一种超大晶粒的铂薄膜及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种超大晶粒的铂薄膜，其特征在于，包括:陶瓷基底；在所述陶瓷基底上沉积一层或多层含氧铂薄膜。2.如权利要求1所述的超大晶粒的铂薄膜，其特征在于，所述陶瓷基底为质量百分含量为96% ~ 99%的多晶氧化铝陶瓷，或单晶氧化铝陶瓷。3.如权利要求1所述的超大晶粒的铂薄膜，其特征在于：所述含氧铂薄膜通过磁控溅射方法制备，溅射载气为氩气和氧气的混合气体。4.如权利要求3所述的超大晶粒的铂薄膜，其特征在于，所述氩气和氧气的混合气体中，氧气的体积分数为0% ~ 100%。5.如权利要求1所述的超大晶粒的铂薄膜，其特征在于,相邻的两层含氧铂薄膜之间存在氧浓度梯度。6.如权利要求1 ~ 5任一项所述的铂薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：s1、在氧化铝基底上沉积一层或多层含氧铂薄膜；s2、将上述含氧铂薄膜进行热处理。7.如权利要求1 ~ 5任一项所述的铂薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：s1、在氧化铝基底上沉积一层含氧铂薄膜；s2、将上述含氧铂薄膜进行热处理；s3、在上述热处理后的含氧铂薄膜上沉积一层或多层含氧铂薄膜；s4、将上述含氧铂薄膜进行热处理；所述步骤s3、s4可重复进行。8.如权利要求6或7所述的铂薄膜制备方法，其特征在于, 所述热处理温度为0.52t
m ~ 0.72t
m
，t
m
为金属铂的熔点，热处理气氛为空气、氩气和氮气中的任一种。9.如权利要求6或7所述的铂薄膜制备方法，其特征在于, 所述热处理包括：第一阶段热处理温度为0.28t
m ~ 0.45t
m
，热处理气氛为氧气或空气；第二阶段热处理温度为0.45t
m ~ 0.72t
m
，热处理气氛为空气、氩气和氮气中的任一种，其中t
m
为金属铂的熔点。

技术总结
本发明涉及薄膜的技术领域，尤其涉及一种超大晶粒的铂薄膜及其制备方法。使用常规的磁控溅射方法制备铂薄膜，并使用氩气和氧气的混合气体作为溅射载气，通过调节溅射时氩气和氧气混合气体中氧气的含量，进而调节沉积态铂薄膜中的“氧含量”，并与薄膜后续的热处理温度和热处理气氛相配合，主要调整薄膜晶粒长大过程中的表面能和应变能，使得其在热处理的某一阶段，具有特定取向的晶粒具有热力学或动力学方面的生长优势，从而不断消耗周围的小晶粒而异常长大，直至异常长大的晶粒相互接触，最终获得晶粒尺寸大、且晶粒分布均匀的铂薄膜。本发明的制备方法简单，制备的铂薄膜结构缺陷少，具有优良的电学性能。具有优良的电学性能。具有优良的电学性能。


技术研发人员：蒲健 陈茂 冯江涛 池波
受保护的技术使用者：江苏精瓷智能传感技术研究院有限公司
技术研发日：2022.03.17
技术公布日：2022/7/15