显示面板、阵列基板及其制造方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板、阵列基板及其制造方法。


背景技术：

2.现有的薄膜晶体管液晶显示面板通常是由一彩膜基板、一薄膜晶体管阵列基板以及一配置于两基板间的液晶层所构成，其工作原理是通过施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。薄膜晶体管液晶显示面板由于具有轻薄、环保、高性能等优点而使其具有广泛的应用，近年来为了简化薄膜晶体管液晶显示面板的制程并降低成本，4光罩工艺技术的应用越来越普遍。然而4光罩工艺技术是通过由于将半导体层和第二金属层的光刻合并，使得第二金属层下方均有一层半导体层，而处于第一金属层与第二金属层之间的半导体层会导致位于第一金属层上的第一电容极板与位于第二金属层上方的第二电容极板在正负极性上存在差异，从而引起水平串扰问题。


技术实现要素：

3.本技术提供一种显示面板、阵列基板及其制造方法，以解决水平串扰的问题。
4.本技术提供一种阵列基板，其包括：
5.基板；
6.第一电极层，所述第一电极层设在所述基板上，所述第一电极层包括第一公共电极；
7.第一绝缘层，所述第一绝缘层设在所述第一电极层上；
8.半导体层，所述半导体层设在所述第一绝缘层上；
9.第二电极层，所述第二电极层设在半导体层上并覆盖所述第一绝缘层，所述第二电极层包括漏电极、源电极和第二公共电极，所述漏电极和所述源电极分别与所述半导体层连接；
10.第一钝化层，所述第一钝化层设在所述第二电极层上；
11.第三电极层，所述第三电极层设在所述第一钝化层上，所述第三电极层包括像素电极；
12.其中，所述第一公共电极在所述基板上的正投影和所述像素电极在所述基板上的正投影至少部分重叠，所述第二公共电极通过所述第一绝缘层上的开口与所述第一公共电极相连接。
13.可选的，在本技术一些实施例中，所述第三电极层还包括第一连接电极，所述第一连接电极通过贯穿所述第一绝缘层和所述第一钝化层的开口与所述第二公共电极和所述第一公共电极相连接。
14.可选的，在本技术一些实施例中，所述第一公共电极在所述基板上的正投影和所述第二公共电极在所述基板上的正投影至少部分重叠。
15.可选的，在本技术一些实施例中，所述第一公共电极在所述基板上的正投影、所述
像素电极在所述基板上的正投影和所述第二公共电极在所述基板上的正投影至少部分重叠。
16.可选的，在本技术一些实施例中，所述第二电极层还包括第二连接电极，多个所述第一公共电极呈阵列设置，多个所述第二公共电极呈阵列设置，所述第二连接电极与位于同一行上的所述第二公共电极相连接。
17.可选的，在本技术一些实施例中，所述第一电极层还包括第三连接电极，所述第三连接电极与位于同一列上的所述第一公共电极相连接。
18.可选的，在本技术一些实施例中，所述基板包括透光区域和非透光区域，所述透光区域包括第一主干电极区域、第二主干电极区域以及分支电极区域，所述第二连接电极设置在所述非透光区域和所述第一主干电极区域上。
19.可选的，在本技术一些实施例中，所述第一电极层还包括第三公共电极，所述第二电极层还包括第四公共电极，所述第三公共电极和所述第四公共电极设在所述第一主干电极区域内，所述第三公共电极在所述基板上的正投影和所述第四公共电极在所述基板上的正投影相重叠。
20.可选的，在本技术一些实施例中，所述第一电极层还包括第五公共电极和第五连接电极，所述第二电极层还包括第六公共电极和第六连接电极，所述第五公共电极和所述第六公共电极设在所述第二主干电极区域内；
21.所述第五公共电极在所述基板上的正投影和所述第六公共电极在所述基板上的正投影相重叠；
22.和/或，所述第五公共电极与所述第三公共电极相连接，所述第六公共电极与所述第四公共电极相连接，所述第五公共电极在所述基板上的正投影和所述第六公共电极在所述基板上的正投影相重叠。
23.相对应地，本技术还提供一种阵列基板的制造方法，其包括：
24.提供一基板，在所述基板上形成第一电极层，所述第一电极层包括第一公共电极；
25.在所述第一电极层上形成第一绝缘层；
26.在所述第一绝缘层上形成半导体层；
27.在所述半导体层上形成第二电极层，所述第二电极层覆盖所述第一绝缘层，所述第二电极层包括漏电极、源电极和第二公共电极，所述漏电极和所述源电极分别与所述半导体层连接；
28.在所述第二电极层上形成第一钝化层；
29.在所述第一钝化层形成第三电极层，所述第三电极层包括像素电极和第一连接电极；
30.其中，所述第一公共电极在所述基板上的正投影和所述像素电极在所述基板上的正投影至少部分重叠，所述第一连接电极通过贯穿所述第一绝缘层和所述第一钝化层的开口与所述第二公共电极和所述第一公共电极相连接。
31.相对应地，本技术还提供一种显示面板，其包括上述的阵列基板，还包括与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。
32.本技术提供一种显示面板、阵列基板及其制造方法，其中阵列基板包括：基板；第一电极层，所述第一电极层设在所述基板上，所述第一电极层包括第一公共电极；第一绝缘
层，所述第一绝缘层设在所述第一电极层上；半导体层，所述半导体层设在所述第一绝缘层上；第二电极层，所述第二电极层设在半导体层上并覆盖所述第一绝缘层，所述第二电极层包括漏电极、源电极和第二公共电极，所述漏电极和所述源电极分别与所述半导体层连接；第一钝化层，所述第一钝化层设在所述第二电极层上；第三电极层，所述第三电极层设在所述第一钝化层上，所述第三电极层包括像素电极；其中，所述第一公共电极在所述基板上的正投影和所述像素电极在所述基板上的正投影至少部分重叠，所述第二公共电极通过所述第一绝缘层上的开口与所述第一公共电极相连接。本技术通过在第一公共电极和像素电极之间形成阵列基板的电容，并在第二电极层设有与漏电极及源电极同层的第二公共电极，而且第一公共电极与第二公共电极相连接，可以防止由于半导体层的存在而导致位于第一电极层上的第一公共电极与位于第三电极层上的像素电极之间产生正负极性差异，从而解决水平串扰的问题。
附图说明
33.图1为本技术提供的阵列基板的第一结构示意图；
34.图2为图1中的a-a剖视图；
35.图3为本技术提供的阵列基板的制造方法的流程图；
36.图4为本技术提供的阵列基板的第二结构示意图；
37.图5为本技术提供的阵列基板的第三结构示意图；
38.图6为图5中的a-a剖视图；
39.图7为图5中第一电极层的俯视图；
40.图8为图5中第二电极层的俯视图；
41.图9为本技术提供的阵列基板的第四结构示意图；
42.图10为图9中的a-a剖视图；
43.图11为图9中第一电极层的俯视图；
44.图12为图9中第二电极层的俯视图；
45.图13为本技术提供的阵列基板的第五结构示意图；
46.图14为图13中的b-b剖视图；
47.图15为图13中第一电极层的俯视图；
48.图16为图13中第二电极层的俯视图；
49.图17为本技术提供的阵列基板的第六结构示意图；
50.图18为图17中第一电极层的俯视图；
51.图19为图17中第二电极层的俯视图。
具体实施方式
52.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所得到的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
53.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
54.本技术提供一种显示面板、阵列基板及其制造方法，以下进行详细说明。需要说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对本技术实施例优选顺序的限定。
55.请参阅图1和图2，图1为本技术提供的阵列基板100的第一结构示意图，图2为图1中的a-a剖视图。本技术提供一种阵列基板100，其包括基板11、第一电极层12、第一绝缘层13、半导体层14、第二电极层15、第一钝化层16和第三电极层17。
56.其中，基板11的材料可以根据需要进行选择，如可以采用刚性材料，也可以采用柔性材料，基板11根据需要可以设置为刚性基板或柔性基板，如基板11为柔性基板，所述柔性基板包括单层柔性有机层或者两层以及以上的柔性有机层。柔性有机层的材料选自聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚芳酯、聚碳酸酯、聚醚酰亚胺和聚醚砜中的一种或多种。
57.而所述第一电极层12、所述第二电极层15和所述第三电极层17的材料可以为含有铜、钼、钼钛、铝、钛和镍中一种或多种的合金。所述半导体层14的材料可以为非晶硅半导体材料，也可以为金属氧化物半导体材料，在本实施例中，所述半导体层14的材料为金属氧化物半导体材料，金属氧化物半导体材料可以为铟镓锡氧化物半导体材料、铟镓锌锡氧化物半导体材料和铟镓锌氧化物半导体材料中的任一种。
58.所述第一电极层12设在所述基板11上，所述第一电极层12包括第一公共电极121；所述第一绝缘层13设在所述第一电极层12上；所述半导体层14设在所述第一绝缘层13上；所述第二电极层15设在半导体层14上并覆盖所述第一绝缘层13，所述第二电极层15包括漏电极152、源电极151和第二公共电极153，所述漏电极152和所述源电极151分别与所述半导体层14连接；所述第一钝化层16设在所述第二电极层15上；所述第三电极层17设在所述第一钝化层16上，所述第三电极层17包括像素电极171。
59.其中，所述第一公共电极121在所述基板11上的正投影和所述像素电极171在所述基板11上的正投影至少部分重叠，所述第二公共电极153通过所述第一绝缘层13上的开口101与所述第一公共电极121相连接。
60.由于所述第一公共电极121在所述基板11上的正投影和所述像素电极171在所述基板11上的正投影至少部分重叠，因此本技术可以在第一公共电极121和像素电极171之间形成阵列基板100的存储电容。另外由于第一公共电极121位于半导体层14的下方，像素电极171位于半导体层14的上方，因此半导体层14可能使得第一公共电极121和像素电极171之间产生正负极性差异。所以，本技术还在第二电极层15上设有与漏电极152及源电极151同层的第二公共电极153，而且第一公共电极121与第二公共电极153相连接，因此可以防止由于半导体层14的存在而导致位于第一电极层12上的第一公共电极121与位于第三电极层17上的像素电极171之间产生正负极性差异，从而解决水平串扰的问题。
61.进一步地，在一些实施例中，所述第一电极层12还包括栅电极122，所述栅电极122在所述基板11上的正投影和所述半导体层14在所述基板11上的正投影相重叠。本技术将栅电极122和第一公共电极121设在同一电极层上，可以减少电极层的设置。
62.另外，所述像素电极171与所述源电极151和漏电极152中的一者连接，具体地，所述像素电极171通过第一钝化层16上的开口102与所述漏电极152连接。
63.在一些实施例中，所述第三电极层17还包括第一连接电极172，所述第一连接电极172通过所述第一绝缘层13和所述第一钝化层16上的开口101依次与所述第二公共电极153和所述第一公共电极121相连接。
64.本技术通过在所述第一绝缘层13和所述第一钝化层16上设有开口，然后利用第一连接电极172依次与所述第二公共电极153和所述第一公共电极121相连接，从而实现第一公共电极121和第二公共电极153之间的连接。其中，第一连接电极172和像素电极171都位于第三电极层17，因此可以减少电极层的设置，同时可以降低加工时间。
65.进一步地，在一些实施例中，所述第一公共电极121在所述基板11上的正投影和所述第二公共电极153在所述基板11上的正投影至少部分重叠。通过将第一公共电极121和第二公共电极153至少部分重叠设置，使得占用空间尽量小，可以提高基板11的开口率。再进一步地，所述第一公共电极121在所述基板11上的正投影覆盖所述第二公共电极153在所述基板11上的正投影。
66.另外，进一步地，所述阵列基板100还包括彩色滤光层18和第二钝化层19，所述彩色滤光层18设在所述第一钝化层16上，所述第二钝化层19设在所述彩色滤光层18上，所述第三电极层17设在所述第二钝化层19上。所述第一连接电极172通过所述第一绝缘层13、所述第一钝化层16、所述彩色滤光层18和所述第二钝化层19上的开口101依次与所述第二公共电极153和所述第一公共电极121相连接，所述像素电极171通过第一钝化层16、所述彩色滤光层18和所述第二钝化层19上的开口102与所述漏电极152连接。
67.请参考图3，图3为本技术提供的阵列基板100的制造方法的流程图，相对应地，本技术还提供一种阵列基板100的制造方法，其包括：
68.s10、提供一基板11，在所述基板11上形成第一电极层12，所述第一电极层12包括第一公共电极121；
69.s20、在所述第一电极层12上形成第一绝缘层13；
70.s30、在所述第一绝缘层13上形成半导体层14；
71.s40、在所述半导体层14上形成第二电极层15，所述第二电极层15覆盖所述第一绝缘层13，所述第二电极层15包括漏电极152、源电极151和第二公共电极153，所述漏电极152和所述源电极151分别与所述半导体层14连接；
72.s50、在所述第二电极层15上形成第一钝化层16；
73.s60、在所述第一钝化层16形成第三电极层17，所述第三电极层17包括像素电极171和第一连接电极172；
74.其中，所述第一公共电极121在所述基板11上的正投影和所述像素电极171在所述基板11上的正投影至少部分重叠，所述第一连接电极172通过贯穿所述第一绝缘层13和所述第一钝化层16的开口101与所述第二公共电极153和所述第一公共电极121相连接。
75.相对应地，本技术还提供一种显示面板，其包括上述的阵列基板100，还包括与所
述阵列基板100相对设置的彩膜基板，以及位于所述阵列基板100和所述彩膜基板之间的液晶层。
76.与现有技术相比，本技术实施例提供的显示面板的有益效果与上述技术方案提供的阵列基板100的有益效果相同，在此不做赘述。
77.请参考图4，图4为本技术提供的阵列基板100的第二结构示意图，本实施例与图1提供的阵列基板100不同的是：所述第一公共电极121在所述基板11上的正投影、所述像素电极171在所述基板11上的正投影和所述第二公共电极153在所述基板11上的正投影至少部分重叠。
78.也即是所述第一公共电极121在所述基板11上的正投影、所述像素电极171在所述基板11上的正投影和所述第二公共电极153在所述基板11上的正投影具有重叠的部分，可以最大限度降低第一公共电极121和第二公共电极153的占用空间，提高基板11的开口率。
79.请参考图5至图8，图5为本技术提供的阵列基板100的第三结构示意图，图6为图5中的a-a剖视图，图7为图5中第一电极层的俯视图，图8为图5中第二电极层的俯视图，本实施例与图1提供的阵列基板100不同的是：所述第二电极层15还包括第二连接电极154，多个所述第一公共电极121呈阵列设置，多个所述第二公共电极153呈阵列设置，所述第二连接电极154与位于同一行上的所述第二公共电极153相连接。
80.本技术通过第二连接电极154将位于同一行上的所述第二公共电极153相连接，从而使得位于同一行上的第一公共电极121相连接，从而提高第一公共电极121的电位恢复速度，进一步改善水平串扰的问题。
81.再进一步地，在一些实施例中，所述基板11包括透光区域103和非透光区域104，所述透光区域103包括第一主干电极区域106、第二主干电极区域105以及分支电极区域107，所述像素电极171位于所述透光区域103内，所述第二连接电极154设置在所述非透光区域104和所述第一主干电极区域106上。
82.本技术将第二连接电极154设在第一主干电极区域106内，可以避免第二连接电极154占用基板11的设计空间，从而提高基板11的开口率。
83.在一些实施例中，所述第一电极层12还包括第三连接电极123，所述第三连接电极123与位于同一列上的所述第一公共电极121相连接。
84.也即是说，本技术在将位于同一行上的第一公共电极121相连接的基础上，再通过第三连接电极123将位于同一列上的所述第一公共电极121相连接，从而使得位于行列上的第一公共电极121相连接形成网格电极，从而进一步提高第一公共电极121的电位恢复速度，而改善水平串扰的问题。
85.请参考图9至图12，图9为本技术提供的阵列基板100的第四结构示意图，图10为图9中的a-a剖视图，图11为图9中第一电极层的俯视图，图12为图9中第二电极层的俯视图，本实施例与图5提供的阵列基板100不同的是：所述第一电极层12还包括第三公共电极124，所述第二电极层15还包括第四公共电极155，所述第三公共电极124和所述第四公共电极155设在所述第一主干电极区域106内，所述第三公共电极124在所述基板11上的正投影和所述第四公共电极155在所述基板11上的正投影相重叠。
86.由于半导体层14的存在会影响存储电容的数值，进而导致显示面板的可变刷新率效果差。因此，本技术通过第一电极层12在第一主干电极区域106内设有第三公共电极124，
通过第二电极层15在第一主干电极区域106内设有第四公共电极155，并使得所述第三公共电极124和所述第四公共电极155在所述基板11上的正投影相重叠，因此可以在所述第三公共电极124和所述第四公共电极155之间形成存储电容，从而增加存储电容的容量，进而改善显示面板的可变刷新率效果。
87.进一步地，在一些实施例中，所述第一电极层12还包括第四连接电极125，所述第三公共电极124和所述第四公共电极155的数量为多个，所述第四连接电极125将多个所述第三公共电极相连接，所述第二连接电极154将多个所述第四公共电极155相连接。多个所述第三公共电极124呈阵列布置，多个所述第四公共电极155呈阵列布置。
88.请参考图13至图16，图13为本技术提供的阵列基板100的第五结构示意图，图14为图13中的b-b剖视图，图15为图13中第一电极层的俯视图，图16为图13中第二电极层的俯视图，本实施例与图5提供的阵列基板100不同的是：所述第一电极层12还包括第五公共电极126和第五连接电极127，所述第二电极层15还包括第六公共电极156和第六连接电极157，所述第五公共电极126和所述第六公共电极156设在所述第二主干电极区域105内，所述第五公共电极126在所述基板11上的正投影和所述第六公共电极156在所述基板11上的正投影相重叠。
89.由于半导体层14的存在会影响存储电容的数值，进而导致显示面板的可变刷新率效果差。因此，本技术通过第一电极层12在第二主干电极区域105内设有第五公共电极126，通过第二电极层15在第二主干电极区域105内设有第六公共电极156，并使得所述第五公共电极126和所述第六公共电极156在所述基板11上的正投影相重叠，因此可以在所述第五公共电极126和所述第五公共电极126之间形成存储电容，从而增加存储电容的容量，改善显示面板的可变刷新率效果。
90.请参考图17至图19，图17为本技术提供的阵列基板100的第六结构示意图，图18为图17中第一电极层的俯视图，图19为图17中第二电极层的俯视图，本实施例与图9提供的阵列基板100不同的是：所述第一电极层12还包括第五公共电极126和第五连接电极127，所述第二电极层15还包括第六公共电极156和第六连接电极157，所述第五公共电极126和所述第六公共电极156设在所述第二主干电极区域105内，所述第五公共电极126与所述第三公共电极相连接，所述第六公共电极156与所述第四公共电极相连接，所述第五公共电极126在所述基板11上的正投影和所述第六公共电极156在所述基板11上的正投影相重叠。
91.由于半导体层14的存在会影响存储电容的数值，进而导致显示面板的可变刷新率效果差。因此，本技术通过第一电极层12在第二主干电极区域105内设有第五公共电极126，通过第二电极层15在第二主干电极区域105内设有第六公共电极156，而且所述第五公共电极126与所述第三公共电极124相连接，所述第六公共电极156与所述第四公共电极155相连接，并使得所述第五公共电极126和所述第六公共电极156在所述基板11上的正投影相重叠，从而进一步增加存储电容的容量，改善显示面板的可变刷新率效果。
92.进一步地，在一些实施例中，所述第一电极层12还包括第五连接电极127，所述第二电极层15还包括第六连接电极157，所述第五公共电极126和所述第六公共电极156的数量为多个，所述第五连接电极127将多个所述第五公共电极126相连接，所述第六连接电极157将多个所述第六公共电极156相连接。多个所述第五公共电极126呈阵列布置，多个所述第六公共电极156呈阵列布置。
93.以上对本技术实施例所提供的一种阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。