高倍反向电压二极管的制作方法

1.本实用新型涉及一种半导体技术领域，尤其涉及高倍反向电压二极管。


背景技术：

2.二极管是利用半导体材料制成的一种电子器件，二极管内部设有pn结，pn结的两端设有引线端子，如果按照外加电压的方向，则具备电流的单向传导性。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流”功能。
3.大功率二极管是通过设置芯片中的pn结面积来提高通过的电流，从而提高功率。二极管的内部通常只封装一个芯片，耐压性能不足，应用于大电压的电路结构时，二极管容易击穿。针对此类问题，已公开的专利文献中，如授权公告日为2021年10月15日，申请号为202120528989.9的一种串联式大功率二极管实用新型专利，包括绝缘封装体，绝缘封装体内封装有相互平行的第一芯片、第二芯片、第一电极片和第二电极片，第一芯片与第一电极片之间连接有第一铜片，第一芯片与第二芯片之间连接有第二铜片，第二芯片与第二电极片之间连接有第三铜片；第一铜片内设有第一粘结块，第二铜片内设有第二粘结块，第三铜片内设有第三粘结块；第一电极片通过第一导电粘结层连接有第一引脚片；第二电极片通过第二导电粘结层连接有第二引脚片。这种叠片平行的结构，最多只能放2层芯片，芯片放的越多，材料本体尺寸就越高，违背了贴片产品扁平化的使用要求；另外，芯片互相叠加在一起，通电后芯片会发热，上下层的芯片发热容易互相影响引发热效应的叠加，导致功耗的增加，极端情况下，会引起器件的热击穿失效。


技术实现要素：

4.本实用新型针对以上问题，提供了一种结构紧凑、制备高效、散热性高的高倍反向电压二极管。
5.本实用新型的技术方案是：高倍反向电压二极管，包括引脚一、引脚二和若干芯片；
6.相邻所述芯片之间通过连接片连接，将若干所述芯片依次串联，并封装在塑封体内；
7.所述引脚一呈扁平状，与首端的芯片的负极连接，并从所述塑封体内伸出；
8.所述引脚二呈扁平状，与尾端的芯片的正极连接，并从所述塑封体内伸出。
9.相邻所述芯片之间的间距大于0.5mm。
10.所述连接片包括一次成型的上连接部一、延伸部一和下连接部一；
11.所述上连接部一与芯片的正极连接，下连接部一与相邻芯片的负极连接。
12.所述延伸部一上设有若干通孔。
13.所述连接片呈扁平状。
14.所述引脚二包括一次成型的上连接部二、延伸部二和下连接部二；
15.所述上连接部二与尾端的芯片正极连接，下连接部二从所述塑封体内伸出。
16.尾端所述芯片侧部至上连接部二与延伸部二交界处的距离不小于0.1mm。
17.位于所述下连接部二下方的塑封体厚度值为下连接部二厚度值的4~5倍。
18.本实用新型中包括引脚一、引脚二和若干芯片；若干芯片延水平方向依次间隔设置；相邻芯片之间通过连接片连接，将若干芯片依次串联，并封装在塑封体内；引脚一呈扁平状，与首端的芯片的负极连接，并从塑封体内伸出；引脚二呈扁平状，与尾端的芯片的正极连接，并从塑封体内伸出。本案采用框架结构，多颗芯片之间通过连接片连接，串联，从而实现高倍反向电压的能力，引脚（包括引脚一和引脚二）采用框架片的结构设计，产品整体厚度不但可以减薄，还可以增加散热面积。
附图说明
19.图1是本实用新型的结构示意图，
20.图2是图1的侧部结构示意图，
21.图3是图2中尾端的芯片结构示意图，
22.图4是凹槽容纳区的结构示意图；
23.图中1是引脚一，2是引脚二，3是芯片，4是连接片，41是上连接部一，42是延伸部一，43是下连接部一，44是凹槽容纳区，5是塑封体。
具体实施方式
24.下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
25.本实用新型如图1-3所示；高倍反向电压二极管，包括引脚一1、引脚二2和若干芯片3；
26.若干芯片3延水平方向（以图1方向为参考方向）依次间隔设置；
27.相邻所述芯片3之间通过连接片4连接，将若干所述芯片3依次串联，并封装在塑封体5内；
28.所述引脚一1呈扁平状，与首端的芯片3的负极连接，并从所述塑封体5内伸出；
29.所述引脚二2呈扁平状，与尾端的芯片3的正极连接，并从所述塑封体5内伸出。
30.本案采用框架结构，多颗芯片3之间通过连接片4连接，串联，从而实现高倍反向电压的能力，引脚（包括引脚一1和引脚二2）采用框架片的结构设计，产品整体厚度不但可以减薄，还可以增加散热面积。
31.相邻所述芯片3之间的间距大于0.5mm。
32.所述连接片4包括一次成型的上连接部一41、延伸部一42和下连接部一43；
33.所述上连接部一41与芯片3的正极连接，下连接部一43与相邻芯片3的负极连接。
34.如图4所示，所述下连接部一43的顶部设有用于放置芯片3的凹槽容纳区44，设置凹槽容纳区44不仅一定范围内限定芯片3焊接的区域，便于焊接定位，同时凹槽容纳区44的侧部可以提高散热面积，并且一定程度降低整体产品的高度，满足客户小型化需求。
35.进一步限定，凹槽容纳区44的底部面积大于芯片3的底部面积，提高散热性。
36.所述延伸部一42上设有若干通孔，通过通孔提高塑封体5连接的稳定性。
37.所述连接片4呈扁平状。
38.所述引脚二2包括一次成型的上连接部二、延伸部二和下连接部二；
39.所述上连接部二与尾端的芯片3正极连接，下连接部二从所述塑封体5内伸出。
40.尾端所述芯片3侧部至上连接部二与延伸部二交界处的距离不小于0.1mm，即图3中l的距离不小于0.1mm，从而提高器件绝缘耐压性能。
41.位于所述下连接部二下方的塑封体5厚度值为下连接部二厚度值的4~5倍，即图3中h1为h2的4~5倍，保证塑封的绝缘强度。
42.本案产品制备步骤包括：
43.s1、芯片3与铜片（包括引脚一1、若干连接片4和引脚二2）先焊接在一起，
44.s2、多个铜片与芯片3焊接相连，逐步搭接串联在一起；
45.s3、在经过塑封工序，在外面形成保护壳。
46.对于本案所公开的内容，还有以下几点需要说明：
47.（1）、本案所公开的实施例附图只涉及到与本案所公开实施例所涉及到的结构，其他结构可参考通常设计；
48.（2）、在不冲突的情况下，本案所公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例；
49.以上，仅为本案所公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本案所公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。


技术特征：
1.高倍反向电压二极管，其特征在于，包括引脚一、引脚二和若干芯片；相邻所述芯片之间通过连接片连接，将若干所述芯片依次串联，并封装在塑封体内；所述引脚一呈扁平状，与首端的芯片的负极连接，并从所述塑封体内伸出；所述引脚二呈扁平状，与尾端的芯片的正极连接，并从所述塑封体内伸出。2.根据权利要求1所述的高倍反向电压二极管，其特征在于，相邻所述芯片之间的间距大于0.5mm。3.根据权利要求1所述的高倍反向电压二极管，其特征在于，所述连接片包括一次成型的上连接部一、延伸部一和下连接部一；所述上连接部一与芯片的正极连接，下连接部一与相邻芯片的负极连接。4.根据权利要求3所述的高倍反向电压二极管，其特征在于，所述延伸部一上设有若干通孔。5.根据权利要求1或4所述的高倍反向电压二极管，其特征在于，所述连接片呈扁平状。6.根据权利要求1所述的高倍反向电压二极管，其特征在于，所述引脚二包括一次成型的上连接部二、延伸部二和下连接部二；所述上连接部二与尾端的芯片正极连接，下连接部二从所述塑封体内伸出。7.根据权利要求6所述的高倍反向电压二极管，其特征在于，尾端所述芯片侧部至上连接部二与延伸部二交界处的距离不小于0.1mm。8.根据权利要求6所述的高倍反向电压二极管，其特征在于，位于所述下连接部二下方的塑封体厚度值为下连接部二厚度值的4~5倍。

技术总结
高倍反向电压二极管。涉及一种半导体技术领域，尤其涉及高倍反向电压二极管。本实用新型中包括引脚一、引脚二和若干芯片；若干芯片延水平方向依次间隔设置；相邻芯片之间通过连接片连接，将若干芯片依次串联，并封装在塑封体内；引脚一呈扁平状，与首端的芯片的负极连接，并从塑封体内伸出；引脚二呈扁平状，与尾端的芯片的正极连接，并从塑封体内伸出。本案采用框架结构，多颗芯片之间通过连接片连接，串联，从而实现高倍反向电压的能力，引脚（包括引脚一和引脚二）采用框架片的结构设计，产品整体厚度不但可以减薄，还可以增加散热面积。还可以增加散热面积。还可以增加散热面积。


技术研发人员：王双 王毅
受保护的技术使用者：扬州扬杰电子科技股份有限公司
技术研发日：2022.02.24
技术公布日：2022/7/8