显示装置的制作方法

显示装置
1.本技术要求于2021年1月4日提交的第10-2021-0000425号韩国专利申请的优先权以及由此产生的所有权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
2.本公开涉及一种显示装置。


背景技术：

3.显示装置用于在装置上显示图像，并且可以包括液晶显示器、有机发光二极管显示器等。这样的显示装置用于各种电子装置(诸如移动电话、导航单元、数码相机、电子书、便携式游戏机和各种终端)中。
4.有机发光二极管显示器可以包括两个电极以及定位在所述两个电极之间的有机发光层，并且从所述两个电极中的一个电极注入的电子和从所述两个电极中的另一电极注入的空穴在有机发光层中结合，以形成激子(excition)。激子在从激发态变为基态时输出能量并发射光。
5.有机发光二极管显示器通常包括包含作为自发射元件的有机发光二极管的多个像素，并且在每个像素中设置多个晶体管以及一个或更多个电容器，以驱动有机发光二极管。


技术实现要素：

6.在显示装置中，可以设置或者形成多个导电层和多个绝缘层以形成每个像素的晶体管和电容器，并且当冲击从外部施加到显示装置时，导电层或绝缘层可能损坏，使得显示装置会无法正常工作。另外，在导电层或绝缘层的一些区域中产生的损坏会在水平方向或竖直方向上传播，从而影响其它层。
7.实施例提供了一种其中减小外部冲击的影响的显示装置。
8.实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底；半导体层，设置在基底上；第一栅极绝缘层，设置在半导体层上；栅电极，设置在第一栅极绝缘层上；第二栅极绝缘层，设置在栅电极上；第一存储电极，设置在第二栅极绝缘层上；第一层间绝缘层，设置在第一存储电极上，其中，开口限定为穿过第一层间绝缘层以在平面图中围绕半导体层、栅电极和第一存储电极；以及第二层间绝缘层，设置在第一层间绝缘层上，并且设置在开口中，其中，第二层间绝缘层包括有机材料。
9.在实施例中，第一层间绝缘层可以包括具有彼此不同的特性的多个层。
10.在实施例中，包括第一材料的层和包括第二材料的层可以在第一层间绝缘层中彼此交替且重复地堆叠。
11.在实施例中，第一材料可以是氧化硅，并且第二材料可以是氮化硅。
12.在实施例中，第一层间绝缘层可以包括10层或更多层。
13.在实施例中，第一层间绝缘层可以包括无机材料。
14.在实施例中，第一层间绝缘层的厚度可以大于或者等于约4500埃且小于或者等于约
15.在实施例中，显示装置可以包括多个像素电路区域，并且半导体层、栅电极和第一存储电极可以设置在像素电路区域中。
16.在实施例中，开口可以围绕像素电路区域的边缘，并且像素电路区域可以通过开口彼此划分。
17.根据实施例，显示装置还可以包括：多个晶体管，设置在基底上；以及下部第一扫描线、下部第二扫描线和下部发射控制线，连接到多个晶体管中的至少一个晶体管，并且多个晶体管、下部第一扫描线、下部第二扫描线和下部发射控制线可以设置在像素电路区域中。
18.在实施例中，设置在不同的像素电路区域中的下部第一扫描线可以彼此间隔开，设置在不同的像素电路区域中的下部第二扫描线可以彼此间隔开，并且设置在不同的像素电路区域中的下部发射控制线可以彼此间隔开。
19.根据实施例，显示装置还可以包括：上部第一扫描线、上部第二扫描线和上部发射控制线，设置在第二层间绝缘层上，并且上部第一扫描线可以连接到设置在不同的像素电路区域中的下部第一扫描线，上部第二扫描线可以连接到设置在不同的像素电路区域中的下部第二扫描线，并且上部发射控制线可以连接到设置在不同的像素电路区域中的下部发射控制线。
20.根据实施例，显示装置还可以包括：第三层间绝缘层，设置在上部第一扫描线、上部第二扫描线和上部发射控制线上；数据线和驱动电压线，在第三层间绝缘层上设置为连接到多个晶体管中的至少一个晶体管；钝化层，设置在数据线和驱动电压线上；阳极，在钝化层上设置为连接到多个晶体管中的至少一个晶体管；发光二极管层，设置在阳极上；以及阴极，设置在发光二极管层上。
21.在实施例中，第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层中的每个可以包括无机材料，并且开口还可以穿过第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层来限定。
22.实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底；半导体层，设置在基底上；第一栅极绝缘层，设置在半导体层上；栅电极，设置在第一栅极绝缘层上；第二栅极绝缘层，设置在栅电极上；第一存储电极，设置在第二栅极绝缘层上；以及第一层间绝缘层，设置在第一存储电极上，其中，包括第一材料的层和包括第二材料的层在第一层间绝缘层中彼此交替且重复地堆叠，并且第一材料和第二材料具有彼此不同的特性。
23.在实施例中，第一材料可以是氧化硅，并且第二材料可以是氮化硅。
24.在实施例中，第一层间绝缘层可以包括10层或更多层。
25.在实施例中，第一层间绝缘层的厚度可以大于或者等于约且小于或者等于约
26.根据实施例，显示装置还可以包括：第二层间绝缘层，设置在第一层间绝缘层上，并且开口可以限定为穿过第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和第一层间绝缘层以在平面图中围绕半导体层、栅电极和第一存储电极，第二层间绝缘层可以设置为填充开口，第一层间绝缘层可以包括无机材料，并且第二层间绝缘层可以包括有机材料。
27.在实施例中，显示装置可以包括多个像素电路区域，半导体层、栅电极和第一存储电极可以设置在像素电路区域中，并且开口围绕像素电路区域的边缘，而像素电路区域可以通过开口彼此划分。
28.根据发明的实施例，如这里描述的，可以有效地防止由于外部冲击而在发明的实施例的一些区域中造成的损坏传播到其它区域。
附图说明
29.图1示出了根据实施例的显示装置的俯视平面图。
30.图2示出了根据实施例的显示装置的像素的电路图。
31.图3a部分地示出了根据实施例的显示装置的俯视平面图。
32.图3b部分地示出了根据实施例的显示装置的剖视图。
33.图4a、图5a、图6a、图7a、图8a和图9a示出了顺序地展示根据实施例的显示装置的制造顺序的俯视平面图。
34.图4b、图5b、图6b、图7b、图8b和图9b示出了顺序地展示根据实施例的显示装置的制造顺序的剖视图。
35.图10至图12示出了展示根据各种实施例的显示装置的第一层间绝缘层的剖视图。
36.图13示出了展示冲击施加到由单层制成的绝缘层的情况的示意图。
37.图14示出了展示冲击施加到由多层薄层制成的绝缘层的情况的示意图。
38.图15示出了展示根据发明的实施例的显示装置的应变和根据参考示例的显示装置的应变的曲线图。
39.图16示出了展示当绝缘层由单层制成时的绝缘层的弹性模量(modulus of elasticity)和当绝缘层由多层制成时的绝缘层的弹性模量的曲线图。
40.图17示出了展示当绝缘层由单层制成时的绝缘层的应力和当绝缘层由多层制成时的绝缘层的应力的曲线图。
41.图18示出了展示当绝缘层由单层制成时的绝缘层的透湿性(moisture permeability)和当绝缘层由多层制成时的绝缘层的透湿性的曲线图。
具体实施方式
42.现在将在下文中参照附图更充分地描述发明，在附图中示出了各种实施例。然而，该发明可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得该公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达发明的范围。同样的附图标记始终表示同样的元件。
43.将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离这里的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
44.此外，由于为了更好地理解和易于描述而任意地给出了附图中所示的构成构件的
尺寸和厚度，因此发明不限于示出的尺寸和厚度。在附图中，为了清楚，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了更好地理解和易于描述，夸大了一些层和区域的厚度。
45.将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，它可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。此外，在说明书中，词语“在
……
上”或“在
……
上方”表示定位在目标部分上或之下，并且不必表示定位在所述目标部分的基于重力方向的上侧上。
46.这里使用的术语仅用于描述具体实施例的目的，而不意图限制。如这里使用的，除非上下文另有明确说明，否则“一”、“一个(种/者)”、“该(所述)”和“至少一个(种/者)”不指示对数量进行限制，并且意图包括单数和复数两者。例如，除非上下文另有明确说明，否则“元件”具有与“至少一个元件”相同的含义。“至少一个(种/者)”不应当被解释为限于“一”或“一个(种/者)”。“或(或者)”表示“和/或(并且/或者)”。如这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。还将理解的是，当在该说明书中使用术语“包括”、“包含”和/或其变型时，说明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或者添加一个或更多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合。
47.此外，这里可以使用诸如“下(下部)”或“底(底部)”以及“上(上部)”或“顶(顶部)”的相对术语来描述如图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，相对术语意图涵盖装置的除了图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果图中的一幅图中的装置被翻转，那么描述为在其它元件的“下”侧上的元件随后将定位在其它元件的“上”侧上。因此，根据图的具体方位，术语“下(下部)”可以包括“下(下部)”和“上(上部)”两种方位。类似地，如果图中的一幅图中的装置被翻转，那么描述为“在”其它元件“下方”或“之下”的元件随后将定位“在”其它元件“上方”。因此，术语“在
……
下方”或“在
……
之下”可以包括上方和下方两种方位。
48.此外，这里，短语“在平面图中”表示当从上方观察目标部分，并且短语“在剖视图中”表示当从侧面观察通过垂直切割目标部分而截取的剖面。
49.如这里使用的“约(大约)”或“近似(大致)”包括所陈述的值，并且表示：考虑到正在被谈及的测量和与具体量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，在如由本领域普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围内。例如，“约(大约)”可以表示在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的
±
30％、
±
20％、
±
10％或
±
5％内。
50.除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与由本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与其在相关领域和本公开的背景中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式化的含义来解释，除非这里明确地如此定义。
51.这里描述的实施例不应被解释为限于如这里示出的区域的具体形状，而是包括由例如制造导致的形状的偏差。例如，示出或者描述为平坦的区域通常可以具有粗糙特征和/或非线性特征。此外，示出的尖角(锐角)可以是倒圆的。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不意图示出区域的精确形状，并且也不意图限制给出的权利要求书的范围。
52.在下文中，将参照附图详细地描述发明的实施例。
53.将参照图1描述根据实施例的显示装置。
54.图1示出了根据实施例的显示装置的俯视平面图。
55.如图1中所示，显示装置1000的实施例包括基底110以及设置或者定位在基底110上的多个像素px。
56.基底110包括第一区域a1、第二区域a2以及定位在第一区域a1与第二区域a2之间的弯曲区域ba。基底110可以包括柔性材料或者由柔性材料制成，并且可以以各种形式改变。在这样的实施例中，基底110可以是柔性的、可拉伸的、可折叠的、可弯曲的或可卷曲的。弯曲区域ba可以是基底110在其中可弯曲的区域。第一区域a1和第二区域a2可以具有平坦形状。在一个实施例中，基底可以仅包括如图1中所示的单个弯曲区域ba，但是不限于此。可选地，基底110可以附加地包括将可弯曲的区域。在一个实施例中，例如，基底110的第一区域a1的至少一部分或第二区域a2的至少一部分可以是可弯曲的。
57.基底110的第一区域a1从弯曲区域ba延伸。第一区域a1可以呈包括长边和短边的大致矩形形状，并且可以具有如图1中所示的通过对角部进行倒角而具备弯曲区域的形状，但是不限于此。可选地，第一区域a1的形状可以被修改为其它各种形状中的一种。第一区域a1可以包括显示区域da和外围区域pa。显示区域da可以定位在第一区域a1的中心部分中，并且可以具有与第一区域a1的形状基本相似的形状。外围区域pa可以围绕显示区域da。在这样的实施例中，外围区域pa可以定位在第一区域a1的外部中。
58.像素px可以设置或者定位在显示区域da中。像素px可以以矩阵形式布置以接收图像信号，并且相应地显示图像。在这样的实施例中，像素px的布置形状可以被各种改变或者修改。尽管未示出，但是显示装置1000的一个实施例还可以包括多条信号线。信号线可以包括多条扫描线、多条发射控制线、多条数据线、多条驱动电压线等。信号线中的每条可以传输扫描信号、发光控制信号、数据信号、驱动电压等。信号线可以定位为在行方向或列方向上彼此交叉。在实施例中，每个像素px可以包括连接到多条信号线的多个晶体管、电容器和至少一个发光二极管。在这样的实施例中，显示装置1000可以是有机发光二极管显示器。然而，显示装置1000的类型不限于此，并且显示装置1000可以是其它各种类型的显示装置中的一种。在一个实施例中，例如，显示装置1000可以是液晶显示器、电泳显示器、电润湿显示器等。
59.基底110的第二区域a2从弯曲区域ba延伸。作为不显示图像的非显示区域的第二区域a2不包括像素px。用于生成并且/或者传输施加到像素px的各种信号的元件和/或线(布线)定位在第二区域a2中。
60.在实施例中，驱动电路芯片250和柔性电路板200可以设置或者定位在第二区域a2上。驱动电路芯片250连接到定位在第二区域a2中的元件或线，以将各种信号传输到像素px。在一个实施例中，例如，驱动电路芯片250可以供应扫描信号、控制信号和数据信号。柔性电路板200可以附接到基底110的第二区域a2的边缘。柔性电路板200可以包括柔性材料或者由柔性材料制成。用于控制显示装置1000的驱动的电路被设计或者设置在柔性电路板200中。
61.基底110的弯曲区域ba定位在第一区域a1与第二区域a2之间，以将第一区域a1和第二区域a2连接。当基底110弯曲时，第一区域a1和第二区域a2可以设置为彼此叠置。基底110的弯曲区域ba可以定位为连接到第一区域a1的短边。然而，弯曲区域ba的这种位置不限
于此，并且可以被各种改变。在一个可选实施例中，例如，弯曲区域ba可以定位为连接到第一区域a1的相对短边，或者可以定位为连接到长边。
62.在下文中，将参照图2描述根据实施例的显示装置1000的一个像素px。
63.图2示出了根据实施例的显示装置的像素的电路图。
64.在实施例中，如图2中所示，显示装置1000包括显示图像的多个像素px以及多条信号线127、151、152、154、155、171和172。一个像素px可以包括连接到信号线127、151、152、154、155、171和172的多个晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7、电容器(也被称为存储电容器)cst以及至少一个发光二极管led。在下文中，为了便于描述，将主要描述如图2中所示的其中一个像素px包括单个发光二极管led的实施例，但是不限于此。
65.在这样的实施例中，信号线127、151、152、154、155、171和172可以包括初始化电压线127、多条扫描线151、152和154、发射控制线155、数据线171和驱动电压线172。
66.初始化电压线127可以传输初始化电压vint。扫描线151、152和154可以分别传输扫描信号gwn、gin和gi(n 1)。扫描信号gwn、gin和gi(n 1)可以传输能够使包括在像素px中的晶体管t2、t3、t4、t7导通或者截止的栅极导通电压或者栅极截止电压。
67.连接到像素px的扫描线151、152和154可以包括可以通过其传输扫描信号gwn的第一扫描线151、可以在与第一扫描线151的时刻(时间)不同的时刻通过其传输具有栅极导通电压的扫描信号gin的第二扫描线152以及可以通过其传输扫描信号gi(n 1)的第三扫描线154。在下文中，为了便于描述，将主要描述其中第二扫描线152在比第一扫描线151的时刻早的时刻传输栅极导通电压的实施例。在一个实施例中，例如，当扫描信号gwn是在一个帧期间施加的扫描信号之中的第n扫描信号sn(这里，n是等于或者大于1的自然数)时，扫描信号gin可以是诸如第n-1扫描信号s(n-1)的前一级扫描信号，扫描信号gi(n 1)可以是第n扫描信号sn。然而，实施例不限于此，并且扫描信号gi(n 1)可以是与第n扫描信号sn不同的扫描信号。
68.发射控制线155可以传输控制信号，诸如能够控制包括在像素px中的发光二极管led的发射的发射控制信号em。通过发射控制线155传输的控制信号可以传输栅极导通电压和栅极截止电压，并且可以具有与通过扫描线151、152和154传输的扫描信号的波形不同的波形。
69.数据线171可以传输数据信号dm，驱动电压线172可以传输驱动电压elvdd。数据信号dm可以根据输入到显示装置1000的图像信号而具有不同的电压电平，而驱动电压elvdd可以具有基本恒定的电平。
70.尽管未示出，但是显示装置1000还可以包括将信号传输到信号线127、151、152、154、155、171和172的驱动器。
71.包括在一个像素px中的晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7可以包括第一晶体管(也被称为驱动晶体管)t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7。
72.第一扫描线151可以将扫描信号gwn传输到第二晶体管t2和第三晶体管t3，第二扫描线152可以将扫描信号gin传输到第四晶体管t4，第三扫描线154可以将扫描信号gi(n 1)传输到第七晶体管t7，发射控制线155可以将发射控制信号em传输到第五晶体管t5和第六晶体管t6。
73.第一晶体管t1的栅电极g1通过驱动栅极节点gn连接到电容器cst的第一端，第一晶体管t1的第一电极ea1经由第五晶体管t5连接到驱动电压线172，第一晶体管t1的第二电极eb1经由第六晶体管t6连接到发光二极管led的阳极。第一晶体管t1可以基于第二晶体管t2的开关操作来接收通过数据线171传输的数据信号dm，以将驱动电流id供应到发光二极管led。
74.第二晶体管t2的栅电极g2连接到第一扫描线151，第二晶体管t2的第一电极ea2连接到数据线171，第二晶体管t2的第二电极eb2连接到第一晶体管t1的第一电极ea1并且经由第五晶体管t5连接到驱动电压线172。第二晶体管t2可以基于通过第一扫描线151接收的扫描信号gwn导通，以将从数据线171传输的数据信号dm传输到第一晶体管t1的第一电极ea1。
75.第三晶体管t3的栅电极g3连接到第一扫描线151，第三晶体管t3的第一电极ea3连接到第一晶体管t1的第二电极eb1并且经由第六晶体管t6连接到发光二极管led的阳极。第三晶体管t3的第二电极eb3连接到第四晶体管t4的第二电极eb4、电容器cst的第一端和第一晶体管t1的栅电极g1。第三晶体管t3可以基于通过第一扫描线151传输的扫描信号gwn导通，以将第一晶体管t1的栅电极g1和第二电极eb1彼此连接，使得第一晶体管t1可以是二极管连接的。
76.第四晶体管t4的栅电极g4连接到第二扫描线152，第四晶体管t4的第一电极ea4连接到初始化电压vint的端子，第四晶体管t4的第二电极eb4连接到电容器cst的第一端、第三晶体管t3的第二电极eb3和第一晶体管t1的栅电极g1。第四晶体管t4由于通过第二扫描线152传输的扫描信号gin而导通，以将初始化电压vint传输到第一晶体管t1的栅电极g1，以执行用于使第一晶体管t1的栅电极g1的电压初始化的初始化操作。
77.第五晶体管t5的栅电极g5连接到发射控制线155，第五晶体管t5的第一电极ea5连接到驱动电压线172，第五晶体管t5的第二电极eb5连接到第一晶体管t1的第一电极ea1和第二晶体管t2的第二电极eb2。
78.第六晶体管t6的栅电极g6连接到发射控制线155，第六晶体管t6的第一电极ea6连接到第一晶体管t1的第二电极eb1和第三晶体管t3的第一电极ea3。第六晶体管t6的第二电极eb6电连接到发光二极管led的阳极。第五晶体管t5和第六晶体管t6基于通过发射控制线155传输的发射控制信号em而同时导通，从而通过二极管连接的第一晶体管t1补偿驱动电压elvdd，以传输到发光二极管led。
79.第七晶体管t7的栅电极g7连接到第三扫描线154，第七晶体管t7的第一电极ea7连接到第六晶体管t6的第二电极eb6和发光二极管led的阳极。第七晶体管t7的第二电极eb7连接到初始化电压vint的端子和第四晶体管t4的第一电极ea4。
80.晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7可以是诸如p沟道金属氧化物半导体(“pmos”)晶体管的p型沟道晶体管，但是发明不限于此，晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7中的至少一个可以是n型沟道晶体管，或者可以包括p型沟道晶体管和n型沟道晶体管两者。
81.电容器cst的第一端如上所述地连接到第一晶体管t1的栅电极g1，电容器cst的第二端连接到驱动电压线172。发光二极管led的阴极可以连接到用于传输共电压elvss的共电压elvss的端子，以接收共电压elvss。
82.根据实施例的像素px的结构不限于图2中所示的结构，包括在一个像素px中的晶
体管和电容器的数量以及它们的连接关系可以被各种修改。
83.在下文中，将参照图3a至图9b进一步描述根据实施例的显示装置1000的一个像素px的层间结构。
84.图3a部分地示出了根据实施例的显示装置的俯视平面图，图3b部分地示出了根据实施例的显示装置的剖视图。图3b示出了显示区域的沿着图3a的线iii-iii截取的部分，并且示出了弯曲区域的一部分。图4a、图5a、图6a、图7a、图8a和图9a示出了顺序地展示根据实施例的显示装置的制造顺序的俯视平面图。图4b、图5b、图6b、图7b、图8b和图9b示出了顺序地展示根据实施例的显示装置的制造顺序的剖视图。图3a至图9b示出两个相邻的像素，并且两个相邻的像素可以具有彼此对称的平面结构。然而，发明不限于此，并且两个相邻的像素可以具有彼此相同的平面结构。
85.在实施例中，包括第一晶体管t1的沟道1132、第一区域1131和第二区域1133的半导体层可以定位或设置在基底110上。图4a和图4b示出了半导体层。除了包括第一晶体管t1的沟道1132、第一区域1131和第二区域1133之外，半导体层还可以包括第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7中的每个的沟道、第一区域和第二区域。
86.第一晶体管t1的沟道1132在平面图中可以具有弯曲形状。然而，第一晶体管t1的沟道1132的形状不限于此，并且可以被各种改变。在一个实施例中，例如，第一晶体管t1的沟道1132可以弯曲为不同的形状，或者可以形成为条状形状。第一晶体管t1的第一区域1131和第二区域1133可以定位在第一晶体管t1的沟道1132的相对侧处。第一晶体管t1的第一区域1131在平面图中向上延伸并且向下延伸，向下延伸的部分可以连接到第五晶体管t5的第二区域，而向上延伸的部分可以连接到第二晶体管t2的第二区域。第一晶体管t1的第二区域1133在平面图中向上延伸并且向下延伸，向下延伸的部分可以连接到第六晶体管t6的第一区域，而向上延伸的部分可以连接到第三晶体管t3的第一区域。
87.在实施例中，如图3b和图4b中所示，缓冲层111可以设置在基底110与包括第一晶体管t1的沟道1132、第一区域1131和第二区域1133的半导体层之间。缓冲层111可以具有单层结构或多层结构。
88.缓冲层111可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料，诸如氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)。在实施例中，阻挡层可以进一步设置在基底110与缓冲层111之间。阻挡层可以具有单层结构或多层结构。阻挡层可以包括无机绝缘材料，诸如氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)。
89.在实施例中，如图3b和图5b中所示，第一栅极绝缘层141可以设置在包括第一晶体管t1的沟道1132、第一区域1131和第二区域1133的半导体层上。第一栅极绝缘层141可以具有单层结构或多层结构。第一栅极绝缘层141可以包括无机绝缘材料，诸如氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)。
90.在这样的实施例中，包括第一晶体管t1的栅电极1151的第一栅极导体可以设置或者定位在第一栅极绝缘层141上。图5a和图5b一起示出了半导体层和第一栅极导体。
91.第一栅极导体可以具有单层结构或多层结构。第一栅极导体可以包括金属材料，诸如钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)。除了包括第一晶体管t1的栅电极之外，栅极导体还可以包括第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、晶体管t6和第七
晶体管t7中的每个的栅电极。
92.在实施例中，如图5a中所示，驱动晶体管t1的栅电极1151可以与驱动晶体管t1的沟道1132叠置。第一晶体管t1的沟道1132可以被第一晶体管t1的栅电极1151覆盖。
93.第一栅极导体还可以包括下部第一扫描线151a、下部第二扫描线152a和下部发射控制线155a。下部第一扫描线151a、下部第二扫描线152a和下部发射控制线155a可以基本在行方向上延伸。下部第一扫描线151a、下部第二扫描线152a和下部发射控制线155a可以独立地或分离地定位在两个相邻的像素px中。在这样的实施例中，定位在左边像素px中的下部第一扫描线151a可以与定位在右边像素px中的下部第一扫描线151a分开定位。在实施例中，定位在左边像素px中的下部第二扫描线152a可以与定位在右边像素px中的下部第二扫描线152a分开定位。在实施例中，定位在左边像素px中的下部发射控制线155a可以与定位在右边像素px中的下部发射控制线155a分开定位。下部第一扫描线151a可以连接到第二晶体管t2的栅电极和第三晶体管t3的栅电极。下部第一扫描线151a可以与第二晶体管t2的栅电极和第三晶体管t3的栅电极一体地形成为单个整体单元。下部第二扫描线152a可以连接到第四晶体管t4的栅电极。下部第二扫描线152a可以与第四晶体管t4的栅电极一体地形成为单个整体单元。下部第二扫描线152a可以连接到定位在前一级的像素px中的第七晶体管t7的栅电极。在这样的实施例中，连接到第七晶体管t7的旁路控制线可以形成为下一级的下部第二扫描线152a。下部发射控制线155a可以连接到第五晶体管t5的栅电极和第六晶体管t6的栅电极。下部发射控制线155a可以与第五晶体管t5的栅电极和第六晶体管t6的栅电极一体地形成为单个整体单元。
94.在设置或者形成包括第一晶体管t1的栅电极1151的第一栅极导体之后，可以执行掺杂工艺或等离子体处理。半导体层的被第一栅极导体覆盖的部分不经受掺杂或者等离子体处理，而半导体层的未被第一栅极导体覆盖的部分可以被掺杂或者用等离子体处理，以具有与导体的特性相同的特性。因此，半导体层的第一晶体管至第七晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7的第一区域和第二区域可以分别用作第一电极和第二电极。在这样的实施例中，可以用p型掺杂剂执行掺杂工艺，并且第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7可以具有p型晶体管特性。
95.在实施例中，如图3b和图6b中所示，第二栅极绝缘层142可以设置在第一栅极绝缘层141和包括第一晶体管t1的栅电极1151的第一栅极导体上。第二栅极绝缘层142可以具有单层结构或多层结构。第二栅极绝缘层142可以包括无机绝缘材料，诸如氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)。
96.包括存储电容器cst的第一存储电极1153的第二栅极导体可以设置或者定位在第二栅极绝缘层142上。图6a和图6b一起示出了半导体层、第一栅极导体和第二栅极导体。第二栅极导体可以具有单层结构或多层结构。第二栅极导体可以包括金属材料，诸如钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)。
97.第一存储电极1153与第一晶体管t1的栅电极1151叠置，以构成存储电容器cst。开口1152限定或者形成在存储电容器cst的第一存储电极1153中。存储电容器cst的第一存储电极1153的开口1152可以与第一晶体管t1的栅电极1151叠置。
98.在实施例中，如图3b和图7b中所示，第一层间绝缘层161可以设置在包括存储电容器cst的第一存储电极1153的第二栅极导体上。第一层间绝缘层161可以具有单层结构或多
层结构。第一层间绝缘层161可以包括无机绝缘材料，诸如氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)。可以通过交替堆叠彼此不同材料的层来形成第一层间绝缘层161。在一个实施例中，例如，可以交替堆叠10层或更多层的氮化硅和氧化硅来形成第一层间绝缘层161。稍后将更详细地描述第一层间绝缘层161的多层结构。
99.在这样的实施例中，包括第一连接电极1175的第三栅极导体可以设置或者定位在第一层间绝缘层161上。图7a和图7b一起示出半导体层、第一栅极导体、第二栅极导体和第三栅极导体。第三栅极导体可以具有单层结构或多层结构。第三栅极导体可以包括金属材料，诸如钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)。
100.第一连接电极1175可以将第一晶体管t1、第三晶体管t3和第四晶体管t4连接。第一连接电极1175的第一侧的端部可以与第一晶体管t1的栅电极1151叠置。开口1161可以穿过第一层间绝缘层161来限定或者形成，以与第一连接电极1175和第一晶体管t1的栅电极1151叠置。第一连接电极1175可以通过开口1161和第一存储电极1153的开口1152连接到第一晶体管t1的栅电极1151。第一连接电极1175的第二侧的端部可以与第三晶体管t3的第二区域和第四晶体管t4的第二区域叠置。在实施例中，开口1162可以穿过第一层间绝缘层161来限定或者形成，以与第一连接电极1175、第三晶体管t3的第二区域和第四晶体管t4的第二区域叠置。第一连接电极1175可以通过开口1162连接到第三晶体管t3的第二区域和第四晶体管t4的第二区域。因此，第一晶体管t1的栅电极1151可以通过第一连接电极1175连接到第三晶体管t3的第二区域和第四晶体管t4的第二区域。
101.在实施例中，如图7a中所示，第三栅极导体还可以包括第二连接电极2175、第三连接电极3175、第四连接电极3176、第五连接电极4175、第六连接电极5175、第七连接电极6175、第八连接电极6176和第九连接电极7175。
102.第二连接电极2175可以与第二晶体管t2叠置，并且可以连接到第二晶体管t2的第一区域。第三连接电极3175可以与第三晶体管t3、第四晶体管t4和第七晶体管t7叠置，并且可以连接到第四晶体管t4的第一区域和第七晶体管t7的第二区域。第四连接电极3176可以与下部第一扫描线151a叠置，并且可以连接到下部第一扫描线151a。第五连接电极4175可以与下部第二扫描线152a叠置，并且可以连接到下部第二扫描线152a。第六连接电极5175可以与第一存储电极1153和第五晶体管t5叠置，并且可以连接到第一存储电极1153和第五晶体管t5的第一区域。第七连接电极6175可以与下部发射控制线155a叠置，并且可以连接到下部发射控制线155a。第八连接电极6176可以与第六晶体管t6叠置，并且可以连接到第六晶体管t6的第二区域。第九连接电极7175可以与第七晶体管t7叠置，并且可以连接到第七晶体管t7的第一区域。
103.在一个像素px中，第一晶体管至第七晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7、存储电容器cst、下部第一扫描线151a、下部第二扫描线152a、下部发射控制线155a、第一连接电极1175、第二连接电极2175、第三连接电极3175、第四连接电极3176、第五连接电极4175、第六连接电极5175、第七连接电极6175、第八连接电极6176和第九连接电极7175可以定位在像素电路区域pcr内。像素电路区域pcr可以形成为具有大致四边形形状。然而，像素电路区域pcr的形状不限于此，并且可以被各种改变或者修改。相邻的两个像素px的像素电路区域pcr彼此区分或者分离，并且彼此不叠置。在这样的实施例中，左边像素px的像素电路区域pcr和右边像素px的像素电路区域pcr彼此不叠置。
104.在实施例中，开口1165穿过第一层间绝缘层161来限定或者形成，并且多个像素电路区域pcr可以通过开口1165划分。在这样的实施例中，开口1165可以定位在多个像素电路区域pcr之间，并且可以形成为围绕像素电路区域pcr的边缘。开口1165不仅可以形成在第一层间绝缘层161中，而且还可以形成在第一栅极绝缘层141和第二栅极绝缘层142中。然而，发明不限于此，并且开口1165形成在第一层间绝缘层161和第二栅极绝缘层142中，而可以不形成在第一栅极绝缘层141中。在实施例中，开口1165可以形成在第一层间绝缘层161、第二栅极绝缘层142、第一栅极绝缘层141和缓冲层111中。定位在不同的像素电路区域pcr中的半导体层、第一栅极导体、第二栅极导体和第三栅极导体彼此不直接连接，而是彼此间隔开。
105.在实施例中，如图3b和图8b中所示，第二层间绝缘层162可以设置在包括第一连接电极1175的第三栅极导体上。第二层间绝缘层162可以具有单层结构或多层结构。第二层间绝缘层162可以包括选自通用聚合物(诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)(“pmma”)或聚苯乙烯(“ps”))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物、聚酰亚胺、硅氧烷聚合物等中的至少一种有机绝缘材料。
106.第二层间绝缘层162可以形成为填充开口1165。像素电路区域pcr可以通过第二层间绝缘层162划分。在这样的实施例中，第二层间绝缘层162可以定位在多个像素电路区域pcr之间，并且可以形成为围绕像素电路区域pcr的边缘。通过在包括无机材料或由无机材料制成的第二栅极绝缘层142、第一栅极绝缘层141和第一层间绝缘层161中形成开口1165并且将包括有机材料或由有机材料制成的第二层间绝缘层162定位在开口1165内，可以将每个像素px形成为具有岛形状。因此，即使当从外部施加冲击并且对第一层间绝缘层161等造成损坏时，像素电路区域pcr也因由有机材料制成的第二层间绝缘层162而具有独立结构，因此可以有效地防止施加到像素px的冲击影响其它相邻的像素px。在这样的实施例中，可以有效地防止在任何一个区域中产生的裂纹在水平方向上传播(扩展)。
107.如图7b中所示，开口1166可以限定或者形成在第一层间绝缘层161的在弯曲区域ba中的部分中。开口1166可以通过同一蚀刻工艺与开口1165一起形成。开口1166不仅可以形成在第一层间绝缘层161中，而且还可以形成在第一栅极绝缘层141和第二栅极绝缘层142中。如图8b中所示，第二层间绝缘层162可以形成为填充开口1166。弯曲区域ba可以通过去除定位在作为基底110在其中可弯曲的区域的弯曲区域ba中的由无机材料制成的第二栅极绝缘层142、第一栅极绝缘层141和第一层间绝缘层161并形成包括有机材料或由有机材料制成的第二层间绝缘层而取代它们，来具有期望用于弯曲的结构。
108.包括上部第一扫描线151b、上部第二扫描线152b、上部发射控制线155b和初始化电压线127的第一数据导体可以设置或者定位在第二层间绝缘层162上。图8a和图8b一起示出了半导体层、第一栅极导体、第二栅极导体、第三栅极导体和第一数据导体。第一数据导体可以具有单层结构或多层结构。第一数据导体可以包括选自铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)、铜(cu)等中的至少一种，并且可以是单层或多层。
109.在实施例中，如图8a中所示，上部第一扫描线151b可以与下部第一扫描线151a的至少一部分叠置，并且可以连接到下部第一扫描线151a。上部第一扫描线151b和下部第一扫描线151a可以通过第四连接电极3176连接。上部第一扫描线151b与下部第一扫描线151a
一起构成第一扫描线151。上部第一扫描线151b可以基本在行方向上延伸，并且可以从基底110的第一端延伸到基底110的第二端。在行方向上相邻的像素px的下部第一扫描线151a可以连接到同一上部第一扫描线151b。施加到上部第一扫描线151b的扫描信号gwn可以通过下部第一扫描线151a施加到第二晶体管t2的栅电极和第三晶体管t3的栅电极。
110.上部第二扫描线152b可以与下部第二扫描线152a的至少一部分叠置，并且可以连接到下部第二扫描线152a。上部第二扫描线152b和下部第二扫描线152a可以通过第五连接电极4175连接。上部第二扫描线152b与下部第二扫描线152a一起构成第二扫描线152。上部第二扫描线152b可以基本在行方向上延伸，并且可以从基底110的第一端延伸到基底110的第二端。在行方向上相邻的像素px的下部第二扫描线152a可以连接到同一上部第二扫描线152b。施加到上部第二扫描线152b的扫描信号gin可以通过下部第二扫描线152a施加到第四晶体管t4的栅电极。
111.上部发射控制线155b可以与下部发射控制线155a的至少一部分叠置，并且可以连接到下部发射控制线155a。上部发射控制线155b和下部发射控制线155a可以通过第七连接电极6175连接。上部发射控制线155b与下部发射控制线155a一起构成发射控制线155。上部发射控制线155b可以基本在行方向上延伸，并且可以从基底110的第一端延伸到基底110的第二端。在行方向上相邻的像素px的下部发射控制线155a可以连接到同一上部发射控制线155b。施加到上部发射控制线155b的发射控制信号em可以通过下部发射控制线155a施加到第五晶体管t5的栅电极和第六晶体管t6的栅电极。
112.初始化电压线127可以基本在行方向上延伸，并且可以从基底110的第一端延伸到基底110的第二端。在行方向上相邻的像素px可以连接到同一初始化电压线127。施加到初始化电压线127的初始化电压vint可以通过第三连接电极3175施加到第四晶体管t4的第一区域和第七晶体管t7的第二区域。
113.第一数据导体还可以包括数据线连接电极171a、辅助驱动电压线172a和第十连接电极6177。
114.数据线连接电极171a可以与第二连接电极2175叠置，并且可以连接到第二连接电极2175。数据线连接电极171a可以通过第二连接电极2175连接到第二晶体管t2的第一区域。
115.辅助驱动电压线172a可以与第六连接电极5175叠置，并且可以连接到第六连接电极5175。辅助驱动电压线172a可以基本在行方向上延伸，并且可以从基底110的第一端延伸到基底110的第二端。在行方向上相邻的像素px可以连接到同一辅助驱动电压线172a。
116.第十连接电极6177可以与第七连接电极6175和第九连接电极7175叠置，并且可以连接到第七连接电极6175和第九连接电极7175。第十连接电极6177可以通过第七连接电极6175连接到第六晶体管t6的第二区域。第十连接电极6177可以通过第九连接电极7175连接到第七晶体管t7的第一区域。因此，第十连接电极6177可以将第六晶体管t6和第七晶体管t7连接。
117.在实施例中，如图3b和图9b中所示，第三层间绝缘层163可以设置在包括上部第一扫描线151b、上部第二扫描线152b、上部发射控制线155b和初始化电压线127的第一数据导体上。第三层间绝缘层163可以包括选自通用聚合物(诸如pmma或ps)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物、聚酰亚胺、硅氧烷聚合物等中的至少一种有机绝缘材
料。
118.在这样的实施例中，包括数据线171和驱动电压线172的第二数据导体可以设置在第三层间绝缘层163上。图9a和图9b一起示出了半导体层、第一栅极导体、第二栅极导体、第三栅极导体、第一数据导体和第二数据导体。第二数据导体可以具有单层结构或多层结构。第二数据导体可以包括选自铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和铜(cu)等中的至少一种。
119.数据线171可以与数据线连接电极171a叠置，并且可以连接到数据线连接电极171a。数据线171可以通过数据线连接电极171a和第二连接电极2175连接到第二晶体管t2的第一区域。数据线171可以基本在列方向上延伸，并且可以从基底110的第一端延伸到基底110的第二端。在列方向上相邻的像素px可以连接到同一数据线171。
120.驱动电压线172可以与辅助驱动电压线172a交叉并叠置，并且可以连接到辅助驱动电压线172a。驱动电压线172可以通过辅助驱动电压线172a和第六连接电极5175连接到第一存储电极1153和第五晶体管t5的第一区域。驱动电压线172可以基本在列方向上延伸，并且可以从基底110的第一端延伸到基底110的第二端。在列方向上相邻的像素px可以连接到同一驱动电压线172。
121.在实施例中，如图3b中所示，钝化层180可以设置在数据线171和驱动电压线172上，并且阳极191可以设置在钝化层180上。钝化层180可以包括从通用聚合物(诸如pmma或ps)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物、聚酰亚胺、硅氧烷聚合物等中的至少一种有机绝缘材料。阳极191可以连接到第六晶体管t6，并且可以接收第一晶体管t1的输出电流。在这样的实施例中，分隔壁350可以设置在阳极191上。像素开口351可以限定或者形成在分隔壁350中，并且分隔壁350的像素开口351可以与阳极191叠置。发光二极管层370可以设置在分隔壁350的像素开口351中。发光二极管层370可以与阳极191叠置。间隔件360可以设置在分隔壁350上。间隔件360可以定位在相邻的像素电路区域pcr之间的边界处。阴极270可以设置在发光二极管层370、分隔壁350和间隔件360上。阳极191、发光二极管层370和阴极270可以共同构成发光二极管led。
122.在下文中，将参照图10至图12更详细地描述根据实施例的显示装置1000的第一层间绝缘层161的多层结构。
123.图10至图12示出了根据各种实施例的显示装置的第一层间绝缘层的剖视图。
124.如图10中所示，显示装置1000的第一层间绝缘层161的实施例可以形成为具有包括多个层的多层结构。在一个实施例中，例如，第一层间绝缘层161可以包括彼此顺序地堆叠的第一层161a、第二层161b、第三层161c、第四层161d、第五层161e、第六层161f、第七层161g、第八层161h、第九层161i和第十层161j。在这样的实施例中，可以通过彼此交替堆叠不同的材料来形成第一层间绝缘层161。
125.在一个实施例中，例如，第一层161a、第三层161c、第五层161e、第七层161g和第九层161i可以包括氧化硅(sio
x
)或者由氧化硅(sio
x
)制成，而第二层161b、第四层161d、第六层161f、第八层161h和第十层161j可以包括氮化硅(sin
x
)或者由氮化硅(sin
x
)制成。在实施例中，可以使用化学气相沉积(“cvd”)方法以原位方式(in-situ manner)在同一腔室中连续交替沉积由氧化硅制成的层和由氮化硅制成的层。
126.第一层间绝缘层161的第一层161a、第二层161b、第三层161c、第四层161d、第五层
161e、第六层161f、第七层161g、第八层161h、第九层161i和第十层161j的厚度可以彼此相同或者不同。在一个实施例中，例如，第一层161a的厚度可以为约1400埃而第二层161b、第四层161d、第六层161f和第八层161h的厚度中的每个可以为约在这样的实施例中，第三层161c、第五层161e、第七层161g和第九层161i的厚度中的每个可以为约而第十层161j的厚度可以为约
127.在一个可选实施例中，例如，第一层161a、第三层161c、第五层161e、第七层161g和第九层161i中的每个具有约的厚度，而第二层161b、第四层161d、第六层161f、第八层161h和第十层161j中的每个可以具有约的厚度。在一个可选实施例中，例如，第一层161a的厚度可以为约而第二层161b、第四层161d、第六层161f和第八层161h的厚度中的每个可以为约在这种情况下，第三层161c、第五层161e、第七层161g和第九层161i的厚度中的每个可以为约而第十层161j的厚度可以为约
128.在实施例中，如图10中所示，第一层间绝缘层161包括10个层，但是发明不限于此，并且构成第一层间绝缘层161的层的数量可以被各种改变。在一个可选实施例中，例如，如图11中所示，第一层间绝缘层161可以包括18个层。
129.在这样的实施例中，如图11中所示，第一层间绝缘层161可以包括彼此顺序地堆叠的第一层161a、第二层161b、第三层161c、第四层161d、第五层161e、第六层161f、第七层161g、第八层161h、第九层161i、第十层161j、第十一层161k、第十二层161l、第十三层161m、第十四层161n、第十五层161o、第十六层161p、第十七层161q和第十八层161r。在这样的实施例中，可以通过彼此交替堆叠不同的材料来形成第一层间绝缘层161。
130.在一个实施例中，例如，第一层161a、第三层161c、第五层161e、第七层161g、第九层161i、第十一层161k、第十三层161m、第十五层161o和第十七层161q可以包括氧化硅(sio
x
)或者由氧化硅(sio
x
)制成，而第二层161b、第四层161d、第六层161f、第八层161h、第十层161j、第十二层161l、第十四层161n、第十六层161p和第十八层161r可以包括氮化硅(sin
x
)或者由氮化硅(sin
x
)制成。
131.第一层间绝缘层161的第一层161a、第二层161b、第三层161c、第四层161d、第五层161e、第六层161f、第七层161g、第八层161h、第九层161i、第十层161j、第十一层161k、第十二层161l、第十三层161m、第十四层161n、第十五层161o、第十六层161p、第十七层161q和第十八层161r的厚度可以彼此相同或者不同。在一个实施例中，例如，第一层161a的厚度可以为约而第二层161b、第四层161d、第六层161f、第八层161h、第十层161j、第十二层161l、第十四层161n和第十六层161p的厚度中的每个可以为约在这样的实施例中，第三层161c、第五层161e、第七层161g、第九层161i、第十一层161k、第十三层161m、第十五层161o和第十七层161q的厚度中的每个可以为约而第十八层161r的厚度可以为约
132.在实施例中，如上所述，构成第一层间绝缘层161的层可以通过交替堆叠包括氧化硅(sio
x
)或者由氧化硅(sio
x
)制成的层和包括氮化硅(sin
x
)或者由氮化硅(sin
x
)制成的层来形成，但是发明不限于此。构成第一层间绝缘层161的层的材料可以包括不同组分(成分)
的无机绝缘材料。在实施例中，第一层间绝缘层161可以以三种或更多种材料重复堆叠的形式形成。
133.在实施例中，第一层间绝缘层161可以包括彼此相同的材料，但是可以通过交替堆叠具有彼此不同的特性的多个层来形成。即使对于包括相同材料的层，也可以通过改变成膜条件来形成具有不同的特性的层。在实施例中，具有不同沉积条件(诸如温度、所用气体的流量、电极之间的间隔、功率(电力)、压强等)的层可以具有不同的弹性模量。在一个实施例中，例如，如表1中所示，通过改变硅烷的流速形成的无机绝缘层可以具有彼此不同的特性。
134.(表1)
[0135][0136]
在实施例中，如上所述，构成第一层间绝缘层161的层中的每个的厚度可以被各种改变。在这样的实施例中，第一层间绝缘层161的总厚度可以是恒定的或预定的。第一层间绝缘层161的厚度可以大于或者等于约且小于或者等于约构成第一层间绝缘层161的层的数量和厚度可以在第一层间绝缘层161的厚度的约至约的范围内被各种设定。如图12中所示，可以形成具有其中具有不同的特性的多个层彼此交替堆叠的结构的第一层间绝缘层161。图12示出了其中包括十个层的第一层间绝缘层161实际上是通过重复堆叠具有彼此不同的特性的两个层而形成的实施例。
[0137]
在下文中，将参照图13和图14描述当根据实施例的显示装置1000的第一层间绝缘层161形成为多层薄层时的特性。
[0138]
图13示出了展示冲击施加到由单层制成(或者具有单层结构)的绝缘层的情况的示意图，图14示出了展示冲击施加到由多层薄层制成(或者具有多层结构)的绝缘层的情况的示意图。图13和图14中所示的绝缘层的总厚度可以彼此相似。
[0139]
如图13中所示，当冲击施加到由单层制成的绝缘层的上表面时，冲击可以直接传递到绝缘层的下表面。在这种情况下，会发生与绝缘层的总厚度对应的损坏，并且冲击会传递到其它相邻的层。当绝缘层损坏时，被绝缘层分离的导体会彼此短路，因此，对应的像素会无法正确地驱动。
[0140]
如图14中所示，当冲击施加到由多层薄层制成的绝缘层时，冲击不会直接传递到绝缘层的下表面。构成绝缘层的多个层中的一些层可能发生损坏，但是冲击不会传递到与
损坏的层相邻的其它层，并且其它层不会发生损坏。因此，可以有效地防止冲击传递到与绝缘层相邻的其它层。
[0141]
在实施例中，显示装置1000的第一层间绝缘层161可以包括具有彼此不同的特性的多个层。在这样的实施例中，多个层可以包括约10个或更多个层，并且可以具有其中具有彼此不同的特性的两个或更多个层重复堆叠的结构。在具有这样的结构的第一层间绝缘层161的实施例中，即使从外部施加冲击并且发生对第一层间绝缘层161的损坏，也可以通过由多层薄层制成的第一层间绝缘层161来有效地防止对第一层间绝缘层161的损坏影响其它相邻的层。在这样的实施例中，可以有效地防止在第一层间绝缘层161的任何一个区域中产生的裂纹在竖直方向(垂直方向)上传播。
[0142]
现在将参照图15至图18描述根据实施例的显示装置的特性。
[0143]
图15示出了展示根据发明的实施例的显示装置的应变和根据参考示例的显示装置的应变的曲线图，图16示出了展示当绝缘层由单层制成时的绝缘层的弹性模量和当绝缘层由多层制成时的绝缘层的弹性模量的曲线图，图17示出了展示当绝缘层由单层制成时的绝缘层的应力和当绝缘层由多层制成时的绝缘层的应力的曲线图，图18示出了展示当绝缘层由单层制成时的绝缘层的透湿性和当绝缘层由多层制成时的绝缘层的透湿性的曲线图。
[0144]
如图15中所示，根据发明的实施例(emb)的显示装置1000的应变可以比根据参考示例1(ref1)和参考示例2(ref2)的显示装置的应变低。
[0145]
在根据发明的实施例(emb)的显示装置1000中，开口1165形成在第一层间绝缘层161中以分离像素电路区域pcr，并且由有机材料制成的第二层间绝缘层162形成为填充开口1165。在这样的实施例中，第一层间绝缘层161具有包括多个层的结构。
[0146]
在根据参考示例1(ref1)的显示装置的情况下，不形成用于划分像素电路区域的开口，并且第一层间绝缘层形成为单层。
[0147]
在根据参考示例2(ref2)的显示装置的情况下，开口形成在第一层间绝缘层中，以分离像素电路区域，并且由有机材料制成的第二层间绝缘层形成为填充开口。第一层间绝缘层形成为单层。
[0148]
如图15中所示，与根据参考示例1(ref1)的显示装置相比，根据参考示例2(ref2)的显示装置具有较低的应变。这是因为在参考示例2(ref2)中，由于像素电路区域pcr被第二层间绝缘层162划分，因此可以防止裂纹在水平方向上的传播。
[0149]
在根据发明的实施例(emb)的显示装置1000中，由于第一层间绝缘层161具有包括多个层的结构，因此不仅可以防止裂纹在水平方向上的传播，而且还可以防止裂纹在竖直方向上的传播，从而进一步降低应变。
[0150]
如图16中所示，针对同一接触深度，与绝缘层由氧化铝(al2o3)的单层或氧化锌(zno)的单层制成的情况相比，在绝缘层包括多个层的情况(nano-stratified)下弹性模量减小。
[0151]
在根据发明的实施例(emb)的显示装置1000中，由于第一层间绝缘层161具有包括具有彼此不同的特性的多个层的结构，因此弹性模量可以减小，并且因此应变可以减小。因此，根据发明的实施例的显示装置1000中的第一层间绝缘层161具有比参考示例的显示装置坚固的特性。
[0152]
如图17中所示，与绝缘层形成为单层的情况相比，当绝缘层包括多个层时，施加到
绝缘层的应力减小。
[0153]
在根据发明的实施例的显示装置1000中，由于第一层间绝缘层161具有包括具有不同的特性的多个层的结构，因此作用在第一层间绝缘层161上的应力值可以减小。因此，根据发明实施例的显示装置1000中的第一层间绝缘层161具有比参考示例的显示装置坚固的特性。
[0154]
如图18中所示，与绝缘层形成为单层的情况相比，当绝缘层包括多个层(多层薄层)时，绝缘层的透湿性(wvtr)减小。
[0155]
在根据发明的实施例的显示装置1000中，由于第一层间绝缘层161具有包括具有不同的特性的多个层的结构，因此第一层间绝缘层161的透湿性可以减小。因此，根据发明的实施例的显示装置1000中的第一层间绝缘层161具有比参考示例的显示装置坚固的特性。
[0156]
发明不应被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达发明的构思。
[0157]
虽然已经参考发明的实施例具体示出并描述了发明，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求限定的发明的精神或范围的情况下，可以在此在形式和细节上进行各种改变。