半导体装置、记忆体装置及制造记忆体装置的方法与流程

技术特征：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一第一导体结构，沿一横向方向延伸；一第一记忆体薄膜，沿一垂直方向延伸，其中该第一记忆体薄膜与该第一导体结构接触；一第一半导体薄膜，沿该垂直方向延伸，其中该第一半导体薄膜与该第一记忆体薄膜接触，且该第一半导体薄膜的多个末端分别与该第一记忆体薄膜的多个末端对准；一第二导体结构，沿该垂直方向延伸；一第三导体结构，沿该垂直方向延伸；及一第四导体结构，沿该垂直方向延伸；其中该第二导体结构及该第四导体结构耦合该第一半导体薄膜的该些末端，且该第三导体结构耦合该第一半导体薄膜的一部分，其中该第一半导体薄膜的该部分在该第一半导体薄膜的该些末端之间。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：一第五导体结构，沿该横向方向延伸；一第二记忆体薄膜，沿该垂直方向延伸，其中该第二记忆体薄膜与该第五导体结构接触；一第二半导体薄膜，沿该垂直方向延伸，其中该第二半导体薄膜与该第二记忆体薄膜接触，且该第二半导体薄膜的多个末端分别与该第二记忆体薄膜的多个末端对准；及一第六导体结构，沿该垂直方向延伸；其中该第二导体结构及该第四导体结构耦合该第二半导体薄膜的该些末端，且该第六导体结构耦合该第二半导体薄膜的一部分，其中该第二半导体薄膜的该部分在该第二半导体薄膜的该些末端之间。3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该第一导体结构与该第五导体结构通过一介电层的至少一第一部分及一第二部分彼此电性隔离。4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一导体结构、该第一记忆体薄膜的一第一部分、该第一半导体薄膜的一第一部分、该第二导体结构及该第三导体结构作为一第一记忆体单元进行操作；该第一导体结构、该第一记忆体薄膜的一第二部分、该第一半导体薄膜的一第二部分、该第四导体结构及该第三导体结构作为一第二记忆体单元进行操作；该第五导体结构、该第二记忆体薄膜的一第一部分、该第二半导体薄膜的一第一部分、该第二导体结构及该第六导体结构作为一第三记忆体单元进行操作；及该第五导体结构、该第二记忆体薄膜的一第二部分、该第二半导体薄膜的一第二部分、该第四导体结构及该第六导体结构作为一第四记忆体单元进行操作。5.一种记忆体装置，其特征在于，包括：一第一记忆体单元；一第二记忆体单元；一第三记忆体单元；及一第四记忆体单元；其中该第一记忆体单元包括一第一记忆体薄膜的一第一部分及一第一半导体薄膜的
一第一部分，该第一记忆体薄膜及该第一半导体薄膜沿一垂直方向延伸；其中该第二记忆体单元包括该第一记忆体薄膜的一第二部分及该第一半导体薄膜的一第二部分；其中该第三记忆体单元包括一第二记忆体薄膜的一第一部分及一第二半导体薄膜的一第一部分，该第二记忆体薄膜及该第二半导体薄膜沿该垂直方向延伸；且其中该第四记忆体单元包括该第二记忆体薄膜的一第二部分及该第二半导体薄膜的一第二部分。6.如权利要求5所述的记忆体装置，其特征在于，该第一记忆体薄膜与该第一半导体薄膜彼此接触并共同形成为一曲面形状的一第一部分，且该第二记忆体薄膜与该第二半导体薄膜彼此接触并共同形成为该曲面形状的一第二部分。7.如权利要求5所述的记忆体装置，其特征在于，该第一记忆体薄膜与该第一半导体薄膜彼此接触并共同形成为一多边形形状的一第一部分，且该第二记忆体薄膜与该第二半导体薄膜彼此接触并共同形成为该多边形形状的一第二部分。8.如权利要求5所述的记忆体装置，其特征在于，进一步包括：一第一位元/源极线，沿该垂直方向延伸；一第二位元/源极线，沿该垂直方向延伸；一第三位元/源极线，沿该垂直方向延伸；及一第四位元/源极线，沿该垂直方向延伸；其中该第一位元/源极线及该第二位元/源极线电性耦合该第一半导体薄膜的该第一部分，该第二位元/源极线及该第三位元/源极线电性耦合该第一半导体薄膜的该第二部分，该第三位元/源极线及该第四位元/源极线电性耦合该第二半导体薄膜的该第二部分，且该第四位元/源极线及该第一位元/源极线电性耦合该第二半导体薄膜的该第一部分，且其中该第二位元/源极线及该第四位元/源极线彼此电性耦合。9.如权利要求5所述的记忆体装置，其特征在于，进一步包括：一第一字元线，沿一横向方向延伸；及一第二字元线，沿该横向方向延伸；其中该第一字元线经由该第一记忆体薄膜电性耦合该第一半导体薄膜，且该第二字元线经由该第二记忆体薄膜电性耦合该第二半导体薄膜。10.一种制造记忆体装置的方法，其特征在于，包括以下步骤：形成一记忆体层，该记忆体层是闭端的，该记忆体层延伸穿过多个绝缘层与多个牺牲层的一堆叠，该些绝缘层与该些牺牲层彼此交错配置；形成一半导体层，该半导体层是闭端的，该半导体层延伸穿过该堆叠，且该半导体层与该记忆体层接触；将该记忆体层分离成该记忆体层的一第一部分及该记忆体层的一第二部分；将该半导体层分离成该半导体层的一第一部分及该半导体层的一第二部分；及形成一第一互连结构、一第二互连结构、一第三互连结构及一第四互连结构，该第一互连结构至该第四互连结构中的每一者延伸穿过该堆叠；其中该第一互连结构及该第三互连结构耦合该半导体层的该第一部分的多个末端，其中该第二互连结构耦合该半导体层的该第一部分的一中点；且
其中该第一互连结构及该第三互连结构耦合该半导体层的该第二部分的多个末端，其中该第四互连结构耦合该半导体层的该第二部分的一中点。

技术总结
一种半导体装置、记忆体装置及制造记忆体装置的方法，半导体装置包括沿横向方向延伸的第一导体结构以及沿垂直方向延伸的第一记忆体薄膜。第一记忆体薄膜与第一导体结构接触。半导体装置包括沿垂直方向延伸的第一半导体薄膜。第一半导体薄膜与第一记忆体薄膜接触且第一半导体薄膜的末端分别与第一记忆体薄膜的末端对准。半导体装置包括沿垂直方向延伸的第二导体结构、沿垂直方向延伸的第三导体结构以及沿垂直方向延伸的第四导体结构。第二导体结构及第四导体结构耦合第一半导体薄膜的末端，且第三导体结构耦合第一半导体薄膜的一部分，其中此部分在第一半导体薄膜的末端之间。其中此部分在第一半导体薄膜的末端之间。其中此部分在第一半导体薄膜的末端之间。


技术研发人员：林孟汉 黄家恩
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.02.21
技术公布日：2022/7/1