一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制 一种秧草收获机用电力驱动行走机构

显示装置的制作方法

2022-07-14 03:08:02 来源:中国专利 TAG:


1.本发明涉及显示装置。


背景技术:

2.作为显示面板,已知采用了作为自发光元件的发光二极管(led:light emitting diode)的led显示面板。近年来,作为更高精细的显示面板,开发了在阵列基板上安装有被称作微型led的微小发光二极管的显示面板(以下称作微型led显示面板)。
3.微型led显示器与液晶显示器及有机el显示器不同,由于在显示区域安装形成有芯片状的大量微型led,所以容易兼顾高精细化和大型化,作为下一代的显示面板受到关注。
4.现有技术文献
5.专利文献
6.专利文献1:美国专利申请公开第2019/0075633号说明书


技术实现要素:

7.发明要解决的课题
8.本实施方式的目的在于提供实现高亮度化的显示装置。或者,本实施方式提供实现低耗电化的显示装置。
9.用来解决课题的手段
10.一实施方式的显示装置,具备:具有多个晶体管、多个像素电极、接触电极和多个发光元件的多个像素;绝缘基材;第1有机绝缘层,设在上述绝缘基材的上方并将上述晶体管覆盖;第2有机绝缘层,设在上述第1有机绝缘层的上方;树脂层,设在上述第2有机绝缘层之上;共通电极,配置在上述树脂层之上;以及多个第1布线;上述多个像素电极及上述接触电极设在上述第2有机绝缘层与上述树脂层之间;各个上述发光元件具有第1极性电极和第2极性电极,上述第1极性电极位于与上述多个像素电极中的对应的一个像素电极对置的一侧的面并与上述像素电极电连接,上述第2极性电极位于上述第1极性电极所在的面的相反侧的面;上述各个发光元件的上述第2极性电极从上述树脂层露出;上述共通电极与上述多个发光元件的上述第2极性电极电连接,穿过形成在上述树脂层中的多个第1接触孔而与上述多个像素的上述接触电极电连接;上述多个第1布线分别设在上述第1有机绝缘层与上述第2有机绝缘层之间或者上述第2有机绝缘层与上述树脂层之间,与上述多个像素的上述接触电极电连接,由金属形成。
附图说明
11.图1是表示第1实施方式的显示装置的结构的立体图。
12.图2是表示上述显示装置的电路图。
13.图3是表示上述第1实施方式的副像素的等价电路图。
14.图4是表示图1所示的显示面板的局部剖视图。
15.图5是表示图4的显示面板的一部分的局部剖视图。
16.图6是表示上述显示面板的平面图,是表示第2电源线、多个接触电极及多个布线的图。
17.图7是表示上述显示面板的一像素的平面图,是表示上述像素的多个导电层的图。
18.图8是表示上述显示面板的一像素的另一平面图,是表示上述像素的多个像素电极、多个连接层、多个发光元件、接触电极、连接层及布线的图。
19.图9是表示上述第1实施方式的变形例1的显示面板的平面图,是表示第2电源线及多个布线的图。
20.图10是表示上述变形例1的显示装置的一像素的另一平面图,是表示上述像素的多个像素电极、多个连接层、多个发光元件、接触电极、连接层及多个布线的图。
21.图11是表示上述第1实施方式的变形例2的显示装置的一像素的另一平面图,是表示上述像素的多个像素电极、多个连接层、多个发光元件、接触电极、连接层及多个布线的图。
22.图12是表示第2实施方式的显示装置的显示面板的局部剖视图。
23.图13是表示上述第2实施方式的显示面板的平面图,是表示第2电源线、多个导电层及多个布线的图。
24.图14是表示上述第2实施方式的显示面板的一像素的平面图,是表示上述像素的多个导电层、多个布线及导电层的图。
25.图15是表示上述第2实施方式的显示面板的一像素的另一平面图,是表示上述像素的多个像素电极、多个连接层、多个发光元件、接触电极及连接层的图。
26.图16是表示第3实施方式的显示面板的一像素的平面图,是表示上述像素的多个导电层、多个布线及导电层的图。
27.图17是表示上述第3实施方式的显示面板的一像素的另一平面图,是表示上述像素的多个像素电极、多个连接层、多个发光元件、接触电极、连接层及多个布线的图。
28.图18是表示第4实施方式的显示面板的一像素的平面图,是表示上述像素的多个导电层、布线及导电层的图。
29.图19是表示上述第4实施方式的显示面板的一像素的另一平面图,是表示上述像素的多个像素电极、多个连接层、多个发光元件、接触电极、连接层及布线的图。
具体实施方式
30.以下,参照附图对本发明的各实施方式进行说明。另外,公开内容只不过是一例,关于本领域技术人员就保持着发明的主旨的适当变更能够容易地想到的形态,当然包含在本发明的范围中。此外,附图为了使说明更明确而有与实际形态相比关于各部的宽度、厚度、形状等示意地表示的情况,这只不过是一例,并不限定本发明的解释。此外,在本说明书和各图中,对于与针对在先附图而描述过的要素同样的要素赋予相同的标号,有将详细的说明适当省略的情况。
31.(第1实施方式)
32.首先,对第1实施方式的显示装置进行说明。图1是表示本实施方式的显示装置1的
结构的立体图。图1表示了由第1方向x、与第1方向x垂直的第2方向y以及与第1方向x及第2方向y垂直的第3方向z规定的三维空间。另外,第1方向x及第2方向y相互正交,但也可以以90
°
以外的角度交叉。此外,在本实施方式中,将第3方向z定义为上,将与第3方向z相反侧的方向定义为下。在记载为“第1部件的上方的第2部件”及“第1部件的下方的第2部件”的情况下,第2部件既可以与第1部件相接,也可以从第1部件离开。
33.以下,在本实施方式中,主要对显示装置1是采用作为自发光元件的微型发光二极管(以下称作微型led(light emitting diode))的微型led显示装置的情况进行说明。
34.如图1所示,显示装置1具备显示面板2、第1电路基板3及第2电路基板4等。
35.显示面板2在一例中具有矩形的形状。在图示的例子中,显示面板2的短边ex与第1方向x平行,显示面板2的长边ey与第2方向y平行。第3方向z相当于显示面板2的厚度方向。显示面板2的主面与由第1方向x和第2方向y规定的x-y平面平行。显示面板2具有显示区域da及显示区域da以外的非显示区域nda。在图示的例子中,非显示区域nda是显示区域da的外侧的区域,将显示区域da包围。非显示区域nda具有端子区域mt。
36.显示区域da是显示图像的区域,在显示区域da中例如在第1方向x及第2方向y上以矩阵状配置有多个像素px。在本实施方式中,显示区域da的形状是四边形,但并不限于此,也可以是四边形以外的多边形、圆形等。此外,显示区域da的尺寸比非显示区域nda的尺寸大,但并不限于此,显示区域da的尺寸也可以比非显示区域nda的尺寸小。
37.端子区域mt沿着显示面板2的短边ex设置,包含用来将显示面板2与外部装置等电连接的端子。
38.第1电路基板3安装在端子区域mt之上,与显示面板2电连接。第1电路基板3例如是柔性印刷电路基板(fpc:flexible printed circuit)。第1电路基板3具备将显示面板2驱动的驱动ic芯片(以下表述为面板驱动器)5等。另外,在图示的例子中,面板驱动器5安装在第1电路基板3之上,但也可以安装在第1电路基板3之下。或者,面板驱动器5也可以安装在第1电路基板3以外,例如也可以安装在显示面板2或第2电路基板4。第2电路基板4例如是印刷电路基板(pcb:printed circuit board)。第2电路基板4在第1电路基板3的例如下方与第1电路基板3连接。
39.上述的面板驱动器5例如经由第2电路基板4而与控制基板(未图示)连接。面板驱动器5例如基于从控制基板输出的影像信号将多个像素px驱动,从而执行在显示面板2上显示图像的控制。
40.另外,显示面板2也可以具有附加斜线而表示的弯折区域ba。弯折区域ba是当显示装置1被收容在壳体中时被弯折的区域。弯折区域ba位于非显示区域nda中的端子区域mt侧。在弯折区域ba弯折的状态下,第1电路基板3及第2电路基板4以与显示面板2对置的方式被配置在显示面板2的下方。
41.图2是表示显示装置1的电路图。图3是表示本实施方式的副像素sp的等价电路图。另外,在图2中没有图示各种布线的全部。
42.如图2及图3所示,显示面板2具备具有透光性的绝缘基材(绝缘基板)20、在显示区域da中以矩阵状排列在绝缘基材20之上的多个像素px、以及各种布线、扫描线驱动电路ydr1、ydr2及信号线驱动电路xdr。
43.各种布线具有多条第1扫描线sga、多条第2扫描线sgb、多条第3扫描线sgc、多条第
4扫描线sgd、多条影像信号线vl、多条第1电源线sla、多条复位布线sgr和多条初始化布线sgi。
44.在本实施方式中,第1扫描线sga、第3扫描线sgc及第4扫描线sgd与扫描线驱动电路ydr1连接,在第1方向x上延伸设置。第2扫描线sgb与扫描线驱动电路ydr2连接,在第1方向x上延伸设置。影像信号线vl与信号线驱动电路xdr连接,在第2方向y上延伸设置。第1电源线sla、复位布线sgr及初始化布线sgi在第2方向y上延伸设置。
45.例如,多个第1电源线sla位于显示区域da,在第1方向x上隔开间隔排列。显示面板2不仅具有第1电源线sla,还具有被设定为与第1电源线sla不同的电位的第2电源线slb。在本实施方式中,第1电源线sla是被固定为高电位pvdd的高电位电源线,第2电源线slb是被固定为低电位pvss的低电位电源线。第1电源线sla与高电位电源连接,第2电源线slb与低电位电源连接。
46.扫描线驱动电路ydr1构成为,将第1扫描线sga、第3扫描线sgc及第4扫描线sgd驱动。扫描线驱动电路ydr2构成为,将第2扫描线sgb驱动。信号线驱动电路xdr构成为,将影像信号线vl驱动。扫描线驱动电路ydr1、ydr2及信号线驱动电路xdr在非显示区域nda中形成在绝缘基材20之上,与面板驱动器5一起构成驱动部7。
47.各个像素px具有多个副像素sp。各个副像素sp包含发光元件10和向发光元件10提供驱动电流的像素电路。发光元件10例如是自发光元件,在本实施方式中是微型发光二极管(以下称作微型led(light emitting diode))。本实施方式的显示装置1是微型led显示装置。
48.各副像素sp的像素电路是根据由电压信号构成的影像信号vsig对发光元件10的发光进行控制的电压信号方式的像素电路,具有复位开关rst、像素开关sst、初始化开关ist、输出开关bct、驱动晶体管drt、保持电容cs及辅助电容cad。保持电容cs及辅助电容cad是电容器。辅助电容cad是为了调整发光电流量而设置的元件,根据情况也有时不需要。
49.复位开关rst、像素开关sst、初始化开关ist、输出开关bct及驱动晶体管drt由tft(薄膜晶体管)构成。在本实施方式中,复位开关rst、像素开关sst、初始化开关ist、输出开关bct及驱动晶体管drt由相同导电型例如n沟道型的tft构成。另外,也可以是,复位开关rst、像素开关sst、初始化开关ist、输出开关bct及驱动晶体管drt的一个以上由p沟道型的tft构成。该情况下,也可以将n沟道型的tft和p沟道型的tft同时形成。复位开关rst、像素开关sst、初始化开关ist及输出开关bct作为开关发挥功能即可,也可以不由tft构成。
50.在本实施方式的显示装置1中,分别构成了驱动晶体管drt及各开关的tft全部通过同一工序以同一层构造形成,是对半导体层采用多晶硅的顶栅构造的薄膜晶体管。另外,半导体层也可以利用非晶硅、氧化物半导体等多晶硅以外的半导体。
51.复位开关rst、像素开关sst、初始化开关ist、输出开关bct及驱动晶体管drt分别具有第1端子、第2端子及控制端子。在本实施方式中,设第1端子为源极电极,设第2端子为漏极电极,设控制端子为栅极电极。
52.在像素px的像素电路中,驱动晶体管drt及输出开关bct在第1电源线sla与第2电源线slb之间与发光元件10串联地连接。第1电源线sla(高电位pvdd)被设定为例如10v的电位,第2电源线slb(低电位pvss)被设定为例如1.5v的电位。
53.在输出开关bct中,漏极电极与第1电源线sla连接,源极电极与驱动晶体管drt的
漏极电极连接,栅极电极与第2扫描线sgb连接。由此,通过施加于第2扫描线sgb的控制信号bg对输出开关bct的通(导通状态)断(非导通状态)进行控制。输出开关bct响应于控制信号bg而对发光元件10的发光时间进行控制。
54.在驱动晶体管drt中,漏极电极与输出开关bct的源极电极连接,源极电极与发光元件10的一个电极(这里是阳极)连接。发光元件10的另一个电极(这里是阴极)与第2电源线slb连接。驱动晶体管drt将与影像信号vsig对应的电流量的驱动电流向发光元件10输出。
55.在像素开关sst中,源极电极与影像信号线vl连接,漏极电极与驱动晶体管drt的栅极电极连接,栅极电极与作为信号写入控制用栅极布线发挥功能的第3扫描线sgc连接。像素开关sst被从第3扫描线sgc供给的控制信号sg进行通断控制。并且,像素开关sst响应于控制信号sg而对像素电路与影像信号线vl的连接、非连接进行控制,从影像信号线vl将影像信号vsig取入到像素电路中。
56.在初始化开关ist中,源极电极与初始化布线sgi连接,漏极电极与驱动晶体管drt的栅极电极连接,栅极电极与第1扫描线sga连接。初始化开关ist被从第1扫描线sga供给的控制信号ig进行通断控制。并且,初始化开关ist响应于控制信号ig而对像素电路与初始化布线sgi的连接、非连接进行控制。通过将像素电路和初始化布线sgi用初始化开关ist连接,能够从初始化布线sgi将初始化电位(初始化电压)vini取入到像素电路中。
57.复位开关rst连接在驱动晶体管drt的源极电极与复位布线sgr之间。复位开关rst的栅极电极与作为复位控制用栅极布线发挥功能的第4扫描线sgd连接。如上述那样,复位布线sgr与复位电源连接,被固定为作为定电位的复位电位vrst。复位开关rst根据经由第4扫描线sgd提供的控制信号rg,被切换为导通状态(通)或非导通状态(断)。通过将复位开关rst切换为通状态,能够将驱动晶体管drt的源极电极的电位复位为复位电位vrst。
58.保持电容cs连接在驱动晶体管drt的栅极电极与源极电极之间。辅助电容cad连接在驱动晶体管drt的源极电极与作为定电位的布线的第1电源线sla之间。
59.另一方面,图2所示的面板驱动器5对扫描线驱动电路ydr1、ydr2及信号线驱动电路xdr进行控制。面板驱动器5接受从外部提供的数字影像信号及同步信号,基于同步信号产生对垂直扫描定时进行控制的垂直扫描控制信号以及对水平扫描定时进行控制的水平扫描控制信号。
60.接着,面板驱动器5将这些垂直扫描控制信号及水平扫描控制信号分别向扫描线驱动电路ydr1、ydr2及信号线驱动电路xdr提供,并且与水平及垂直扫描定时同步地将数字影像信号及初始化信号向信号线驱动电路xdr提供。
61.信号线驱动电路xdr将通过水平扫描控制信号的控制而在各水平扫描期间中依次得到的影像信号变换为模拟形式,将与灰度等级对应的影像信号vsig向多个影像信号线vl提供。面板驱动器5将第1电源线sla固定为高电位pvdd,将复位布线sgr固定为复位电位vrst,将初始化布线sgi固定为初始化电位vini。另外,第1电源线sla的电位、复位布线sgr的电位及初始化布线sgi的电位也可以经由信号线驱动电路xdr来设定。
62.对于扫描线驱动电路ydr1、ydr2,从面板驱动器5提供起动脉冲信号stv、时钟信号ckv等。
63.扫描线驱动电路ydr1、ydr2包括未图示的移位寄存器、输出缓存等,将起动脉冲信
号stv依次向下级移位寄存器传送,经由输出缓存向各行的副像素sp提供4种控制信号,即控制信号ig、bg、sg、rg。由此,第1扫描线sga、第2扫描线sgb、第3扫描线sgc及第4扫描线sgd分别被控制信号ig、bg、sg、rg驱动。
64.另外,在图3中说明的副像素sp的电路结构是一例,只要至少包括驱动晶体管drt及发光元件10,则副像素sp的电路结构也可以是其他结构。例如也可以将在图3中说明的副像素sp的电路结构中的一部分元件省略,也可以追加其他元件。
65.接着,参照图4对驱动晶体管drt、像素电极pe、发光元件10、共通电极ce等的构造进行说明。图4是表示图1所示的显示面板2的局部剖视图。另外,在图4中,将显示面板2以显示面即光射出面朝向上方、背面朝向下方的方式描绘。
66.如图4所示,显示面板2具备绝缘基材20、设在绝缘基材20之上的绝缘层21、22、23、24、25、26、以及多个像素px。多个像素px设在绝缘基材20之上,位于显示区域da,包含多色的副像素sp。
67.作为绝缘基材20,主要能够使用石英、无碱玻璃等玻璃基板、或者聚酰亚胺等树脂基板。绝缘基材20的材质是能承受制造tft时的处理温度的材质即可。在绝缘基材20是具有挠性的树脂基板的情况下,能够将显示装置1构成为片状显示器。作为树脂基板,并不限于聚酰亚胺,也可以使用其他树脂材料。另外,在对绝缘基材20采用聚酰亚胺等的情况下,有时将绝缘基材20称作有机绝缘层或树脂层更为恰当。
68.绝缘层21设在绝缘基材20之上。在绝缘层21之上形成有各种tft。在显示区域da中,在绝缘层21之上形成有驱动晶体管drt等。驱动晶体管drt等tft具备半导体层sc、栅极电极ge、第1电极e1和第2电极e2。
69.半导体层sc配置在绝缘层21之上。绝缘层22设在绝缘层21及半导体层sc之上。栅极电极ge配置在绝缘层22之上,与半导体层sc的沟道区域对置。绝缘层23设在绝缘层22及栅极电极ge之上。第1电极e1及第2电极e2配置在绝缘层23之上。第1电极e1及第2电极e2分别穿过形成在绝缘层22及绝缘层23中的接触孔而与对应的半导体层sc电连接。在本实施方式中,在绝缘层23之上还设有第1电源线sla。
70.绝缘层24设在绝缘层23、第1电极e1、第2电极e2及第1电源线sla之上。绝缘层24将多个驱动晶体管drt等多个tft覆盖。在绝缘层24中形成有多个接触孔h1、h2。接触孔h1使第1电极e1的上表面露出。接触孔h2使第1电源线sla的上表面露出。
71.在绝缘层24之上设有导电层cl1。导电层cl1穿过接触孔h2而与第1电源线sla相接,与第1电源线sla电连接。另外,导电层cl1具有将接触孔h1包围的开口。
72.绝缘层25设在绝缘层24及导电层cl1之上。绝缘层25具有被接触孔h1包围的接触孔h3,接触孔h3与接触孔h1一起使第1电极e1的上表面露出。导电层cl2配置在绝缘层25之上。导电层cl2穿过形成在绝缘层25中的接触孔h3而与第1电极e1相接,与第1电极e1电连接。
73.绝缘层26设在绝缘层25及导电层cl2之上。在绝缘层26中形成有接触孔h4,接触孔h4使导电层cl2的上表面露出。
74.像素电极pe配置在绝缘层26之上。像素电极pe穿过形成在绝缘层26中的接触孔h4而与导电层cl2相接,与导电层cl2电连接。像素电极pe经由导电层cl2而与驱动晶体管drt的第1电极e1电连接。像素电极pe被从驱动晶体管drt提供被控制了电流值的信号。
75.在本实施方式中,显示面板2具有接触电极con、连接层la1及连接层la2。接触电极con设在绝缘层26之上,与像素电极pe隔开了绝缘距离。连接层la1配置在像素电极pe之上。在平面视图中,连接层la1不与接触孔h4重叠。连接层la2配置在接触电极con之上。
76.这里,绝缘层21、22、23、24、25、26由无机绝缘材料或有机绝缘材料形成。在本实施方式中,绝缘层21、22、23、25作为无机绝缘材料而例如由硅氧化物(sio2)或硅氮化物(sin)形成。
77.绝缘层24、26作为有机绝缘材料而由感光性丙烯酸树脂等树脂材料形成。绝缘层24、26分别在与发光元件10对置的一侧具有平坦面,作为平坦化层发挥功能。在本实施方式中,设在绝缘基材20的上方的绝缘层24作为第1有机绝缘层发挥功能,设在绝缘层24的上方的绝缘层26作为第2有机绝缘层发挥功能。
78.半导体层sc作为多晶硅而由低温多晶硅形成。但是,半导体层sc也可以由非晶硅、氧化物半导体等多晶硅以外的半导体形成。栅极电极ge作为导电材料而由金属形成。例如,栅极电极ge由mow(钼钨)形成。
79.第1电极e1、第2电极e2及第1电源线sla位于同层,作为同一导电材料而由金属形成。例如,第1电极e1、第2电极e2及第1电源线sla分别采用三层层叠构造(ti类/al类/ti类),具有由ti(钛)、含有ti的合金等以ti为主成分的金属材料构成的下层,由al(铝)、含有al的合金等以al为主成分的金属材料构成的中间层、以及由ti、含有ti的合金等以ti为主成分的金属材料构成的上层。
80.驱动晶体管drt等开关设在绝缘基材20的上方,被绝缘层24覆盖。这里以顶栅型的tft为例进行说明,但tft也可以是底栅型的tft。
81.导电层cl1由铟锡氧化物(ito)或铟锌氧化物(izo)等透明导电材料形成。
82.导电层cl2、像素电极pe及接触电极con作为导电材料而由金属形成。例如,导电层cl2、像素电极pe及接触电极con具有二层层叠构造,具有由ti、含有ti的合金等以ti为主成分的金属材料构成的下层、以及由al、含有al的合金等以al为主成分的金属材料构成的上层。在导电层cl2、像素电极pe及接触电极con中,由al或al合金形成的上层是最上层。例如,接触电极con的最上层位于与共通电极ce对置的一侧。连接层la1与像素电极pe的最上层相接,连接层la2与接触电极con的最上层相接。像素电极pe及接触电极con位于同层,优选作为同一导电材料而由金属形成。
83.另外,导电层cl2、像素电极pe及接触电极con只要分别具有单一的导电层、三层层叠构造或二层层叠构造即可。
84.在三层层叠构造中,导电层cl2、像素电极pe及接触电极con并不限于ti类/al类/ti类,也可以是mo类/al类/mo类。在mo类/al类/mo类中,例如,像素电极pe具有由mo(钼)、含有mo的合金等以mo为主成分的金属材料构成的下层、由al、含有al的合金等以al为主成分的金属材料构成的中间层、以及由mo、含有mo的合金等以mo为主成分的金属材料构成的上层。
85.在二层层叠构造中,例如,像素电极pe可以具有由mo、含有mo的合金等以mo为主成分的金属材料构成的下层、以及由al、含有al的合金等以al为主成分的金属材料构成的上层。另外,导电层cl2及像素电极pe也可以由透明导电材料形成。
86.连接层la1、la2由焊料形成。
87.在显示区域da中,在像素电极pe的上方安装有发光元件10。详细地讲,发光元件10安装在连接层la1之上。发光元件10具有作为第1极性电极的阳极an、作为第2极性电极的阴极ca、以及放出光的发光层li。作为发光元件10,分别准备了具有第1色、第2色及第3色的发光色的元件。在本实施方式中,第1色是红色(r),第2色是绿色(g),第3色是蓝色(b)。
88.在各个发光元件10中,阳极an位于与多个像素电极pe中的对应的一个像素电极pe对置的一侧的面,与像素电极pe电连接。在本实施方式中,阳极an位于连接层la1之上,与连接层la1相接。在各个发光元件10中,阴极ca位于与阳极an所在的面相反侧的面。在各个发光元件10中,发光层li位于阳极an与阴极ca之间。
89.在绝缘层26、像素电极pe、接触电极con、连接层la1、连接层la2及发光元件10之上设有树脂层31。树脂层31填充在多个发光元件10之间的空隙部。树脂层31在与绝缘层26对置的一侧的相反侧具有平坦面。因此,树脂层31是平坦化层。树脂层31使发光元件10中的阴极ca的表面露出。
90.由此,将多个像素电极pe及多个接触电极con设在绝缘层26与树脂层31之间。
91.另外,树脂层31也可以具有不达到发光元件10的阴极ca那样的厚度。虽然在形成共通电极ce的表面残留有与发光元件10的安装相伴随的凹凸的一部分,但只要形成共通电极ce的材料能够不间断地连续覆盖即可。
92.共通电极ce至少位于显示区域da,配置在树脂层31及多个发光元件10之上,将多个发光元件10覆盖。共通电极ce与多个阴极ca接触,与多个阴极ca电连接。共通电极ce由多个副像素sp共用。
93.共通电极ce为了将来自发光元件10的射出光取出而需要形成为透明电极,作为透明的导电材料,例如使用ito形成。
94.共通电极ce穿过形成在树脂层31中的多个接触孔h5而与多个像素px的接触电极con电连接。在本实施方式中,共通电极ce穿过多个接触孔h5而与多个像素px的连接层la2相接。由于共通电极ce不是与接触电极con而是与连接层la2相接,所以能够在共通电极ce与连接层la2之间形成欧姆接触。
95.如上述那样,显示面板2具有从绝缘基材20到共通电极ce的构造。本实施方式的采用发光元件10作为显示元件的显示装置1例如如以上那样构成。另外,根据需要,也可以在共通电极ce之上设置玻璃罩等罩部件、偏光板等光学层、触摸面板基板等。
96.图5是表示图4的显示面板2的一部分的局部剖视图。
97.如图5所示,导电层cl2、像素电极pe及接触电极con具有二层层叠构造。导电层cl2、像素电极pe及接触电极con具有由ti或ti合金形成的下层ll和由al或al合金形成的上层ul。
98.图6是表示显示面板2的平面图,是表示第2电源线slb、多个接触电极con及多个布线wla的图。
99.如图6所示,第2电源线slb位于非显示区域nda。第2电源线slb形成为π字状。第2电源线slb设在非显示区域nda中的上边、左边及右边,但不设在信号线驱动电路xdr所在的下边。另外,第2电源线slb设在绝缘层23与绝缘层24之间(图4)。第2电源线slb设在与第1电源线sla相同的层,由与第1电源线sla相同的金属形成。
100.另外,第2电源线slb也可以由与栅极电极ge、导电层cl2或接触电极con相同的金
属形成。
101.此外,上述的共通电极ce也可以在非显示区域nda中还与第2电源线slb接触。该情况下,第2电源线slb优选的是由与第1电源线sla相同的金属形成。由此,能够将第2电源线slb的布线电阻抑制得较低,能够在共通电极ce与第2电源线slb之间形成欧姆接触。
102.多个布线wla分别位于显示区域da及非显示区域nda。多个布线wla在非显示区域nda中与第2电源线slb电连接。多个布线wla分别在第2方向y上延伸,在第1方向x上隔开间隔排列,与在第2方向y上排列的多个像素px的接触电极con电连接。由此,各个发光元件10电连接在多个第1电源线sla中的对应的一个第1电源线sla与第2电源线slb之间。在本实施方式中,布线wla作为第1布线发挥功能。
103.另外,多个布线wla也可以分别在第1方向x上延伸,在第2方向y上隔开间隔排列,与在第1方向x上排列的多个像素px的接触电极con电连接。
104.图7是表示显示面板2的一像素px的平面图,是表示上述像素px的多个导电层cl2的图。
105.如图7所示,各个像素px具有多个副像素sp。在本实施方式中,像素px具有第1色的副像素spa、第2色的副像素spb及第3色的副像素spc这3色的副像素sp。副像素spa具有导电层cl2a,副像素spb具有导电层cl2b,副像素spc具有导电层cl2c。
106.导电层cl2a、cl2b、cl2c设在同一层。导电层cl2a及导电层cl2c在第1方向x上相互相邻。导电层cl2a及导电层cl2c在第2方向y上与导电层cl2b相邻。像素px的3个接触孔h3在第1方向x上排列。
107.图8是表示显示面板2的一像素px的另一平面图,是表示上述像素px的多个像素电极pe、多个连接层la1、多个发光元件10、接触电极con、连接层la2及布线wla的图。
108.如图8所示,副像素spa具有像素电极pea、连接层la1a及发光元件10a。副像素spb具有像素电极peb、连接层la1b及发光元件10b。副像素spc具有像素电极pec、连接层la1c及发光元件10c。
109.像素px具有多个像素电极pea、peb、pec、多个连接层la1a、la1b、la1c、接触电极con、以及多个发光元件10a、10b、10c。
110.多个像素电极pea、peb、pec、接触电极con和布线wla设在绝缘层26与树脂层31之间,换言之设在同一层,由同一金属形成。布线wla与在第2方向y上排列的多个接触电极con电连接。在本实施方式中,布线wla与在第2方向y上排列的多个接触电极con一体地形成。
111.像素电极pea及像素电极pec在第1方向x上相互相邻。像素电极peb及接触电极con在第1方向x上相互相邻。像素电极peb在第2方向y上与像素电极pea及像素电极pec相邻。接触电极con在第2方向y上与像素电极pec相邻。
112.发光元件10a在第1方向x上与发光元件10c相邻,在第2方向y上与发光元件10b相邻。在平面视图中,发光元件10a、10b、10c的尺寸相同。
113.根据如上述那样构成的第1实施方式的显示装置1,显示装置1具备多个像素px、绝缘基材20、绝缘层24、绝缘层26、树脂层31、共通电极ce和多个布线wla。各个像素px具有多个像素电极pe、接触电极con和多个发光元件10。绝缘层24设在绝缘基材20的上方。绝缘层26设在绝缘层24的上方。树脂层31设在绝缘层26之上。共通电极ce配置在树脂层31之上,由透明的导电材料形成。
114.为了实现显示图像的高亮度化,需要增大在阳极an与阴极ca之间流动的电流。因此,希望减小发光元件10与第2电源线slb之间的布线电阻。
115.因此,多个像素电极pe以及接触电极con设在绝缘层26与树脂层31之间。各个发光元件10具有:阳极an,位于与多个像素电极pe中的对应的一个像素电极pe对置的一侧的面,与像素电极pe电连接;阴极ca,位于阳极an所在的面的相反侧的面;以及发光层li,位于阳极an与阴极ca之间。树脂层31填充在多个发光元件10之间的空隙部,使各个发光元件10的阴极ca露出。
116.共通电极ce与多个发光元件10的阴极ca电连接,穿过形成在树脂层31中的多个接触孔h5而与多个像素px的接触电极con电连接。多个布线wla分别设在绝缘层26与树脂层31之间,与多个像素px的接触电极con电连接,由金属形成。
117.共通电极ce按每一个像素px而与接触电极con电连接。接触电极con与由金属形成的布线wla电连接。因此,与共通电极ce在非显示区域nda中接触于第2电源线slb的情况相比,能够减小发光元件10与第2电源线slb之间的布线电阻。由此,能够得到能够高亮度化的显示装置1。或者,能够得到能够低耗电化的显示装置1。或者,能够得到能够高亮度化及低耗电化的显示装置1。
118.(第1实施方式的变形例1)
119.接着,对上述第1实施方式的变形例1的显示装置1进行说明。这里,对显示装置1的结构中的与上述第1实施方式的显示装置1的结构不同的点进行说明。图9是表示本变形例1的显示面板2的平面图,是表示第2电源线slb及多个布线wla、wlb的图。
120.如图9所示,显示面板2还具备多个布线wlb。在本变形例1中,布线wlb作为第2布线发挥功能。多个布线wlb分别位于显示区域da及非显示区域nda。多个布线wlb分别在第1方向x上延伸,在第2方向y上隔开间隔排列,与多个布线wla交叉。多个布线wlb分别与在第1方向x上排列的多个像素px的接触电极con电连接。多个布线wlb在非显示区域nda中与第2电源线slb电连接。
121.多个布线wlb由金属形成。在本变形例1中,多个布线wlb分别设在绝缘层26与树脂层31之间。多个布线wla、多个布线wlb及多个接触电极con设在同一层,由同一金属一体地形成。
122.图10是表示本变形例1的显示装置1的一像素px的另一平面图,是表示像素px的多个像素电极pe、多个连接层la1、多个发光元件10、接触电极con、连接层la2及多个布线wla、wlb的图。
123.如图10所示,在平面视图中,接触电极con的尺寸及像素电极pe的尺寸是最低限度的尺寸。连接层la2不仅与接触电极con重叠,也与布线wla重叠。发光元件10a及发光元件10c在第1方向x上相互相邻。发光元件10b在第2方向y上与发光元件10a及发光元件10c相邻。在平面视图中,发光元件10a、10b、10c的尺寸相同。
124.在本变形例1中,也能够得到与上述第1实施方式同样的效果。共通电极ce不仅经由布线wla也经由布线wlb而与第2电源线slb电连接。因此,能够将发光元件10与第2电源线slb之间的布线电阻进一步减小。
125.(第1实施方式的变形例2)
126.接着,对上述第1实施方式的变形例2的显示装置1进行说明。这里,对显示装置1的
结构中的与上述第1实施方式的显示装置1的结构不同的点进行说明。图11是表示本变形例2的显示装置1的一像素px的另一平面图,是表示像素px的多个像素电极pe、多个连接层la1、多个发光元件10、接触电极con、连接层la2及多个布线wla、wlb的图。
127.如图11所示,显示面板2还具备多个布线wlb。在平面视图中,发光元件10b的尺寸比发光元件10a的尺寸小,比发光元件10c的尺寸小。随着发光元件10b的尺寸,在平面视图中,连接层la1b的尺寸比连接层la1a、la1c各自的尺寸小。此外,在平面视图中,像素电极peb的尺寸比像素电极pea、pec各自的尺寸小。
128.接触电极con的尺寸与上述第1实施方式相同,连接层la2仅与接触电极con重叠。
129.在本变形例2中,也能够得到与上述第1实施方式同样的效果。
130.(第2实施方式)
131.接着,对第2实施方式的显示装置1进行说明。这里,对显示装置1的结构中的与上述第1实施方式的显示装置1的结构不同的点进行说明。图12是表示本第2实施方式的显示装置1的显示面板2的局部剖视图。
132.如图12所示,显示面板2还具备导电层cl3。导电层cl3位于绝缘层24与绝缘层26之间。在本实施方式中,导电层cl3设在绝缘层25之上,被绝缘层26覆盖。导电层cl3由金属形成。在本实施方式中,导电层cl3由与导电层cl2相同的金属形成。
133.在绝缘层26,形成有使导电层cl3露出的接触孔h6。接触电极con穿过接触孔h6而与导电层cl3相接,与导电层cl3电连接。
134.布线wla、wlb与上述第1实施方式不同,不位于绝缘层26与树脂层31之间。在本实施方式中,布线wla、wlb位于绝缘层24与绝缘层26之间。布线wla、wlb与导电层cl3设在相同的层中,由相同的金属形成。
135.图13是表示本第2实施方式的显示面板2的平面图,是表示第2电源线slb、多个导电层cl3及多个布线wla、wlb的图。
136.如图13所示,多个布线wla、wlb与多个导电层cl3由相同的金属一体地形成。多个布线wla、wlb在显示区域da中形成为格状,在非显示区域nda中与第2电源线slb电连接。
137.图14是表示本第2实施方式的显示面板2的一像素px的平面图,是表示像素px的多个导电层cl2、多个布线wla、wlb及导电层cl3的图。
138.如图14所示,导电层cl2a、cl2b、cl2c、导电层cl3及布线wla、wlb设在相同的层中。导电层cl3在第1方向x上与导电层cl2b相邻,在第2方向y上与导电层cl2c相邻。导电层cl3与布线wla、wlb一体地形成。
139.图15是表示本第2实施方式的显示面板2的一像素px的另一平面图,是表示像素px的多个像素电极pe、多个连接层la1、多个发光元件10、接触电极con及连接层la2的图。
140.如图15所示,接触电极con在第1方向x上与像素电极peb相邻,在第2方向y上与像素电极pec相邻。在平面视图中,接触孔h6与接触电极con重叠,从连接层la2偏离。
141.根据如上述那样构成的第2实施方式的显示装置1,布线wla、wlb可以设在绝缘层24与绝缘层26之间。在本第2实施方式中,也能够得到与上述第1实施方式同样的效果。因此,能够得到能够高亮度化的显示装置1。或者,能够得到能够低耗电化的显示装置1。或者,能够得到能够高亮度化及低耗电化的显示装置1。
142.(第3实施方式)
143.接着,对第3实施方式的显示装置1进行说明。这里,对显示装置1的结构中的与上述第2实施方式的显示装置1的结构不同的点进行说明。图16是表示本第3实施方式的显示面板2的一像素px的平面图,是表示像素px的多个导电层cl2、多个布线wla、wlb及导电层cl3的图。
144.如图16所示,在同一像素px中,导电层cl2a及导电层cl2b的组与导电层cl2c及导电层cl3的组可以夹着布线wla。导电层cl3与布线wla、wlb由相同的金属一体地形成。
145.图17是表示本第3实施方式的显示面板2的一像素px的另一平面图,是表示像素px的多个像素电极pe、多个连接层la1、多个发光元件10、接触电极con、连接层la2及多个布线wlc、wld的图。
146.如图17所示,显示面板2除了布线wla、wlb以外,还具备布线wlc、wld。布线wlc、wld设在与像素电极pe及接触电极con相同的层中,由相同的金属形成。布线wlc、wld与接触电极con一体地形成。布线wlc、wld位于显示区域da及非显示区域nda。
147.多个布线wlc分别在第2方向y上延伸,在第1方向x上隔开间隔排列,与在第2方向y上排列的多个像素px的接触电极con电连接。多个布线wld分别在第1方向x上延伸,在第2方向y上隔开间隔排列,与在第1方向x上排列的多个像素px的接触电极con电连接。
148.在非显示区域nda中,布线wlc、wld与第2电源线slb连接。在本实施方式中,布线wlc作为第3布线发挥功能,布线wld作为第4布线发挥功能。连接层la2不仅与接触电极con重叠,也与布线wlc重叠。
149.根据如上述那样构成的第3实施方式的显示装置1,显示面板2可以还具备布线wlc、wld。在本第3实施方式中,也能够得到与上述的实施方式同样的效果。并且,相应于布线wlc、wld的追加,能够进一步减小发光元件10与第2电源线slb之间的布线电阻。因此,能够得到能够高亮度化的显示装置1。或者,能够得到能够低耗电化的显示装置1。或者,能够得到能够高亮度化及低耗电化的显示装置1。
150.(第4实施方式)
151.接着,对第4实施方式的显示装置1进行说明。这里,对显示装置1的结构中的与上述第2实施方式的显示装置1的结构不同的点进行说明。
152.图18是表示本第4实施方式的显示面板2的一像素px的平面图,是表示像素px的多个导电层cl2、布线wlb及导电层cl3的图。如图18所示,上述布线wla也可以不设在与多个导电层cl2、布线wlb及导电层cl3相同的层。布线wla不与导电层cl3及布线wlb一体地形成。本第4实施方式在上述这些点上与上述第2实施方式(图14)不同。
153.图19是表示本第4实施方式的显示面板2的一像素px的另一平面图,是表示像素px的多个像素电极pe、多个连接层la1、多个发光元件10、接触电极con、连接层la2及布线wla的图。如图19所示,布线wla设在与多个像素电极pe及接触电极con相同的层中。布线wla与接触电极con由相同的材料一体地形成。本第4实施方式在上述这些点上与上述第2实施方式(图15)不同。
154.根据如上述那样构成的第4实施方式的显示装置1,可以是,布线wlb位于绝缘层24与绝缘层26之间,布线wla位于绝缘层26与树脂层31之间。在本第4实施方式中,也能够得到与上述第2实施方式同样的效果。
155.另外,布线wla、wlb的位置也可以与上述第4实施方式不同。例如,在第2方向y上延
伸的布线wla也可以位于绝缘层24与绝缘层26之间,与导电层cl3一体地形成。该情况下,在第1方向x上延伸的布线wlb可以位于绝缘层26与树脂层31之间,与接触电极con一体地形成。
156.说明了本发明的几个实施方式,但这些实施方式是作为例子提示的,不是要限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种各样的形态实施,在不脱离发明的主旨的范围内能够进行各种各样的省略、替换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围或主旨中,并且包含在权利要求书所记载的发明和其等价的范围中。
再多了解一些

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