一种气相沉淀设备及其晶圆加热载台和加热方法与流程

技术特征：
1.一种晶圆加热载台，其特征在于，包括：载台本体、顶针本体以及加热装置；所述加热装置设置在所述顶针本体中；所述载台本体设置有通孔，所述顶针本体穿过所述通孔；所述顶针本体用于承接晶圆并将所述晶圆放置在所述载台本体的上表面，其中，所述加热装置对所述顶针本体加热，所述顶针本体与所述载台本体共同向所述晶圆传热。2.如权利要求1所述的一种晶圆加热载台，其特征在于，所述顶针本体的内部设置有空腔，所述加热装置设置在所述空腔内。3.如权利要求2所述的一种晶圆加热载台，其特征在于，所述加热装置包括加热部件和电源线，所述加热部件与所述电源线电连接；其中，所述加热部件设置在所述空腔内。4.如权利要求3所述的一种晶圆加热载台，其特征在于，所述加热部件包括电阻加热部件或电磁加热部件。5.如权利要求1所述的一种晶圆加热载台，其特征在于，所述顶针本体的材质与所述载台本体的材质相同。6.如权利要求1所述的一种晶圆加热载台，其特征在于，所述顶针本体的材质为氮化铝。7.如权利要求1所述的一种晶圆加热载台，其特征在于，所述顶针本体的长度为1cm～20cm。8.如权利要求1所述的一种晶圆加热载台，其特征在于，所述载台本体上设置的所述通孔的数量为4个，每个所述通孔对应设置有一个所述顶针本体。9.一种气相沉淀设备，其特征在于，所述设备包括权利要求1-8任一所述的一种晶圆加热载台。10.一种晶圆加热方法，其特征在于，所述方法包括：将晶圆放置在如权利要求1-8任意所述的晶圆加热载台上，其中，所述加热装置对所述顶针本体加热，所述载台本体和所述顶针本体共同向所述晶圆传热。

技术总结
本发明公开了一种气相沉淀设备及其晶圆加热载台和加热方法，包括：载台本体、顶针本体以及加热装置；加热装置设置在顶针本体中；载台本体设置有通孔，顶针本体穿过通孔；顶针本体用于承接晶圆并将晶圆放置在载台本体的上表面，其中，加热装置对顶针本体加热，顶针本体与载台本体共同向晶圆传热。本申请通过在顶针本体中加设加热装置，使得加热装置对顶针本体进行加热，顶针本体和载台本体共同对晶圆传热，顶针本体可以减少通孔中损失的热量，或者弥补通孔中损失的热量，进而减轻晶圆在载台本体上受热不均的程度，或避免晶圆在载台本体上出现受热不均的现象，进而可以加快晶圆上表面薄膜的形成速度，增加薄膜的厚度，提高晶圆表面成膜的效率。面成膜的效率。面成膜的效率。


技术研发人员：郭挑远 白国斌 高建峰 王桂磊 丁云凌 崔恒玮
受保护的技术使用者：真芯（北京）半导体有限责任公司
技术研发日：2020.12.25
技术公布日：2022/6/28