成像元件封装和成像元件封装的制造方法与流程

1.本公开涉及成像元件封装和成像元件封装的制造方法。


背景技术：

2.提供了一种成像元件封装，该成像元件封装包括层叠在电路板上的框架状框体、层叠在由框体包围的电路板的区域上的成像元件基板和层叠在框体上并封闭框体的开口的盖玻璃(例如，参见专利文献1)。
3.引用列表
4.专利文献
5.专利文献1：jp 2013-222772 a


技术实现要素：

6.本发明要解决的技术问题
7.不幸地，在成像元件封装中，当成像元件基板的面积随着光接收区域的扩大而增大时，成像元件基板会由于制造工艺中所包括的热处理而翘曲，从而质量降低。
8.因此，本公开提出了一种能够抑制成像元件基板的翘曲的成像元件封装和成像元件封装的制造方法。
9.解决问题的技术方案
10.根据本公开，提供了一种成像元件封装。该成像元件封装包括电路板、成像元件基板和透光性基板。所述成像元件基板层叠在所述电路板上。所述透光性基板通过粘接构件隔着空隙层叠在所述成像元件基板上，并且具有比所述成像元件基板高的耐热性，所述粘接构件设置在所述成像元件基板的光接收面的周边边缘上。
附图说明
11.图1是概述了根据本公开的成像元件封装的截面结构的说明图。
12.图2a是示出了根据本公开的成像元件封装的制造工艺的截面说明图。
13.图2b是示出了根据本公开的成像元件封装的制造工艺的截面说明图。
14.图2c是示出了根据本公开的成像元件封装的制造工艺的截面说明图。
15.图3a是示出了根据本公开的成像元件封装的制造工艺的截面说明图。
16.图3b是示出了根据本公开的成像元件封装的制造工艺的截面说明图。
17.图3c是示出了根据本公开的成像元件封装的制造工艺的截面说明图。
18.图4a是示出了根据本公开的成像元件封装的制造工艺的截面说明图。
19.图4b是示出了根据本公开的成像元件封装的制造工艺的截面说明图。
20.图4c是示出了根据本公开的成像元件封装的制造工艺的截面说明图。
21.图5是根据本公开的填充构件的固化时机(timing)的说明图。
22.图6a是示出了根据本公开的透光性基板的构造示例的截面说明图。
23.图6b是示出了根据本公开的透光性基板的构造示例的截面说明图。
24.图7a是示出了根据本公开的透光性基板的构造示例的截面说明图。
25.图7b是示出了根据本公开的透光性基板的构造示例的截面说明图。
26.图8是示出了根据本公开的透光性基板的构造示例的截面说明图。
具体实施方式
27.下面将参考附图详细说明本公开的实施例。注意，在以下实施例中，将相同的符号赋予相同的部位以省略重复的说明。
28.[1.成像元件封装的截面结构]
[0029]
首先，将参考图1说明根据本公开的成像元件封装的截面结构。图1是概述了根据本公开的成像元件封装的截面结构的说明图。
[0030]
例如，根据本公开的成像元件封装是安装在智能电话或平板电脑终端中的成像装置。如图1所示，成像元件封装1包括电路板2、凸块3、筑坝材料(dam material)4、成像元件基板5、框体6、透光性基板7和填充构件8。
[0031]
例如，电路板2由陶瓷形成。在电路板2上形成有与成像元件基板5连接的电路图案。注意，电路板2不限于陶瓷基板，并且例如可以是有机基板和柔性基板等其他基板。
[0032]
例如，凸块3由焊料形成。凸块3将形成在电路板2上的电路图案和形成在成像元件基板5上的电路图案电连接。例如，筑坝材料4由环氧树脂形成。筑坝材料4将框体6固定在电路板2上，并且防止填充构件8泄漏到成像元件封装1的外部。
[0033]
成像元件基板5经由凸块3层叠在电路板2上。例如，成像元件基板5由硅形成，并且在平面图中具有矩形形状。成像元件基板5包括像素阵列，其中，用作成像像素的多个光电转换元件以矩阵状布置在光入射侧的光接收面(这里是上表面)上。
[0034]
各光电转换元件将入射光光电转换为与所接收的入射光量对应的信号电荷，并且将信号电荷作为表示成像像素的亮度水平的像素信号输出。此外，成像元件基板5包括在像素阵列周围的周边电路，该周边电路对像素信号进行信号处理。
[0035]
例如，框体6由陶瓷形成。框体6经由凸块3和筑坝材料4层叠在电路板2上。在平面图中，框体6具有框架形状。注意，框体6可以是没有基板配线的陶瓷框架。此外，框体6的材料不限于陶瓷。例如，有机基板和金属板可以用作框体6的材料。
[0036]
透光性基板7由耐热性比成像元件基板5高的材料形成，并且层叠在成像元件基板5上。例如，透光性基板7包括由玻璃形成的红外截止滤光片基板。注意，稍后将参考图6a至图8说明透光性基板7的具体构造示例。
[0037]
成像元件基板5和透光性基板7被容纳在电路板2上的由框体6包围的区域中。在这种状态下，透光性基板7的用作光接收面的上表面的高度位置低于框体6的上表面的高度位置。
[0038]
例如，填充构件8由环氧树脂等热固性树脂形成。成像元件基板5与框体6之间以及透光性基板7与框体6之间的空间被填充构件8填充。例如，当成像元件封装1受到冲击时，填充构件8防止成像元件基板5与电路板2之间发生断开。
[0039]
这里，在普通的成像元件封装中，包括红外截止滤光片基板的透光性基板7不是层叠在成像元件基板5上，而是层叠在框体6上。因此，在普通的成像元件封装中，当成像元件
基板5的面积随着光接收区域的扩大而增大时，成像元件基板5会由于制造工艺中所包括的热处理而翘曲，从而质量降低。此外，由于在普通的成像元件封装中，透光性基板7层叠在框体6上，因此整个封装的厚度增加了透光性基板7的厚度，从而难以降低高度。
[0040]
相比之下，在根据本公开的成像元件封装1中，透光性基板7不是层叠在框体6上，而是层叠在成像元件基板5上。然后，如上所述，透光性基板7由耐热性比成像元件基板5高的材料形成。
[0041]
结果，在成像元件封装1中，当在仅设置有成像元件基板5的制造工艺中在使成像元件基板5翘曲的温度下进行热处理时，通过利用几乎不会因热而变形的透光性基板7来校正成像元件基板5的翘曲，能够抑制翘曲的发生。
[0042]
此外，在成像元件封装1中，成像元件基板5和透光性基板7被容纳在电路板2上的由框体6包围的区域中。结果，在成像元件封装1中，透光性基板7的上表面位置可以低于框体6的上表面位置，因此与透光性基板7层叠在框体6上的普通成像元件封装相比，能够进一步降低高度。
[0043]
[2.成像元件封装的制造工艺]
[0044]
接下来，将参考图2a至图4c说明根据本公开的成像元件封装的制造工艺。图2a至图4c是示出了根据本公开的成像元件封装的制造工艺的截面说明图。
[0045]
如图2a所示，当制造成像元件封装1时，首先，将电路板2接合到支撑基板100。这里，在普通成像元件封装的制造工艺中，将粘性树脂体用作支撑基板。
[0046]
粘性树脂体的热膨胀系数(cte)大约为360[ppm/℃]。相比之下，由陶瓷制成的电路板2的cte大约为5[ppm/℃]。如上所述，粘性树脂体的cte远大于电路板2的cte。因此，在后续热处理中，用作支撑基板的粘性树脂体可能会增加电路板2的翘曲量。
[0047]
因此，在本公开中，使用由如下材料形成的支撑基板100：该材料的cte与电路板2的cte相差数十ppm/℃以内。例如，使用由聚酰亚胺形成的支撑基板100。聚酰亚胺的cte大约为27[ppm/℃]，并且与粘性树脂体的cte相比，该cte更接近电路板2的cte。结果，根据本公开，能够减少由于后续热处理引起的电路板2的翘曲量。
[0048]
然后，如图2b所示，例如，焊料印刷装置101在电路板2的预定位置处形成凸块3。随后，如图2c所示，筑坝材料涂布装置用筑坝材料4涂布电路板2的周边边缘部分。
[0049]
然后，如图3a所示，在电路板2的中央位置处经由凸块3层叠成像元件基板5。在电路板2上经由凸块3和筑坝材料4层叠框体6，以包围成像元件基板5。
[0050]
随后，如图3b所示，将图3a中的结构放置在热处理装置103中。在150[℃]～170[℃]下进行预定时间段的回流焊(reflow)。凸块3熔化以将电路板2和成像元件基板5彼此电连接。
[0051]
此时，对电路板2进行热处理，但是如上所述，由于电路板2接合到由具有接近电路板2的cte的cte的聚酰亚胺形成的支撑基板100，因此抑制了翘曲。结果，类似地，在层叠于电路板2上的成像元件基板5中，抑制了由于热处理引起的翘曲。
[0052]
然后，如图3c所示，将透光性基板7层叠在成像元件基板5上。作为透光性基板7，使用由如下材料形成的基板：该材料的cte与成像元件基板5的cte相差数ppm/℃以内。例如，当成像元件基板5由硅形成时，使用由cte接近硅的cte(大约为4[ppm/℃])且为3[ppm/℃]～5[ppm/℃]的材料形成的基板。
[0053]
此外，当成像元件基板5具有120[μm]～130[μm]的厚度时，透光性基板7具有与成像元件基板5相等的厚度或以上的厚度。作为透光性基板7，优选使用厚度为200[μm]～300[μm]的基板。
[0054]
随后，如图4a所示，例如，在100[℃]的环境下，树脂涂布装置104用热固性树脂的填充构件8填充成像元件基板5与框体6之间以及透光性基板7与框体6之间的空间。这里，用弹性模量高于电路板2的填充构件8填充该空间。
[0055]
例如，通过增加在普通环氧树脂或丙烯酸树脂中混合的填料(例如，氧化硅和氧化铝)的量，能够使填充构件8具有高弹性。例如，填充构件8优选具有8[gpa]～10[gpa]的弹性模量。
[0056]
然后，如图4b所示，将图4a中的结构放置在热处理装置103中，并且在大约120[℃]下进行预定时间段的固化，以使填充构件8热固化。此时，对成像元件基板5进行热处理，但是由于耐热性高于成像元件基板5的透光性基板7层叠，因此抑制了由于热处理引起的翘曲。
[0057]
此外，由于透光性基板7具有比成像元件基板5大的厚度并且透光性基板7具有接近成像元件基板5的cte的cte，因此抑制了由于热处理引起的成像元件基板5的翘曲。
[0058]
注意，即使层叠透光性基板7，成像元件基板5也可能略微地翘曲。因此，在本公开中，通过设计填充构件8的固化时机来校正成像元件基板5的略微翘曲。稍后将参考图5说明填充构件8的固化时机。
[0059]
然后，如图4c所示，从热处理装置103中取出图4b中的结构，并且从电路板2剥离支撑基板100，由此完成抑制了成像元件基板5的翘曲的高质量成像元件封装1。
[0060]
[3.填充构件的固化时机]
[0061]
接下来，将参考图5说明填充构件8的固化时机。图5是根据本公开的填充构件的固化时机的说明图。
[0062]
如图5所示，在-40[℃]～80[℃]的温度环境下，成像元件基板5翘曲10[μm]以上，但是当温度超过80[℃]时，翘曲量减少。然后，在100[℃]～120[℃]的温度下，翘曲量减少到
±
5[μm]以内。
[0063]
因此，在本公开中，在将温度加热到100[℃]～120[℃]的温度的状态下，用填充构件8填充成像元件基板5与框体6之间以及透光性基板7与框体6之间的空间，并且使填充构件8固化。
[0064]
结果，通过利用8[gpa]～10[gpa]的高弹性模量的固化填充构件来保持翘曲量被抑制在
±
5[μm]以内的成像元件基板5的形状，能够维持成像元件基板5的平坦性。
[0065]
[4.透光性基板的构造示例]
[0066]
接下来，将参考图6a至图8说明根据本公开的透光性基板7的具体构造示例。图6a至图8是示出了根据本公开的透光性基板的构造示例的截面说明图。注意，图6a至图8选择性地示出了成像元件封装1的组件中的成像元件基板5和透光性基板7a的一部分，并且省略了其他组件的图示。
[0067]
如图6a所示，第一构造示例的透光性基板7a层叠在成像元件基板5上，在该成像元件基板5中，在硅基板51上设置有像素阵列52。透光性基板7a包括玻璃基板71和红外截止滤光片基板72。玻璃基板71经由透明树脂层81层叠在成像元件基板5上。红外截止滤光片基板
72经由透明树脂层82层叠在玻璃基板71上。
[0068]
当成像元件基板5具有120[μm]～130[μm]的厚度时，透明树脂层81和透明树脂层82被形成为比成像元件基板5薄，例如具有大约50[μm]～100[μm]的厚度。此外，类似地，作为玻璃基板71，使用具有例如大约50[μm]～100[μm]的厚度的玻璃基板。结果，能够抑制成像元件封装1的光学特性的降低。
[0069]
此外，红外截止滤光片基板72例如由蓝色玻璃形成。注意，透光性基板7a可以包括由硼硅酸盐玻璃、透明/刚性树脂固化产物和石英等形成的透明基板，而不是红外截止滤光片基板72。此外，可以在红外截止滤光片基板72和透明基板的表面上形成透明树脂薄膜。
[0070]
当成像元件基板5具有120[μm]～130[μm]的厚度时，作为红外截止滤光片基板72和透明基板，使用厚度等于或大于成像元件基板5的厚度，例如厚度大约为200[μm]～300[μm]的基板。
[0071]
此外，作为红外截止滤光片基板72和透明基板，使用耐热性比成像元件基板5高并且当成像元件基板5的cte大约为4[ppm/℃]时cte为3[ppm/℃]～5[ppm/℃]的基板。结果，透光性基板7a能够抑制由于红外截止滤光片基板72和透明基板的热处理而引起的成像元件基板5的翘曲。
[0072]
此外，如图6b所示，第二构造示例的透光性基板7b包括玻璃基板71和红外截止滤光片基板72。玻璃基板71通过粘接构件91隔着空隙叠加并固定在成像元件基板5上，该粘接构件91设置在成像元件基板5的光接收面的周边边缘上。红外截止滤光片基板72经由透明树脂层82层叠在玻璃基板71上。
[0073]
玻璃基板71与图6a中的玻璃基板71相同。红外截止滤光片基板72与图6a中的红外截止滤光片基板72相同。注意，红外截止滤光片基板72可以是上述透明基板。透光性基板7b能够抑制由于红外截止滤光片基板72和透明基板的热处理而引起的成像元件基板5的翘曲。
[0074]
如图7a所示，第三构造示例的透光性基板7c包括玻璃基板71和红外截止滤光片基板72。玻璃基板71经由透明树脂层81层叠在成像元件基板5上。红外截止滤光片基板72通过粘接构件92隔着空隙叠加并固定在玻璃基板71上，该粘接构件92设置在玻璃基板71的光接收面的周边边缘上。
[0075]
玻璃基板71与图6a中的玻璃基板71相同。红外截止滤光片基板72与图6a中的红外截止滤光片基板72相同。注意，红外截止滤光片基板72可以是上述透明基板。透光性基板7c能够抑制由于红外截止滤光片基板72和透明基板的热处理而引起的成像元件基板5的翘曲。
[0076]
如图7b所示，第四构造示例的透光性基板7d包括玻璃基板71和红外截止滤光片基板72。玻璃基板71通过粘接构件91隔着空隙叠加并固定在成像元件基板5上，该粘接构件91设置在成像元件基板5的光接收面的周边边缘上。红外截止滤光片基板72通过粘接构件92隔着空隙叠加并固定在玻璃基板71上，该粘接构件92设置在玻璃基板71的光接收面的周边边缘上。
[0077]
玻璃基板71与图6a中的玻璃基板71相同。红外截止滤光片基板72与图6a中的红外截止滤光片基板72相同。注意，红外截止滤光片基板72可以是上述透明基板。透光性基板7d能够抑制由于红外截止滤光片基板72和透明基板的热处理而引起的成像元件基板5的翘
曲。
[0078]
如图8所示，第五构造示例的透光性基板7e包括红外截止滤光片基板72。红外截止滤光片基板72通过粘接构件91隔着空隙叠加并固定在成像元件基板5上，该粘接构件91设置在成像元件基板5的光接收面的周边边缘上。
[0079]
红外截止滤光片基板72与图6a中的红外截止滤光片基板72相同。注意，红外截止滤光片基板72可以是上述透明基板。透光性基板7d能够抑制由于红外截止滤光片基板72和透明基板的热处理而引起的成像元件基板5的翘曲。
[0080]
[5.效果]
[0081]
成像元件封装1包括电路板2、成像元件基板5和透光性基板7。成像元件基板5层叠在电路板2上。透光性基板7层叠在成像元件基板5上，并且具有比成像元件基板5高的耐热性。结果，在成像元件封装1中，透光性基板7用作成像元件基板5的加强基板，从而能够抑制由于制造工艺中所包括的热处理而引起的成像元件基板5的翘曲。
[0082]
透光性基板7e包括红外截止滤光片基板72。结果，在成像元件封装1中，通过使用现有的红外截止滤光片基板72作为成像元件基板5的加强基板，能够在不增加制造成本的情况下，抑制由于热处理引起的成像元件基板5的翘曲。
[0083]
透光性基板7a包括玻璃基板71和红外截止滤光片基板72。玻璃基板71经由透明树脂层81层叠在成像元件基板5上。红外截止滤光片基板72经由透明树脂层82层叠在玻璃基板71上。结果，在成像元件封装1中，红外截止滤光片基板72用作成像元件基板5的加强基板，从而能够抑制由于制造工艺中所包括的热处理而引起的成像元件基板5的翘曲。
[0084]
透光性基板7b包括玻璃基板71和红外截止滤光片基板72。玻璃基板71通过设置在成像元件基板5的光接收面的周边边缘上的粘接构件91隔着空隙叠加并固定在成像元件基板5上。红外截止滤光片基板72经由透明树脂层82层叠在玻璃基板71上。结果，在成像元件封装1中，红外截止滤光片基板72用作成像元件基板5的加强基板，从而能够抑制由于制造工艺中所包括的热处理而引起的成像元件基板5的翘曲。
[0085]
透光性基板7c包括玻璃基板71和红外截止滤光片基板72。玻璃基板71经由透明树脂层81层叠在成像元件基板5上。红外截止滤光片基板72通过设置在玻璃基板71的光接收面的周边边缘上的粘接构件92隔着空隙叠加并固定在玻璃基板71上。结果，在成像元件封装1中，红外截止滤光片基板72用作成像元件基板5的加强基板，从而能够抑制由于制造工艺中所包括的热处理而引起的成像元件基板5的翘曲。
[0086]
透光性基板7d包括玻璃基板71和红外截止滤光片基板72。玻璃基板71通过设置在成像元件基板5的光接收面的周边边缘上的粘接构件91隔着空隙叠加并固定在成像元件基板5上。红外截止滤光片基板72通过设置在玻璃基板71的光接收面的周边边缘上的粘接构件92隔着空隙叠加并固定在玻璃基板71上。结果，在成像元件封装1中，红外截止滤光片基板72用作成像元件基板5的加强基板，从而能够抑制由于制造工艺中所包括的热处理而引起的成像元件基板5的翘曲。
[0087]
透光性基板7e包括红外截止滤光片基板72。红外截止滤光片基板72通过设置在成像元件基板5的光接收面的周边边缘上的粘接构件91隔着空隙叠加并固定在成像元件基板5上。结果，在成像元件封装1中，红外截止滤光片基板72用作成像元件基板5的加强基板，从而能够抑制由于制造工艺中所包括的热处理而引起的成像元件基板5的翘曲。
[0088]
成像元件封装1还包括层叠在电路板2上的框架状框体6。成像元件基板5和透光性基板7被容纳在由框体6包围的区域中。结果，在成像元件封装1中，透光性基板7被容纳在框体6内部，从而与将透光性基板7层叠在框体6上的封装的高度相比，能够进一步降低高度。
[0089]
成像元件封装1包括填充构件8。成像元件基板5与框体6之间以及透光性基板7与框体6之间的空间被填充构件8填充。填充构件8具有比成像元件基板5高的弹性模量。结果，在成像元件封装1中，弹性模量利用成像元件基板5校正成像元件基板5的翘曲，从而能够抑制由于热处理引起的成像元件基板5的翘曲。
[0090]
透光性基板7的热膨胀系数与成像元件基板5的热膨胀系数相差数ppm/℃以内。结果，在成像元件封装1中，能够抑制由于成像元件基板5的热膨胀系数与透光性基板7的热膨胀系数之间的差异而引起的成像元件基板5的翘曲。
[0091]
透光性基板7的厚度等于或大于成像元件基板5的厚度。结果，在成像元件封装1中，透光性基板7的耐热性提高，从而能够进一步抑制由于热处理引起的成像元件基板5的翘曲。
[0092]
成像元件封装1的制造方法包括：将电路板2接合到支撑基板100，该支撑基板100的热膨胀系数与电路板2的热膨胀系数相差数十ppm/℃以内；经由凸块3将具有框架形状的框体6和容纳在由框体6包围的区域中的成像元件基板5层叠并回流焊在电路板2上；和将耐热性比成像元件基板5高的透光性基板7层叠在成像元件基板5上。结果，在成像元件封装1中，能够抑制由于电路板2的热膨胀系数与支撑基板100的热膨胀系数之间的差异而引起的成像元件基板5的翘曲。
[0093]
成像元件封装1的制造方法包括：使成像元件基板5与框体6之间以及透光性基板7与框体6之间的空间被填充构件8填充；和在加热到使成像元件基板5的翘曲最小化的温度的状态下，使填充构件8热固化。通过利用填充构件8保持翘曲最小化的成像元件基板5的形状，能够维持成像元件基板5的平坦性。
[0094]
注意，本说明书中记载的效果仅仅是示例而非限制。可以表现出其他效果。
[0095]
注意，本技术也能够具有如下构造。
[0096]
(1)
[0097]
一种成像元件封装，其包括：
[0098]
电路板；
[0099]
成像元件基板，其层叠在所述电路板上；和
[0100]
透光性基板，其通过粘接构件隔着空隙层叠在所述成像元件基板上，并且具有比所述成像元件基板高的耐热性，所述粘接构件设置在所述成像元件基板的光接收面的周边边缘上。
[0101]
(2)
[0102]
根据(1)所述的成像元件封装，
[0103]
其中，所述透光性基板包括红外截止滤光片基板。
[0104]
(3)
[0105]
根据(2)所述的成像元件封装，
[0106]
其中，所述透光性基板包括：
[0107]
玻璃基板，其通过粘接构件隔着空隙叠加并固定在所述成像元件基板上，该粘接
构件设置在所述成像元件基板的光接收面的周边边缘上；和
[0108]
所述红外截止滤光片基板，其经由透明树脂层层叠在所述玻璃基板上。
[0109]
(4)
[0110]
根据(2)所述的成像元件封装，
[0111]
其中，所述透光性基板包括：
[0112]
玻璃基板，其通过粘接构件隔着空隙叠加并固定在所述成像元件基板上，该粘接构件设置在所述成像元件基板的光接收面的周边边缘上；和
[0113]
所述红外截止滤光片基板，其通过粘接构件隔着空隙叠加并固定在所述玻璃基板上，该粘接构件设置在所述玻璃基板的光接收面的周边边缘上。
[0114]
(5)
[0115]
根据(2)所述的成像元件封装，
[0116]
其中，所述透光性基板包括所述红外截止滤光片基板，所述红外截止滤光片基板通过粘接构件隔着空隙叠加并固定在所述成像元件基板上，该粘接构件设置在所述成像元件基板的光接收面的周边边缘上。
[0117]
(6)
[0118]
根据(1)至(5)中任一项所述的成像元件封装，其还包括：
[0119]
框体，其具有框架形状，而且层叠在所述电路板上，
[0120]
其中，所述成像元件基板和所述透光性基板被容纳在由所述框体包围的区域中。
[0121]
(7)
[0122]
根据(6)所述的成像元件封装，其还包括：
[0123]
填充构件，其具有比所述成像元件基板高的弹性模量，所述成像元件基板与所述框体之间以及所述透光性基板与所述框体之间的空间被所述填充构件填充。
[0124]
(8)
[0125]
根据(1)至(7)中任一项所述的成像元件封装，
[0126]
其中，所述透光性基板的热膨胀系数与所述成像元件基板的热膨胀系数相差数ppm/℃以内。
[0127]
(9)
[0128]
根据(1)至(8)中任一项所述的成像元件封装，
[0129]
其中，所述透光性基板的厚度等于或大于所述成像元件基板的厚度。
[0130]
(10)
[0131]
一种成像元件封装的制造方法，其包括：
[0132]
将电路板接合到支撑基板，所述支撑基板的热膨胀系数与所述电路板的热膨胀系数相差数十ppm/℃以内；
[0133]
经由凸块将具有框架形状的框体和容纳在由所述框体包围的区域中的成像元件基板层叠并回流焊在所述电路板上；和
[0134]
将耐热性比所述成像元件基板高的透光性基板层叠在所述成像元件基板上。
[0135]
(11)
[0136]
根据(10)所述的成像元件封装的制造方法，其包括：
[0137]
使所述成像元件基板与所述框体之间以及所述透光性基板与所述框体之间的空
间被填充构件填充；和
[0138]
在加热到使所述成像元件基板的翘曲最小化的温度的状态下，使所述填充构件热固化。
[0139]
附图标记列表
[0140]1ꢀꢀꢀ
成像元件封装
[0141]2ꢀꢀ
电路板
[0142]3ꢀꢀ
凸块
[0143]
4 筑坝材料
[0144]5ꢀꢀ
成像元件基板
[0145]
51 硅基板
[0146]
52 像素阵列
[0147]6ꢀꢀ
框体
[0148]
7、7a、7b、7c、7e 透光性基板
[0149]
71 玻璃基板
[0150]
72 红外截止滤光片基板
[0151]8ꢀꢀ
填充构件
[0152]
81、82 透明树脂层
[0153]
91、92 粘接构件