保形且平滑的氮化钛层及其形成方法与流程

1.所公开的技术大体上涉及形成氮化钛层，且更特定来说，涉及保形且平滑的氮化钛层。


背景技术：

2.氮化钛(tin)已被广泛用于集成电路(ic)中的各种结构的制造。例如，tin已用于扩散势垒、各种电极及金属化结构。tin在ic制造中的此广泛使用可归因于其结构、热及电性质。随着各种ic结构的尺寸缩小，tin经形成于具有越来越小的尺寸及复杂拓扑的特征上。例如，随着技术节点按比例调整到10nm节点且甚至更小，需要可保形地加衬里于具有小到几纳米的尺寸的高纵横比沟槽及通孔的tin层(例如，作为扩散势垒)。尽管数十年来在ic产业中已使用例如物理气相沉积(pvd)及化学气相沉积(cvd)的技术来形成tin，但对将沉积于较小沟槽或通孔中的tin膜的保形性的经增加需求可最终限制其使用。另一方面，虽然已证实原子层沉积(ald)用于tin膜的保形沉积，但所述膜的一些电性质(例如，导电率)及物理性质(例如，表面粗糙度)相较于使用例如物理气相沉积(pvd)的其它方法形成的tin膜可能较差。因此，需要用于形成用于ic制造中的相对于通过pvd及cvd形成的tin膜具有优越表面平滑度及阶梯覆盖率同时还具有匹配或优越电及物理性质的以tin为主的膜的原子层沉积方法。


技术实现要素：

3.在一个方面中，一种通过周期性气相沉积工艺形成包括氮化钛(tin)的薄膜的方法包括通过使半导体衬底暴露到各自包括到第一ti前体的暴露及到第一n前体的暴露中的一或多个第一周期性气相沉积循环而在所述半导体衬底上形成所述薄膜的第一部分。此外，所述方法包括通过使所述半导体衬底暴露到各自包括到第二ti前体的暴露及到第二n前体的暴露中的一或多个第二周期性气相沉积循环而在所述薄膜的所述第一部分上形成所述薄膜的第二部分。相对于在所述一或多个第一ald循环期间到ti前体及n前体中的一或两者的对应暴露，在所述一或多个第二ald循环期间到所述ti前体及所述n前体中的一或两者的暴露是在较高压力下。
4.在另一方面中，一种通过周期性气相沉积工艺形成包括氮化钛(tin)的薄膜的方法包括提供包括具有超过1的纵横比的沟槽或通孔的半导体衬底。此外，所述方法包括通过使所述半导体衬底暴露到各自包括到第一ti前体的暴露及到第一n前体的暴露中的一或多个第一周期性气相沉积循环以在所述沟槽或所述通孔中形成所述薄膜的第一部分而在所述沟槽或所述通孔中形成所述薄膜。此外，所述方法包括使所述半导体衬底暴露到各自包括到第二ti前体的暴露及到第二n前体的暴露中的一或多个第二周期性气相沉积循环以在所述薄膜的所述第一部分上形成所述薄膜的第二部分。相对于在所述一或多个第二周期性气相沉积循环期间到所述第二ti前体及所述第二n前体中的一或两者的对应暴露，在所述一或多个第一周期性气相沉积循环期间到所述第一ti前体及所述第一n前体中的一或两者
的暴露是在不同压力下。
5.在另一方面中，一种半导体结构包括半导体衬底，所述半导体衬底包括在具有超过5的纵横比的沟槽或通孔中的非金属侧壁表面。此外，所述半导体结构包括保形地涂覆所述非金属侧壁表面的包括tin的薄膜，其中形成于所述沟槽或所述通孔的高度的下25％与所述沟槽或所述通孔的所述高度的上25％上的所述薄膜的厚度的比率超过0.9。
附图说明
6.图1a到1d示意性地说明在不同生长模式下的薄膜的成核及生长机制。
7.图2是通过热原子层沉积生长于经氧化物涂覆的硅衬底上的tin层的横截面透射电子显微照片。
8.图3a是示意性地说明根据实施例的通过使衬底暴露到具有不同对应前体暴露压力的多个循环来形成tin层的原子层沉积方法的流程图。
9.图3b示意性地说明根据实施例的包括通过其中使衬底暴露到具有不同对应前体暴露压力的多个循环的原子层沉积方法形成的tin层的半导体结构的横截面视图。
10.图4示意性地说明根据实施例的其中使衬底暴露到具有不同对应前体暴露压力的多个循环的原子层沉积方法的不同循环的压力迹线。
11.图5示意性地说明用在通孔的不同部分处具有不同厚度的tin层加衬里的所述通孔的横截面视图。
12.图6是展示根据实施例的通过其中使衬底暴露到具有不同对应前体暴露压力的多个循环的原子层沉积方法形成的tin层的依据厚度而变化的实验测量的表面粗糙度及阶梯覆盖率趋势的图表。
13.图7a是用通过其中使衬底暴露到在相同前体暴露压力下执行的ald循环的原子层沉积方法形成的tin层加衬里的高纵横比通孔的横截面透射电子显微照片。
14.图7b是图7a中所展示的高纵横比通孔的上区域的横截面透射电子显微照片。
15.图7c是图7a中所展示的高纵横比通孔的下区域的横截面透射电子显微照片。
16.图8a是根据实施例的通过其中使衬底暴露到具有不同对应前体暴露压力的多个循环的原子层沉积方法在类似于图7a中所展示的高纵横比通孔的高纵横比通孔的上区域处形成的tin层的横截面透射电子显微照片。
17.图8b是形成在图8a中所展示的高纵横比通孔沟槽的下区域处的tin层的横截面透射电子显微照片。
18.图9是展示根据实施例的在单个暴露压力下通过原子层沉积形成的tin层与在多个暴露压力下通过原子层沉积形成的tin层之间的经测量阶梯覆盖率的统计比较的图表。
19.图10示意性地说明根据实施例的用通过其中使衬底暴露到具有不同对应前体暴露压力的多个循环的原子层沉积方法形成的tin层加衬里的通孔的横截面视图。
具体实施方式
20.如上文所描述，集成电路(ic)产业中需要具有优越电及物理性质的平滑且保形tin膜，以及形成此类膜的方法。为解决这些及其它需求，本文中公开包括tin的平滑且保形薄膜，及形成所述薄膜的周期性气相沉积方法，此薄膜显示通过周期性气相沉积工艺沉积
的膜的保形性特性，同时还具有优于或匹配通过现存物理气相沉积(pvd)及化学气相沉积(cvd)方法形成的tin膜的电及物理性质的电及物理性质。特定来说，形成包括氮化钛(tin)的薄膜的方法包括通过使半导体衬底暴露到各自包括到第一ti前体的暴露及到第一n前体的暴露中的一或多个第一周期性气相沉积循环而在所述半导体衬底上形成所述薄膜的第一部分。此外，所述方法包括通过使半导体衬底暴露到各自包括到第二ti前体的暴露及到第二n前体的暴露中的一或多个第二周期性气相沉积循环而在所述薄膜的所述第一部分上形成所述薄膜的第二部分。相较于在所述一或多个第一周期性气相沉积循环期间到所述第一ti前体及所述第一n前体中的一或两者的对应暴露，在所述一或多个第二周期性气相沉积循环期间到所述第二ti前体及所述第二n前体中的一或两者的暴露是不同的。本文中所公开的周期性气相沉积工艺有时被称为原子层沉积(ald)。然而，周期性气相沉积工艺并不限于原子层沉积工艺。例如，在本文中所描述的各个实施例中，前体可使反应表面部分或基本上饱和。
21.通过在薄膜的第一部分的沉积期间在相对较低压力(例如，小于3托)下使衬底暴露到ti及/或n前体，初始膜生长可基本上以逐层生长模式继续进行，此有利地导致相对于通过在较高压力(例如，大于3托或5托)下使衬底暴露到ti及/或n前体而沉积的可比较tin膜较低的平均晶粒大小及表面粗糙度。另一方面，通过在薄膜的第二部分的沉积期间在相对较高压力(例如，大于3托)下使衬底暴露到ti及/或n前体，膜生长的后一部分有利地导致相对于通过在相对较低压力(例如，小于3托或小于1托)下使衬底暴露到ti及/或n前体而沉积的可比较tin膜较高的保形度或阶梯覆盖率。
22.另外，相较于以在相对较高压力下暴露到ti及/或n前体开始而生长的可比较薄膜，由于tin膜的第一部分以逐层模式生长，因此薄膜的第二部分可使用第一部分作为模板以逐层模式生长。
23.作为最终结果，当沉积于特定表面(例如，包括非金属表面的表面)上时，包括通过根据本文中所公开的方法在用于ti前体及n前体中的一或两者的两个不同对应暴露压力下沉积而沉积的第一及第二部分的薄膜有利地具有优于使用单个压力形成于相同表面上的薄膜层的表面粗糙度及保形性的组合。替代性地或此外，部分归因于改进的平滑度及保形性，薄膜具有相较于通过一些现存方法形成的tin层相对较低的电阻率。
24.如本文中所描述，除非明确限制，否则由其构成元素所指的不具有其特定化学计量比的化合物应被理解为涵盖每一元素的所有可能非零浓度。例如，氮化钛(tin)应被理解为涵盖可由通式ti
x
n表达的氮化钛的所有可能化学计量及非化学计量组合物，其中x》0，包含tin、ti3n4、ti4n3、ti6n5、ti2n及tin2以及ti及n的其它非化学计量组合物。
25.如上文所描述，氮化钛(tin)在集成电路(ic)制造中发挥重要作用。虽然在ic产业中已使用例如物理气相沉积(pvd)及化学气相沉积(cvd)的技术来沉积tin，但对用于形成具有高保形性而不会显著损害电及物理性质的以tin为主的膜的沉积方法的需求已日益增加。
26.另外，虽然例如等离子体增强型原子层沉积(pe-ald)的等离子体增强型工艺可有效地在具有相对较低纵横比的表面上形成保形膜，但此类工艺可能无法有效地在具有相对较高纵横比的通孔及腔内部沉积膜。在不受理论约束的情况下，针对此的一个可能原因在于，在一些境况下，等离子体或其活性物种可能无法到达高纵横比通孔的较深部分。在这些
境况中，通孔的不同部分可暴露到不同量的等离子体或其活性物种，从而导致非均匀沉积的非所要结构效应，例如相较于较深部分(有时被称为尖化或键孔形成)，在通孔的开口附近沉积较厚膜。由于这些原因，热ald可更为有利，因为热ald不取决于等离子体或其活性物种到达其所沉积的表面的部分的能力。
27.然而，虽然热ald技术可适于在形貌(尤其具有相对较高纵横比(例如，超过1:1)的形貌)上形成相对保形tin膜，但本发明者已认识到，通过热ald形成的tin膜在某些方面(例如，膜粗糙度及电阻率)可不如通过pvd或cvd形成的tin膜。在此方面，本发明者已发现，ald生长的以tin为主的膜的一些电性质及/或物理性质可受生长模式影响。特定来说，本发明者已发现，虽然可期望在ald中以二维逐层生长模式生长以tin为主的膜，但在一些境况下可能不容易实现此逐层生长模式。本发明者已进一步发现，通过ald以逐层生长模式生长以tin为主的膜在ic制造中提出特定挑战，其中在非金属表面(尤其绝缘表面(例如氧化物及氮化物表面)或半导体表面(例如经掺杂及无掺杂硅表面))上形成以tin为主的膜。本发明者已认识到，可以逐层生长模式生长以tin为主的膜的程度可又取决于初始生长模式，所述初始生长模式取决于表面的类型，如本文中参考图1a到1d所描述，而不受任何理论约束。
28.图1a示意性地说明tin层的成核且图1b到1d说明tin层在不同表面上的不同生长模式。参考图1a，一旦前体分子104到达衬底100的表面，其便物理地吸附于所述表面上。一些经吸附分子104可沿着衬底100的表面扩散直到其到达待化学吸附的能量上有利位置。所述表面扩散尤其由衬底温度、衬底材料及经吸附分子的动能来管理。当通过经化学吸附分子形成的核的大小超过通过体积自由能与表面能之间的权衡而确定的特定大小(有时被称为“临界大小”)时，核可变得能量上稳定，且开始在大小上生长。因此，稳定核的如此形成的层108通过并入额外前体分子104而继续生长。后续膜生长可根据在图1b到1d中示意性地说明的不同生长模式分类。
29.图1b示意性地说明导致三维岛状物的层112的形成的三维岛状生长模式(有时被称为volmer
–
weber生长模式)。在不受任何理论约束的情况下，当与三维岛状物相关联的净表面自由能为正时，所述岛状生长模式可占主导地位，从而指示与结合到衬底相比，经沉积原子更牢固地彼此结合。将了解，例如，当tin金属层沉积在一些半导体及/或绝缘材料表面上时，tin层的ald生长的能量学可有利于岛状生长模式。
30.图1c说明导致相对平滑二维层116的形成的逐层生长模式(有时被称为frank-van der merwe生长模式)。在不受任何理论约束的情况下，当与彼此结合相比，经沉积原子更牢固地结合到衬底时，所述逐层生长模式可占主导地位，使得能量上有利于稳定二维层116。当层之间的结合能量从第一单层到tin层的体晶值连续降低时，可维持逐层生长模式。
31.虽然图1b及1c是薄膜的两种不同可能生长模式，但将了解，在一些境况下，在逐层生长模式与三维生长模式中间的生长模式是可能的。图1d说明被称为stranski-krastanov(sk)生长模式的中间生长模式的实例。在不受任何理论约束的情况下，sk生长可发生在以逐层模式开始的薄膜生长中。当逐层生长在形成一或多个单层之后变得不利时，岛状生长模式开始主导优势高于逐层生长模式，从而导致其中在二维初始层上形成三维岛状物的薄膜结构120。sk生长模式可作为应变松弛机制(应变引发的粗糙化)发生。
32.除了沉积物与衬底之间的相互作用之外，其它因素(例如衬底温度、反应器压力及沉积速率)可显著影响成核及早期生长过程，此又影响所得薄膜的最终纳米结构或微结构。
例如，增强表面扩散的沉积条件(例如，相对较高衬底温度、相对较低压力及/或较低沉积速率)可促进以逐层模式生长。因此，如本文中所公开，通过(例如)凭借降低压力及生长速率来增强在tin膜的初始部分的沉积期间的表面扩散，根据实施例的初始膜生长可基本上以逐层生长模式继续进行。
33.据发现，当通过ald在ic制造中所关注的各种表面(例如电介质及半导体表面)上生长tin时，ald生长以三维岛状生长模式或sk生长模式初始化。例如，在一些境况下，在包含经掺杂及无掺杂的si、sio2、si3n4及其它高k或低k材料的衬底表面上的tin的ald生长可以岛状生长模式或sk生长模式继续进行。本发明者已发现，部分归因于岛状生长模式或sk生长模式的初始生长模式，通过ald的tin的后续生长通常导致对于用于高纵横比结构的超薄保形tin的各种应用非所要的膜形态，如图2中所说明。
34.图2是通过热ald生长于用原生氧化物涂覆的si衬底上的tin层的横截面透射电子显微照片。在以三维岛状或sk生长模式生长的初始膜之后，tin的ald生长通常通过具有不同定向的相邻晶体的竞争性生长特性化，在一些境况下，其导致接近于成核层的v形晶粒且最终以较高膜厚度形成柱状形态。如图2中所说明，所得膜形态包含引起显著表面粗糙度的琢面柱顶及相对于晶粒具有较低密度的柱边界。将了解，所述柱边界相对于晶粒本身可具有显著更差的扩散势垒性质，且可用作用于将非所要污染物输送通过tin层的最小电阻的路径。
35.本发明者已发现，当通过在相对较低压力(例如，小于1托)下使衬底暴露到ti及/或n前体而在非金属表面上形成tin层的初始部分时，在tin沉积的初始阶段(例如，成核阶段)中可抑制初始三维或sk生长模式且可促进逐层生长模式。除其它原因外，这可能是因为，经吸附的ti及n前体分子的局部扩散具有更多时间来局部扩散且以相对较低接触角润湿衬底表面(尤其非金属表面)。在相对较低暴露压力下生长的tin层导致均匀地覆盖大面积的所述非金属表面而基本上未形成岛状物的层，使得初始生长阶段更倾向于有利于在衬底表面上的逐层生长模式，在衬底表面上，ald tin通常将有利于如上所述的三维岛状或sk生长模式。因此，通过凭借在相对较低前体暴露压力(例如，小于3托)下使衬底暴露到ti及/或n前体来起始tin的ald，所得初始层可以逐层模式生长(例如，在成核阶段中)。可通过在相对较高前体暴露压力(例如，大于3托)下使衬底暴露到ti及/或n前体而继续进行的后续块体生长阶段可继续以逐层模式进行。通过采用根据实施例的方法，可避免tin的常规ald的一些缺点，尤其在通过ald在一些半导体及/或绝缘材料(尤其包括si、sio2及/或si3n4的无机层)上直接形成tin层时，此通常可与通过如上所述的岛状或sk生长模式接着进行柱状生长特性化的初始生长相关联。
36.图3a是示意性地说明根据实施例的通过使衬底暴露到具有不同对应前体暴露压力的多个循环来形成tin层的原子层沉积方法300的流程图。所得膜可具有在不同对应暴露压力下形成的至少两个区域。图3b示意性地说明根据图3a中所说明的方法的包括通过其中使衬底暴露到具有不同对应前体暴露压力的多个循环的原子层沉积方法形成的tin层的半导体结构350的横截面视图。参考图3a，方法300包含在经配置用于ald(例如，热ald)的反应腔室中提供310包括非金属表面的衬底。此外，方法300包括初始阶段(例如，成核阶段)，所述初始阶段包含通过在第一相应暴露压力下使半导体衬底暴露到各自包括到第一ti前体及第一n前体的的暴露中的一或多个第一ald循环而在衬底上形成320薄膜的第一部分。方
法300进一步包括后期阶段(例如，块体沉积阶段)，包含通过在第二相应暴露下使半导体衬底暴露到各自包括到第二ti前体及第二n前体的暴露中的一或多个第二ald循环而在薄膜的第一部分上形成330薄膜的第二部分。相对于在所述一或多个第一ald循环期间到ti前体及n前体中的一或两者的对应暴露，在所述一或多个第二ald循环期间到ti前体及n前体中的一或两者的暴露是在较高压力下。
37.参考图3b，包括衬底360的半导体薄膜结构350的横截面视图，衬底360又包括非金属表面，例如，电介质及/或半导体表面。包括tin的薄膜的第一部分370经形成于衬底360上，且所述薄膜的第二部分380经形成于第一部分370上。第一部分370及第二部分380是通过图3a中所说明的其中使衬底360暴露到具有不同对应前体暴露压力的第一及第二循环的原子层沉积方法来形成。由于第一部分370可在如上文所论述的初始阶段(例如，成核阶段)中以逐层生长模式生长，因此至少第一部分370或第一部分370及第二部分380两者可基本上无通过v形晶粒的柱状生长及相对较高(例如，厚度的10％)表面粗糙度特性化的具有不同定向的相邻晶体。相对于在成核及块体沉积阶段期间在单个压力下形成的可比较薄膜层，所得tin层具有包含相对较高保形性或阶梯覆盖率、较低表面粗糙度、较小平均晶粒大小、较高导电率及/或势垒特性中的一或多者的优越性质。
38.如在本文中及贯穿说明书所描述，将了解，其上形成根据实施例的tin薄膜的半导体衬底可以各种衬底实施，包含(但不限于)可由以下形成的经掺杂半导体衬底：iv族元素材料(例如，si、ge、c或sn)或由iv族材料形成的合金(例如，sige、sigec、sic、sisn、sisnc、gesn等)；iii-v族化合物半导体材料(例如，gaas、gan、inas等)或由iii-v族材料形成的合金；ii-vi族半导体材料(cdse、cds、znse等)或由ii-vi族材料形成的合金。
39.根据某些实施例，衬底还可实施为绝缘体上半导体，例如绝缘体上硅(soi)衬底。soi衬底通常包含其中上文所描述的各种结构是使用例如埋藏式sio2层的绝缘体层与支撑衬底隔离的硅-绝缘体-硅结构。另外，将了解，本文中所描述的各种结构可至少部分形成于在表面区域处或附近形成的磊晶层中。
40.此外，衬底可包含形成于其上的各种结构，仅举几例，例如，扩散区域、隔离区域、电极、通孔及线，可在其上形成包括根据实施例的tin层的任何结构，包含具有一或多个半导体或电介质表面的拓扑特征(例如通孔、腔、孔或沟槽)。因此，其上形成根据实施例的tin层的非金属表面可包含：半导体表面，例如，经掺杂或无掺杂的si表面；及/或电介质表面，仅举几例，例如，层间电介质(ild)表面、掩模或硬掩模表面或栅极电介质表面，其可包含无机绝缘体、氧化物、氮化物、高k电介质、低k电介质或碳，仅举几例电介质材料。
41.如在本文中及贯穿说明书所描述，反应器腔室是指包含单个晶片处理反应腔室或批次晶片处理反应腔室的适当地经配置用于热原子层沉积(ald)的任何反应腔室。在热ald反应器中，衬底可放置于例如基座或运搬艇(carrier boat)的合适衬底固持器上。衬底可借助于通过经加热基座的传导来直接加热，或通过来自辐射源(例如灯)的辐射或借助于通过经加热腔室壁的对流来间接加热。
42.通常，在ald工艺中，将反应物或前体(例如，氧化及还原反应物)交替地引入到其中安置有衬底的反应腔室中。一或多个反应物或前体的引入又可与用于从反应腔室移除过量反应物或前体的清除或抽出过程交替。可在适当时间段内在条件下将反应物引入到反应腔室中，使得用前体或反应物及/或反应物的反应产物使衬底的表面变得至少部分饱和。接
着可从衬底移除过量或残余前体或反应物，例如通过清除及/或抽出反应腔室。可通过合适真空泵抽过程来执行抽出过程且可通过将非反应性或惰性气体(例如，氮气或稀有气体)引入到反应腔室中来执行清除步骤。在下文实例中的通过热ald形成的层的上下文中，通常存在两类前体或反应物，即，氮(n)前体及钛(ti)前体。
43.在下文中，参考图4，根据实施例，通过ald(例如，热ald)形成具有通过使衬底暴露到具有不同对应前体暴露压力的多个循环来形成的至少两个区域的包括tin的薄膜的方法300(图3a)的实例性实施方案。
44.通过使衬底暴露到具有不同对应前体暴露压力的多个循环的tin的原子层沉积
45.再次参考图3a，在反应腔室中提供310包括非金属表面的衬底(图3b中的衬底360)之后，方法300继续通过原子层沉积(ald)(例如，热ald)凭借使半导体衬底暴露到一或多个第一ald循环而在所述非金属表面上形成320薄膜的第一部分，接着通过使半导体衬底暴露到一或多个第二ald循环而形成薄膜的第二部分。在下文中，用图解法描述在所述第一及第二ald循环期间施加的暴露压力。
46.图4用图解法说明根据各个实施例的对应于在用于形成薄膜的第一部分370(图3b)的第一循环400a或阶段(例如，成核阶段)及用于形成薄膜的第二部分380(图3b)的第二循环400b或阶段(例如，块体生长阶段)期间的衬底到ti及n前体的暴露的压力迹线。参考图4，通过使半导体衬底暴露到各自包括到第一ti前体的分压力的一或多次暴露404或暴露脉冲及到第一n前体的分压力的一或多次暴露408或暴露脉冲中的一或多个第一ald循环400a来形成薄膜的第一部分。通过使半导体衬底暴露到各自包括到第二ti前体的分压力的一或多次暴露412或暴露脉冲及到第二n前体的分压力的一或多次暴露416或暴露脉冲中的一或多个第二ald循环400b来形成薄膜的第二部分。
47.如示意性地描绘，到第一ti前体的暴露404、到第一n前体的暴露408、到第二ti前体的暴露412及到第二n前体的暴露416中的每一者可具有不同分压力状态(regime)，包含对应分压力上升状态404a、408a、412a及416a、主暴露状态404b、408b、412b及416b及分压力下降状态404c、408c、412c及416c。分压力上升状态404a、408a、412a及416a中的每一者可对应于(例如)引入到反应腔室中的相应前体。主暴露状态404b、408b、412b及416b中的每一者可对应于在其间反应腔室中的相应前体的量相对恒定的周期。例如，可使用压力传感器或节流阀来维持相应前体的相对恒定量。分压力下降状态404c、408c、412c及416c中的每一者可对应于(例如)从反应腔室清除或抽出相应前体时的状态。
48.仍参考图4，将了解，在一些实施方案中，可在每次暴露之后抽出及/或清除前体。在其中可抽出而未清除前体的一些实施方案中，反应腔室压力可基本上通过相应前体的分压力表示，且暴露404、408、412及416的压力迹线可基本上表示在相应暴露期间的反应腔室压力或前体分压力。在其中用惰性气体清除而未抽出前体的一些实施方案中，反应腔室压力可通过对应于暴露404、408、412及416的总反应腔室压力404p、408p、412p及416p表示，其中所述总反应腔室压力源自相应前体与惰性气体的混合物。
49.实际上，泵抽及清除的组合可用于较高处理量及改进的膜质量。在这些实施方案中，在测量包含清除及泵抽期间的总压力404p、408p、412p及416p时，可使衬底经受第一ti前体、第一n前体、第二ti前体及第二n前体的分压力。在一些实施例中，在使用压力传感器并用惰性气体代替经移除前体来调整泵抽功率时，可使总腔室压力贯穿给定前体暴露或暴
露脉冲保持相对恒定。在这些实施方案中，用于形成第一部分(图3b中的370)中的一或多个第一ald 400a循环各自可包括到第一ti前体的分压力的一或多次暴露404(在经测量参数可为总反应腔室压力404p时)，及到第一n前体的分压力的一或多次暴露408(在经测量参数可为总反应腔室408p时)。类似地，用于形成第二部分(图3b中的380)中的一或多个第二ald循环400b可各自包括到第二ti前体的分压力的一或多次暴露412(在经测量参数可为总压力412p时)，及到第二n前体的分压力的一或多次暴露416(在经测量参数可为总压力416p时)。
50.根据各个实施例，在到前体的暴露期间，经测量的总反应腔室压力可与所述前体的分压力成比例。因此，分别相对于总压力404p及408p较高的总压力412p及416p对应于第二ti前体及第二n前体分别相对于第一ti前体及第一n前体的分压力较高的分压力。然而，实施例并不限于此且在其它实施例中，分别相对于总压力404p及408p较高的总压力412p及416p可对应于第二ti前体及第二n前体分别相对于第一ti前体及第一n前体的分压力相同或较低的分压力。
51.再次参考图3a中的所说明方法300，相对于在初始(例如，成核阶段)中的一或多个第一ald循环期间的第一ti前体及第一n前体的暴露压力的对应一或两者，在后期阶段(例如，块体沉积阶段)中的一或多个第二ald循环期间的第二ti前体及第二n前体的暴露压力中的一或两者是较高的。在一些实施例中，暴露压力可为前体的分压力或反应腔室的总压力。因此，在各个实施例中，参考图4，分别相对于到第一ti前体的暴露404及到第一n前体的暴露408的对应一或两者，到第二ti前体的暴露412及到第二n前体的暴露416中的一或两者可在较高分压力及/或较高总反应腔室压力下。
52.仍参考图4，在各个实施例中，在第一循环400a及第二循环400b期间到ti及n前体的对应暴露之间的对应分压力或总压力可为在分压力上升状态404a、408a、412a及416a、主暴露状态404b、408b、412b及416b及分压力下降状态404c、408c、412c及416c的任一者期间的对应分压力或总压力。例如，相对于在第一ald循环400a期间的分别在主暴露状态404b及408b期间到第一ti前体及第一n前体中的一或两者的暴露404、408，在第二ald循环400b期间的分别在主暴露状态412b及416b期间到第二ti前体及第二n前体中的一或两者的暴露412、416可在较高总压力或分压力下。在各个其它实施例中，在第一循环400a及第二循环400b期间到ti及n前体的对应暴露之间的对应分压力或总压力可为在暴露404、408、412及416期间的对应平均值、平均数或峰值分压力或总压力。
53.仍参考图4，在所说明实施例中，在到第一ti前体的暴露404及到第一n前体的暴露408期间的总压力及/或分压力是不同的，且在到第二ti前体的暴露412及到第二n前体的暴露416期间的总压力及/或分压力是不同的。然而，实施例并不限于此且在一些实施例中，在到第一ti前体的暴露404及到第一n前体的暴露408期间的总压力及/或分压力可保持恒定，及/或在到第二ti前体的暴露412及到第二n前体的暴露416期间的总压力及/或分压力可保持恒定。
54.仍参考图4，在到第一ti前体的暴露404及到第一n前体的暴露408期间的总压力中的每一者(其可为相同或不同的)可为0.01托到0.2托、0.2托到0.4托、0.4托到0.6托、0.6托到0.8托、0.8托到1.0托、1.0托到1.5托、1.5托到2.0托、2.0托到2.5托、2.5托到3.0托或在通过这些值中的任一者界定的范围内的压力。在到第二ti前体的暴露412及到第二n前体的
暴露416期间的总压力中的每一者(其可为相同或不同的)可为3.0托到4.0托、4.0托到5.0托、5.0托到6.0托、6.0托到7.0托、6.0托到7.0托、7.0托到8.0托、8.0托到9.0托、9.0托到10.0托、10.0托到11.0托、11.0托到12.0托或在通过这些值中的任一者界定的范围内的压力。在到第二ti前体的暴露412及到第一ti前体的暴露404期间的反应腔室的总压力(以托为单位测量)的比率可为2到5、5到10、10到20、20到50、50到100，或在通过这些值中的任一者界定的范围内。类似地，在到第二n前体的暴露416及到第一n前体的暴露408期间的反应腔室的总压力的比率可为2到5、5到10、10到20、20到50、50到100，或在通过这些值中的任一者界定的范围内。在暴露404、408、412及416中的每一者中，相应ti或n前体可构成反应腔室中的气体分子的总量的1％到2％、2％到5％、5％到10％、10％到20％、20％到50％、50％到100％，或在通过这些值中的任一者界定的范围内的百分比。
55.仍参考图4，根据各个实施例，控制在到第一ti前体的暴露404及到第一n前体的暴露408期间的总压力或分压力，以及相应前体及惰性气体的流动速率及反应腔室的泵抽功率，使得在第一循环400a或阶段期间的沉积速率按包含到第一ti前体的暴露404及到第一n前体的暴露408的每循环是/循环到/循环、/循环到/循环、/循环到/循环、/循环到/循环、/循环到/循环或在通过这些值中的任一者界定的范围内的值。控制在到第二ti前体的暴露412及到第二n前体的暴露416期间的总压力或分压力，以及相应前体及惰性气体的流动速率及反应腔室的泵抽功率，使得在第二循环400b或阶段期间的沉积速率按包含到第一ti前体的暴露404及到第一n前体的暴露408的每循环是/循环到/循环、/循环到/循环、/循环到/循环、/循环到/循环、/循环到/循环、/循环到/循环、/循环到/循环或在通过这些值中的任一者界定的范围内的值。在第二循环400b期间的每循环的沉积速率对与在第一循环400a期间的每循环的沉积速率的比率可为1到1.5、1.5到2.0、2.5到3.0或在通过这些值中的任一者界定的范围内的比率。
56.本发明者已发现，当形成320(图3a)包括tin的薄膜的第一部分370(图3b)及形成330(图3a)所述薄膜的第二部分380(图3b)中的每一者包括使半导体衬底分别暴露到第一循环400a(图4)及第二循环400b(图4)的1个到25个循环、26个到50个循环、50个到100个循环、100个到200个循环、200个到300个循环、300个到400个循环、400个到500个循环、500个到600个循环或在通过这些值中的任一者界定的范围内的值时，可实现本文中所公开的tin薄膜的各种技术优点。根据各个实施例，第二循环的数目与第一循环的数目的比率可大于1、2、5或10或在通过这些值中的任一者界定的范围内的比率，或小于1、0.5、0.1或0.1或在通过这些值中的任一者界定的范围内的比率。包括tin的包含第一部分370(图3b)及第二部分380(图3b)的薄膜的总厚度可具有不超过约25nm、20nm、15nm、10nm、7nm、4nm、2nm或具有在通过这些值中的任一者界定的范围内的值的经组合堆叠厚度。第一部分370(图3b)与第二部分380(图3b)之间的厚度比率可为约1:20到1:10、1:10到1:5、1:5到1:2、1:2到1:1、1:1到2:1、2:1到5:1、5:1到10:1、10:1到20:1或在通过这些值中的任一者界定的范围内的比率。将了解，在一些实施例中，例如，当较高保形性相较于较低膜粗糙度可更重要时，第一部分370(图3b)可相对较薄，而在其它实施例中，例如，当较低膜粗糙度相较于较高保形性可更重要时，第二部分380(图3b)可相对较薄。
57.仍参考图4，衬底到第一ti前体的暴露404及衬底到第二ti前体的暴露412中的每一者是使得分别用第一ti前体或第二ti前体使衬底的表面基本上或部分饱和。在衬底到第一ti前体的暴露404及衬底到第二ti前体的暴露412中的每一者之后，可抽出及/或清除未保持吸附或化学吸附于衬底的表面上的过量或残余第一及/或第二ti前体或其反应产物。
58.类似地，衬底到第一n前体的暴露408及衬底到第二n前体的暴露416中的每一者是使得分别用第一n前体或第二n前体使衬底基本上或部分饱和。在衬底到第一n前体的暴露408及衬底到第二n前体的暴露416中的每一者之后，可抽出及/或清除未保持吸附或化学吸附于衬底的表面上的过量或残余第一及/或第二n前体或其反应产物。使衬底经受到第一ti前体的一或多次暴露及到第一n前体的一或多次暴露可每tin循环形成约一个单层或更少。类似地，使衬底经受到第二ti前体的一或多次暴露及到第二n前体的一或多次暴露可每tin循环形成约一个单层或更少。
59.在一些实施例中，到第一ti前体的暴露404、到第一n前体的暴露408、到第二ti前体的暴露412及/或到第二n前体的暴露416可在其它前体的引入之前循序地执行多次。例如，有利的是，在一些境况下，例如，在存在实质空间位阻效应时，使衬底不止一次暴露到ti前体及/或n前体可导致更高表面饱和等级。
60.仍参考图4，将了解，可取决于竞争情况选择到第一ti前体及到第一n前体的暴露的相对顺序。在一些实施方案中，第一ti前体有利地可为衬底表面暴露到的第一前体。例如，si表面到第一ti前体中的一或多次直接暴露可导致形成tisi中的一或多个单层且防止形成sin，此又可有利于降低底层si与形成于其上方的tin层之间的接触电阻。然而，在一些其它实施方案中，第一n前体有利地可为衬底暴露到的第一前体。例如，通过使si衬底直接暴露到第一n前体，可有意地形成sin中的一或多个单层，此可有利于改进堆叠的势垒特性。
61.将了解，在各个实施例中，基于包含对前体的空间位阻效应的易感性的各种考虑，可改变在第一循环408a中的每一者中的衬底到第一ti反应物及/或第一n前体的暴露及在第二循环408b中的每一者中的到第二ti反应物及/或第二n前体的暴露的频率及重复率以获得所要厚度及化学计量。
62.根据各个实施例，对于形成根据实施例的tin层的第一及第二部分可为相同或不同的第一及第二ti前体的非限制性实例包含四氯化钛(ticl4)、四(二甲基胺基)钛(tdmat)或四(二乙基胺基)钛(tdeat)。对于tin的第一及第二部分具有相同前体可为有利的，例如，成本较低及/或工艺设计更容易。然而，例如，针对不同沉积特性或膜质量，对于tin的第一及第二部分具有不同前体可为有利的。
63.根据各个实施例，对于形成根据实施例的tin层的第一及第二部分可为相同或不同的第一及第二n前体的非限制性实例包含氨(nh3)、联氨(n2h4)或甲基联氨(ch3(nh)nh2、“mmh”)。对于tin的第一及第二部分具有相同前体可为有利的，例如，成本较低及/或工艺设计更容易。然而，例如，针对不同沉积特性或膜质量，对于tin的第一及第二部分具有不同前体可为有利的。
64.根据各个实施例，用于清除的惰性气体的非限制性实例可包含氮气n2或稀有气体(例如ar或he)。
65.根据实施例，当在350℃到800℃、450℃到750℃、500℃到700℃、550℃到650℃或在通过这些值中的任一者界定的范围内(例如，约600℃)的衬底温度下形成包括tin的薄膜
的第一部分370及第二部分380(图3b)中的一或两者时，可实现本文中所描述的各种技术优点及益处。在第一部分370及第二部分380的生长期间使温度保持相同可有利于处理量易于工艺控制，因为在工艺期间的温度调整可能需要很长时间。
66.在各个实施例中，第一及第二ti前体以及第一及第二n前体中的每一者的暴露时间或脉冲时间可在约0.1秒到1秒、1秒到10秒、10秒到30秒、30秒到60秒的范围内，或可为通过这些值中的任一者界定的范围内的持续时间。
67.有利的是，当使用根据各个实施例的其中使衬底暴露到具有不同对应前体暴露压力的多个循环的原子层沉积方法来形成tin层时，可将表面粗糙度及电阻率中的一或两者基本上降低到包含使用具有单个压力设置点的其它ald工艺形成的tin膜的常规tin膜。在经沉积时，根据本文中所描述的方法形成且具有上述厚度及第一部分370与第二部分380(图3b)之间的厚度比率的包括tin的薄膜可具有在薄膜的平均厚度的基础上的3％、4％、5％、6％、7％、8％及9％或在通过这些值中的任一者界定的范围内的值的均方根(rms)表面粗糙度。替代性地，在经沉积时，具有上述厚度及第一部分370与第二部分380(图3b)之间的厚度比率的包括tin的薄膜可具有小于2.5nm、2nm、1.5nm、1.0nm、0.5nm或在通过这些值中的任一者界定的范围内的值的rms表面粗糙度值。
68.在经沉积时，根据本文中所描述的方法形成且具有上述厚度及第一部分370与第二部分380(图3b)之间的厚度比率的包括tin的薄膜可具有《70μω-cm、70μω-cm到100μω-cm、100μω-cm到130μω-cm、130μω-cm到160μω-cm、160μω-cm到190μω-cm、190μω-cm到220μω-cm、220μω-cm到250μω-cm、250μω-cm到280μω-cm、280μω-cm到310μω-cm或大于310μω-cm，或在通过这些值中的任一者界定的范围内(例如，小于约200μω-cm)的值的电阻率。
69.除了降低表面粗糙度及电阻率之外，根据本文中所公开的方法形成的包括tin的薄膜在沉积于高纵横比结构中时还具有高保形性。在高纵横比结构的上下文中，保形性的一个测量在本文中被称为阶梯覆盖率。例如，高纵横比结构可为通孔、孔、沟槽、腔或类似结构。通过说明性实例，图5示意性地说明具有形成于其中的实例性高纵横比结构516的半导体结构500，以说明定义及/或测量形成于高纵横比结构上的薄膜的保形性的一些实例性度量。所说明的高纵横比结构516用在其不同部分处具有不同厚度的tin层512加衬里。如本文中所描述，高纵横比结构具有超过1的纵横比，例如，定义为高纵横比结构516的深度或高度(h)除以开口区域处的宽度(w)的比率。在所说明实例中，高纵横比结构516是经形成穿过形成于半导体衬底504上的电介质层508(例如，层间电介质(ild)层)的通孔，使得高纵横比结构516的底表面暴露底层半导体504。tin层512可以不同厚度涂覆高纵横比结构516的不同表面。如本文中所描述，用于定义或测量以高纵横比形成的薄膜的保形性的一个度量被称为阶梯覆盖率。阶梯覆盖率可定义为薄膜在高纵横比结构的下或底部区域处的厚度与所述薄膜在所述高纵横比结构的上或顶部区域处的厚度之间的比率。所述上或顶部区域可为高纵横比结构的在相对较小深度处(例如，在从开口的顶部测量的h的0到10％或0到25％处)的区域。所述下或底部区域可为高纵横比结构的在相对较大深度处(例如，在从开口的顶部测量的h的90％到100％或75％到100％处)的区域。在一些高纵横比结构中，可通过形成于高纵横比结构的底表面处的薄膜512a的厚度与形成于高纵横比结构之上或顶部侧壁表面处的薄膜512c的厚度的比率来定义或测量阶梯覆盖率。然而，将了解，一些高纵横比结构可
能不具有明确定义的底表面或具有小曲率半径的底表面。在此等结构中，可通过形成于高纵横比结构之下或底部侧壁表面处的薄膜512b的厚度与形成于高纵横比结构之上或顶部侧壁表面处的薄膜512c的厚度的比率来更一致地定义或测量阶梯覆盖率。
70.如上文所描述，根据本文中所公开的方法形成的包括tin的薄膜导致降低的表面粗糙度及电阻率，同时还在高纵横比结构中提供高保形性。根据各个实施例，可根据实施例以如本文中所定义的超过70％、80％、90％、95％或具有在通过这些值中的任一者界定的范围内的值的阶梯覆盖率用tin膜保形地涂覆具有超过1、2、5、10、20、50、100、200或在通过这些值中的任一者界定的范围内的值的纵横比的高纵横比结构。
71.通过使衬底暴露到具有不同对应前体暴露压力的多个循环而形成的tin的物理特性化
72.图6是说明在0.5托的相对较低腔室压力下在总计600个经组合第一循环(例如，成核阶段)及第二循环(例如，块体沉积阶段)中依据到ti及n前体的暴露的第一循环的数目而变化的实验测量的均方根(rms)表面粗糙度趋势604及阶梯覆盖率趋势608。到ti及n前体的暴露的第二循环是在5托的相对较高腔室压力下。图6中的每一实验数据点是从用于表面粗糙度测量的生长于经sio2涂覆的原生si衬底上的tin膜及生长于形成于sio2中且具有约40:1纵横比的通孔中的tin膜获取。第一及第二循环的经测量沉积速率分别是/循环及/循环。实验数据是在用0个第一循环/600个第二循环50个第一循环/550个第二循环200个第一循环/400个第二循环及600个第一循环/0个第二循环生长的四个不同tin膜上测量。所述四个tin膜分别具有约及的总厚度。如上文所描述，tin膜的经测量表面粗糙度值随着包含在相对较低压力下的暴露的第一循环的相对数目增加而减小。在不受任何理论约束的情况下，此可为因为较低生长速率倾向于允许更多表面扩散，此倾向于降低表面粗糙度并促进逐层生长。用于以0个第一循环/600个第二循环、50个第一循环/550个第二循环及200个第一循环/400个第二循环生长的薄膜的经测量表面粗糙度值分别为约及对应于在相应tin膜的总厚度的基础上的约9％、8％及6％。另外，如上文所论述，相对于用600个第一循环/0个第二循环生长的膜，对于用0个第一循环/600个第二循环生长的薄膜，tin膜的经测量阶梯覆盖率值更高。在不受任何理论约束的情况下，此可为因为较高压力倾向于允许更多前体到达高纵横比的底部，此倾向于改进阶梯覆盖率。然而，令人惊讶的是，本发明者已发现，直到约50个第一循环(循环总数的8％)，第一循环的增加数目实际上改进阶梯覆盖率。因此，根据一些实施例中，形成tin膜的第一部分包括使半导体衬底交替地暴露到各自包括在小于约3托的相对较低暴露压力下到第一ti前体的暴露及到第一n前体的暴露的1个到50个循环。
73.图7a到9说明根据实施例的在通过使衬底暴露到具有相同前体暴露压力的循环而生长的tin膜与通过使衬底暴露到具有不同对应前体暴露压力的多个循环而生长的tin膜之间的进一步实验比较。图7a是用通过其中在对应于第二循环的相同前体暴露压力下使衬底暴露到ald循环的原子层沉积方法形成的tin层加衬里的高纵横比通孔的横截面透射电子显微照片。图7b及7c是仅使用在5托的相对较高腔室压力下到ti及n前体的暴露的第二循环来生长的tin膜的透射电子显微照片(tem)。所述tem是在形成于sio2中的具有约40:1纵
横比的通孔的上(图7b)区域及下(图7c)区域处获取的所述通孔的图像。相比之下，图8a及8b是根据实施例的使用在相对较低(0.5托)及较高(5托)腔室压力下到ti及n前体的暴露的第一及第二循环的组合来生长的tin膜的透射电子显微照片(tem)。所述tem是在形成于sio2中的具有约40:1纵横比的通孔的上(图8a)区域及下(图8b)区域处获取的所述通孔的图像。图9是说明在从展示于图7a到7c中的tem显微照片测量的经测量阶梯覆盖率904与从展示于图8a到8b中的tem显微照片测量的经测量阶梯覆盖率908之间的实验统计比较的图表。图9中的数据点表示从通孔的下区域内的不同位置及通孔的上区域内的不同位置获取的比率。虽然从tem图像不容易看出，但图9中的统计比较清楚地说明根据实施例沉积的tin膜的93％的较高中值阶梯覆盖率及使用单个暴露压力沉积的tin膜的87％的中值阶梯覆盖率。另外，根据实施例沉积的tin膜的经测量阶梯覆盖率的统计分布是基本上小于使用单个暴露压力沉积的tin膜的经测量阶梯覆盖率的统计分布，从而指示后者的膜粗糙度显著更高。
74.应用
75.根据本文中所公开的各个实施例使用不同暴露压力形成的包括tin的薄膜可用于各种应用中，尤其在衬底包括可受益于如本文中所公开的tin层的各种有利特性的相对较高纵横比结构及/或非金属表面的情况下。实例性应用包含沉积具有超过1、2、5、10、20、50、100、200或在通过这些值中的任一者界定的范围内的值的纵横比(例如，定义为深度除以顶部宽度的比率)的通孔、孔、沟槽、腔或类似结构。
76.通过实例，图10示意性地说明在用于接触结构(例如，源极或漏极触点)的形成于可经重度掺杂的有源半导体衬底区域上的扩散势垒的上下文中的应用。说明半导体装置1000的部分，其包含衬底1004，包括电介质材料(例如氧化物或氮化物)的电介质层1008(例如，层间或金属间电介质(ild)层)形成于衬底1004上。为形成到衬底1004的各种区域(包含各种经掺杂区域，例如，源极及漏极区域)的触点，可形成穿过电介质层1008的通孔或沟槽。所述通孔或所述沟槽可暴露各种非金属表面，例如，通孔的包括衬底表面(例如，硅衬底表面)的经暴露底表面，以及电介质侧壁。可用根据本文中所描述的各个实施例形成的tin层的第一部分(对应于图3b中的第一部分370)接着用第二部分(对应于图3b中的第二部分380)保形地涂覆通孔的底表面及侧表面。根据本文中所公开的各个实施例，首先可在通孔的内表面上直接形成保形第一部分，接着形成保形第二tin层。此后，可用金属(例如，w、al或cu)填充经加衬里通孔以形成接触插塞1016。例如，可通过cvd使用(例如)wf6用钨填充通孔。
77.出于各种原因，根据实施例形成的势垒层1012可为有利的。特定来说，归因于通过ald形成的势垒层1012的保形性质，可基本上减小在后续金属填充过程期间的夹断(pinching off)的倾向。另外，如上文所描述，势垒层1012可提供跨其有效材料输送阻碍，例如，掺杂物(b、p)从衬底1004向外扩散，以及来自接触插塞形成过程的反应物、蚀刻剂及金属(例如，f、cl、w或cu)向内扩散。可通过降低的表面粗糙度及增加的阶梯覆盖率来增强势垒效应。此外，如上文所描述，逐层生长模式可减小势垒层1012的总体接触电阻。此外，归因于降低的膜粗糙度，可形成相对较薄势垒层1012，同时仍完成其所要势垒功能，从而导致接触电阻进一步降低。
78.根据本文中所公开的各个实施例形成的tin层的其它应用包含(仅举几例)形成于
凹入衬底中的导电结构(例如，埋藏式电极或线)、电极(例如，dram电容器电极或栅极电极)、用于较高金属层级的金属化势垒(例如，用于cu触点/线的通孔/沟槽中的势垒)、高纵横比垂直棒状电极或用于三维存储器的通孔及硅穿孔(tsv)。
79.尽管本文中已参考特定实施例描述本发明，但这些实施例并不用于限制本发明且是出于说明性目的而陈述。所属领域的技术人员将明白，可在不脱离本发明的精神及范围的情况下进行修改及改进。
80.本文中所公开的各个实施例的此类简单修改及改进是在所公开技术的范围内，且此外，所公开技术的特定范围将通过随附权利要求书予以定义。
81.在前文中，将了解，实施例中的任一者的任何特征可与实施例的任何其它者的任何其它特征组合或用实施例的任何其它者的任何其它特征组合置换。
82.除非上下文另有清楚要求，否则在描述及权利要求书各处，字词“包括(comprise/comprising)”、“包含(include/including)”及类似者应解释为包含意义，与排他性或详尽性意义相反；即，解释为“包含(但不限于)”的意义。如本文中通常所使用，字词“耦合”是指可直接连接或通过一或多个中间元件连接的两个或多于两个元件。同样地，如本文中通常所使用，字词“连接”是指可直接连接或通过一或多个中间元件连接的两个或多于两个元件。此外，字词“在本文中”、“在上文”、“在下文”及类似含义的字词在于本技术案中使用时应是指本技术案整体而非指本技术案的任何特定部分。在上下文允许的情况下，上文具体实施方式中的使用单数或复数的字词还可分别包含复数或单数。关于两个或多于两个项的列表的字词“或”，所述字词涵盖所有以下字词解释：所述列表中的项中的任一者、所述列表中的所有项及所述列表中的项的任何组合。
83.此外，除非另有明确陈述或在如所使用的上下文内以其它方式理解，否则本文中使用的条件语言(尤其例如“可以(can/could)”、“可能(might)”、“可(may)”、“例如(e.g./for example/such as)”、及类似者)一般希望传达某些实施例包含而其它实施例不包含特定特征、元件及/或状态。因此，此条件语言一般并不希望暗示一或多个实施例在任何情况下需要特征、元件及/或状态，或这些特征、元件及/或状态是否包含于任何特定实施例中或在任何特定实施例中执行。
84.虽然已描述某些实施例，但这些实施例仅通过实例呈现，且并不希望限制本公开的范围。实际上，本文中所描述的新颖设备、方法及系统可以多种其它形式体现；此外，可在不脱离本公开的精神的情况下在本文中所描述的方法及系统的形式上作出各种省略、置换及改变。例如，虽然以给定布置呈现特征，但替代实施例可用不同组件及/或传感器形貌执行类似功能性，且可删除、移动、添加、细分、组合及/或修改一些特征。这些特征中的每一者可以多种不同方式实施。可组合上文所描述的各个实施例的元件及动作的任何合适组合以提供进一步实施例。上文所描述的各种特征及过程可彼此独立地实施，或可以各种方式组合。本公开的特征的所有可能组合及子组合希望落在本公开的范围内。