一种半导体表面处理方法与流程

技术特征：
1.一种半导体表面处理方法，其特征在于，包括：对半导体基底进行预清洗，并对预清洗后的半导体基底进行干燥处理；将干燥后的半导体基底放入真空室中，抽真空并加热到温度稳定在200℃～250℃；向真空室内通入氩气，并在真空室内的气压达到5pa～8pa时，对半导体基底施加-1000v的偏压，对半导体基底进行轰击清洗；其中，氩气的流量为10ml/min；采用fcva法，以0度角度在轰击清洗后的半导体基底上沉积类金刚石膜，相应形成dlc层；其中，在沉积过程中所使用的标靶为碳靶；采用ibe或ecr刻蚀法，以四氟化碳作为掺杂气体在dlc层上掺杂氟离子，相应形成氟离子掺杂层；其中，四氟化碳的流量为40sccm。2.如权利要求1所述的半导体表面处理方法，其特征在于，所述对半导体基底进行预清洗，并对预清洗后的半导体基底进行干燥处理，具体包括：对半导体基底进行第一次超声波清洗，并使用nmp浸泡以及使用ipa作为清洗溶液；其中，nmp的温度为20℃～40℃，浸泡时间为20min；采用去离子水将第一次清洗后的半导体基底冲洗干净，并放入ipa溶液中进行第二次超声波清洗；其中，第二次清洗时间为30min；对第二次清洗后的半导体基底进行干燥处理。3.如权利要求1所述的半导体表面处理方法，其特征在于，所述对半导体基底进行轰击清洗，具体包括：采用氩等离子体、氩氧混合气体、氩乙烷混合气体、氮气或氦气对半导体基底进行轰击清洗；其中，轰击清洗时间为30min。4.如权利要求1所述的半导体表面处理方法，其特征在于，所述dlc层的厚度为12nm～30nm。5.如权利要求1所述的半导体表面处理方法，其特征在于，在掺杂过程中所使用的电源功率为5kw，真空室内的气压为0.1pa～0.3pa，掺杂时间为80min～100min。6.如权利要求1所述的半导体表面处理方法，其特征在于，所述氟离子掺杂层的厚度为2nm～6nm。

技术总结
本发明公开了一种半导体表面处理方法，包括：对半导体基底进行预清洗，并进行干燥处理；将干燥后的半导体基底放入真空室中，抽真空并加热到温度稳定在200℃～250℃；向真空室内通入氩气，并在真空室内的气压达到5Pa～8Pa时，对半导体基底施加-1000V的偏压，对半导体基底进行轰击清洗；采用FCVA法，以0度角度在轰击清洗后的半导体基底上沉积类金刚石膜，相应形成DLC层；其中，在沉积过程中所使用的标靶为碳靶；采用IBE或ECR刻蚀法，以四氟化碳作为掺杂气体在DLC层上掺杂氟离子，相应形成氟离子掺杂层；其中，四氟化碳的流量为40sccm。采用本发明的技术方案能够有效降低半导体表面产生的应力，并且减少半导体表面聚集的能量，从而改善半导体的性能。善半导体的性能。善半导体的性能。


技术研发人员：余周
受保护的技术使用者：东莞新科技术研究开发有限公司
技术研发日：2020.12.25
技术公布日：2022/6/28