子注入层和所述电子传输层与所述发光层连接。
19.可选地，在衬底基板上形成平坦层之前，所述方法还包括：在衬底基板上形成薄膜晶体管；
20.所述在衬底基板上形成平坦层，包括：在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上形成平坦层；
21.在形成有所述电子注入层的衬底基板上形成阴极之后，所述方法还包括：在形成有所述阴极的衬底基板上形成封装层。
22.第二方面，提供一种显示基板，所述显示基板包括：衬底基板，以及，依次设置在所述衬底基板上的平坦层、阳极、像素界定层和发光层；
23.所述平坦层具有凸起结构，所述阳极至少位于所述凸起结构远离所述衬底基板的一面上，所述像素界定层包括由挡墙结构限定出的像素区，所述像素区在所述衬底基板上的正投影覆盖所述凸起结构在所述衬底基板上的正投影，所述像素区的边缘区域与所述阳极远离所述衬底基板的一面平齐，所述发光层位于所述像素区中，且所述发光层与所述阳极远离所述衬底基板的一面连接。
24.可选地，所述阳极呈拱形，所述阳极覆盖所述凸起结构远离所述衬底基板的一面和所述凸起结构的侧面，所述像素界定层覆盖所述阳极的侧面。
25.可选地，所述显示基板还包括：设置在所述发光层远离所述衬底基板的一侧的阴极，所述阴极与所述发光层连接。
26.可选地，所述显示基板还包括：设置在所述像素区中的空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层和所述空穴传输层沿远离所述衬底基板的方向设置在所述阳极与所述发光层之间，所述发光层通过所述空穴传输层和所述空穴注入层与所述阳极远离所述衬底基板的一面连接。
27.可选地，所述显示基板还包括：设置在所述像素区中的电子传输层和电子注入层，所述电子传输层和所述电子注入层沿远离所述衬底基板的方向设置在所述发光层与所述阴极之间，所述阴极通过所述电子注入层和所述电子传输层与所述发光层连接。
28.可选地，所述显示基板还包括：设置在所述衬底基板与所述平坦层之间的薄膜晶
体管，以及，设置在所述阴极远离所述衬底基板的一侧的封装层。
29.可选地，所述显示基板为电致发光显示基板，所述发光层为电致发光层。
30.第三方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括上述第二方面或第二方面的任一可选方式所述的显示基板。
31.本技术提供的技术方案带来的有益效果是：
32.本技术提供的显示基板及其制造方法、显示装置，由于平坦层具有凸起结构，阳极至少位于凸起结构远离衬底基板的一面上，像素区在衬底基板上的正投影覆盖凸起结构在衬底基板上的正投影，且像素区的边缘区域与阳极远离衬底基板的一面平齐，发光层位于像素区中且发光层与阳极远离衬底基板的一面连接，因此发光层的边缘区域未与阳极连接，发光层的边缘区域不发光，这样一来，即使发光层的边缘区域的厚度与中央区域的厚度存在差异，也不会影响发光层的发光亮度的均匀性。本技术提供的方案可以解决发光层的发光亮度的均匀性较差的问题，提高发光层的发光亮度的均匀性。
33.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本技术。
附图说明
34.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
35.图1是本技术实施例提供的一种显示基板的制造方法的方法流程图；
36.图2是本技术实施例提供的另一种显示基板的制造方法的方法流程图；
37.图3是本技术实施例提供的一种在衬底基板上形成薄膜晶体管后的示意图；
38.图4是本技术实施例提供的一种在形成有薄膜晶体管的衬底基板上形成平坦层后的示意图；
39.图5是本技术实施例提供的一种在形成有平坦层的衬底基板上形成阳极后的示意图；
40.图6是本技术实施例提供的一种在形成有阳极的衬底基板上形成像素界定层后的示意图；
41.图7是本技术实施例提供的一种在像素区中依次形成hil和htl后的示意图；
42.图8是本技术实施例提供的一种在形成有htl的像素区中形成eml后的示意图；
43.图9是本技术实施例提供的一种在形成有eml的像素区中依次形成etl和eil后的示意图；
44.图10是本技术实施例提供的一种在形成有eil的衬底基板上形成阴极后的示意图；
45.图11是本技术实施例提供的一种显示基板的结构示意图。
46.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本技术的实施例，并与说明书一起用于解释本技术的原理。
具体实施方式
47.为了使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
48.喷墨打印工艺是一种通过微米级的打印喷头将溶液(也称墨汁)打印在目标区域(也即是期望的区域)的工艺，具有操作简单、成本低廉、工艺简单以及易于实现大尺寸显示基板的制造等优点，随着高性能聚合物材料的不断研发和薄膜制备技术的进一步完善，有望快速实现产业化。
49.在显示基板的制造过程中，经常通过喷墨打印工艺在像素区中打印发光材料溶液，并对打印的发光材料溶液进行干燥处理以形成发光层。但是，在对发光材料溶液进行干燥处理的过程中，发光材料溶液容易出现“咖啡环效应”，使得最终形成的发光层的厚度的均匀性较差，发光层的发光亮度的均匀性较差。其中，对溶液滴进行干燥处理的过程中，溶液滴的边缘区域的溶剂挥发的较快，中央区域的溶剂挥发的较慢，使得溶剂由溶液滴的中央区域向边缘区域流动，带动溶质由溶液滴的中央区域向边缘区域流动，溶质最终在边缘区域沉积，使得最终形成边缘厚中央薄的沉积形貌，称为“咖啡环效应”。
50.本技术实施例提供一种显示基板及其制造方法、显示装置，在显示基板中，平坦层具有凸起结构，阳极至少位于凸起结构远离衬底基板的一面上，像素区的边缘区域与阳极远离衬底基板的一面平齐，发光层位于像素区中且发光层与阳极远离衬底基板的一面连接。采用这样手段使得发光层的边缘区域未与阳极连接，从而发光层的边缘区域不发光，因此即使发光层的边缘区域的厚度与中央区域的厚度存在差异，也不会影响发光层的发光亮度的均匀性，发光层的发光亮度的均匀性较高。本技术的详细方案请参考下述实施例的描述。
51.请参考图1，其示出了本技术实施例提供的一种显示基板的制造方法的方法流程图，参见图1，该方法可以包括如下步骤：
52.步骤101、在衬底基板上形成平坦层，平坦层具有凸起结构。
53.步骤102、在形成有平坦层的衬底基板上形成阳极，阳极至少位于凸起结构远离衬底基板的一面上。
54.步骤103、在形成有阳极的衬底基板上形成像素界定层，像素界定层包括由挡墙结构限定出的像素区，像素区在衬底基板上的正投影覆盖凸起结构在衬底基板上的正投影，像素区的边缘区域与阳极远离衬底基板的一面平齐。
55.步骤104、通过喷墨打印工艺在像素区中形成发光层，发光层与阳极远离衬底基板的一面连接。
56.综上所述，本技术实施例提供的显示基板的制造方法，由于平坦层具有凸起结构，阳极至少位于凸起结构远离衬底基板的一面上，像素区在衬底基板上的正投影覆盖凸起结构在衬底基板上的正投影，且像素区的边缘区域与阳极远离衬底基板的一面平齐，发光层位于像素区中且发光层与阳极远离衬底基板的一面连接，因此发光层的边缘区域未与阳极连接，发光层的边缘区域不发光，这样一来，即使发光层的边缘区域的厚度与中央区域的厚度存在差异，也不会影响发光层的发光亮度的均匀性。本技术提供的方案可以解决发光层
的发光亮度的均匀性较差的问题，提高发光层的发光亮度的均匀性。
57.可选地，阳极呈拱形，阳极覆盖凸起结构远离衬底基板的一面和凸起结构的侧面，像素界定层覆盖阳极的侧面。
58.可选地，在步骤104之后，该方法还包括：在形成有发光层的衬底基板上形成阴极。
59.可选地，在步骤104之前，该方法还包括：通过喷墨打印工艺在像素区中依次形成空穴注入层和空穴传输层，空穴注入层和空穴传输层沿远离衬底基板的方向叠加；
60.相应地，步骤104包括：通过喷墨打印工艺在形成有空穴传输层的像素区中形成发光层，空穴传输层和发光层沿远离衬底基板的方向叠加，发光层通过空穴传输层和空穴注入层与阳极远离衬底基板的一面连接。
61.可选地，在通过喷墨打印工艺在形成有空穴传输层的像素区中形成发光层之后，该方法还包括：通过蒸镀工艺在形成有发光层的像素区中依次形成电子传输层和电子注入层，发光层、电子传输层和电子注入层沿远离衬底基板的方向叠加；
62.在形成有发光层的衬底基板上形成阴极，包括：在形成有电子注入层的衬底基板上形成阴极，阴极通过电子注入层和电子传输层与发光层连接。
63.可选地，在步骤101之前，该方法还包括：在衬底基板上形成薄膜晶体管；
64.相应地，步骤101包括：在形成有薄膜晶体管的衬底基板上形成平坦层；
65.在形成有电子注入层的衬底基板上形成阴极之后，该方法还包括：在形成有阴极的衬底基板上形成封装层。
66.上述所有可选技术方案，可以采用任意结合形成本技术的可选实施例，在此不再一一赘述。
67.请参考图2，其示出了本技术实施例提供的另一种显示基板的制造方法的方法流程图，参见图2，该方法可以包括如下步骤：
68.步骤201、在衬底基板上形成薄膜晶体管。
69.请参考图3，其示出了本技术实施例提供的一种在衬底基板101上形成薄膜晶体管102后的示意图。薄膜晶体管102可以包括栅极(图3中未示出)、栅绝缘层(图3中未示出)、有源层(图3中未示出)、层间介质层(图3中未示出)和源漏极层(图3中未示出)，源漏极层包括源极和漏极，源极与漏极不接触，且源极和漏极均与有源层接触，则在衬底基板101上形成薄膜晶体管102可以包括：在衬底基板101上依次形成栅极、栅绝缘层、有源层、层间介质层和源漏极层。
70.步骤202、在形成有薄膜晶体管的衬底基板上形成平坦层，平坦层具有凸起结构。
71.请参考图4，其示出了本技术实施例提供的一种在形成有薄膜晶体管102的衬底基板101上形成平坦层103后的示意图。参见图4，平坦层103具有凸起结构1031，该凸起结构1031向远离衬底基板101的方向凸起，且该凸起结构1031的纵截面呈梯形，该凸起结构1031的纵截面指的是该凸起结构1031的截面中与衬底基板101的板面垂直的截面。可选地，该凸起结构1031呈梯台状。本领域技术人员容易理解，平坦层103上与薄膜晶体管102的漏极对应的区域具有过孔(图4中未示出)，以便于后续形成的阳极与薄膜晶体管102的漏极连接。
72.在本技术实施例中，平坦层103的材料可以为有机树脂等透明有机材料，或者平坦层103的材料可以为siox(中文：氧化硅)、sinx(中文：氮化硅)、al2o3(中文：氧化铝)或sioxnx(中文：氮氧化硅)等透明无机材料。以平坦层103的材料为有机树脂为例，可选地，在
形成有薄膜晶体管102的衬底基板101上形成平坦层103可以包括：通过磁控溅射、热蒸发或者等离子体增强化学气相沉积法(英文：plasma enhanced chemical vapor deposition；简称：pecvd)等工艺在形成有薄膜晶体管102的衬底基板101上沉积一层有机树脂得到树脂材质层，对树脂材质层依次进行曝光和显影得到平坦层103。
73.步骤203、在形成有平坦层的衬底基板上形成阳极，阳极至少位于凸起结构远离衬底基板的一面上。
74.请参考图5，其示出了本技术实施例提供的一种在形成有平坦层103的衬底基板101上形成阳极104后的示意图。参见图5，阳极104至少位于凸起结构1031远离衬底基板101的一面上。可选地，阳极104呈拱形，阳极104覆盖凸起结构1031远离衬底基板101的一面和凸起结构1031的侧面，凸起结构1031的侧面指的是凸起结构1031的表面中，与衬底基板101的板面相交的表面。
75.在本技术实施例中，阳极104的材料可以为氧化铟锡(英文：indium tin oxide；简称：ito)、氧化铟锌(英文：indium zinc oxide；简称：izo)或掺铝氧化锌(英文：aluminum-doped zinc oxide；简称：zno:al)等金属氧化物。以阳极104的材料为ito为例，可选地，在形成有平坦层103的衬底基板101上形成阳极104可以包括：通过磁控溅射、热蒸发或者pecvd等工艺在形成有平坦层103的衬底基板101上沉积一层ito得到ito材质层，通过一次构图工艺对ito材质层进行处理得到阳极104。
76.步骤204、在形成有阳极的衬底基板上形成像素界定层，像素界定层包括由挡墙结构限定出的像素区，像素区在衬底基板上的正投影覆盖凸起结构在衬底基板上的正投影，像素区的边缘区域与阳极远离衬底基板的一面平齐。
77.请参考图6，其示出了本技术实施例提供的一种在形成有阳极104的衬底基板101上形成像素界定层105后的示意图。参见图6，像素界定层105包括挡墙结构1051以及由挡墙结构1051限定出的像素区p，像素区p具有中央区域p1和围绕在中央区域p1周围的边缘区域p2，像素区p在衬底基板101上的正投影覆盖凸起结构1031在衬底基板101上的正投影，且像素区p的边缘区域p2与阳极104远离衬底基板101的一面平齐。如图6所示，挡墙结构1051远离衬底基板的一面与衬底基板101之间的距离大于像素区p与衬底基板101之间的距离，因此相对于挡墙结构1051而言，像素区p位于坑中，从而在一些场景中，像素区p也称为像素坑。可选地，如图6所示，像素界定层105覆盖阳极104的侧面，阳极104的侧面指的是阳极104的表面中，与衬底基板101的板面相交的表面，像素界定层105覆盖阳极104的侧面可以降低阳极104从其侧面漏电的风险。
78.在本技术实施例中，像素界定层105的材料可以为有机树脂等透明有机材料，或者像素界定层105的材料可以为siox、sinx、al2o3或sioxnx等透明无机材料。以像素界定层105的材料为有机树脂为例，可选地，在形成有阳极104的衬底基板101上形成像素界定层105可以包括：通过磁控溅射、热蒸发或者pecvd等工艺在形成有阳极104的衬底基板101上沉积一层有机树脂得到树脂材质层，对树脂材质层依次进行曝光和显影得到像素界定层105。
79.步骤205、通过喷墨打印工艺在像素区中依次形成空穴注入层和空穴传输层。
80.请参考图7，其示出了本技术实施例提供的一种在像素区中依次形成空穴注入层(英文：hole injection layer；简称：hil)106和空穴传输层(英文：hole transport layer；简称：htl)107后的示意图。参见图7并结合图6，空穴注入层106和空穴传输层107均
位于像素区p中，且空穴注入层106和空穴传输层107沿远离衬底基板101的方向叠加，空穴注入层106与阳极104远离衬底基板101的一面连接。
81.在本技术实施例中，空穴注入层106的材料可以为空穴注入材料，空穴传输层107的材料可以为空穴传输材料，空穴注入材料例如可以为四氟四氰基醌二甲烷，空穴传输材料例如可以为pedot/pss(聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐)。可选地，在像素区p中依次空穴注入层106和空穴传输层107可以包括：首先，通过喷墨打印工艺在像素区p中打印空穴注入材料溶液并进行干燥处理后得到空穴注入层106，然后在形成有空穴注入层106的像素区p中打印空穴传输材料溶液并进行干燥处理后得到空穴传输层107。
82.步骤206、通过喷墨打印工艺在形成有空穴传输层的像素区中形成发光层，发光层通过空穴传输层和空穴注入层与阳极远离衬底基板的一面连接。
83.请参考图8，其示出了本技术实施例提供的一种在形成有空穴传输层107的像素区中形成发光层(英文：emission layer；简称：eml)108后的示意图。参见图8并结合图6，发光层108位于像素区p中，且空穴注入层106、空穴传输层107和发光层108沿远离衬底基板101的方向叠加，发光层108具有中央区域和边缘区域，发光层108的中央区域为像素区p的中央区域p1在发光层108上的对应区域，发光层108的中央区域在衬底基板101上的正投影与像素区p的中央区域p1在衬底基板101上的正投影重合，发光层108的边缘区域为发光层108上除中央区域之外的区域。在本技术实施例中，由于空穴注入层106与阳极104远离衬底基板101的一面连接，且空穴注入层106、空穴传输层107和发光层108沿远离衬底基板101的方向叠加，因此发光层108通过空穴传输层107和空穴注入层106与阳极104远离衬底基板101的一面连接。
84.在本技术实施例中，发光层108的材料可以为电致发光材料，例如可以为有机发光材料。可选地，在形成有空穴传输层107的像素区p中形成发光层108可以包括：通过喷墨打印工艺在形成有空穴传输层107的像素区p中打印有机发光材料溶液并进行干燥处理后得到发光层108。需要说明的是，对打印的有机发光材料溶液进行干燥处理的过程中，有机发光材料溶液会向像素区p的边缘区域在空穴传输层107上的对应区域攀爬，使得最终制成的发光层108的边缘区域的厚度与中央区域的厚度存在差异，但是由于发光层108与阳极104远离衬底基板101的一面连接(发光层108通过空穴传输层107和空穴注入层106与阳极104远离衬底基板101的一面连接)，而像素区的边缘区域与阳极104远离衬底基板101的一面平齐，因此发光层108的边缘区域未与阳极104连接，发光层108的边缘区域的厚度与中央区域的厚度存在差异不会影响发光层108的发光亮度的均匀性。
85.需要说明的是，显示基板可以包括不同颜色的发光层，每种颜色的发光层可以通过一次喷墨打印工艺形成，不同颜色的发光层可以通过多次喷墨打印工艺制成，该步骤206描述的是形成一种颜色的发光层的过程，可以多次重复执行该步骤206以形成不同颜色的发光层。例如，显示基板可以红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，可以重复执行该步骤206三次以形成红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层。
86.步骤207、通过蒸镀工艺在形成有发光层的像素区中依次形成电子传输层和电子注入层。
87.请参考图9，其示出了本技术实施例提供的一种在形成有发光层108的像素区中依次形成电子传输层(英文：electron transport layer；简称：etl)109和电子注入层(英文：
electron injection layer；简称：eil)110后的示意图。参见图9并结合图6，电子传输层109和电子注入层110均位于像素区p中，且发光层108、电子传输层109和电子注入层110沿远离衬底基板101的方向叠加。
88.在本技术实施例中，电子传输层109的材料可以为电子传输材料，电子注入层110的材料可以为电子注入材料，电子传输材料例如可以为8-羟基喹啉-锂，电子注入材料例如可以为香豆素545t。可选地，在形成有发光层108的像素区中依次形成电子传输层109和电子注入层110可以包括：首先，通过蒸镀工艺在形成有发光层108的像素区p中蒸镀电子传输材料得到电子传输层109，然后通过蒸镀工艺在形成有电子传输层109的像素区p中蒸镀电子注入材料得到电子注入层110。
89.步骤208、在形成有电子注入层的衬底基板上形成阴极。
90.请参考图10，其示出了本技术实施例提供的一种在形成有电子注入层110的衬底基板101上形成阴极111后的示意图，参见图10，阴极111为面状电极，阴极111在衬底基板101上的正投影覆盖像素界定层105在衬底基板101上的正投影，阴极111与电子注入层110远离衬底基板101的一面连接。由于发光层108、电子传输层109和电子注入层110沿远离衬底基板101的方向叠加，且阴极111与电子注入层110远离衬底基板101的一面连接，因此，阴极111通过电子注入层110和电子传输层109与发光层108连接。
91.在本技术实施例中，阴极111的材料可以为金属mo(中文：钼)、金属cu(中文：铜)、金属al(中文：铝)、金属ti(中文：钛)及其合金材料。以阴极111的材料为金属al为例，可选地，在形成有电子注入层110的衬底基板101上形成阴极111可以包括：通过磁控溅射、热蒸发或者pecvd等工艺在形成有电子注入层110的衬底基板101上沉积一层金属al得到金属al材质层，通过一次构图工艺对金属al材质层进行处理得到阴极111。
92.通过执行上述步骤206至步骤208可以得到依次叠加的空穴注入层106、空穴传输层107、发光层108、电子传输层109、电子注入层110和阴极111，空穴注入层106、空穴传输层107、发光层108、电子传输层109、电子注入层110和阴极111构成发光器件(又称为像素单元、显示单元、子像素或亚像素等)，容易理解，显示基板包括多个发光器件，阴极111为面状电极，多个发光器件可以共用一个阴极111，本技术实施例对此不做限定。
93.步骤209、在形成有阴极的衬底基板上形成封装层。
94.请参考图11，其示出了本技术实施例提供的一种在形成有阴极111的衬底基板101上形成封装层112后的示意图，封装层112可以为薄膜封装层或封装盖板，当封装层112为薄膜封装层时，封装层112可以包括交替叠加的无机层和有机层，相应地，在形成有阴极111的衬底基板101上形成封装层112可以包括：在形成有阴极111的衬底基板101上形成交替叠加的无机层和有机层；当封装层112为封装盖板时，封装层112可以为透明基板(例如玻璃基板)，相应地，在形成有阴极111的衬底基板101上形成封装层112可以包括：将封装盖板与衬底基板101相对固定设置，以在形成有阴极111的衬底基板101上形成封装层112。
95.执行完上述步骤201至步骤209后可以得到显示基板，换句话来讲，图11示出的是本技术实施例提供的一种显示基板的结构示意图。其中，衬底基板101可以为透明基板，例如其可以是采用玻璃、石英或透明树脂等具有一定坚固性的导光且非金属材料制成的刚性基板，或者衬底基板101可以是采用聚酰亚胺(英文：polyimide；简称：pi)制成的柔性基板。当衬底基板101为柔性基板时，可以将衬底基板101设置在刚性基板上执行上述步骤201至
步骤209，在执行完上述步骤201至步骤209后将刚性基板剥离得到柔性显示基板。
96.需要说明的是，在本技术实施例中，空穴注入层106、空穴传输层107和发光层108中各个膜层均通过喷墨打印工艺制成，每个膜层的厚度由形成该膜层的溶液的浓度以及喷墨打印该溶液的时长确定，通过喷墨打印工艺制备膜层可以极大节省膜层的制备材料(例如发光材料)，且在喷墨打印工艺中，可以通过具备多个(例如128或256个)喷射口的打印喷头打印溶液，这样一来，可以大幅度缩短膜层制备时间。
97.还需要说明的是，本技术实施例提供的显示基板的制造方法中，所涉及的一次构图工艺包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离，通过一次构图工艺对材质层(例如ito材质层)进行处理包括：在材质层(例如ito材质层)上涂覆一层光刻胶形成光刻胶层，采用掩膜版对光刻胶层进行曝光，使得光刻胶层形成完全曝光区和非曝光区，之后采用显影工艺处理，使完全曝光区的光刻胶被完全去除，非曝光区的光刻胶全部保留，采用刻蚀工艺对材质层(例如ito材质层)上完全曝光区对应的区域进行刻蚀，最后剥离非曝光区的光刻胶得到相应的结构(例如阳极104)。这里是以光刻胶为正性光刻胶为例进行说明的，当光刻胶为负性光刻胶时，一次构图工艺的过程可以参考本段的描述，本技术实施例在此不再赘述。
98.本技术实施例提供的显示基板的制造方法步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本技术的保护范围之内，因此不再赘述。
99.综上所述，本技术实施例提供的显示基板的制造方法，由于平坦层具有凸起结构，阳极至少位于凸起结构远离衬底基板的一面上，像素区在衬底基板上的正投影覆盖凸起结构在衬底基板上的正投影，且像素区的边缘区域与阳极远离衬底基板的一面平齐，发光层位于像素区中且发光层与阳极远离衬底基板的一面连接，因此发光层的边缘区域未与阳极连接，发光层的边缘区域不发光，这样一来，即使发光层的边缘区域的厚度与中央区域的厚度存在差异，也不会影响发光层的发光亮度的均匀性。此外，像素界定层覆盖阳极的侧面，这样一来，可以降低阳极从其侧面漏电的风险，从而降低显示基板漏电的风险。本技术提供的方案可以解决发光层的发光亮度的均匀性较差的问题，提高发光层的发光亮度的均匀性，并且可以降低显示基板漏电的风险。本技术实施例提供的显示基板的制造方法操作简单，易于显示基板的量产。
100.基于同样的发明构思，本技术实施例还提供了一种显示基板，该显示基板可以为如图11所示的显示基板。参见图11，该显示基板包括衬底基板101，以及，依次设置在衬底基板101上的平坦层103、阳极104、像素界定层105和发光层108。平坦层103具有凸起结构1031，阳极104至少位于凸起结构1031远离衬底基板101的一面上，参见图11并结合图6，像素界定层105包括由挡墙结构1051限定出的像素区p，像素区p在衬底基板101上的正投影覆盖凸起结构1031在衬底基板101上的正投影，像素区p具有中央区域p1和围绕在中央区域p1周围的边缘区域p2，像素区p的边缘区域p2与阳极104远离衬底基板101的一面平齐，发光层108位于像素区p中，且发光层108与阳极104远离衬底基板101的一面连接。
101.在本技术实施例中，发光层108具有中央区域和边缘区域，发光层108的中央区域为像素区p的中央区域p1在发光层108上的对应区域，发光层108的中央区域在衬底基板101上的正投影与像素区p的中央区域p1在衬底基板101上的正投影重合，发光层108的边缘区
域为发光层108上除中央区域之外的区域。由于像素区p的边缘区域p2与阳极104远离衬底基板101的一面平齐，因此发光层108的边缘区域未与阳极104连接，发光层108的边缘区域不发光，这样一来，即使发光层108的边缘区域和中央区域的厚度存在差异，也不会影响发光层108发光亮度的均匀性。
102.可选地，如图11所示，凸起结构1031的纵截面呈梯形，该凸起结构1031的纵截面指的是该凸起结构1031的截面中与衬底基板101的板面垂直的截面。可选地，该凸起结构1031呈梯台状。阳极104呈拱形，阳极104覆盖凸起结构1031远离衬底基板101的一面和凸起结构1031的侧面，像素界定层105覆盖阳极104的侧面，凸起结构1031的侧面指的是凸起结构1031的表面中，与衬底基板101的板面相交的表面。阳极104的侧面指的是阳极104的表面中，与衬底基板101的板面相交的表面，像素界定层105覆盖阳极104的侧面可以降低阳极104从其侧面漏电的风险，从而降低显示基板漏电的风险。
103.进一步地，请继续参考图11，该显示基板还包括：设置在发光层108远离衬底基板101的一侧的阴极111，阴极111与发光层108连接。阴极111可以为面状电极，且可以为透明金属电极或非透明金属电极，阴极111在衬底基板101上的正投影可以覆盖像素界定层105在衬底基板101上的正投影。
104.进一步地，请继续参考图11并结合图6，该显示基板还包括：设置在像素区p中的空穴注入层106和空穴传输层107，空穴注入层106和空穴传输层107沿远离衬底基板101的方向设置在阳极104与发光层108之间，发光层108通过空穴传输层106和空穴注入层107与阳极104远离衬底基板101的一面连接。其中，空穴注入层106主要用于向发光层108注入空穴，空穴传输层107主要用于调节空穴注入层106向发光层108注入空穴的注入速度和注入量，以提高发光层108的发光效率。
105.进一步地，请继续参考图11并结合图6，该显示基板还包括：设置在像素区p中的电子传输层109和电子注入层110，电子传输层109和电子注入层110沿远离衬底基板101的方向设置在发光层108与阴极111之间，阴极111通过电子注入层110和电子传输层109与发光层108连接。其中，电子注入层110主要用于向发光层108注入电子，电子传输层109主要用于调节电子注入层110向发光层108注入电子的注入速度和注入量，以提高发光层108的发光效率。
106.进一步地，请继续参考图11，该显示基板还包括：设置在衬底基板101与平坦层103之间的薄膜晶体管102以及设置在阴极111远离衬底基板101的一侧的封装层112。薄膜晶体管102可以包括栅极(图11中未示出)、栅绝缘层(图11中未示出)、有源层(图11中未示出)、层间介质层(图11中未示出)和源漏极层(图11中未示出)，源漏极层包括源极和漏极，源极与漏极不接触，且源极和漏极均与有源层接触。封装层112可以为薄膜封装层或封装盖板。
107.可选地，该显示基板可以为电致发光显示基板，发光层108可以为电致发光层，例如发光层108为有机发光层，且可以为高分子有机发光层。
108.综上所述，本技术实施例提供的显示基板，由于平坦层具有凸起结构，阳极至少位于凸起结构远离衬底基板的一面上，像素区在衬底基板上的正投影覆盖凸起结构在衬底基板上的正投影，且像素区的边缘区域与阳极远离衬底基板的一面平齐，发光层位于像素区中且发光层与阳极远离衬底基板的一面连接，因此发光层的边缘区域未与阳极连接，发光层的边缘区域不发光，这样一来，即使发光层的边缘区域的厚度与中央区域的厚度存在差
异，也不会影响发光层的发光亮度的均匀性。本技术提供的方案可以解决发光层的发光亮度的均匀性较差的问题，提高发光层的发光亮度的均匀性。
109.基于同样的发明构思，本技术实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述实施例提供的显示基板，该显示装置可以为电致发光显示装置，且可以是柔性显示装置，例如，该显示装置可以为电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪或可穿戴设备等任何具有显示功能的产品或部件。
110.本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
111.以上所述仅为本技术的可选实施例，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。