套刻精度补偿方法与流程

1.本技术涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种套刻精度补偿方法。


背景技术：

2.随着ic芯片制程工艺的不断提升，器件对ovl(套刻精度)的要求越来越高。由于晶圆的边缘区域受高温、膜厚差异的影响以及受研磨、刻蚀等工艺的影响导致晶圆的边缘区域的套刻精度较差。相对晶圆的中心区域而言，晶圆的边缘区域的良率偏低，所以改善晶圆的边缘区域的套刻精度对提升边缘区域的良率显得尤其重要。


技术实现要素：

3.本技术提供了一种套刻精度补偿方法，可以解决晶圆的边缘区域的套刻精度较差导致边缘区域的良率偏低的问题。
4.一方面，本技术实施例提供了一种套刻精度补偿方法，包括：
5.将晶圆表面区域划分成至少两个图形区域，其中，至少一个所述图形区域覆盖晶圆的边缘，不同的图形区域对应不同的套刻精度需求；
6.根据不同的套刻精度需求，为不同的图形区域选择不同的补偿模式，同时，利用各所述补偿模式对各所述图形区域进行对位建模补偿；
7.对所述图形区域分别进行对位、曝光；
8.对晶圆表面区域进行显影；
9.对晶圆表面区域进行套刻精度量测。
10.可选的，在所述套刻精度补偿方法中，所述补偿模式包括：一阶线性补偿模式、高阶补偿模式。
11.可选的，在所述套刻精度补偿方法中，将晶圆表面区域划分成一中心图形区域和环绕所述中心图形区域设置的n个环形图形区域，第一环形图形区域至第n环形图形区域从晶圆的中心往晶圆的边缘依次同心环绕设置，其中，所述中心图形区域的套刻精度需求以及第一至第n环形图形区域的套刻精度需求均不同，n为大于或者等于1的整数。
12.可选的，在所述套刻精度补偿方法中，在将晶圆表面区域划分成一中心图形区域和n个环形图形区域之后，所述套刻精度补偿方法还包括：根据不同的套刻精度需求，为所述中心图形区域和所述第一至第n环形图形区域分别选择不同的补偿模式。
13.可选的，在所述套刻精度补偿方法中，所述补偿模式包括：一阶线性补偿模式、高阶补偿模式。
14.可选的，在所述套刻精度补偿方法中，利用一阶线性补偿模式对所述中心图形区域进行对位建模补偿；利用高阶补偿模式对所述第一至第n环形图形区域分别进行对位建模补偿。
15.可选的，在所述套刻精度补偿方法中，将晶圆表面区域划分成阵列式排布的多个分割图形区域，其中，不同位置的所述分割图形区域的套刻精度需求不同。
16.可选的，在所述套刻精度补偿方法中，在将晶圆表面区域划分成多个所述分割图形区域之后，所述套刻精度补偿方法还包括：根据不同的套刻精度需求，为不同位置的所述分割图形区域分别选择不同的补偿模式。
17.可选的，在所述套刻精度补偿方法中，利用一阶线性补偿模式对靠近晶圆圆心的所述分割图形区域进行对位建模补偿；利用高阶补偿模式对靠近晶圆边缘的所述分割图形区域进行对位建模补偿。
18.本技术技术方案，至少包括如下优点：
19.本技术首先将晶圆表面区域划分成至少两个图形区域，其中，至少一个所述图形区域覆盖晶圆的边缘；然后根据不同的套刻精度需求，为不同的图形区域选择不同的补偿模式，同时，利用各所述补偿模式对各所述图形区域进行对位建模补偿；接着对所述图形区域分别进行对位、曝光；接着对晶圆表面区域进行显影；最后对晶圆表面区域进行套刻精度量测。本技术通过针对晶圆上的不同图形区域分别进行对位，同时选择不同的补偿模式对各图形区域进行对位建模补偿，改善了晶圆的边缘区域的套刻精度，提高了边缘区域的良率，从而改善了晶圆表面区域的整体套刻精度。
附图说明
20.为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
21.图1是本发明实施例的套刻精度补偿方法的流程图。
具体实施方式
22.下面将结合附图，对本技术中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
23.在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
24.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
25.此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
26.本技术实施例提供了一种套刻精度补偿方法，请参考图1，图1是本发明实施例的套刻精度补偿方法的流程图，所述套刻精度补偿方法包括：
27.s10：将晶圆表面区域划分成至少两个图形区域，其中，至少一个所述图形区域覆盖晶圆的边缘，不同的图形区域对应不同的套刻精度需求；
28.s20：根据不同的套刻精度需求，为不同的图形区域选择不同的补偿模式，同时，利用各所述补偿模式对各所述图形区域进行对位建模补偿；
29.s30：对所述图形区域分别进行对位、曝光；
30.s40：对晶圆表面区域进行显影；
31.s50：对晶圆表面区域进行套刻精度量测。
32.在第一个实施例中，首先，将晶圆表面区域划分成一中心图形区域和环绕所述中心图形区域设置的n个环形图形区域，第一环形图形区域至第n环形图形区域从晶圆的中心往晶圆的边缘依次同心环绕设置，其中，n为大于或者等于1的整数，第n环形图形区域覆盖晶圆的边缘，所述中心图形区域的套刻精度需求以及第一至第n环形图形区域的套刻精度需求均不同。例如n为1时，将晶圆表面区域划分成一中心图形区域和一环形图形区域，所述环形图形区域环绕所述中心图形区域，所述环形图形区域覆盖晶圆的边缘区域。进一步的，例如n为3时，将晶圆表面区域划分成中心图形区域、第一环形图形区域、第二环形图形区域和第三环形图形区域，所述第一环形图形区域环绕所述中心图形区域；从晶圆的中心往晶圆的边缘，所述第一环形图形区域、所述第二环形图形区域和所述第三环形图形区域依次同心环绕设置。
33.然后，根据不同的套刻精度需求，为所述中心图形区域和所述第一环形图形区域至第n环形图形区域分别选择不同的补偿模式。具体的，所述补偿模式包括但不限于：一阶线性补偿模式、高阶补偿模式。优选的，利用一阶线性补偿模式对所述中心图形区域进行对位建模补偿；利用高阶补偿模式对所述第一至第n环形图形区域分别进行对位建模补偿。
34.接着，对所述中心图形区域和所述第一环形图形区域至第n环形图形区域分别进行对位曝光。
35.进一步的，在所述中心图形区域和所述第一环形图形区域至第n环形图形区域全都完成对位曝光之后，对晶圆表面区域整体地进行显影。
36.最后，对整个晶圆表面区域进行套刻精度量测。优选的，本实施例也可以对所述中心图形区域和所述第一环形图形区域至第n环形图形区域分别进行套刻精度量测。
37.在第一个实施例中，首先将晶圆表面区域划分成中心图形区域和n个环形图形区域，其中，第n图形区域覆盖晶圆的边缘；然后根据不同的套刻精度需求，为中心图形区域和n个环形图形区域分别选择不同的补偿模式，同时，利用各自对应的所述补偿模式对中心图形区域和n个环形图形区域分别进行对位建模补偿；接着对中心图形区域和n个环形图形区域分别进行对位、曝光；接着对整个晶圆表面区域进行显影；最后对晶圆表面区域进行套刻精度量测，这样可以改善晶圆的边缘区域的套刻精度，提高了边缘区域的良率，从而改善了晶圆表面区域的整体套刻精度。
38.在第二个实施例中，首先，将晶圆表面区域划分成阵列式排布的多个分割图形区域，其中，一部分所述分割图形区域覆盖晶圆的中间区域，另一部分所述分割图形区域覆盖晶圆的边缘区域，不同位置的所述分割图形区域的套刻精度需求不同。
39.然后，根据不同的套刻精度需求，为不同位置的所述分割图形区域分别选择不同的补偿模式，同时，利用各所述补偿模式对各所述分割图形区域进行对位建模补偿。较佳的，所述补偿模式包括但不限于：一阶线性补偿模式、高阶补偿模式。在本实施例中，可以利用一阶线性补偿模式对靠近以及覆盖晶圆圆心的这部分的所述分割图形区域进行对位建模补偿；可以利用高阶补偿模式对靠近以及覆盖晶圆边缘的这部分的所述分割图形区域进行对位建模补偿。
40.接着，对所有的分割图形区域分别进行对位曝光。
41.进一步的，在所有的分割图形区域都完成对位曝光之后，对晶圆表面区域整体地进行显影。
42.最后，对整个晶圆表面区域进行套刻精度量测。优选的，本实施例也可以对所有的分割图形区域分别进行套刻精度量测。
43.在第二个实施例中，首先将晶圆表面区域划分成阵列式排布的多个分割图形区域，其中，部分所述分割图形覆盖晶圆的边缘区域；然后根据不同的套刻精度需求，为不同位置的所述分割图形区域分别选择不同的补偿模式，同时，利用各自对应的所述补偿模式对不同位置的所述分割图形区域分别进行对位建模补偿；接着对所有的分割图形区域分别进行对位、曝光；接着对整个晶圆表面区域进行显影；最后对晶圆表面区域分别进行套刻精度量测，这样可以改善晶圆的边缘区域的套刻精度，提高了边缘区域的良率，从而改善了晶圆表面区域的整体套刻精度。
44.显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本技术创造的保护范围之中。