超微晶复合隔磁材料及其应用的制作方法

1.本发明涉及屏蔽材料技术领域，尤其涉及一种超微晶复合隔磁材料及其应用。


背景技术：

2.现有静态磁场，在应用中无法规避磁场与磁场之间的干扰，故在设计中会提前进行空间避位，留出安全空间来解决。但随着消费类电子对于内部空间和一些技术需求，要求例如：摄像头模组与模组之间的距离越近成像效果越好。所以迫切需要一种可靠的隔磁材料来解决相关问题。


技术实现要素：

3.本发明要解决的技术问题在于，提供一种适用于狭小空间缝隙的超微晶复合隔磁材料及其应用。
4.本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种超微晶复合隔磁材料，包括至少一具有高磁导率的铁磁性薄膜以及至少两非导磁薄膜；所述铁磁性薄膜和所述非导磁薄膜交替叠合并连接为一体；
5.所述铁磁性薄膜采用超微晶合金制成。
6.优选地，所述铁磁性薄膜的厚度为10μm～30μm。
7.优选地，所述非导磁薄膜的厚度为0.01mm～0.1mm。
8.优选地，所述非导磁薄膜采用非铁磁类金属制成。
9.优选地，所述非导磁薄膜由带有金属镀膜的非金属薄膜形成；所述金属镀膜采用非铁磁类金属材料制成。
10.优选地，在所述超微晶复合隔磁材料的叠层结构中，相对两外侧的结构层为所述非导磁薄膜。
11.优选地，所述超微晶复合隔磁材料还包括粘接在所述铁磁性薄膜和所述非导磁薄膜之间的胶粘层。
12.优选地，所述胶粘层的厚度为0.005mm～0.1mm。
13.优选地，所述胶粘层为双面胶层。
14.本发明还提供一种超微晶复合隔磁材料的应用，用于1khz～200khz的中低频电磁场与静态磁场共同存在的磁场环境。
15.本发明的超微晶复合隔磁材料，通过高磁导率的铁磁性薄膜及非导磁薄膜叠合形成，整体具有较薄的厚度，适用于狭小空间缝隙中，无需进行空间避让，节省空间，满足电子器件之间的电磁屏蔽问题同时，解决电子器件之间的距离问题。
附图说明
16.下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：
17.图1是本发明一实施例的超微晶复合隔磁材料的截面结构示意图；
18.图2是本发明另一实施例的超微晶复合隔磁材料的截面结构示意图；
19.图3是本发明的超微晶复合隔磁材料的电磁屏蔽原理图。
具体实施方式
20.为了对本发明的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本发明的具体实施方式。
21.参考图1，本发明的超微晶复合隔磁材料，包括至少一具有高磁导率的铁磁性薄膜10以及至少两非导磁薄膜20；铁磁性薄膜10和非导磁薄膜20交替叠合并连接为一体。
22.铁磁性薄膜10采用超微晶(纳米晶)合金制成；超微晶合金主要包括有铁、钴、镍、钼、磷、铜、铝、钒、铌、硅、硼等元素。
23.对于铁磁性薄膜10具有的高磁导率，其磁导率为10000～100000，适应频率为1hz～300khz。
24.相比于具有高磁导率的铁磁性薄膜10，非导磁薄膜20为不导磁的薄膜，其可采用非铁磁类金属制成，如铜、铝、镁、锌等。或者，非导磁薄膜20由带有金属镀膜的非金属薄膜形成；金属镀膜采用非铁磁类金属材料制成，非金属薄膜可以由塑料、织物或不定型基材等形成。
25.在超微晶复合隔磁材料中，铁磁性薄膜10的厚度为10μm～30μm，非导磁薄膜20的厚度为0.01mm～0.1mm。
26.铁磁性薄膜10和非导磁薄膜20的数量根据所需的超微晶复合隔磁材料厚度等设置。
27.例如，在图1所示的一实施例中，超微晶复合隔磁材料包括一个铁磁性薄膜10以及两个非导磁薄膜20，两个非导磁薄膜20分别叠合连接在铁磁性薄膜10的相对两侧上，形成一体的复合结构。
28.在图2所示的另一实施例中，超微晶复合隔磁材料包括两个铁磁性薄膜10以及三个非导磁薄膜20，两个铁磁性薄膜10分别交替叠合在三个非导磁薄膜20之间，使得每一铁磁性薄膜10的相对两侧分别叠合有非导磁薄膜20。
29.结合以上实施例，在超微晶复合隔磁材料中，非导磁薄膜20的数量始终比铁磁性薄膜10的数量多1，这样在超微晶复合隔磁材料的叠层结构中，相对两外侧的结构层为非导磁薄膜20，即超微晶复合隔磁材料以非导磁薄膜20朝外，铁磁性薄膜10夹设在内部。
30.进一步地，本发明的超微晶复合隔磁材料还包括粘接在铁磁性薄膜10和非导磁薄膜20之间的胶粘层30，通过该胶粘层30分别将相邻叠合的铁磁性薄膜10和非导磁薄膜20连接为一体。
31.胶粘层30的厚度为0.005mm～0.1mm。
32.胶粘层30为双面胶层，可由无基材双面胶形成，其主要为pet、pvc、pu、pes、po、pa等材质。胶粘层30也可以由胶液形成。
33.本发明的超微晶复合隔磁材料，应用于1khz～200khz的中低频电磁场与静态磁场共同存在的磁场环境。
34.进一步，本发明的超微晶复合隔磁材料还适用于0.1mm～2mm的狭小空间缝隙中，无需进行空间避位，从而满足两个电子器件具有无限靠近的同时，满足两个电子器件之间
的电磁屏蔽。
35.在使用时，可以将超微晶复合隔磁材料隔设在两个需要电磁屏蔽的电子器件之间，形成屏蔽隔层；或者，将超微晶复合隔磁材料包覆在电子器件上，将其与外侧的其他电子器件进行电磁屏蔽。
36.本发明的超微晶复合隔磁材料，主要通过改变其外侧或两侧的磁力线的方向且在限制在其内，抑制内外侧或两侧的电磁干扰实现电磁屏蔽。参考图3，具体体现如下：
37.将两块磁铁1、2置于1khz-200khz的中低频电磁场与静态磁场共同存在的磁场环境中，磁铁1、2周围的磁力线方向是由n极指向s极的，且磁铁1、2异性相吸，同性相斥。当两块磁铁1、2吸附在一起时，一磁铁1的n极与另一磁铁2的s极相吸，这时磁铁1的外放磁场会被另一磁铁2收束进磁铁内部，变为一个磁场，磁场的磁力线分布如图3中(a)所示。将本发明的超微晶复合隔磁材料3放置在两块磁铁1、2之间后，两块磁铁1、2的磁场被限制在超微晶复合隔磁材料3中活动，两块磁铁1、2的吸力随超微晶复合隔磁材料3的厚度的增加而变弱；当超微晶复合隔磁材料3具有一定的厚度时，一磁铁1的n极与另一磁铁2的s极磁场不能相吸，说明磁场被完全屏蔽，两块磁铁1、2形成各自的磁场，磁场的磁力线分布如图3中(b)所示。
38.以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。


技术特征：
1.一种超微晶复合隔磁材料，其特征在于，包括至少一具有高磁导率的铁磁性薄膜以及至少两非导磁薄膜；所述铁磁性薄膜和所述非导磁薄膜交替叠合并连接为一体；所述铁磁性薄膜采用超微晶合金制成。2.根据权利要求1所述的超微晶复合隔磁材料，其特征在于，所述铁磁性薄膜的厚度为10μm～30μm。3.根据权利要求1所述的超微晶复合隔磁材料，其特征在于，所述非导磁薄膜的厚度为0.01mm～0.1mm。4.根据权利要求1所述的超微晶复合隔磁材料，其特征在于，所述非导磁薄膜采用非铁磁类金属制成。5.根据权利要求1所述的超微晶复合隔磁材料，其特征在于，所述非导磁薄膜由带有金属镀膜的非金属薄膜形成；所述金属镀膜采用非铁磁类金属材料制成。6.根据权利要求1所述的超微晶复合隔磁材料，其特征在于，在所述超微晶复合隔磁材料的叠层结构中，相对两外侧的结构层为所述非导磁薄膜。7.根据权利要求1-6任一项所述的超微晶复合隔磁材料，其特征在于，所述超微晶复合隔磁材料还包括粘接在所述铁磁性薄膜和所述非导磁薄膜之间的胶粘层。8.根据权利要求7所述的超微晶复合隔磁材料，其特征在于，所述胶粘层的厚度为0.005mm～0.1mm。9.根据权利要求7所述的超微晶复合隔磁材料，其特征在于，所述胶粘层为双面胶层。10.一种权利要求1-9任一项所述的超微晶复合隔磁材料的应用，其特征在于，用于1khz～200khz的中低频电磁场与静态磁场共同存在的磁场环境。

技术总结
本发明公开了一种超微晶复合隔磁材料及其应用，超微晶复合隔磁材料包括至少一具有高磁导率的铁磁性薄膜以及至少两非导磁薄膜；所述铁磁性薄膜和所述非导磁薄膜交替叠合并连接为一体；所述铁磁性薄膜采用超微晶合金制成。本发明的超微晶复合隔磁材料，通过高磁导率的铁磁性薄膜及非导磁薄膜叠合形成，整体具有较薄的厚度，适用于狭小空间缝隙中，无需进行空间避让，节省空间，满足电子器件之间的电磁屏蔽问题同时，解决电子器件之间的距离问题。题。题。


技术研发人员：李斌 张听
受保护的技术使用者：深圳市飞荣达科技股份有限公司
技术研发日：2022.03.04
技术公布日：2022/7/9