检测装置以及显示装置的制作方法

1.本发明的实施方式涉及检测装置以及显示装置。


背景技术：

2.光学式的检测装置例如具备pin光电二极管作为光电转换元件。作为在基板上设置这样的光电转换元件的技术的一例，已知有在基板与半导体层之间设置遮光层以减轻噪声光的影响的技术。
3.近年来，这样的光学式检测装置被用作例如指纹传感器或静脉传感器等检测生物体信息的生物体传感器。在搭载于便携终端设备等能够在室外使用的电子设备的检测装置中，抑制由太阳光的影响而引起的误动作是很重要的。
4.现有技术文献
5.专利文献
6.专利文献1：日本特开2013-12696号公报


技术实现要素：

7.发明所要解决的技术问题
8.本实施方式的目的在于提供能够抑制可靠性降低的检测装置以及显示装置。
9.用于解决技术问题的技术方案
10.本实施方式的检测装置具备：
11.基板；光电转换元件，设置在所述基板上，包括半导体层；晶体管，与所述光电转换元件对应地设置；以及绿色的滤色器，设置在所述光电转换元件上。
12.本实施方式的显示装置具备：
13.检测装置；显示面板，设置在所述检测装置上；以及罩部件，设置在所述显示面板上，具有上表面，所述显示面板构成为朝向所述上表面射出绿色的照明光，所述检测装置具备：基板；光电转换元件，设置在所述基板上，包括半导体层；晶体管，与所述光电转换元件对应地设置；以及绿色的滤色器，设置在所述光电转换元件上，所述检测装置构成为检测经由所述罩部件、所述显示面板以及所述滤色器而来自与所述上表面接触的生物体的反射光。
14.发明效果
15.根据本实施方式，能够提供能够抑制可靠性降低的检测装置以及显示装置。
附图说明
16.图1是表示具备本实施方式的检测装置1的显示装置dsp的一个构成例的剖视图。
17.图2是表示图1所示的检测装置1的一个构成例的图。
18.图3是表示检测元件3的电路图。
19.图4是表示检测元件3的一个构成例的俯视图。
20.图5是沿着图4的a-b线的剖视图。
21.图6是表示本实施方式中能够应用的滤色器cf的分光特性的一例的图。
22.图7是表示检测元件3的其他构成例的剖视图。
23.图8是表示检测元件3的其他构成例的俯视图。
24.图9是表示检测元件3的其他构成例的剖视图。
具体实施方式
25.以下，参照附图对本实施方式进行说明。需要说明的是，公开仅是一例，对于本领域技术人员来说，关于保持发明的主旨的适当变更而能够容易地想到的内容，当然也包括在本发明的范围内。另外，为了使说明更明确，与实际的方式相比，附图有时示意性地表示各部分的宽度、厚度、形状等，但仅是一例，并不限定本发明的解释。另外，在本说明书和各图中，对发挥与已出现的图有关的上述内容相同或类似的功能的构成要素标注相同的参照符号，有时适当省略重复的详细说明。
26.图1是表示具备本实施方式的检测装置1的显示装置dsp的一个构成例的剖视图。显示装置dsp具备检测装置1、光学层ol、显示面板pnl和罩部件cv。在图1所示的构成例中，检测装置1以及光学层ol通过粘接层ad1粘接，光学层ol以及显示面板pnl通过粘接层ad2粘接，显示面板pnl以及罩部件cv通过粘接层ad3粘接。粘接层ad1至ad3是透明的。也可以省略粘接层ad1至ad3。
27.光学层ol设置在检测装置1上。光学层ol是用于使朝向检测装置1的光折射等而提高向检测装置1的入射效率的透镜层，包括准直仪等。需要说明的是，也可以省略光学层ol。
28.显示面板pnl设置在检测装置1以及光学层ol上。需要说明的是，检测装置1可以设置为在显示面板pnl的整个面上重叠，也可以设置为与显示面板pnl的一部分重叠。显示面板pnl例如是具备有机电致发光(el)元件、微型led、迷你led等自发光型的显示元件dl的显示面板。另外，显示面板pnl也可以是具备液晶元件或电泳元件等显示元件dl的显示面板。在显示面板pnl中，在多个显示元件dl之间设有光能够透过的间隙ds。作为显示元件dl，例如使用分别射出红光、绿光以及蓝光的发光元件。
29.罩部件cv设置在显示面板pnl上。罩部件cv例如是玻璃基板或树脂基板。罩部件cv具有与生物体等物体接触的上表面cva。图1所示的构成例示出了手指f与上表面cva接触的状态。
30.显示面板pnl构成为朝向上表面cva射出规定颜色的照明光l1。例如，在设置于显示面板pnl的显示元件dl中，通过点亮射出500nm～550nm的波长的光(绿光)的发光元件，使绿色的照明光l1朝向上表面cva射出。需要说明的是，照明光l1的颜色不限于绿色，也可以是蓝色、蓝绿色等其他颜色。
31.检测装置1具备检测元件3，构成为检测经由罩部件cv、显示面板pnl以及光学层ol的光。检测元件3被配置为与显示元件dl的间隙ds对置。例如，在照明光l1中，由手指f反射的反射光透过显示元件dl之间的间隙ds，在光学层ol中被准直等，并由检测装置1检测。关于检测装置1的详细情况将在后面叙述，检测装置1例如是光反射型的生物体传感器，并且能够通过检测由手指f反射的反射光来检测手指f的表面的凹凸(例如，指纹)。另外，除了指纹的检测以外，检测装置1还能够通过检测由手指f的内部反射的反射光来检测与生物体有
关的信息。与生物体相关的信息例如是静脉等的血管图像、脉搏、脉搏波等。
32.但是，在室外使用这样的显示装置dsp的情况下，需要考虑太阳光所包括的波长中透过生物体的波长的光l2的影响。已知生物体容易透过600nm～1100nm的波长范围的光。另一方面，检测元件3所具备的光电转换元件能够检测大约400nm～800nm的波长范围的光，在550nm～600nm附近具有灵敏度的峰值。但是，光电转换元件对于750nm以上的波长的光，特别是800nm以上的波长范围的光几乎不能检测(灵敏度为零)。这样，如果考虑容易透过生物体的光的波长和由检测装置1检测的光的波长，则600nm～750nm的波长范围的光l2透过生物体，可能成为检测装置1中的噪声光。这样的噪声光有可能在检测装置1中产生误动作，成为导致可靠性降低的一个原因。
33.因此，在本实施方式中，检测装置1在检测元件3与显示面板pnl之间具备滤色器cf。这些结构将在后面叙述。
34.图2是表示图1所示的检测装置1的一个构成例的图。检测装置1具备基板21、传感器部10、扫描线驱动电路11、信号线选择电路12和检测电路13。检测电路13例如设置在与基板21电连接的布线基板14上，也可以设置在基板21上。
35.传感器部10具备多个检测元件3。多个检测元件3在第一方向x以及第二方向y上配置为矩阵状。检测元件3是具有光电转换元件30的光传感器。光电转换元件30是光电二极管，输出与照射的光对应的电信号。更具体而言，光电转换元件30是pin(positive intrinsic negative：正-本征-负)光电二极管。光电转换元件30根据从扫描线驱动电路11供给的栅极驱动信号(例如，复位控制信号rst、读出控制信号rd)进行检测。光电转换元件30将与照射的光对应的电信号作为检测信号vdet输出到信号线选择电路12。检测装置1基于来自多个光电转换元件30的检测信号vdet来检测与生物体相关的信息。
36.需要说明的是，在本说明书中，第一方向x以及第二方向y是与基板21平行的方向。第一方向x以及第二方向y可以相互正交，也可以以90度以外的角度交叉。另外，第三方向z是与第一方向x以及第二方向y正交的方向，是基板21的法线方向。
37.图3是表示检测元件3的电路图。检测元件3具备光电转换元件30、第一晶体管(复位晶体管)mrst、第二晶体管(读出晶体管)mrd和第三晶体管(源极跟随器晶体管)msf。另外，在检测元件3中，设置第一扫描线(复位控制扫描线)glrst以及第二扫描线(读出控制扫描线)glrd作为检测驱动线(扫描线)，并且设置第一信号线(输出信号线)sl作为信号读出用的布线。第一扫描线glrst以及第二扫描线glrd与图2所示的扫描线驱动电路11连接。第一扫描线glrst是供给复位控制信号rst的布线，第二扫描线glrd是供给读出控制信号rd的布线。第一信号线sl与图2所示的信号线选择电路12连接。信号线选择电路12例如是多路复用器。信号线选择电路12连接所选择的第一信号线sl和检测电路13。由此，信号线选择电路12将光电转换元件30的检测信号vdet输出到检测电路13。
38.需要说明的是，在图3中示出了一个检测元件3，但第一扫描线glrst、第二扫描线glrd以及第一信号线sl与多个检测元件3连接。具体而言，第一扫描线glrst以及第二扫描线glrd在图2所示的第一方向x上延伸，并与在第一方向x上排列的多个检测元件3连接。另外，第一信号线sl在图2所示的第二方向y上延伸，并与在第二方向y上排列的多个检测元件3连接。
39.第一晶体管mrst、第二晶体管mrd以及第三晶体管msf与一个光电转换元件30对应
地设置。检测元件3所具有的多个晶体管在一例中分别由n型tft(薄膜晶体管)构成，但并不限定于此，各晶体管也可以分别由p型tft构成。
40.向光电转换元件30的阳极施加基准电位vcom。光电转换元件30的阴极连接到节点n1。节点n1分别与电容元件cs、第一晶体管mrst的源电极以及漏电极的一方、第三晶体管msf的栅电极连接。另外，在节点n1存在寄生电容cp。在用光照射光电转换元件30的情况下，从光电转换元件30输出的信号(电荷)被存储在电容元件cs中。
41.第一晶体管mrst的栅电极与第一扫描线glrst连接。向第一晶体管mrst的源电极以及漏电极的另一方供给复位电位vrst。当第一晶体管mrst响应复位控制信号rst而导通(导通状态)时，节点n1的电位被复位为复位电位vrst。基准电位vcom具有比复位电位vrst低的电位，光电转换元件30被反向偏置驱动。
42.第三晶体管msf连接在供给电源电位vdd的端子与第二晶体管mrd(节点n2)之间。第三晶体管msf的栅电极与节点n1连接。由光电转换元件30产生的信号(电荷)被供给到第三晶体管msf的栅电极。由此，第三晶体管msf将与由光电转换元件30产生的信号(电荷)对应的信号电压输出到第二晶体管mrd。
43.第二晶体管mrd连接在第三晶体管msf的源电极(节点n2)与第一信号线sl(节点n3)之间。第二晶体管mrd的栅电极与第二扫描线glrd连接。当第二晶体管mrd响应读出控制信号rd而导通时，从第三晶体管msf输出的信号，即与由光电转换元件30产生的信号(电荷)对应的信号电压作为检测信号vdet被输出到第一信号线sl。
44.需要说明的是，在图3所示的例子中，第一晶体管mrst以及第二晶体管mrd分别是两个晶体管串联连接而构成的所谓双栅极结构。但是，并不限定于该例子，第一晶体管mrst以及第二晶体管mrd也可以是单栅极结构，也可以串联连接三个以上的晶体管。另外，一个检测元件3的电路并不限定于具有第一晶体管mrst、第二晶体管mrd以及第三晶体管msf这三个晶体管的构成。检测元件3可以具有两个晶体管，也可以具有四个以上的晶体管。
45.图4是表示检测元件3的一个构成例的俯视图。一个检测元件3以单点划线包围的方式，除了光电变换元件30以外，还具备两条扫描线(第一扫描线glrst以及第二扫描线glrd)、四条信号线(第一信号线sl、第二信号线(电源信号线)slsf、第三信号线(复位信号线)slrst以及第四信号线(基准信号线)slcom)。第一扫描线glrst以及第二扫描线glrd分别在第一方向x上延伸，在第二方向y上排列。第二信号线slsf、第一信号线sl、第三信号线slrst以及第四信号线slcom分别在第二方向y上延伸，并按照该顺序在第一方向x上排列。第二信号线slsf是电源电位vdd的信号线，第三信号线slrst是复位电位vrst的信号线，第四信号线slcom是基准电位vcom的信号线。
46.光电转换元件30设置在由两条扫描线(第一扫描线glrst以及第二扫描线glrd)和两条信号线(第三信号线slrst以及第四信号线slcom)包围的区域。光电转换元件30包括具有光伏效应的半导体层。具体而言，光电转换元件30的半导体层具有i型半导体层31、n型半导体层32以及p型半导体层33。i型半导体层31以及n型半导体层32例如由非晶硅(a-si)形成，p型半导体层33例如由多晶硅形成。需要说明的是，半导体层的材料并不限定于此，也可以将非晶硅置换为多晶硅或微晶硅等，也可以将多晶硅置换为非晶硅或微晶硅等。n型半导体层32在非晶硅中掺杂杂质而形成n 区域。p型半导体层33在多晶硅中掺杂杂质而形成p 区域。i型半导体层31例如是非掺杂的本征半导体，具有比n型半导体层32以及p型半导体层
33低的导电性。p型半导体层33经由接触孔h11与第四信号线slcom电连接。由此，经由第四信号线slcom向光电转换元件30的p型半导体层33供给基准电位vcom。
47.下部电极35设置在与光电转换元件30的半导体层重叠的区域中。下部电极35经由接触孔h12与第四信号线slcom电连接。由此，下部电极35被供给与p型半导体层33相同的基准电位vcom，能够抑制下部电极35与p型半导体层33之间的寄生电容。
48.第一晶体管mrst、第三晶体管msf以及第二晶体管mrd在第一信号线sl与第二信号线slsf之间沿第二方向y排列。另外，这三个晶体管和一个光电转换元件30隔着第一信号线sl以及第三信号线slrst在第一方向x上相邻。
49.第一晶体管mrst具备半导体层61。半导体层61的一端与第三信号线slrst电连接。半导体层61的另一端与连接电极cn电连接。第三信号线slrst中与半导体层61连接的部分作为源电极发挥作用，连接电极cn中与半导体层61连接的部分作为漏电极发挥作用。半导体层61与第一扫描线glrst交叉。第一扫描线glrst中与半导体层61重叠的部分作为栅电极发挥作用。
50.第三晶体管msf具备半导体层65。半导体层65的一端与第二信号线slsf电连接。半导体层65的另一端与节点n2电连接。第二信号线slsf中与半导体层65连接的部分作为漏电极发挥作用，节点n2中与半导体层65连接的部分作为源电极发挥作用。栅极线glsf的一端与连接电极cn电连接。栅极线glsf的另一端具有在第二方向y上排列设置的两个分支部分。半导体层65与分支为两条的栅极线glsf交叉。栅极线glsf中与半导体层65重叠的部分作为栅电极发挥作用。即，第一晶体管mrst经由连接电极cn以及栅极线glsf与第三晶体管msf的栅电极电连接。
51.第二晶体管mrd具备半导体层71。需要说明的是，在图4所示的构成例中，半导体层71与半导体层65一体形成，但也可以与半导体层65分离。半导体层71的一端与节点n2电连接。半导体层71的另一端与第一信号线sl电连接。节点n2中与半导体层71连接的部分作为漏电极发挥作用，第一信号线sl中与半导体层71连接的部分作为源电极发挥作用。第二扫描线glrd具有在第二方向y上排列设置的两个分支的部分。半导体层71与第二扫描线glrd的两个分支的部分交叉。第二扫描线glrd中与半导体层71重叠的部分作为栅电极发挥作用。在这样的结构中，第二晶体管mrd以及第三晶体管msf与第一信号线sl电连接。
52.设置在光电转换元件30上的上部电极34是透明电极，与n型半导体层32电连接。与上部电极34一体形成的连接布线34a与连接电极cn电连接。即，光电转换元件30的阴极(n型半导体层32)经由上部电极34以及连接电极cn与第一晶体管mrst以及第三晶体管msf电连接。
53.需要说明的是，图4所示的光电转换元件30以及各晶体管的平面构成仅是一例，能够适当变更。例如，并不限定于多个晶体管在第二方向y上排列配置的结构，也可以设置于不同的位置，例如一部分晶体管与其他晶体管在第一方向x上相邻配置等。
54.图5是沿着图4的a-b线的剖视图。需要说明的是，在图5中，示出了检测元件3所具有的三个晶体管中的第一晶体管mrst的截面结构，第二晶体管mrd以及第三晶体管msf的截面结构也与第一晶体管mrst相同。这里所示的第一晶体管mrst是栅电极设置在半导体层的下侧的底栅结构，但也可以是栅电极设置在半导体层的上侧的顶栅结构，还可以是栅电极设置在半导体层的上侧以及下侧的双栅极结构。
55.基板21是玻璃基板或树脂基板等绝缘基板。包括作为栅电极发挥作用的部分的第一扫描线glrst以及栅极线glsf设置在基板21上，被绝缘膜22覆盖。绝缘膜23设置在绝缘膜22上。
56.半导体层61设置在绝缘膜23上，被绝缘膜24覆盖。绝缘膜25设置在绝缘膜24上。半导体层61例如是多晶硅，也可以是微晶氧化物半导体、非晶氧化物半导体、低温多晶硅等。半导体层61具有沟道区域61a、高浓度杂质区域61b、61c、低浓度杂质区域61d、61e。沟道区域61a例如是非掺杂的本征半导体或低杂质区域，具有比高浓度杂质区域61b、61c以及低浓度杂质区域61d、61e低的导电性。沟道区域61a相当于半导体层61中与第一扫描线glrst重叠的区域。低浓度杂质区域61d、62e分别设置在沟道区域61a与高浓度杂质区域61b、61c之间。
57.第三信号线slrst以及连接电极cn设置在绝缘膜25上，被绝缘膜26覆盖。需要说明的是，如图4所示，在与半导体层61重叠的区域中，在第三信号线slrst与连接电极cn之间设置有第一信号线sl，但在图5中省略了第一信号线sl的图示。
58.第三信号线slrst在贯通绝缘膜24以及25的接触孔h1中，与半导体层61的高浓度杂质区域61b接触。连接电极cn在贯通绝缘膜24以及25的接触孔h2中与半导体层61的高浓度杂质区域61c接触。另外，连接电极cn在贯通绝缘膜22至25的接触孔h3中与栅极线glsf接触。
59.绝缘膜22至26是无机绝缘膜，例如由氧化硅或氮化硅等形成。
60.第三晶体管msf的半导体层65与半导体层61同样地设置在绝缘膜23上，被绝缘膜24覆盖。第二信号线slsf与第三信号线slrst以及连接电极cn同样地设置在绝缘膜25上，被绝缘膜26覆盖。第二信号线slsf在贯通绝缘膜24以及25的接触孔h4中与半导体层65接触。
61.下部电极35设置在基板21上，由绝缘膜22覆盖。下部电极35由与第一扫描线glrst以及栅极线glsf相同的材料即不透明的金属材料形成。光电转换元件30设置在绝缘膜23上，并与下部电极35重叠。下部电极35作为遮光层发挥作用，抑制透过基板21的光向光电转换元件30的侵入。
62.i型半导体层31设置在p型半导体层33与n型半导体层32之间。在本实施方式中，在绝缘膜23上p型半导体层33、i型半导体层31以及n型半导体层32按照该顺序层叠。需要说明的是，也可以在绝缘膜23上依次层叠n型半导体层32、i型半导体层31以及p型半导体层33。
63.具体而言，p型半导体层33与半导体层61以及65同样地设置在绝缘膜23上，被绝缘膜24至26覆盖。绝缘膜24以及25在与p型半导体层33重叠的位置具有贯通至p型半导体层33的开口部op11。绝缘膜26覆盖包括第一晶体管mrst的多个晶体管，并且设置在绝缘膜25上。绝缘膜26覆盖构成开口部op11的内壁的绝缘膜24以及绝缘膜25的侧面。另外，绝缘膜26在与p型半导体层33重叠的位置具有贯通至p型半导体层33的开口部op12。i型半导体层31设置在绝缘膜26上，在开口部op12与p型半导体层33接触。n型半导体层32设置在i型半导体层31上，与i型半导体层31接触。
64.绝缘膜27设置在绝缘膜26上。另外，绝缘膜27覆盖光电转换元件30。即，绝缘膜27覆盖i型半导体层31以及n型半导体层32。另外，绝缘膜27具有贯通至n型半导体层32的开口部op2。这样的绝缘膜27是透明的有机绝缘膜，例如由丙烯酸树脂等有机材料形成。绝缘膜27比绝缘膜26厚。
65.上部电极34设置在绝缘膜27上，被绝缘膜28覆盖。上部电极34是由例如铟锡氧化物等透明导电材料形成的透明电极。上部电极34仿照绝缘膜27的表面而设置，在设置于绝缘膜27的开口部op2与n型半导体层32接触。另外，从上部电极34延伸出的连接布线34a在设置于绝缘膜27的接触孔h5中与连接电极cn接触，与栅极线glsf电连接。
66.绝缘膜28覆盖上部电极34，并且设置在绝缘膜27上。绝缘膜29设置在绝缘膜28上。绝缘膜28是透明的无机绝缘膜。绝缘膜28设置为用于抑制水分侵入光电转换元件30的保护层。绝缘膜29是透明的有机绝缘膜。绝缘膜29与绝缘膜28接触，在与光电转换元件30重叠的区域中，填充在由开口部op11及op12和开口部op2形成的凹部中，形成为使检测元件3的表面平坦化。在绝缘膜29中，与光电转换元件30重叠的区域的膜厚t11大于与第一晶体管mrst重叠的区域的膜厚t12。
67.绿色的滤色器cf设置在绝缘膜29上。这样的滤色器cf至少设置在光电转换元件30上。另外，滤色器cf与开口部op11、op12、op2重叠。在图5所示的构成例中，滤色器cf不仅设置在光电转换元件30上，还设置在第一晶体管mrst上，覆盖检测元件3的整体。此外，滤色器cf设置在图2所示的多个检测元件3上，覆盖传感器部10的大致整体。在滤色器cf中，与光电转换元件30重叠的区域的膜厚t21和与第一晶体管mrst重叠的区域的膜厚t22大致相等。
68.外涂层oc覆盖滤色器cf。外涂层oc是透明的有机绝缘膜。即，滤色器cf被夹持在作为透明的有机绝缘膜的绝缘膜29与外涂层oc之间。
69.图6是表示本实施方式中能够应用的滤色器cf的分光特性的一例的图。横轴是波长(nm)，纵轴是标准化的透过率(％)。在此，准备膜厚不同的三个滤色器cf，测定各自的分光特性。需要说明的是，任一滤色器均由相同材料形成。图中的a表示具有1.5μm膜厚的滤色器cf的分光特性。图中的b表示具有2.0μm膜厚的滤色器cf的分光特性。图中的c表示具有2.5μm膜厚的滤色器cf的分光特性。
70.可以确认，在任一滤色器cf中，在500nm以上且580nm以下的波长范围内，可以得到60％以上的透过率，在大致520nm以上且550nm以下的波长范围内，可以得到80％以上的透过率。
71.另外，可以确认，在具有1.5μm以上的膜厚的任一滤色器cf中，在600nm以上且750nm以下的波长范围内，透过率为20％以下。特别是，确认了滤色器cf的膜厚越大则透过率越低的倾向。关于具有2.0μm以上的膜厚的滤色器cf，在600nm以上且750nm以下的波长范围内，透过率为10％以下。另外，关于具有2.5μm以上的膜厚的滤色器cf，在600nm以上且800nm以下的波长范围内，透过率为20％以下，在600nm以上且750nm以下的波长范围内，透过率为10％以下。
72.这样，绿色的滤色器cf对于由光电转换元件30检测出的波长的光l1具有高透过性，另一方面，对于透过生物体而可能成为噪声光的波长的光l2具有高遮光性。
73.需要说明的是，如果滤色器cf的膜厚为3μm以上，则对于光l2的透过率大致为零，另一方面，对于光l1的透过率有可能降低。因此，滤色器cf的膜厚优选为3μm以下。
74.根据本实施方式，滤色器cf设置在光电转换元件30与显示面板pnl之间，使由生物体反射的绿色的反射光透过，并且遮蔽透过生物体的外光。由此，可以抑制由外光引起的检测装置1的误动作。因此，能够抑制可靠性降低。
75.另外，滤色器cf设置在作为透明的有机绝缘膜的绝缘膜29与外涂层oc之间。因此，
即使滤色器cf包括对光电转换元件30和晶体管等的性能产生不良影响的杂质，也能够抑制该杂质的漏出。
76.作为比较例，在代替滤色器cf而在光学层ol与显示面板pnl之间设置ir截止滤光片的情况下，一般的ir截止滤光片具有数百微米的厚度。另外，还需要追加用于粘接ir截止滤光片的粘接层。
77.根据本实施方式，通过追加膜厚为数μm的滤色器cf，可以得到与ir截止滤光片同等的遮光性能，另外，能够省略粘接ir截止滤光片的粘接层。因此，与比较例相比，能够降低显示装置dsp的总厚度。另外，与比较例相比，能够削减部件件数，从而削减成本。
78.图7是表示检测元件3的其他构成例的剖视图。需要说明的是，图7相当于沿着图4的a-b线的剖视图。图7所示的构成例与图5所示的构成例相比，不同点在于省略了绝缘膜29，滤色器cf直接设置在绝缘膜28上。即，滤色器cf与作为无机绝缘膜的绝缘膜28接触，被外涂层oc覆盖。另外，滤色器cf形成为：在与光电转换元件30重叠的区域中，填充在由开口部op11以及op12和开口部op2形成的凹部中，使检测元件3的表面平坦化。在滤色器cf中，与光电转换元件30重叠的区域的膜厚t1大于与第一晶体管mrst重叠的区域的膜厚t2。
79.在这样的构成例中，也可以得到与上述构成例相同的效果。此外，通过设置用于使检测元件3的表面平坦化的滤色器cf，与光电转换元件30重叠的区域的膜厚t1变大，能够实现对于噪声光的高遮光性。
80.另外，通过省略绝缘膜29，能够简化制造工序，从而削减制造成本。
81.图8是表示检测元件3的其他构成例的俯视图。图8所示的构成例与图5所示的构成例相比，不同点在于：滤色器cf设置在与光电转换元件30重叠的区域，而不设置在与第一晶体管mrst重叠的区域。在图8所示的构成例中，滤色器cf设置在由第一扫描线glrst以及第二扫描线glrd，和第三信号线slrst以及第四信号线slcom包围的区域。另外，滤色器cf与光电转换元件30的整体重叠，也与第三信号线slrst以及第四信号线slcom重叠。另外，滤色器cf不仅不与第一晶体管mrst重叠，也不与第二晶体管mrd以及第三晶体管msf中的任一个重叠。
82.图9是表示检测元件3的其他构成例的剖视图。图9相当于沿着图8的a-b线的剖视图。滤色器cf在绝缘膜29上形成为岛状，并与光电转换元件30重叠。外涂层oc在与光电转换元件30重叠的区域中覆盖滤色器cf，并且在与第一晶体管mrst重叠的区域中与绝缘膜29接触。
83.在这样的构成例中，也可以得到与上述构成例相同的效果。需要说明的是，在图8以及图9所示的构成例中，滤色器cf设置在绝缘膜29上，但也可以如参照图7说明的构成例那样，省略绝缘膜29，将滤色器cf填充到与光电转换元件30重叠的区域的凹部中。
84.在上述的本实施方式中，例如，绝缘膜29相当于第一有机绝缘膜，外涂层oc相当于第二有机绝缘膜。绝缘膜24至26相当于第一绝缘膜，绝缘膜27相当于第二绝缘膜。开口部op11以及op12相当于第一开口部，开口部op2相当于第二开口部。
85.如上所述，根据本实施方式，能够提供能够抑制可靠性降低的检测装置以及显示装置。
86.需要说明的是，虽然对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式仅是作为例子而提出的，并不旨在限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种方式实
施，在不脱离发明的要旨的范围内，能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包括在发明的范围和要旨内，并且包括在权利要求书所记载的发明及其均等的范围内。
87.附图标记说明
88.dsp：显示装置；1：检测装置；pnl：显示面板；21：基板；30：光电转换元件；21：i型半导体层；32：n型半导体层；33：p型半导体层；cf：(绿色)滤色器；mrst、msf、mrd：晶体管。