1.本发明涉及一种芯片，具体涉及一种芯片封装结构。
背景技术：
2.随着半导体技术的不断发展，为了满足越来越多的应用需求，电子封装体正朝着小型化、微型化发展，在有限的贴装面积中怎样排布更多的芯片和元器件成为了未来技术的关键点。在5g通讯被快速推广的今天，系统级封装技术可节省开发时间和避免试错成本，因而被广泛地应用于移动终端设备中。然而在现有的基板封装方法中，只能在基板的一面或正反两面贴装芯片和元器件，因此不得不舍去一些功能，该种结构无法满足部分产品的设计需求。
技术实现要素：
3.发明目的：本发明目的在于针对现有技术的不足，提供一种集成度高且工艺流程简化的多层芯片封装结构及其封装工艺。
4.技术方案：本发明所述一种多层芯片封装结构，包括切割成单颗的辅基板、整条主基板、连接件以及塑封层，所述辅基板的正反两面均贴装有芯片及被动元件，所述主基板的正面贴装有芯片及被动元件，所述辅基板通过连接件固定在主基板的正面且塑封层整体覆盖在辅基板和主基板之上。
5.进一步，所述连接件为铜柱，所述铜柱均匀布置在芯片的两侧或周围。
6.进一步，所述辅基板正面、反面以及主基板正面的被动元件包括电容、电阻。
7.进一步，切割成单颗的辅基板的尺寸小于整条主基板切割成单颗后的尺寸。
8.一种多层芯片封装结构的封装工艺，辅基板和主基板分开单独加工后，将切割成单颗的辅基板和整条主基板通过连接件进行组合固定，然后进行一次整体塑封并切割成单颗成品。
9.进一步，辅基板的加工步骤包括：辅基板的正面贴装芯片及被动元件，点胶装片并打线；翻转基板后在辅基板的背面贴装芯片及被动元件，点胶装片并打线；将整条辅基板切割成单颗。
10.进一步，主基板的加工步骤包括：主基板的正面贴装芯片、被动元件及铜柱，然后过回流水洗形成焊接，点胶装片烘烤固化后再打线。
11.进一步，辅基板与主基板进行组合时，在铜柱顶端表面点满导电胶并将切割成单颗的辅基板倒扣贴装在主基板的铜柱上，烘烤固化。
12.有益效果：与现有技术相比，本发明的优点在于：1、在整个封装流程中，辅基板和主基板可同时分别进行芯片及元器件贴装然后通过连接件进行组装，节省加工时间；组装后整体进行一次塑封取代常规两次基板的塑封，节省优化工艺流程；2、主基板正面和辅基板正反面都贴装有元器件，贴装面积大、区域广，更体现高密
度集成度；3、本申请最终得到的产品封装类型属于lga，无需在产品背面加工锡球，避免了bga产品锡球良率损失问题。
附图说明
13.图1是本发明多层芯片封装结构的结构示意图；图2是辅基板的加工流程示意图；图3是主基板的加工流程示意图；图4是辅基板和主基板的组合固定流程示意图。
具体实施方式
14.下面通过附图对本发明技术方案进行详细说明，但是本发明的保护范围不局限于所述实施例。
15.一种多层芯片封装结构，如图1所示，包括切割成单颗的辅基板1、整条主基板2、铜柱3、塑封层4。辅基板1的正反两面均贴装有正装芯片101和被动元件104，被动元件104包括电容、电阻等。其中，正装芯片102通过线弧102与辅基板1互连，且正装芯片102的背面通过装片胶103固定于辅基板1表面。主基板2的正面贴装有倒装芯片201和被动元件，倒装芯片201依靠凸块和主基板2互连。
16.辅基板1通过铜柱3与主基板2进行连接及固定，铜柱3的位置均匀分布在芯片的两边或四边。一层塑封层4整体覆盖在辅基板1和主基板2之上。切割成单颗的辅基板1的尺寸小于整条主基板2切割成单颗后的尺寸，进而在辅基板1和主基板2组合固定后可以进行整体塑封。
17.上述多层芯片封装工艺，包括以下步骤：1、产品分两部分单独分别加工后组合贴装在一起；其中，辅基板1的加工过程如图2所示：辅基板1的正面贴装芯片101、被动元件104，点胶装片并打线；翻转基板后在辅基板1的背面贴装芯片101、被动元件104，点胶装片并打线；整条辅基板1切割成单颗后放入托盘；主基板2的加工过程如图3所示：主基板2的正面贴装被动元件104、倒装芯片201及铜柱3，过回流水洗形成焊接；点胶装片烘烤固化后再打线；2、在铜柱3顶端表面点满导电胶并将切割成单颗的辅基板1倒扣贴装在铜柱3上，烘烤固化；3、单颗辅基板1和整条主基板2固定好后进行一次塑封，然后切割成单颗成品，如图4所示。
18.如上所述，尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本发明，但其不得解释为对本发明自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本发明的精神和范围前提下，可对其在形式上和细节上作出各种变化。
技术特征：
1.一种多层芯片封装结构，其特征在于：包括切割成单颗的辅基板、整条主基板、连接件以及塑封层，所述辅基板的正反两面均贴装有芯片及被动元件，所述主基板的正面贴装有芯片及被动元件，所述辅基板通过连接件固定在主基板的正面且塑封层整体覆盖在辅基板和主基板之上。2.根据权利要求1所述的多层芯片封装结构，其特征在于：所述连接件为铜柱，所述铜柱均匀布置在芯片的两侧或周围。3.根据权利要求1所述的多层芯片封装结构，其特征在于：所述辅基板正面、反面以及主基板正面的被动元件包括电容、电阻。4.根据权利要求1所述的多层芯片封装结构，其特征在于：切割成单颗的辅基板的尺寸小于整条主基板切割成单颗后的尺寸。5.一种多层芯片封装结构的封装工艺，其特征在于：辅基板和主基板分开单独加工后，将切割成单颗的辅基板和整条主基板通过连接件进行组合固定，然后进行一次整体塑封并切割成单颗成品。6.根据权利要求5所述的多层芯片封装结构的封装工艺，其特征在于：辅基板的加工步骤包括：辅基板的正面贴装芯片及被动元件，点胶装片并打线；翻转基板后在辅基板的背面贴装芯片及被动元件，点胶装片并打线；将整条辅基板切割成单颗。7.根据权利要求5所述的多层芯片封装结构的封装工艺，其特征在于：主基板的加工步骤包括：主基板的正面贴装芯片、被动元件及铜柱，然后过回流水洗形成焊接，点胶装片烘烤固化后再打线。8.根据权利要求7所述的多层芯片封装结构的封装工艺，其特征在于：辅基板与主基板进行组合时，在铜柱顶端表面点满导电胶并将切割成单颗的辅基板倒扣贴装在主基板的铜柱上，烘烤固化。
技术总结
本发明提供了一种多层芯片封装结构及其封装工艺，封装结构包括切割成单颗的辅基板、整条主基板、连接件以及塑封层，辅基板的正反两面及主基板的正面贴装有芯片及被动元件，辅基板通过连接件固定在主基板的正面且塑封层整体覆盖在辅基板和主基板之上。辅基板和主基板分开单独加工后，将切割成单颗的辅基板和整条主基板通过连接件进行组合固定，然后进行一次整体塑封并切割成单颗成品。在整个封装流程中，辅基板和主基板可同时分别进行芯片及元器件贴装然后通过连接件进行组装，节省加工时间；组装后整体进行一次塑封取代常规两次基板的塑封，节省优化工艺流程；主基板正面和辅基板正反面都贴装有元器件，贴装面积大、区域广，更体现高密度集成度。更体现高密度集成度。更体现高密度集成度。
技术研发人员：王乾
受保护的技术使用者：江苏芯德半导体科技有限公司
技术研发日：2022.04.15
技术公布日：2022/7/12
再多了解一些
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