一种拼接面板的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种拼接面板。


背景技术：

2.在对现有技术的研究和实践过程中，本技术的发明人发现，现有拼接面板多采用显示模组直接拼接，然后多个显示模组进行电路串接，进而实现显示功能。但是，上述的串接方式导致显示模组之间的拼缝过大。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供一种拼接面板，可以减小拼缝。
4.本技术实施例提供一种拼接面板，其包括：
5.第一基板，所述第一基板包括第一基底和设置在所述基底上的多个母导电垫；以及
6.至少两个第二基板，所述至少两个第二基板拼接设置在一所述第一基板上，相邻两个所述第二基板之间具有拼缝；所述第二基板包括多个子导电垫，所述子导电垫位于所述第二基板的至少一侧，且面向所述第一基板；
7.其中，所述母导电垫对应于所述拼缝设置，所述母导电垫包括第一部分和第二部分，所述第一部分连接于所述第二部分的一侧，所述第一部分与一所述第二基板的所述子导电垫绑定连接，所述第二部分与另一所述第二基板的所述子导电垫绑定连接。
8.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一基板包括多个设置区，一所述设置区对应设置一所述第二基板；在一所述设置区中，多个所述母导电垫位于所述设置区的周侧；相邻两个所述设置区共用至少一所述母导电垫，所述第一部分位于一所述设置区，所述第二部分位于另一所述设置区。
9.可选的，在本技术的一些实施例中，多个所述母导电垫包括多个第一母垫、多个第二母垫、多个第三母垫和多个第四母垫，所述设置区包括依次首尾连接的第一侧、第二侧、第三侧和第四侧，所述第一侧和所述第三侧相对设置，所述第二侧和所述第四侧相对设置；
10.多个所述第一母垫对应设置于所述第一侧，多个所述第二母垫对应设置于所述第二侧，多个所述第三母垫对应设置于所述第三侧，多个所述第四母垫对应设置于所述第四侧。
11.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一基板还包括与所述母导电垫同层设置的多个条连接线，一所述第一母垫通过所述连接线对应连接一所述第二母垫，一所述第三母垫通过所述连接线对应连接一所述第四母垫。
12.可选的，在本技术的一些实施例中，在一所述第二基板中，多个所述子导电垫包括第一子垫和第二子垫，所述第一子垫与所述第二子垫相对侧设置；
13.在一所述第二基板中，所述第一子垫与所述第一母垫或所述第二母垫绑定连接，所述第二子垫与所述第三母垫或所述第四母垫绑定连接；
14.所述第二基板还包括信号线，所述信号线的一端连接于所述第一子垫，所述信号线的另一端连接于所述第二子垫。
15.可选的，在本技术的一些实施例中，在一所述第二基板中，多个所述子导电垫包括第一子垫、第二子垫、第三子垫和第四子垫；所述第一子垫与所述第三子垫相对侧设置，所述第二子垫与所述第四子垫相对侧设置；
16.所述第二基板还包括与所述子导电垫同层设置的多个连接线，一所述第一子垫通过所述连接线对应连接一所述第二子垫，一所述第三子垫通过所述连接线对应连接一所述第四子垫；
17.所述第一子垫与所述第一母垫绑定连接，所述第二子垫与所述第二母垫绑定连接，所述第三子垫与所述第三母垫绑定连接，所述第四子垫与所述第四母垫绑定连接；
18.所述第二基板还包括信号线，所述信号线的一端连接于所述第一子垫，所述信号线的另一端连接于所述第三子垫。
19.可选的，在本技术的一些实施例中，所述信号线包括扫描线和电源信号线的至少一种。
20.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第二基板还包括：
21.薄膜晶体管结构层，所述薄膜晶体管结构层设置在所述子导电垫远离所述第一基板的一侧，所述薄膜晶体管结构层包括扫描线，所述扫描线连接于所述子导电垫；
22.发光器件，所述发光器件设置所述薄膜晶体管结构层上。
23.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一基板还包括栅极驱动电路，所述栅极驱动电路位于所述第一基板的至少一侧，所述栅极驱动电路电连接于所述母导电垫。
24.可选的，在本技术的一些实施例中，所述拼接面板还包括封装胶，所述封装胶封装于所述第一基板和所述第二基板之间。
25.可选的，在本技术的一些实施例中，所述母导电垫与所述子导电垫通过导电胶绑定连接，或所述母导电垫与所述子导电垫键合连接。
26.本技术实施例提供一种拼接面板，其包括第一基板和至少两个第二基板，第一基板包括第一基底和设置在基底上的多个母导电垫；至少两个第二基板拼接设置在一第一基板上，相邻两个第二基板之间具有拼缝；第二基板包括多个子导电垫，子导电垫位于第二基板的至少一侧，且面向第一基板；
27.其中，母导电垫对应于拼缝设置，母导电垫包括第一部分和第二部分，第一部分连接于第二部分的一侧，第一部分与一第二基板的子导电垫绑定连接，第二部分与另一第二基板的所述子导电垫绑定连接。
28.本技术在第一基板上设置母导电垫，且一母导电垫同时绑定至少两个第二基板中的子导电垫，以减小拼缝；另外，由于栅极驱动电路电连接母导电垫，子导电垫连接信号线，因此采用一个或两个栅极驱动电路便可驱动多个第二基板，节省栅极驱动电路和覆晶薄膜，进一步的减小了拼缝。
附图说明
29.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于
本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
30.图1是本技术第一实施例提供的拼接面板的剖视结构示意图；
31.图2是本技术第一实施例提供的拼接面板的第一基板的结构示意图；
32.图3是本技术第一实施例提供的拼接面板的第二基板的结构示意图；
33.图4是本技术第一实施例提供的拼接面板的俯视结构示意图；
34.图5是本技术第一实施例提供的拼接面板的局部剖视结构示意图；
35.图6是本技术第二实施例提供的拼接面板的剖视结构示意图；
36.图7是本技术第二实施例提供的拼接面板的第一基板的结构示意图；
37.图8是本技术第二实施例提供的拼接面板的第二基板的结构示意图；
38.图9是本技术第二实施例提供的拼接面板的俯视结构示意图；
39.图10是本技术第二实施例提供的拼接面板的局部剖视结构示意图。
具体实施方式
40.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
41.本技术实施例提供一种拼接面板，下文进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
42.请参照图1，本技术第一实施例提供一种拼接面板100，其包括第一基板10和至少两个第二基板20。至少两个第二基板20拼接设置在一第一基板10上。相邻两个第二基板20之间具有拼缝pf。
43.第一基板10包括第一基底11和设置在基底11上的多个母导电垫md。第二基板20包括多个子导电垫zd，子导电垫zd位于第二基板20的至少一侧，且面向第一基板10。
44.母导电垫md对应于拼缝pf设置。母导电垫md包括第一部分md1和第二部分md2，第一部分md1连接于第二部分md2的一侧。第一部分md1与一第二基板20的子导电垫zd绑定连接。第二部分md2与另一第二基板20的子导电垫zd绑定连接。
45.本技术第一实施例在第一基板10上设置母导电垫md，且一母导电垫md同时绑定至少两个第二基板20中的子导电垫zd，以减小拼缝。
46.可选的，母导电垫md和子导电垫zd的材料各自可以是氧化铟锡、氧化铟锌等金属氧化物，还可以为金属、合金以及化合物及其混合物，例如可以使用金、银、铜、钨、钼、铁、铝、铝-硅、铝-钛、金属材料氮化物等。
47.可选的，请参照图2，第一基板10包括多个设置区10a。一设置区10a对应设置一第二基板20。在一设置区10a中，多个母导电垫md位于设置区10a的周侧；相邻两个设置区10a共用至少一母导电垫md。第一部分md1位于一设置区10a，第二部分md2位于另一设置区10a。
48.可选的，设置区10a的形状可以是三角形、四边形、五边形和六边形等对边形中的一种。设置区10a的形状可以相同，也可以不同。
49.其中，多个母导电垫md设置在多边形的边上。相邻两个设置区10a可以共用一边及该边上的母导电垫md；相邻两个设置区10a也可以间隔设置，母导电垫md设置在两个设置区10a的相邻边处。
50.本第一实施例以设置区10a为矩形为例进行说明，但不限于此。
51.多个母导电垫md包括多个第一母垫121、多个第二母垫122、多个第三母垫123和多个第四母垫124。设置区10a包括依次首尾连接的第一侧a1、第二侧a2、第三侧a3和第四侧a4，第一侧a1和第三侧a3相对设置，第二侧a2和第四侧a4相对设置。
52.多个第一母垫121对应设置于第一侧a1。多个第二母垫122对应设置于第二侧a2。多个第三母垫123对应设置于第三侧a3。多个第四母垫124对应设置于第四侧a4。
53.可选的，第一侧a1、第二侧a2、第三侧a3和第四侧a4可以顺时针排布，也可以是逆时针排布。本第一实施例以顺时钟排布为例，但不限于于此。
54.可选的，第一母垫121和第三母垫123的延伸方向相同；第二母垫122和第四母垫124的延伸方向相同。第一母垫121和第三母垫123沿着第一方向x延伸；第二母垫122和第四母垫124沿着第二方向y延伸。
55.可选的，第一方向x与第二方向y相交。本第一实施例以第一方向x垂直于第二方向y进行说明。
56.多个设置区10a沿着第一方向x和第二方向y排列设置。
57.多个第一母垫121沿着第二方向y排列呈列，多个第三母垫123沿着第二方向y排列呈列；在第一方向x上，一列第一母垫121和一列第三母垫123交替排布设置。
58.多个第二母垫122沿着第一方向x排列呈行，多个第四母垫124沿着第一方向x排列呈行；在第二方向y上，一行第二母垫122和一行第四母垫124交替排布设置。
59.本第一实施例中一个设置区10a的四边区域设置分别对应设置多个第一母垫121、多个第二母垫122、多个第三母垫123和多个第四母垫124，以使得每一边均可与另一设置区10a进行共用，达到一个第二基板20可以同时拼接4个第二基板20的目的。
60.可选的，第一基板10还包括与母导电垫md同层设置的多个条连接线lj。一第一母垫121通过连接线lj对应连接一第二母垫122。一第三母垫123通过连接线lj对应连接一第四母垫124。
61.请参照图3，可选的，在一第二基板20中，多个子导电垫zd包括第一子垫zd1和第二子垫zd2，第一子垫zd1与第二子垫zd2相对侧设置。
62.第二基板20还包括信号线xh。信号线xh的一端连接于第一子垫zd1，信号线xh的另一端连接于第二子垫zd2。
63.请参照图4，在一第二基板20中，第一子垫zd1与第一母垫121或第二母垫122绑定连接，第二子垫zd2与第三母垫123或第四母垫124绑定连接。
64.也就是说，第一子垫zd1与第一母垫121绑定连接，第二子垫zd2与第三母垫123绑定连接；或者，第一子垫zd1与第二母垫122绑定连接，第二子垫zd2与第四母垫124绑定连接。
65.需要说明的是，由于第一母垫121和第二母垫122电连接，第三母垫123和第四母垫
124电连接，且第一子垫zd1和第一母垫121电连接，第二子垫zd2和第三母垫123电连接；而信号线xh连接在第一子垫zd1和第二子垫zd2之间，使得所有母导电垫md、信号线xh和所有子导电垫zd传输相同的信号。
66.进一步的，所有的第二基板20都可以通过母导电垫md和子导电垫zd的绑定实现共信号的目的。
67.可选的，信号线xh包括扫描线、数据线和电源信号线的至少一种。可选的，电源信号线可以是vss信号线或vdd信号线。
68.本第一实施例以信号线xh为扫描线为例进行说明。每一扫描线xh对应连接一第一子垫zd1和一第二子垫zd2。每一第一子垫zd1对应绑定一第一母垫121，每一第二子垫zd2对应绑定一第三母垫123。
69.第一基板10还包括栅极驱动电路13，栅极驱动电路13设置在基底11上。栅极驱动电路13位于第一基板10的至少一侧。栅极驱动电路13电连接于母导电垫md。
70.由于栅极驱动电路13电连接于母导电垫md，因此栅极驱动电路13可以驱动多个第二基板20，进而节省了多个栅极驱动电路13和多个覆晶薄膜，进一步减小了拼缝。
71.当栅极驱动电路13位于第一基板10的一侧时，拼接面板100呈单侧驱动。当栅极驱动电路13位于第一基板10的相对侧时，拼接面板100呈双侧驱动。
72.可选的，请参照图5，第二基板20还包括薄膜晶体管结构层21和发光器件22。薄膜晶体管结构层21设置在子导电垫zd远离第一基板10的一侧。发光器件22设置薄膜晶体管结构层21上。
73.可选的，薄膜晶体管结构层21包括薄膜晶体管，薄膜晶体管可以是顶栅型、底栅型或双栅型薄膜晶体管。
74.发光器件22可以微型发光二极管(micro-led)器件、次毫米级发光二极管(mini-led)器件、有机发光二极管(oled)器件、量子点发光二极管(qled)器件或纳米发光二极管器件等。
75.可选的，薄膜晶体管结构层21包括依次层叠覆盖在子导电垫zd上的第一缓冲层211、第二缓冲层212、有源层213、第一绝缘层214、第一金属层215、第二绝缘层216、层间介质层217、第二金属层(图中未示出)和平坦层218。
76.可选的，第一金属层215包括栅极和信号线xh。信号线xh为扫描线。信号线xh通过过孔连接于子导电垫zd。第二金属层包括数据线、源极和漏极。
77.可选的，发光器件22包括阳极221、像素定义层222、发光层223和阴极224。阳极221设置在平坦层218上。像素定义层222覆盖平坦层218并暴露出阳极221。发光层223设置在阳极221上。阴极224设置在发光层223上。
78.可选的，母导电垫md与子导电垫zd通过导电胶30绑定连接。
79.在一些实施例中，母导电垫md与子导电垫zd键合连接。
80.可选的，拼接面板100还包括封装胶40。封装胶40封装于第一基板10和第二基板20之间。
81.封装胶40的设置避免外界水氧侵入母导电垫md和子导电垫zd，起到保护母导电垫md和子导电垫zd的效果。
82.请参照图6，本技术第二实施例提供一种拼接面板100，其包括第一基板10和至少
两个第二基板20。至少两个第二基板20拼接设置在一第一基板10上。相邻两个第二基板20之间具有拼缝pf。
83.第一基板10包括第一基底11和设置在基底11上的多个母导电垫md。第二基板20包括多个子导电垫zd，子导电垫zd位于第二基板20的至少一侧，且面向第一基板10。
84.母导电垫md对应于拼缝pf设置。母导电垫md包括第一部分md1和第二部分md2，第一部分md1连接于第二部分md2的一侧。第一部分md1与一第二基板20的子导电垫zd绑定连接。第二部分md2与另一第二基板20的子导电垫zd绑定连接。
85.本技术第二实施例在第一基板10上设置母导电垫md，且一母导电垫md同时绑定至少两个第二基板20中的子导电垫zd，以减小拼缝。另外，由于栅极驱动电路13电连接母导电垫md，子导电垫zd连接信号线xh，因此采用一个或两个栅极驱动电路13便可驱动多个第二基板20，节省栅极驱动电路和覆晶薄膜，进一步的减小了拼缝。
86.可选的，母导电垫md和子导电垫zd的材料各自可以是氧化铟锡、氧化铟锌等金属氧化物，还可以为金属、合金以及化合物及其混合物，例如可以使用金、银、铜、钨、钼、铁、铝、铝-硅、铝-钛、金属材料氮化物等。
87.可选的，母导电垫md与子导电垫zd通过导电胶30绑定连接。
88.在一些实施例中，母导电垫md与子导电垫zd键合连接。
89.可选的，请参照图7，第一基板10包括多个设置区10a。一设置区10a对应设置一第二基板20。在一设置区10a中，多个母导电垫md位于设置区10a的周侧；相邻两个设置区10a共用至少一母导电垫md。第一部分md1位于一设置区10a，第二部分md2位于另一设置区10a。
90.可选的，设置区10a的形状可以是三角形、四边形、五边形和六边形等对边形中的一种。设置区10a的形状可以相同，也可以不同。
91.其中，多个母导电垫md设置在多边形的边上。相邻两个设置区10a可以共用一边及该边上的母导电垫md；相邻两个设置区10a也可以间隔设置，母导电垫md设置在两个设置区10a的相邻边处。
92.本第二实施例以设置区10a为矩形为例进行说明，但不限于此。
93.在本第二实施例的第一基板10中，多个母导电垫md包括多个第一母垫121、多个第二母垫122、多个第三母垫123和多个第四母垫124。设置区10a包括依次首尾连接的第一侧a1、第二侧a2、第三侧a3和第四侧a4，第一侧a1和第三侧a3相对设置，第二侧a2和第四侧a4相对设置。
94.多个第一母垫121对应设置于第一侧a1。多个第二母垫122对应设置于第二侧a2。多个第三母垫123对应设置于第三侧a3。多个第四母垫124对应设置于第四侧a4。
95.可选的，第一侧a1、第二侧a2、第三侧a3和第四侧a4可以顺时针排布，也可以是逆时针排布。本第二实施例以顺时钟排布为例，但不限于于此。
96.可选的，第一母垫121和第三母垫123的延伸方向相同；第二母垫122和第四母垫124的延伸方向相同。第一母垫121和第三母垫123沿着第一方向x延伸；第二母垫122和第四母垫124沿着第二方向y延伸。
97.可选的，第一方向x与第二方向y相交。本第二实施例以第一方向x垂直于第二方向y进行说明。
98.需要说明的是，相较于第一实施例，本第二实施例将连接线lj设置在了第二基板
20。
99.请参照图8，在一第二基板20中，多个子导电垫zd包括第一子垫zd1、第二子垫zd2、第三子垫zd3和第四子垫zd4。第一子垫zd1与第三子垫zd3相对侧设置。第二子垫zd2与第四子垫zd4相对侧设置。
100.第二基板20还包括与子导电垫zd同层设置的多个连接线lj。一第一子垫zd1通过连接线lj对应连接一第二子垫zd2。一第三子垫zd3通过连接线lj对应连接一第四子垫zd4。
101.请参照图9，第一子垫zd1与第一母垫121绑定连接。第二子垫zd2与第二母垫122绑定连接。第三子垫zd3与第三母垫123绑定连接。第四子垫zd4与第四母垫124绑定连接。
102.第二基板20还包括信号线xh。信号线xh的一端连接于第一子垫zd1，信号线xh的另一端连接于第三子垫zd3。
103.本第二实施例以信号线xh为扫描线为例进行说明。每一扫描线xh对应连接一第一子垫zd1和一第三子垫zd3。每一第一子垫zd1对应绑定一第一母垫121，每一第三子垫zd3对应绑定一第三母垫123。
104.第一基板10还包括栅极驱动电路13，栅极驱动电路13设置在基底11上。栅极驱动电路13位于第一基板10的至少一侧。栅极驱动电路13电连接于母导电垫md。
105.由于栅极驱动电路13电连接于母导电垫md，因此栅极驱动电路13可以驱动多个第二基板20，进而节省了多个栅极驱动电路13和多个覆晶薄膜，进一步减小了拼缝。
106.当栅极驱动电路13位于第一基板10的一侧时，拼接面板100呈单侧驱动。当栅极驱动电路13位于第一基板10的相对侧时，拼接面板100呈双侧驱动。
107.可选的，请参照图10，第二基板20还包括薄膜晶体管结构层21和发光器件22。薄膜晶体管结构层21设置在子导电垫zd远离第一基板10的一侧。发光器件22设置薄膜晶体管结构层21上。
108.可选的，薄膜晶体管结构层21包括薄膜晶体管，薄膜晶体管可以是顶栅型、底栅型或双栅型薄膜晶体管。
109.发光器件22可以微型发光二极管(micro-led)器件、次毫米级发光二极管(mini-led)器件、有机发光二极管(oled)器件、量子点发光二极管(qled)器件或纳米发光二极管器件等。
110.可选的，薄膜晶体管结构层21包括依次层叠覆盖在子导电垫zd和连接线lj上的第一缓冲层211、第二缓冲层212、有源层213、第一绝缘层214、第一金属层215、第二绝缘层216、层间介质层217、第二金属层(图中未示出)和平坦层218。
111.可选的，第一金属层215包括栅极和信号线xh。信号线xh为扫描线。信号线xh通过过孔连接于子导电垫zd。第二金属层包括数据线、源极和漏极。
112.可选的，发光器件22包括阳极221、像素定义层222、发光层223和阴极224。阳极221设置在平坦层218上。像素定义层222覆盖平坦层218并暴露出阳极221。发光层223设置在阳极221上。阴极224设置在发光层223上。
113.可选的，拼接面板100还包括封装胶40。封装胶40封装于第一基板10和第二基板20之间。
114.封装胶40的设置避免外界水氧侵入母导电垫md和子导电垫zd，起到保护母导电垫md和子导电垫zd的效果。
115.以上对本技术实施例所提供的一种拼接面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。