一种新型的静电吸盘结构和半导体设备的制作方法

技术特征：
1.一种新型的静电吸盘结构，其特征在于，包括：静电吸盘基座；位于所述静电吸盘基座上的静电吸盘层，所述静电吸盘层背离所述静电吸盘基座一侧的表面包括第一区和环绕所述第一区的第一密封环区；若干个第一气冷通道，贯穿所述静电吸盘基座和所述静电吸盘层的第一区；环绕所述静电吸盘层设置的功能环；所述第一密封环区包括沿着第一密封环区的周向排布的主密封区和第一漏气区，所述第一漏气区的粗糙度大于所述主密封区的粗糙度；和/或，所述静电吸盘层背离所述静电吸盘基座一侧的表面还包括位于所述第一密封环区外侧的第二漏气区，所述第二漏气区和静电吸盘基座中具有贯穿所述第二漏气区和静电吸盘基座的第二气冷通道。2.根据权利要求1所述的新型的静电吸盘结构，其特征在于，所述第一密封环区的平均表面粗糙度小于所述第一区的平均表面粗糙度。3.根据权利要求1所述的新型的静电吸盘结构，其特征在于，所述第一漏气区的总面积为所述主密封区的面积的10％～90％；优选的，第一漏气区的数量为若干个，若干个第一漏气区沿着所述第一密封环区的周向上均匀排布；优选的，所述第一漏气区之间的间距为1mm～100mm，各所述第一漏气区沿着所述第一密封环区的周向上的长度为0.1mm～10mm。4.根据权利要求1所述的新型的静电吸盘结构，其特征在于，所述第一漏气区的表面粗糙度为所述主密封区的表面粗糙度的2倍～10倍；优选的，所述第一漏气区的表面粗糙度大于或等于1微米，所述主密封区的表面粗糙度小于或等于0.2微米。5.根据权利要求1所述的新型的静电吸盘结构，其特征在于，所述第二漏气区的表面粗糙度大于所述第一密封环区的平均表面粗糙度；优选的，所述第二漏气区的表面粗糙度大于或等于1微米。6.根据权利要求1所述的新型的静电吸盘结构，其特征在于，当所述静电吸盘层背离所述静电吸盘基座一侧的表面还包括位于所述第一密封环区外侧的第二漏气区时，所述第一密封环区的形状包括多边形环；优选的，所述第一密封环区外侧具有若干个第二漏气区，所述第二漏气区分别位于多边形环的每个环边的外侧，每个第二漏气区中均具有第二气冷通道。7.根据权利要求1所述的新型的静电吸盘结构，其特征在于，所述第一密封环区的高度大于所述第一区的高度，所述静电吸盘层对应所述第一密封环区的位置具有凸起环，所述凸起环背离所述静电吸盘基座一侧的表面作为第一密封环区；所述新型的静电吸盘结构还包括：在所述凸起环的宽度方向上贯穿所述凸起环的气槽；优选的，所述气槽的数量为若干个，若干个气槽沿着所述凸起环的周向上均匀排布；优选的，所述气槽的槽径为0.1mm～10mm；所述气槽的槽深为1um～20um；优选的，相邻气槽之间的间距为1mm～100mm。8.根据权利要求1所述的新型的静电吸盘结构，其特征在于，所述第一区包括：第一子区、环绕所述第一子区的第二密封环区；环绕所述第二密封环区的第二子区，所述第二密封
环区的表面粗造度大于所述第一子区的表面粗造度且大于所述第二子区的表面粗造度；优选的，还包括：第一压力控制模块，所述第一压力控制模块适于控制第一子区中的第一气冷通道内的气体压强；第二压力控制模块，所述第二压力控制模块适于控制第二子区中的第一气冷通道内的气体压强。9.根据权利要求1所述的新型的静电吸盘结构，其特征在于，还包括：第三压力控制模块，所述第三压力控制模块适于控制第二气冷通道内的气体压强。10.根据权利要求1所述的新型的静电吸盘结构，其特征在于，所述功能环包括等离子体聚焦环。11.根据权利要求1所述的新型的静电吸盘结构，其特征在于，还包括：位于所述静电吸盘基座和所述静电吸盘层之间的粘结层；所述第一气冷通道贯穿所述粘结层，所述第二气冷通道贯穿所述粘结层；优选的，所述粘结层包括陶瓷粘结层。12.一种半导体设备，其特征在于，包括：权利要求1至11任意一项所述的新型的静电吸盘结构。

技术总结
一种新型的静电吸盘结构和半导体设备，新型的静电吸盘结构包括：静电吸盘基座；位于静电吸盘基座上的静电吸盘层，静电吸盘层背离静电吸盘基座一侧的表面包括第一区和环绕第一区的第一密封环区；若干个第一气冷通道，贯穿静电吸盘基座和静电吸盘层的第一区；环绕静电吸盘层设置的功能环；第一密封环区包括沿着第一密封环区的周向排布的主密封区和第一漏气区，第一漏气区的粗糙度大于主密封区的粗糙度；和/或，静电吸盘层背离静电吸盘基座一侧的表面还包括位于第一密封环区外侧的第二漏气区，第二漏气区和静电吸盘基座中具有贯穿所述第二漏气区和静电吸盘基座的第二气冷通道。所述新型的静电吸盘结构能够提高可靠性。述新型的静电吸盘结构能够提高可靠性。述新型的静电吸盘结构能够提高可靠性。


技术研发人员：张朋兵 陈世名
受保护的技术使用者：上海谙邦半导体设备有限公司
技术研发日：2022.03.31
技术公布日：2022/7/5