量子点薄膜及其制备方法、显示器件与流程

1.本技术属于显示技术领域，尤其涉及一种量子点薄膜及其制备方法，以及一种显示器件。


背景技术：

2.量子点是一种可将激子束缚在三个空间方向上的半导体纳米结构，通过对量子点施加电场或光照，量子点能够对外发出光子。量子点的应用领域极为广泛，如制备为量子点薄膜即为目前最重要的应用形式之一。显示器背光单元中，由led光源发出蓝光，其中一部分蓝光经过量子点薄膜的转换变为红光和绿光，两者与另一部分透过的蓝光一起混合成白光，以达到高色域显示要求。
3.在目前量子点的成膜技术中，通常的做法是将量子点溶于有机物中形成量子点墨水，然后通过挥发去除墨水中的溶剂而形成量子点薄膜。由于该量子点成膜方法无法有效调控成膜后量子点之间的间隙，导致量子点容易淬灭，从而降低量子点的发光效率。


技术实现要素：

4.本技术的目的在于提供一种量子点薄膜的制备方法，旨在解决现有通过量子点墨水成膜的方法无法有效调控成膜后量子点之间的间隙的问题。
5.进一步地，本技术还提供了一种量子点薄膜和一种显示器件。
6.为实现上述申请目的，本技术采用的技术方案如下：
7.一种量子点薄膜的制备方法，包括以下步骤：
8.提供表面上分布有至少一个像素槽的基板；
9.将介孔材料墨水成膜于所述像素槽中以形成具有多孔道结构的介孔薄膜；
10.将量子点墨水注入到所述多孔道结构中，然后进行干燥，获得量子点薄膜。
11.本技术所提供的量子点薄膜的制备方法，先在像素槽中形成具有多孔道结构的介孔薄膜，然后将量子点墨水注入到介孔薄膜的多孔道结构中，使得量子点能够充分铺展开，一定程度上提高了成膜后量子点之间的间隙，并使得量子点在像素槽中均匀分布，从而提高量子点的发光效率。
12.相应地，一种量子点薄膜，所述量子点薄膜包括介孔薄膜和量子点，所述介孔薄膜具有多孔道结构，所述量子点分布在所述多孔道结构中。
13.本技术所提供的量子点薄膜，量子点分布在介孔薄膜的多孔道结构中，使得量子点薄膜中的量子点能够充分铺展开，有效防止由于量子点之间的间隙过小而导致荧光淬灭，发光效率高。
14.相应地，一种显示器件，包括像素化彩膜，且所述像素化彩膜包括由上述制备方法制得的量子点薄膜。
15.本技术所提供的显示器件，其像素化彩膜包括由上述制备方法制得的量子点薄膜，精度高，利于制备高分辨率的显示器件。
附图说明
16.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
17.图1是本技术实施例提供的量子点薄膜的制备方法流程图；
18.图2是本技术一实施例提供的量子点薄膜的平面透视图；
19.图3是本技术另一实施例提供的量子点薄膜的平面透视图；
20.图4是本技术又一实施例提供的量子点图案化薄膜的平面透视图；
21.图5是本技术再一实施例提供的量子点图案化薄膜的平面透视图；
22.图6是图5沿沿a-a方向的剖视图；
23.图7是图4沿b-b方向的剖视图。
具体实施方式
24.为了使本技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
25.应理解，在本技术的各种实施例中，各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，部分或全部步骤可以并行执行或先后执行，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本技术实施例的实施过程构成任何限定。
26.术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，用来将目的如物质彼此区分开，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量，且限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
27.参阅图1，本技术实施例提供的一种量子点薄膜的制备方法，包括以下步骤：
28.s01、提供表面上分布有至少一个像素槽的基板；
29.s02、将介孔材料墨水成膜于像素槽中以形成具有多孔道结构的介孔薄膜；
30.s03、将量子点墨水注入到多孔道结构中，然后进行干燥，获得量子点薄膜。
31.本技术实施例所提供的量子点薄膜的制备方法，先在像素槽中形成介孔薄膜，然后将量子点墨水注入到介孔薄膜的多孔道结构中，使得量子点能够充分铺展开，一定程度上提高了成膜后量子点之间的间隙，并使得量子点在像素槽中均匀分布，利于调控量子点在像素槽中的含量，从而提高量子点的发光效率。
32.具体地，步骤s01中，基板作为形成量子点薄膜的载体，其表面上分布的像素槽作为量子点薄膜的形成区域。
33.除了像素槽，基板上还可以分布有毛细通道。一些实施例中，如图2所示，基板上还分布有至少两条第一毛细通道，像素槽与第一毛细通道相通，且第一毛细通道的开口设置在基板的侧面。另一些实施例中，如图3所示，基板上还分布有至少一条第二毛细通道，以连接用于形成相同颜色量子点薄膜的像素槽。又一些实施例中，如图4所示，多个像素槽在基板上按次序排布形成像素槽阵列。更为具体地，该像素槽阵列包括多个像素单元，每一纵列代表一个像素单元，每一像素单元对应形成特定颜色的量子点薄膜。
34.可以理解的是，第一毛细通道和第二毛细通道本质上均为毛细通道。本技术说明书中，“第一”、“第二”仅用于描述目的，用来将目的如物质彼此区分开，而且，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
35.在本技术说明书中，相通类似于相互贯通，例如空间a与空间b相通可理解为空间a和空间b在空间上相互贯通，气体或流体可从空间a直接或间接地流通到空间b。同理，像素槽与第一毛细通道相通，可以指像素槽直接与毛细通道相互连接贯通，也可以指像素槽通过相通的一个或多个像素槽而与第一毛细通道相通。
36.基板的具体构造可根据实际工况进行调整，一些实施例中，基板包括基底和形成在基底上的模板层，像素槽分布于模板层上，使得模板层作为形成量子点薄膜的模板。
37.形成基底的材料选择可参考所要制备的量子点薄膜的具体用途，一些实施例中，量子点薄膜作为彩色滤光片应用于制备液晶显示器的显示背板，此时，基底选为玻璃基板。一些实施例中，量子点薄膜作为彩色化模块应用于制备彩色化发光器件，此时，基底可以选为电极，也可以选为形成有载流子功能层的电极，载流子功能层包括但不限于载流子注入层、载流子传输层等，当基底选为阳极时，形成阳极的材料包括导电金属和导电金属氧化物，例如氧化铟锡、氧化锡锑、铟镓锌氧化物和镁锌氧化物等。
38.形成模板层的材料可参考本领域的常规技术，一些实施例中，形成模板层的材料选为树脂。
39.在基底上形成模板层的方法可参考本领域的常规技术，如一些实施例中，在基底上形成模板层的方法包括：将黑色树脂溶液采用喷涂、打印或旋涂等溶液法在基底上成膜，形成模板层前体；然后，采用曝光、显影的方法在模板层前体上形成像素槽。当基板上还分布有第一毛细通道和第二毛细通道等毛细通道时，采用激光工艺在模板层前驱体或在像素槽上形成毛细通道，具体可根据实际工况进行灵活调整。
40.步骤s02中，将介孔材料墨水成膜于像素槽中以形成具有多孔道结构的介孔薄膜。
41.将介孔材料墨水成膜于像素槽中的方法可根据基板表面上像素槽和毛细通道的分布特点进行调整，形成具有多孔道结构的介孔薄膜的方法主要为真空干燥。
42.当基板表面上仅分布有像素槽时，可采用常规的溶液法在像素槽中形成介孔薄膜。一些实施例中，将介孔材料墨水成膜于像素槽中的步骤包括：将介孔材料墨水旋涂、喷涂、喷墨打印或丝网印刷在像素槽中，然后进行真空干燥以形成具有多孔道结构的介孔薄膜。
43.当基板表面上同时分布有像素槽和毛细通道时，可利用毛细通道的毛细管作用将介孔材料墨水通过毛细通道注入像素槽中以形成介孔薄膜，从而对形成介孔薄膜的介孔材料墨水的用量及其注入速度进行调控，有利于高精度制备介孔薄膜。一些实施例中，基板上还分布有至少两条第一毛细通道，像素槽与第一毛细通道相通，且第一毛细通道的开口设置在基板的侧面；将介孔材料墨水成膜于像素槽中的步骤之前还包括：封装像素槽；以及，将介孔材料墨水成膜于像素槽中的步骤包括：将至少一条第一毛细通道的开口浸没在介孔材料墨水中，并对与同一像素槽相通的第一毛细通道的开口置于真空环境中。通过将连通同一像素槽的部分第一毛细通道的开口置于真空环境中，使得毛细通道内压强低于毛细通道外压强，协同毛细通道的毛细管作用，使得介孔材料墨水自发地进入像素槽内并且能够完全填充满像素槽，利于提高形成在像素槽中的介孔薄膜的质量，进一步提高薄膜精度。进
一步实施例中，封装像素槽的步骤包括：在基板上形成隔绝水氧层，且隔绝水氧层盖合像素槽。采用隔绝水氧层盖合像素槽，一方面，有利于形成与第一毛细通道连通的空间，以促进毛细通道的毛细管作用的行使；另一方面，隔绝水氧层可以避免外界环境中的水氧侵袭而影响介孔薄膜性能。其中，隔绝水氧层可以是柔性材料层，也可以是刚性材料层。另外，形成隔绝水氧层的材料可以是有机聚合物，例如柔性的聚酰亚胺(简称pi)或聚甲基丙烯酸甲酯(简称pmma)，也可以是例如氧化铝、氮化硅等隔绝水氧效果较好的无机材料。此外，隔绝水氧层可以是有机聚合物层，也可以是无机材料层，还可以是有机聚合物层和无机材料层的复合层。
44.本技术实施例中，介孔材料墨水中分散有介孔材料，介孔材料为一类在真空干燥条件下能形成多孔道结构的材料。一些实施例中，介孔材料的光学折射率小于或等于1.0-1.4。通过选择上述具有较低光学折射率的介孔材料，可一定程度上减少量子点发射光在量子点薄膜内的折射率，利于提高量子点发射光的出光率，从而提高发光效率。在一个实施例中，介孔材料选为pedot：pss。
45.介孔材料墨水主要由介孔材料和溶剂混合而成，其溶剂可根据所选择的介孔材料的种类进行灵活选择，能够均匀分散或溶解介孔材料且不影响介孔薄膜的形成即可。
46.毛细管作用的大小一定程度上与墨水在固体表面的浸润性大小呈正相关，而墨水在固体表面的接触角是衡量该墨水在固体表面浸润性能的重要参数，接触角是指在固、液、气三相交界处，自固-液界面经过液体内部到气-液界面之间的夹角。当墨水与固体表面的接触角小于90
°
时，则墨水较易浸润水固体表面，润湿角越小表示墨水在固体表面的浸润性越好。
47.一些实施例中，介孔材料墨水在像素槽表面上的接触角小于90
°
，且介孔材料墨水在第一毛细通道表面上的接触角小于90
°
。如此，有利于促进介孔材料墨水通过第一毛细通道的毛细管作用进入像素槽，并使得介孔材料墨水均匀地铺展在像素槽中，以形成厚度一致的介孔薄膜。进一步实施例中，当基板上还分布有第二毛细通道时，介孔材料墨水在第二毛细通道表面上的接触角也小于90
°
，有利于促进墨水从一像素槽通过第二毛细通道进入相通的另一像素槽中。
48.在实际应用过程中，可通过调整墨水的极性，也可以通过调整形成基板的材料或对像素槽和/或第一毛细通道进行表面处理，使得介孔材料墨水的极性与像素槽表面和/或第一毛细通道表面的极性相近或相同，从而提高介孔材料墨水在像素槽表面和/或第一毛细通道表面的浸润性。一些实施例中，形成基板的材料采用了亲墨水的材料。一些实施例中，在第一毛细通道、第二毛细通道和像素槽的表面涂覆了一层亲墨水的材料，以提高第一毛细通道、第二毛细通道和像素槽的表面的亲墨性。其中，亲墨水的材料的选择可根据墨水的组成和性质进行调整。
49.步骤s03中，将量子点墨水注入到多孔道结构中，然后进行干燥，使得量子点均匀分布在介孔薄膜的多孔道结构中，从而获得量子点薄膜。
50.与步骤s02同理，将量子点墨水注入到多孔道结构中的方法可根据基板表面上像素槽和毛细通道的分布特点进行调整。
51.当基板表面上仅分布有像素槽时，可采用常规的溶液法将量子点墨水注入到介孔薄膜的多孔道结构中。一些实施例中，将量子点墨水注入到多孔道结构中的步骤包括：将介
孔薄膜浸入到量子点墨水中，以使得量子点墨水填充到多孔道结构中。由于介孔薄膜具有多孔道结构，该多孔道结构同样具有毛细管作用，将介孔薄膜浸入到量子点墨水中，在毛细管作用下量子点墨水可自发地填充到介孔薄膜的多孔道结构中，该法简单方便，易于实现规模化操作。
52.当基板表面上同时分布有像素槽和毛细通道时，同样地，可利用毛细通道的毛细管作用将量子点墨水通过毛细通道注入到多孔道结构中，有利于对形成量子点薄膜的量子点墨水的用量及其注入速度进行调控，从而制得高精度的量子点薄膜。一些实施例中，基板上还分布有至少两条第一毛细通道，像素槽与第一毛细通道相通，且第一毛细通道的开口设置在基板的侧面；在形成介孔薄膜的步骤之后以及将量子点墨水注入到多孔道结构中的步骤之前还包括：封装介孔薄膜；以及，将量子点墨水注入到多孔道结构中的步骤包括：将至少一条第一毛细通道的开口浸没在量子点墨水中，并对与同一像素槽相通的第一毛细通道的开口置于真空环境中。如此，以使得量子点墨水自发地注入并完全填充满多孔道结构，从而制备高精度量子点薄膜。进一步实施例中，封装介孔薄膜的步骤包括：在介孔薄膜上形成隔绝水氧层，且隔绝水氧层盖合像素槽。在介孔薄膜上形成隔绝水氧层，一方面，确保介孔薄膜中的多孔道结构与第一毛细通道之间形成相通的空间，以促进毛细通道的毛细管作用的行使；另一方面，隔绝水氧层可以避免外界环境中的水氧侵袭而影响量子点薄膜性能。其中，隔绝水氧层的结构特点可参考上文步骤s02，此处不一一赘述。
53.优选地，量子点墨水在多孔道结构表面上的接触角小于90
°
，且量子点墨水在第一毛细通道表面上的接触角小于90
°
。当基板上还分布有第二毛细通道时，量子点墨水在第二毛细通道表面上的接触角也小于90
°
。
54.进一步地，在步骤s02已利用第一毛细通道的毛细作用制备介孔薄膜的基础上，一些实施例中，将量子点墨水注入到多孔道结构中的步骤包括：将至少一条第一毛细通道的开口浸没在量子点墨水中，并对与同一像素槽相通的第一毛细通道的开口置于真空环境中。如此，以进一步简化操作步骤，利于规模化制备量子点薄膜。
55.量子点墨水主要有量子点和有机溶剂混合而成，量子点的种类可参考所要制备的量子点薄膜的性能，一些实施例中，量子点选为具备发光能力的直接带隙化合物半导体，优选为可电致发光的半导体材料，包括但不限于ii-vi族化合物、iii-v族化合物、ii-v族化合物、iii-vi化合物、iv-vi族化合物、i-iii-vi族化合物、ii-iv-vi族化合物、iv族单质等。其中，ii-vi族化合物优选为ii-vi半导体纳米晶，例如cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、hgs、hgse、hgte、pbs、pbse、pbte以及其他二元、三元、四元的ii-vi化合物等；iii-v族化合物优选为iii-v族半导体的纳米晶，例如gap、gaas、inp、inas以及其他二元、三元、四元的iii-v化合物等。此外，量子点还可以选为掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体和/或有机-无机杂化钙钛矿型半导体，其中，无机钙钛矿型半导体的结构通式可表示为amx3，a代表cs

离子，m代表二价金属阳离子，包括但不限于pb
2
、sn
2
、cu
2
、ni
2
、cd
2
、cr
2
、mn
2
、co
2
、fe
2
、ge
2
、yb
2
、eu
2
等，x为卤素阴离子，包括但不限于cl-、br-、i-等；有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式可表示为bmx3，b代表有机胺阳离子，包括但不限于ch3(ch2)
n-2
nh
3
(n≥2)或nh3(ch2)nnh
32
(n≥2)。当n＝2时，无机金属卤化物八面体mx
64-通过共顶的方式连接，金属阳离子m位于卤素八面体的体心，有机胺阳离子b填充在八面体间的空隙内，形成无限延伸的三维结构；当n＞2时，以共顶的方式连接的无机金属卤化物八面体mx
64-在二维方向延伸形成
层状结构，层间插入有机胺阳离子双分子层(质子化单胺)或有机胺阳离子单分子层(质子化双胺)，有机层与无机层相互交叠形成稳定的二维层状结构；m为二价金属阳离子，包括但不限于pb
2
、sn
2
、cu
2
、ni
2
、cd
2
、cr
2
、mn
2
、co
2
、fe
2
、ge
2
、yb
2
、eu
2
；x为卤素阴离子，包括但不限于cl-、br-、i-。
56.有机溶剂应选为能均匀分散上述量子点且不影响量子点薄膜制备的有机试剂，包括但不限于甲苯、乙苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、邻氯甲苯、对氯甲苯、间氯甲苯、邻二乙苯、间二乙苯、对二乙苯、邻二氯苯、间二氯苯、对二氯苯、三甲苯、四甲苯、三戊苯、戊基甲苯、1-甲基萘、二己基苯、丁苯、仲丁基苯、叔丁基苯、异丁基苯、二丁基苯、异丙苯、对甲基异丙苯、对二异丙基苯、戊苯、二戊苯、十二烷基苯、四氢萘、环己基苯、1,3,5-三甲苯、1-氯萘、1-四氢萘酮、3-苯氧基甲苯、1-甲氧基萘、二甲基萘、3-异丙基联苯、1,2,4-三甲苯、联苯、苯甲酸苄酯、二苄醚、茚、苄基苯、二乙烯基苯、茚满或环氧苯乙烷、正己烷、环己烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、十三烷、十四烷、十五烷和十六烷等。
57.本技术实施例中所涉及的干燥主要用于去除墨水中的溶剂以形成对应的薄膜，进行干燥的方法可参考本领域的常规技术，包括但不限于冷冻干燥、加热干燥和真空干燥等，不影响最终形成的薄膜性能即可。
58.综上，通过本技术实施例所提供的制备方法制得的量子点薄膜包括介孔薄膜和量子点，量子点分布在介孔薄膜的多孔道结构中，如此，以使得量子点能够充分铺展开，一定程度上提高了成膜后量子点之间的间隙，并使得量子点在像素槽中均匀分布，提高了量子点的发光效率。同时，由于本技术实施例所提供的方法主要利用介孔薄膜的多孔道结构以及毛细通道的毛细管作用，有效调控了形成量子点薄膜的介孔材料墨水和量子点墨水的用量及其注入速度，实现了高精度制备量子点薄膜，有利于制备高分辨率的显示器件。
59.基于上述技术方案，本技术实施例还提供了一种量子点薄膜和显示器件。
60.相应地，本技术实施例提供的量子点薄膜，包括介孔薄膜和量子点，介孔薄膜具有多孔道结构，量子点分布在多孔道结构中。
61.本技术实施例所提供的量子点薄膜，量子点分布在介孔薄膜的多孔道结构中，使得量子点薄膜中的量子点能够充分铺展开，有效防止由于量子点之间的间隙过小而导致荧光淬灭，发光效率高。
62.一些实施例中，量子点薄膜还包括表面上分布有至少一个像素槽的基板，介孔薄膜形成于像素槽中。
63.一些实施例中，基板上还分布有至少两条第一毛细通道，像素槽与第一毛细通道相通，且第一毛细通道的开口设置在基板的侧面。
64.在上一实施例的基础上，基板上还分布有至少一条第二毛细通道，第二毛细通道连接两个用于填充相同墨水的像素槽。
65.在上一实施例的基础上，多个像素槽在基板上按次序排布形成像素槽阵列。
66.在上一实施例的基础上，量子点薄膜还包括封装层，封装层封装像素槽。进一步实施例中，封装层为隔绝水氧层。
67.本技术实施例提供的显示器件包括像素化彩膜，且像素化彩膜包括由上述制备方法制得的量子点薄膜。
68.本技术实施例所提供的显示器件，其像素化彩膜包括由上述制备方法制得的量子
点薄膜，精度高，利于制备高分辨率的显示器件。
69.显示器件包括但不限于液晶显示器的显示背板、发光器件等。一些实施例中，显示器件为显示背板，其彩色滤光片选为上述方法制得的量子点薄膜。一些实施例中，显示器件为发光器件，其彩色化模块包括上述方法制得的量子点薄膜。由上述方法制得的量子点薄膜具有高精度的特点，有利于制作高分辨率的显示器件。
70.以下通过实施例对本发明的实施进行举例说明。
71.实施例1
72.本实施例制备了一种量子点薄膜，包括以下步骤：
73.1)对透明玻璃板采用uv、紫外臭氧清洗，除去表面脏污；
74.2)将黑色树脂溶液打印在透明玻璃板上，成膜后，曝光、显影形成黑色矩阵，对应地形成分布在黑矩阵之间的像素槽，作为模板层；
75.3)将pedtot：pss溶液喷墨打印至像素槽中，然后进行冷冻干燥，使得pedot凝胶颗粒之间形成大量的孔道结构，形成介孔薄膜；
76.4)将步骤3)形成的介孔薄膜浸入到量子点墨水中，使得量子点墨水填充到介孔薄膜的孔道结构中，然后进行干燥，形成量子点薄膜；
77.5)在黑色矩阵上方形成隔绝水氧层。
78.本实施例制得的量子点薄膜的平面透视图如图5所示，其沿a-a方向的剖视图如图6所示。
79.本实施例制备的量子点薄膜，通过在像素槽中形成具有多孔道结构的介孔薄膜后注入量子点墨水，使得量子点能够在多孔道结构中充分铺展开来，有利于提高量子点的发光效率。
80.实施例2
81.本实施例制备了一种量子点薄膜，包括以下步骤：
82.1)对透明玻璃板采用uv、紫外臭氧清洗，除去表面脏污；
83.2)将黑色树脂溶液打印在透明玻璃板上，成膜后，曝光、显影形成黑色矩阵，对应地形成分布在黑矩阵之间的像素槽，作为模板层；
84.3)采用激光在黑色矩阵中形成毛细通道；
85.4)在黑色矩阵上方形成隔绝水氧层；
86.5)将步骤4)形成的器件侧立，一侧毛细通道的开口分别浸入pedtot：pss溶液中，且另一侧毛细通道的开口置于真空环境中，使得pedtot：pss溶液通过毛细管作用以及负压吸附作用而被充分地吸入到像素槽中，然后冷冻干燥，形成介孔薄膜；
87.6)将步骤5)形成的器件侧立，一侧毛细通道的开口分别浸入对应颜色的量子点墨水中，且另一侧毛细通道的开口置于真空环境中，使得量子点墨水通过毛细管作用以及负压吸附作用而被充分地吸入到介孔薄膜的多孔道结构中，然后干燥量子点墨水，最终使得蓝色像素槽中形成蓝色量子点薄膜，绿色像素槽中形成绿色量子点薄膜，红色像素槽中形成红色量子点薄膜。
88.本实施例制得的量子点的平面透视图如图4所示，其沿b-b方向的剖视图如图7所示。
89.本实施例制备的量子点薄膜可作为显示面板的彩色滤光片使用，由于像素槽主要
是通过光刻、激光等工艺制备，大大提高了量子点图案化工艺的分辨率，有利于制作高分辨率显示器件。而且，具有毛细管作用的毛细通道形成在各个像素槽之间，不会额外占用空间，更进一步能够适用高分辨率显示器件。
90.实施例3
91.本实施例制备了一种量子点薄膜，包括以下步骤：
92.1)对透明玻璃板采用uv、紫外臭氧清洗，除去表面脏污；
93.2)将黑色树脂溶液打印在透明玻璃板上，成膜后，曝光、显影形成黑色矩阵，对应地形成分布在黑矩阵之间的像素槽，作为模板层；
94.3)采用激光在黑色矩阵中形成毛细通道；
95.4)将pedtot：pss溶液喷墨打印至像素槽中，然后进行冷冻干燥，使得pedot凝胶颗粒之间形成大量的孔道结构，形成介孔薄膜；
96.5)在黑色矩阵上方形成隔绝水氧层，以封装介孔薄膜；
97.6)将步骤5)形成的器件侧立，一侧毛细通道的开口分别浸入对应颜色的量子点墨水中，且另一侧毛细通道的开口置于真空环境中，使得量子点墨水通过毛细管作用以及负压吸附作用而被充分地吸入到介孔薄膜的多孔道结构中，然后干燥量子点墨水，最终使得蓝色像素槽中形成蓝色量子点薄膜，绿色像素槽中形成绿色量子点薄膜，红色像素槽中形成红色量子点薄膜。
98.以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。