用于生产化学气相沉积金刚石的方法与流程

技术特征：
1.制造cvd合成金刚石材料的方法，该方法包括：提供基本上不含第二相的由压实的非交互生长的金刚石颗粒组成的压实的金刚石载体材料；在该压实的金刚石载体材料的表面上生长cvd合成金刚石材料。2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括将生长的cvd合成金刚石材料与该压实的金刚石载体材料分离。3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中该压实的金刚石载体材料具有的密度为金刚石的理论密度的80.0％和99.5％之间。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中该压实的金刚石载体材料具有的最大尺寸在30mm至200mm的范围内。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中该压实的金刚石载体材料具有的厚度在3mm至20mm的范围内。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中该压实的金刚石载体材料具有的r
a
表面粗糙度在0.05μm至3μm的范围内。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中该压实的金刚石载体材料具有非平面表面轮廓。8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，还包括：连接至少一个单晶金刚石籽晶与该压实的金刚石载体材料；其中生长的cvd合成金刚石材料包含在该单晶金刚石籽晶上生长的单晶cvd金刚石；该方法进一步包括将生长的单晶cvd金刚石与该压实的金刚石载体材料和已生长以产生生长的单晶cvd金刚石的任何多晶cvd金刚石材料分离。9.根据权利要求8所述的方法，其中该单晶金刚石籽晶通过选自以下任何的方法与该压实的金刚石载体材料连接：焊接至该压实的金刚石载体材料的表面；钎焊至该压实的金刚石载体材料的表面；将该单晶金刚石籽晶嵌入该压实的金刚石载体材料的表面中；将该单晶金刚石籽晶定位在该压实的金刚石载体材料的表面中的凹槽中。10.根据权利要求8或9中任一项所述的方法，其中控制在该单晶金刚石籽晶上单晶cvd金刚石的生长，使得单晶cvd金刚石生长速率与多晶cvd金刚石生长速率之比为>0.5、>0.75、>1.0、>1.5、>1.75或>2。11.根据权利要求8至10中任一项所述的方法，进一步包括在1000℃以下的温度下生长单晶cvd金刚石。12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，进一步包括在该压实的金刚石载体材料上生长cvd合成金刚石材料之后停止生长过程并随后在生长的cvd合成金刚石材料上生长另外的cvd合成金刚石材料。13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，进一步包括通过在750℃和2000℃之间的温度和在3和8gpa之间的压力下压实金刚石砂砾从而提供该压实的金刚石载体材料。14.根据权利要求13所述的方法，进一步包括机加工该压实的金刚石载体材料。15.根据权利要求13或14中任一项所述的方法，进一步包括用金刚石粉末对该压实的
金刚石载体材料的表面进行干法引晶。16.根据权利要求1至15中任一项所述的方法，其中形成该压实的金刚石载体材料的压实的非交互生长的金刚石颗粒与相邻的金刚石颗粒经由非金刚石碳层结合。17.复合金刚石体，包含：基本上不含第二相的由压实的非交互生长的金刚石颗粒组成的压实的金刚石载体材料第一层；附着于压实的非交互生长的金刚石颗粒层的表面的至少一个单晶金刚石材料晶片。18.复合金刚石体，包含：基本上不含第二相的由压实的非交互生长的金刚石颗粒组成的压实的金刚石载体材料第一层；在该第一层的表面上生长的cvd合成多晶金刚石材料层。19.复合金刚石体，包含：基本上不含第二相的由压实的非交互生长的金刚石颗粒组成的压实的金刚石载体材料第一层；与该第一层连接的合成金刚石材料第二层，该第二层具有比该第一层更高的热传导率。20.根据权利要求17、18或19中任一项所述的复合金刚石体，其中该压实的金刚石载体材料具有的最大尺寸在30mm至200mm的范围内。21.根据权利要求17至20中任一项所述的复合金刚石体，其中该压实的金刚石载体材料具有的厚度在3mm至20mm的范围内。22.根据权利要求17至21中任一项所述的方法，其中该压实的金刚石载体材料具有的r
a
表面粗糙度在0.05μm至3μm的范围内。23.根据权利要求17至22中任一项所述的方法，其中压实的金刚石载体材料包含接合在一起的压实的金刚石载体材料的离散块。24.根据权利要求23和当从属于权利要求18时的权利要求20至23中任一项所述的方法，其中cvd合成多晶金刚石材料层具有的厚度在1至10mm的范围内。

技术总结
制造CVD合成金刚石材料的方法，该方法包括提供基本上不含第二相的由压实的非交互生长的金刚石颗粒组成的压实的金刚石载体材料，和在该压实的金刚石载体材料的表面上生长CVD合成金刚石材料。还描述了由该方法制备的复合金刚石体。金刚石体。金刚石体。


技术研发人员：G
受保护的技术使用者：六号元素技术有限公司
技术研发日：2020.12.15
技术公布日：2022/7/9