型材缺陷检测方法、装置、电子设备和存储介质与流程

1.本技术涉及金属制造的技术领域，具体而言，涉及一种型材缺陷检测方法、装置、电子设备和存储介质。


背景技术：

2.型材(extrudate)是铁或钢以及具有一定强度和韧性的材料(如塑料、铝、玻璃纤维等)通过轧制、挤出、铸造等工艺制成的具有一定几何形状的物体。其中，在型材制造过程中的每一个环节所得的产物，即中间产物或者最终产物均可以叫做型材。
3.随着型材结构的发展，对于型材的质量要求越来越高，例如：对于铝合金型材的晶粒细化要求和晶粒均质化要求越来越高，因此对于铝合金型材的缺陷率要求也越来越高。
4.但是传统的型材制造方法在型材产生缺陷后无法得知缺陷的成因，也无法改良型材制造工艺，从而影响了型材质量的提高。


技术实现要素：

5.本技术的目的是提供一种型材缺陷检测方法、装置、电子设备和存储介质，其能够改善型材缺陷检测方法，改良型材制造工艺，从而提高了型材质量。
6.为了实现上述目的，
7.第一方面，本发明提供一种型材缺陷检测方法，包括：
8.获取具有缺陷的型材微观组织图；
9.根据所述具有缺陷的型材微观组织图，分析得到缺陷检测结果；
10.根据所述缺陷检测结果，确定项目检测顺序；
11.根据所述项目检测顺序，进行所述型材的缺陷成因判断流程。
12.于一实施例中，所述根据所述具有缺陷的型材微观组织图，分析得到缺陷检测结果，包括：
13.将所述具有缺陷的型材微观组织图输入第一预设模型；
14.利用所述第一预设模型，对所述具有缺陷的型材微观组织图进行图像与缺陷的相关性分析；
15.根据所述图像与缺陷的相关性分析结果，得到所述缺陷检测结果。
16.于一实施例中，所述缺陷检测结果包括：晶粒差异和第二相差异。
17.于一实施例中，所述根据所述缺陷检测结果，确定项目检测顺序，包括：
18.将所述缺陷检测结果输入第二预设模型；
19.利用所述第二预设模型，对所述缺陷检测结果进行缺陷与待测项目的相关性分析；
20.根据所述缺陷与待测项目的相关性分析结果，确定所述项目检测顺序。
21.于一实施例中，根据所述项目检测顺序，进行所述型材的缺陷成因判断流程，包括：
22.根据所述项目检测顺序，进行初始项目检测；
23.判断所述缺陷是否与所述初始项目相关；
24.若所述缺陷与所述初始项目无关，则根据所述项目检测顺序，进行下一待测项目的检测；
25.若所述缺陷与所述初始项目有关，则调整所述初始项目的相关参数；
26.根据所述调整的相关参数，对所述初始项目进行重新检测；
27.判断所述初始项目的缺陷成因是否消除；
28.若所述初始项目的缺陷成因没有消除，则继续调整所述初始项目的相关参数；
29.若所述初始项目的缺陷成因消除，则判断所有待测项目的缺陷成因是否完全消除；
30.若所有待测项目的缺陷成因未完全消除，则根据所述项目检测顺序，进行下一待测项目的检测；
31.若所有待测项目的缺陷成因完全消除，则结束缺陷成因判断流程。
32.于一实施例中，所述项目检测顺序包括：
33.进行阳极氧化工艺的项目检测；
34.进行固溶工艺的项目检测；
35.进行挤压工艺的项目检测；
36.进行原始铸锭工艺的项目检测；
37.进行时效工艺的项目检测。
38.于一实施例中，所述获取具有缺陷的型材微观组织图，包括：
39.提供待测型材；
40.对所述待测型材进行检测；
41.判断所述待测型材是否具有缺陷；
42.若所述待测型材具有缺陷，则获取具有缺陷的型材微观组织图。
43.第二方面，本发明提供一种型材缺陷检测装置，包括：
44.获取模块，用于获取具有缺陷的型材微观组织图；
45.分析模块，用于根据所述具有缺陷的型材微观组织图，分析得到缺陷检测结果；
46.确定模块，用于根据所述缺陷检测结果，确定项目检测顺序；
47.检测模块，用于根据所述项目检测顺序，进行所述型材的缺陷检测。
48.第三方面，本发明提供一种电子设备，包括：
49.存储器，用以存储计算机程序；
50.处理器，用以执行如前述实施方式中任一项所述的方法。
51.第四方面，本发明提供一种非暂态电子设备可读存储介质，包括：程序，当其藉由电子设备运行时，使得所述电子设备执行前述实施方式中任一项所述的方法。
52.本技术的一种型材缺陷检测方法、装置、电子设备和存储介质，通过将对具有缺陷的型材微观组织图进行分析，得到缺陷检测结果，从而可以知道缺陷的类属；然后基于缺陷的类属，确定缺陷检测顺序，按照该缺陷检测顺序可进行型材的缺陷检测，从而可以进行快速错误定位与错误排除，进一步改良型材制造工艺。故本技术能够改善型材缺陷检测方法，改良型材制造工艺，从而提高了型材质量。
附图说明
53.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
54.图1为本技术一实施例示出的型材缺陷检测方法的流程示意图。
55.图2为本技术一实施例示出的图1对应实施例中步骤s110的细节流程示意图。
56.图3为本技术一实施例示出的图1对应实施例中步骤s120的细节流程示意图。
57.图4为本技术一实施例示出的图1对应实施例中步骤s130的细节流程示意图。
58.图5为本技术一实施例示出的图1对应实施例中步骤s140的细节流程示意图。
59.图6为本技术一实施例示出的检测项目的示意图。
60.图7为本技术一实施例示出的型材缺陷检测方法的试验过程示意图。
61.图8为本技术一实施例示出的电子设备的结构示意图。
62.图9为本技术一实施例示出的型材缺陷检测装置的结构示意图。
63.图标：100-电子设备；101-总线；102-存储器；103-处理器；200-型材缺陷检测装置；210-获取模块；220-分析模块；230-确定模块；240-检测模块。
具体实施方式
64.在本技术的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，并不表示排列序号，也不能理解为指示或暗示相对重要性。
65.在本技术的描述中，术语“包括”、“包含”等表示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其他特征、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
66.在本技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置”、“设有”、“连接”、“配置为”应做广义理解。例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
67.下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述。
68.请参照图1，其为本技术一实施例示出的型材缺陷检测方法的流程示意图。一种型材缺陷检测方法可以包括如下步骤：
69.步骤s110：获取具有缺陷的型材微观组织图。
70.本步骤的型材的材质可以是金属或者非金属，例如铁、钢、铝合金、塑料或玻璃纤维等。本步骤的型材可以是型材制造过程中的每一个环节所得的产物，可以是最终产物，也可以是中间产物。
71.当获取的具有缺陷的型材微观组织图是属于最终产物的，则本型材缺陷检测方法可以判定在整个型材制造过程哪个工艺环节出错，造成缺陷，并进行修正工艺参数。
72.当获取的具有缺陷的型材微观组织图是属于中间产物的，则本型材缺陷检测方法可以判定在中间产物之前进行的制造过程中哪个工艺环节出错，造成缺陷，并进行修正工
艺参数。
73.本实施例中，本步骤的型材是最终产物，且型材的材质为铝合金。
74.步骤s120：根据具有缺陷的型材微观组织图，分析得到缺陷检测结果。
75.为了加快检测速度，本步骤通过将对具有缺陷的型材微观组织图进行分析，得到缺陷检测结果，从而可以知道缺陷的类属，易于后续针对性地确定项目检测顺序。本步骤中的缺陷检测结果包括晶粒差异和第二相差异，缺陷检测结果还包括晶粒差异的比重和第二相差异的比重。
76.于一实施例中，步骤s120的缺陷检测结果还包括步骤s110的型材的属性，即步骤s110的型材属于中间产物还是最终产物。当步骤s110的型材属于中间产物时，缺陷检测结果需记录该中间产物对应的型材制造工艺环节。
77.步骤s130：根据缺陷检测结果，确定项目检测顺序。
78.本步骤的检测项目为型材制造工艺各个环节，由于要判断缺陷是因哪个环节出错而产生的，一般采取倒推的形式，一个一个环节以排除法的形式来改良型材制造工艺，以避免缺陷的成型。
79.为了加快检测速度，本步骤可以基于步骤s120的表征结果，以及缺陷与检测项目之间的关系，判断哪个环节出错的可能性大一点，从而调整各个检测项目的先后顺序，从而确定项目检测顺序。
80.例如，当判断待测型材的缺陷晶粒差异比较严重时，则可以先进行挤压工艺的项目检测；当判断待测型材的缺陷第二相差异比较严重时，则可以先进行固溶工艺的项目检测；由于时效工艺主要是为了消除工件的内应力，稳定组织和尺寸，对型材缺陷的产生影响较小，可以考虑放在最后一步进行。
81.当各个环节出错的可能性差不多时，可以根据检测的方便性来调整项目检测顺序，例如，可以将需要透射分析的时效工艺项目考虑放在最后一步进行。
82.于一实施例中，当步骤s120的缺陷检测结果记录步骤s110的型材属于最终产物时，则此时步骤s130确定的项目检测顺序中的待测项目可以包括整个型材制造工艺环节。
83.于一实施例中，当步骤s120的缺陷检测结果记录步骤s110的型材属于中间产物时，则此时步骤s130确定的项目检测顺序中的待测项目可以只包括部分的整个型材制造工艺环节，排除该中间产物之后的型材制造工艺环节。
84.步骤s140：根据项目检测顺序，进行型材的缺陷成因判断流程。
85.根据项目检测顺序，逐个检测项目地进行检测。
86.每个检测项目可以针对同一批次的两块型材样品，或者同一个型材的同一位置取两块型材样品在相同条件下分别进行检测项目对应的工艺处理，判断两个样品所对应的产物是否具有缺陷，若都产生缺陷，或者一块产生缺陷而另一块不产生缺陷，则判断本工艺环节与缺陷成因有关，若都不产生缺陷，则判断本工艺环节与缺陷成因无关，可以进行下一个检测项目的检测。
87.根据各个检测项目的检测结果，调整对应型材制造工艺环节的相关参数，再进行试验，基于本环节调整后的型材制造工艺参数所制得产品缺陷是否会消失，来判断是否将型材制造工艺参数改良好了。
88.当进行到其中一个检测项目时，经过试验，基于本项目调整后的型材制造工艺参
数所制得产品与本环节参照物一致或者相似，则判断本项目缺陷成因消除。
89.其中，由于缺陷检测结果可能包括多种不同的差异，因此对应型材制造工艺环节可能有多个，故在一个检测项目的缺陷成因消除后，还需要消除另一个检测项目的缺陷成因，故当基于多个环节调整后的型材制造工艺参数所制得产品不会产生缺陷，或者已将缺陷率控制在预期范围内时，则判断所有项目的缺陷成因完全消除。
90.在整个缺陷成因判断流程的进行过程中，可以实时记录每一步的情况，当整个缺陷成因判断流程走完，也可以得到修正后的型材制造工艺参数，也可以判定缺陷成因到底与哪个或者哪几个检测项目有关，即可以判定缺陷成因到底与哪个或者哪几个型材制造工艺环节有关，也可以生成对应的缺陷成因分析报告以及修正后的型材制造工艺参数报表，以供参考。
91.故本实施例通过将对具有缺陷的型材微观组织图进行分析，得到缺陷检测结果，从而可以知道缺陷的类属；然后基于缺陷的类属，确定缺陷检测顺序，按照该缺陷检测顺序可进行型材的缺陷检测，从而可以进行快速错误定位与错误排除，进一步改良型材制造工艺。故本实施例能够改善型材缺陷检测方法，改良型材制造工艺，从而提高了型材质量。
92.本实施例中各个步骤可以是人工实施的，也可以是计算机根据预先设定的模型、算法或者程序自动执行的。
93.请参照图2，其为本技术一实施例示出的图1对应实施例中步骤s110的细节流程示意图。步骤s110可以包括如下步骤：
94.步骤s111：提供待测型材。
95.步骤s112：对待测型材进行检测。
96.步骤s113：判断待测型材是否具有缺陷。
97.步骤s114：若待测型材具有缺陷，则获取具有缺陷的型材微观组织图。
98.本实施例还包括判断待测型材是否具有缺陷的步骤，本实施例中各个步骤可以是人工实施的，也可以是计算机根据预先设定的模型、算法或者程序自动执行的。例如可以事先在计算机内存储正常型材的微观组织图，通过图像对比，即可得知型材是否具有缺陷。
99.上述步骤的待测型材请参照步骤s110的详细描述，可以是型材制造过程中的每一个环节所得的产物，可以是最终产物，也可以是中间产物。
100.请参照图3，其为本技术一实施例示出的图1对应实施例中步骤s120的细节流程示意图。步骤s120可以包括如下步骤：
101.步骤s121：将具有缺陷的型材微观组织图输入第一预设模型。
102.步骤s122：利用第一预设模型，对具有缺陷的型材微观组织图进行图像与缺陷的相关性分析。
103.步骤s123：根据图像与缺陷的相关性分析结果，得到缺陷检测结果。
104.本实施例的第一预设模型可以是提前训练好的模型，计算机中可以事先存储大量具有不同类属的缺陷的型材微观组织图对第一预设模型进行训练。根据第一预设模型输出的相似度计算结果，分析图像与缺陷的相关性，得知该缺陷的类属，为下一步的确定项目检测顺序做准备。
105.请参照图4，其为本技术一实施例示出的图1对应实施例中步骤s130的细节流程示意图。步骤s130可以包括如下步骤：
106.步骤s131：将缺陷检测结果输入第二预设模型。
107.步骤s132：利用第二预设模型，对缺陷检测结果进行缺陷与待测项目的相关性分析。
108.步骤s133：根据缺陷与待测项目的相关性分析结果，确定项目检测顺序。
109.本实施例的第二预设模型可以是提前训练好的模型，根据第二预设模型输出的相关度计算结果，分析缺陷与待测项目的相关性，根据该相关度排序以及检测的方便性，调整各个检测项目的先后顺序，从而确定项目检测顺序，为下一步的项目检测做准备。
110.请参照图5，其为本技术一实施例示出的图1对应实施例中步骤s140的细节流程示意图。步骤s140可以包括如下步骤：
111.步骤s141：根据项目检测顺序，进行初始项目检测。
112.步骤s142：判断缺陷是否与初始项目相关。
113.在上述步骤s141和步骤s142中，每个检测项目可以针对同一批次的两块型材样品，或者同一个型材的同一位置取两块型材样品在相同条件下分别进行检测项目对应的工艺处理，判断两个样品所对应的产物是否具有缺陷，从而可以判断缺陷是否与初始项目相关，若缺陷与初始项目无关，则执行步骤s143，若缺陷与初始项目有关，则执行步骤s144。
114.步骤s143：根据项目检测顺序，进行下一待测项目的检测。
115.本步骤中下一待测项目的检测，除检测项目与步骤s141和步骤s142初始项目检测不同外，其余都与步骤s141和步骤s142相同。
116.步骤s144：则调整初始项目的相关参数。
117.步骤s145：根据调整的相关参数，对初始项目进行重新检测。
118.步骤s146：判断初始项目的缺陷成因是否消除。
119.在上述步骤s144、步骤s145和步骤s146中，可以通过调整初始项目所对应的型材制造工艺环节的相关参数，再进行试验，若试验所制得产品缺陷部分消除或完全消除，质量达到最佳，则判断本环节的缺陷成因消除，执行步骤s147；反之，初始项目的缺陷成因没有消除，则跳转步骤s144，执行步骤s144、步骤s145和步骤s146，直至初始项目的缺陷成因消除。
120.步骤s147：判断所有待测项目的缺陷成因是否完全消除。
121.在本步骤中，可以步骤s146所制得的产品不具有任何缺陷，与正常产品的微观组织图高度相似，则判断所有待测项目的缺陷成因完全消除，则结束缺陷成因判断流程。反之，所有待测项目的缺陷成因未完全消除，则执行步骤s143，根据项目检测顺序，进行下一待测项目的检测。
122.步骤s141-步骤s147中的每个步骤都可以实时记录每一步的情况，生成日志，在步骤s147之后可以生成对应的缺陷成因分析报告以及修正后的型材制造工艺参数报表，以供参考。
123.请参照图6，其为本技术一实施例示出的检测项目的示意图。于一实施例中，一个检测项目可以包括多种不同的检测手段，多种不同的检测手段可以先后使用，以提高检测准确性，也可以只选用其中一个，以提高检测速度。
124.图6中示出了当型材为铝合金时的检测项目，检测项目为根据型材制造工艺确定的。本实施例的型材制造工艺包括：先得到原始铸棒，再进行均质化工艺处理，得到均质后
铸棒，接着进行挤压工艺处理，得到挤压态型材，再接着进行固溶工艺处理，得到固溶态型材，然后进行时效工艺处理，得到时效态型材，最后进行氧化工艺处理，得到氧化后型材。
125.其中，当检测项目为原始铸棒时，其检测手段可以包括：晶粒(含偏析层)分析、成分(径向)偏析分析、杂质(含氧化皮)分析和非平衡共晶相分析。当检测项目为均质化工艺时，其检测手段可以包括：非平衡共晶相回溶分析、第二相析出分析、晶粒分析和过烧组织分析。当检测项目为挤压工艺时，其检测手段可以包括：变形组织分析、晶粒再结晶情况分析、晶粒取向(织构)分析和硬度及电导率分析。当检测项目为固溶工艺时，其检测手段可以包括：第二相溶解情况分析、晶粒再结晶分析、过烧组织分析和电导率测试。当检测项目为时效工艺时，其检测手段可以包括：纳米析出相分析、晶粒及晶界分析和力学性能分析。当检测项目为氧化工艺时，其检测手段可以包括：氧化膜外观分析、高通量观察晶粒差异、第二相分析和腐蚀性能(氧化)分析。
126.请参照图7，其为本技术一实施例示出的型材缺陷检测方法的试验过程示意图。申请人对图1至图5所示的型材缺陷检测方法进行了试验。试验过程包括如下步骤：
127.步骤(1)：进行阳极氧化工艺的项目检测的第一项次。
128.取待阳极氧化后的型材进行阳极氧化处理，观察外观是否出现组织缺陷，从而判断阳极氧化工艺出现问题。
129.若外观出现组织缺陷差异，则判断为阳极氧化工艺出现问题。
130.此时可以通过调整氧化电解液、电流密度和/或夹具结构来改善阳极氧化工艺的参数，并可以参照图5所示实施例，确定是否结束试验过程。
131.步骤(2)：进行阳极氧化工艺的项目检测的第二项次。
132.若步骤(1)中外观无差异，此时对阳极氧化工艺中氧化料进行高通量sem分析(sem，high throughput，高通量扫描电子束显微镜)，观察组织缺陷区域及正常区域是否存在组织差异，重点关注晶粒大小及形状有差异。
133.若出现晶粒大小有明显差异，则判断为阳极氧化工艺的氧化料出现问题。
134.此时可以通过调整挤压模具、挤压温度和/或挤压力来改善阳极氧化工艺的参数，并可以参照图5所示实施例，确定是否结束试验过程。
135.于一实施例中，高通量sem扫描可以对感兴趣的位置进行区域扫描，在色温2000k-20000k下观察整个区域的组织形貌。
136.步骤(3)：进行固溶工艺的项目检测。
137.若步骤(2)无差异，取固溶后型材进行sem分析，观察缺陷区域第二相是否与正常区域第二相存在差异，重点关注缺陷区域的第二相是否比正常区域的第二相多、粗大，以及关注第二相的成分，是否为simg2或者渗氮和渗碳所得到的s相。
138.若出现缺陷区域第二相富集、粗大且明确第二相成分后，则判断为固溶工艺出现问题。
139.此时可以通过调整固溶温度或时间、减少杂质元素含量和/或增加均匀化温度或时间，来改善固溶工艺的参数，并可以参照图5所示实施例，确定是否结束试验过程。
140.步骤(4)：进行挤压工艺的项目检测。
141.若步骤(3)无差异，取挤压后型材进行ebsd分析(ebsd，electron backscattered diffraction，电子背散射衍射)，观察缺陷区域和正常区域晶粒差异，分析是否存在晶粒取
向及再结晶差异。
142.若晶粒存在明显差异，则判断为挤压工艺出现问题。
143.此时可以通过调整加油温度、挤压力、模具设计和/或增加在线冷却设施，来改善挤压工艺的参数，并可以参照图5所示实施例，确定是否结束试验过程。
144.步骤(5)：进行原始铸锭工艺的项目检测。
145.若步骤(4)无差异，取原始铸锭进行成分、剖面分析，分析铸锭径向成分、偏析成厚度、剖面杂质及径向晶粒差异。
146.若存在明显的偏析层厚度，剖面有氧化皮等杂质，边部及中心晶粒差异较大，则判断为原始铸锭工艺出现问题。
147.此时可以通过提高铸锭车皮质量、增加铸造熔体处理过程、调整铸造速度及温度、和/或调整晶粒细化，来改善原始铸锭工艺的参数，并可以参照图5所示实施例，确定是否结束试验过程。
148.步骤(6):进行时效工艺的项目检测。
149.若步骤(5)无差异，取时效后型材进行tem分析(tem，transmission electron microscope,透射电子显微镜)，观察晶内及晶界纳米析出相差异，重点关注如zral3等粒子是否聚集。
150.若存在纳米析出相的聚集，且析出相的成分与细化剂一致，则判断为时效工艺的出现问题。
151.此时可以通过调整铸造细化剂及微合金化元素的加入量、增加均匀化温度或时间、和/或调整时效温度或时间，来改善时效工艺的参数，并可以参照图5所示实施例，确定是否结束试验过程。
152.请参照图8，其为本技术一实施例示出的电子设备100的结构示意图。电子设备100包括：至少一个处理器103和存储器102，图8中以一个处理器103为例。处理器103和存储器102通过总线101连接，存储器102存储有可被处理器103执行的指令，指令被处理器103执行，以使电子设备100可执行下述的实施例中方法的全部或部分流程，以改善型材缺陷检测方法，改良型材制造工艺。
153.于一实施例中，处理器103可以是通用处理器103，包括但不限于中央处理器103(central processing unit，cpu)、网络处理器103(network processor，np)等，还可以是数字信号处理器103(digital signal processor，dsp)、专用集成电路(application specific integrated circuit，asic)、现成可编程门阵列(fieldprogrammable gate array，fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器103可以是微处理器103或者该处理器103也可以是任何常规的处理器103等，处理器103是电子设备100的控制中心，利用各种接口和线路连接整个电子设备100的各个部分。处理器103可以实现或者执行本技术实施例中公开的各方法、步骤及逻辑框图。
154.于一实施例中，存储器102可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，包括但不限于，随机存取存储器102(random access memory，ram)，只读存储器102(read only memory，rom)，静态随机存取存储器102(static random access memory，简称sram)，可编程只读存储器102(programmable read-only memory，prom)，可擦除只读存储器102(erasable programmable read-only memory，eprom)，电可擦除只读存
储器102(electric erasable programmable read-only memory，eeprom)。
155.电子设备100可以是手机、笔记本电脑、台式计算机、或者多台计算机组成的运算系统等设备。电子设备100还可包括比图8中所示更多或者更少的组件，或者具有与图8所示不同的配置。例如电子设备100还包括用于人机交互的输入输出设备。
156.请参照图9，其为本技术一实施例示出的型材缺陷检测装置200的结构示意图。该装置可应用于图8所示的电子设备100，包括：获取模块210、分析模块220、确定模块230和检测模块240。各个模块的原理关系如下：
157.获取模块210，用于获取具有缺陷的型材微观组织图；
158.分析模块220，用于根据具有缺陷的型材微观组织图，分析得到缺陷检测结果；
159.确定模块230，用于根据缺陷检测结果，确定项目检测顺序；
160.检测模块240，用于根据项目检测顺序，进行型材的缺陷检测。
161.上述型材缺陷检测装置200的详细描述，请参见上述实施例中相关方法步骤的描述。
162.本技术实施例还提供了一种电子设备100可读存储介质，包括：程序，当其在电子设备100上运行时，使得电子设备100可执行上述实施例中方法的全部或部分流程。其中，存储介质可为磁盘、光盘、只读存储记忆体(read-only memory，rom)、随机存储记忆体(random access memory，ram)、快闪存储器102(flash memory)、硬盘(hard disk drive，缩写：hdd)或固态硬盘(solid-state drive，ssd)等。存储介质还可以包括上述种类的存储器102的组合。
163.在本技术所提供的几个实施例中，所揭露的装置和方法，也可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，附图中的流程图和框图显示了根据本技术的多个实施例的装置、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。
164.在有些作为替换的实现方式中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
165.另外，在本技术各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
166.本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。以上仅为本技术的优选实施例而已，仅用于说明本技术的技术方案，并不用于限制本技术。对于本技术领域的普通技术人员而言，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
167.需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例中的特征可以相互结合。以上仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改
进等，均应包含在本技术的保护范围之内。