具有纳米金字塔发光二极管的显示器的制作方法

1.本公开总体上涉及计算领域，并且更具体地涉及具有纳米金字塔发光二极管的显示器。


背景技术：

2.终端用户比从前有了更多的电子设备选择。一些突出的技术趋势正在酝酿之中，并且这些趋势将改变电子设备的面貌。这些技术趋势中的一些倾向于设计具有显示器的电子设备。一般而言，显示器是以图片形式向用户显示信息的输出设备。
附图说明
3.为了提供对本公开及本公开的特征和优势的更完整的理解，结合所附附图引用下列描述，其中，相同的附图标记表示相同的部件，在附图中：
4.图1a是根据本公开的实施例的启用具有纳米金字塔发光二极管(led)的显示器的系统的简化框图；
5.图1b是根据本公开的实施例的启用具有纳米金字塔led的显示器的系统的简化框图；
6.图1c是根据本公开的实施例的启用具有纳米金字塔led的显示器的系统的简化框图；
7.图2a是根据本公开的实施例的启用具有纳米金字塔led的显示器的系统的部分的简化框图；
8.图2b是根据本公开的实施例的启用具有纳米金字塔led的显示器的系统的部分的简化框图；
9.图3是根据本公开的实施例的启用具有纳米金字塔led的显示器的系统的部分的简化框图；
10.图4是图示出根据本公开的实施例的启用具有纳米金字塔led的显示器的系统的部分的示例细节的简化框图；
11.图5a是图示出根据本公开的实施例的启用具有纳米金字塔led的显示器的系统的部分的示例细节的简化框图；
12.图5b是图示出根据本公开的实施例的启用具有纳米金字塔led的显示器的系统的部分的示例细节的简化框图；
13.图5c是图示出根据本公开的实施例的启用具有纳米金字塔led的显示器的系统的部分的示例细节的简化框图；
14.图5d是图示出根据本公开的实施例的启用具有纳米金字塔led的显示器的系统的部分的示例细节的简化框图；
15.图5e是图示出根据本公开的实施例的启用具有纳米金字塔led的显示器的系统的部分的示例细节的简化框图；
16.图5f是图示出根据本公开的实施例的启用具有纳米金字塔led的显示器的系统的部分的示例细节的简化框图；
17.图5g是图示出根据本公开的实施例的启用具有纳米金字塔led的显示器的系统的部分的示例细节的简化框图；
18.图5h是图示出根据本公开的实施例的启用具有纳米金字塔led的显示器的系统的部分的示例细节的简化框图；
19.图6a是图示出根据本公开的实施例的启用具有纳米金字塔led的显示器的系统的部分的示例细节的简化框图；
20.图6b是图示出根据本公开的实施例的启用具有纳米金字塔led的显示器的系统的部分的示例细节的简化框图；
21.图6c是图示出根据本公开的实施例的启用具有纳米金字塔led的显示器的系统的部分的示例细节的简化框图；
22.图6d是图示出根据本公开的实施例的启用具有纳米金字塔led的显示器的系统的部分的示例细节的简化框图；
23.图6e是图示出根据本公开的实施例的启用具有纳米金字塔led的显示器的系统的部分的示例细节的简化框图；
24.图6f是图示出根据本公开的实施例的启用具有纳米金字塔led的显示器的系统的部分的示例细节的简化框图；
25.图6g是图示出根据本公开的实施例的启用具有纳米金字塔led的显示器的系统的部分的示例细节的简化框图；
26.图7是图示出根据本公开的实施例的启用具有纳米金字塔led的显示器的系统的部分的示例细节的简化框图；
27.图8是图示出根据本公开的实施例的启用具有纳米金字塔led的显示器的系统的部分的示例细节的简化框图；以及
28.图9是图示出根据本公开的实施例的包括具有纳米金字塔led的显示器的电子设备的示例的简化框图。
29.附图的各图不一定是按比例绘制的，因为它们的尺寸可以显著地变化而不背离本公开的范围。
具体实施方式
示例实施例
30.以下具体实施方式阐述与具有纳米金字塔发光二极管(led)的显示器相关的设备、装置、方法和系统的示例。例如，为方便起见，参照一个实施例描述诸如(多个)结构、(多个)功能和/或(多个)特性之类的特征；能以所描述的特征中的任何合适的一个或多个特征来实现各实施例。
31.在下列描述中，将使用由本领域技术人员通常采用以将他们的工作实质传达给本领域的其他技术人员的术语来描述说明性实现方式的各方面。然而，对本领域技术人员将显而易见的是，仅采用所描述方面中的一些也可实施本文中所公开的实施例。出于解释的目的，阐述了特定的数量、材料和配置，以提供对说明性实现方式的透彻理解。然而，对本领
域技术人员将显而易见的是，在没有这些特定细节的情况下也可实施本文中公开的实施例。在其他实例中，省略或简化公知的特征，以免混淆说明性实现方式。
32.如本文中所使用的术语“在
…
上方”、“在
…
下方”、“在...下”、“在
…
之间”和“在
…
上”指的是一个层或组件相对于其他层或组件的相对位置。例如，设置在一个层上方或下方的另一个层可与该一个层直接接触或者可具有一个或多个中间层。此外，置于两个层之间的一个层可直接接触这两个层，或者可具有一个或多个中间层。相比之下，“直接在”第二层“上”的第一层与该第二层直接接触。类似地，除非以其他方式明确地陈述，否则设置在两个特征之间的一个特征可以与相邻特征直接接触或者可以具有一个或多个中间层。
33.本文中公开的实施例的实现方式可以在衬底(诸如，非半导体衬底或半导体衬底)上形成或执行。在一个实现方式中，非半导体衬底可以是二氧化硅、由二氧化硅、氮化硅、氧化钛和其他过渡金属氧化物组成的层间电介质。尽管在此描述了可以形成非半导体衬底的材料的一些示例，但是可以用作可以在其上构建非半导体器件的基础的任何材料都落入本文中公开的实施例的精神和范围内。
34.在另一实现方式中，半导体衬底可以是使用体硅或绝缘体上硅子结构形成的晶体衬底。在其他实现方式中，可以使用可与硅结合或可不与硅结合的替代材料形成半导体衬底，该替代材料包括但不限于锗、锑化铟、碲化铅、砷化铟、磷化铟、砷化镓、砷化铟镓、锑化镓或iii-v组或iv组材料的其他组合。在其他示例中，衬底可以是柔性衬底，包括2d材料(诸如，石墨烯和二硫化钼)、有机材料(诸如，并五苯)、透明氧化物(诸如，铟镓锌氧化物)、多/非晶(低沉积温度)iii-v半导体和锗/硅，并且可以是其他非硅柔性衬底。尽管在此描述了可以形成衬底的材料的一些示例，但是可以用作可以在其上构建半导体器件的基础的任何材料都落入本文公开的实施例的精神和范围内。
35.在下列具体实施方式中，参考了形成本文一部分的所附附图，其中，自始至终，同样的附图标记表示同样的部分，并且其中通过说明示出可实践的实施例。应理解，可利用其他实施例，并且可作出结构或逻辑的改变而不背离本公开的范围。因此，以下具体实施方式不应当被认为是限制意义的。出于本公开的目的，短语“a和/或b”意指(a)、(b)或(a和b)。出于本公开的目的，短语“a、b和/或c”意指(a)、(b)、(c)、(a和b)、(a和c)、(b和c)、或(a、b和c)。在本公开中对“一个实施例”或“实施例”的引用意味着结合该实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在至少一个实施例中。出现短语“在一个实施例中”或“在实施例中”不一定全部指代同一个实施例。短语“例如”、“在示例中”、或“在一些示例中”的出现不一定全部指代同一示例。
36.图1a是根据本公开的实施例的被配置成启用具有纳米金字塔发光二极管(led)的显示器的电子设备100a的简化框图。在示例中，电子设备100a可以包括第一壳体102和第二壳体104。第一壳体102可以使用铰链106可枢转地耦合至第二壳体104。第一壳体102可以包括显示器108和定时控制器(tcon)110。第二壳体104可以包括键盘(未示出)、存储器112、一个或多个处理器114、以及一个或多个电子组件116。tcon 110是显示器侧的定时控制器。一个或多个处理器114可以包括显示引擎。一个或多个电子部件116可以是能够辅助电子设备100a的操作或功能的器件或器件组。
37.转向图1b，图1b是根据本公开的实施例的被配置成启用具有纳米金字塔led的显示器的电子设备100b的简化框图。在示例中，电子设备100b可以是计算机监视器、计算机显
示器、独立式显示监视器等。电子设备100b可以包括显示器108、tcon 110、存储器112、一个或多个处理器114、以及一个或多个电子部件116。
38.转向图1c，图1c是根据本公开的实施例的被配置成启用具有纳米金字塔led的显示器的电子设备100c的简化框图。在示例中，电子设备100c可以是智能电话、手持式计算机、平板计算机、二合一计算机、可转换计算机等。电子设备100c可以包括显示器108、tcon 110、存储器112、一个或多个处理器114、以及一个或多个电子部件116。
39.本文中所描述的各实施例总体上设计用于通过显示接口将显示数据传输至一个或多个显示设备的技术。显示接口(例如，显示端口、hdmi、dvi、thunderbolt.rtm.等等)提供显示数据在计算设备与显示设备之间的传输。例如，计算设备可使用显示接口将显示数据传送至显示设备。显示数据包括要显示的图像的指示。例如，显示数据包括与显示器的像素相对应的信息(例如，rgb色彩数据等)，当通过显示端口进行传输时，该信息允许显示设备对图像进行显示(例如，显示在屏幕上、通过投影来显示等)。存在各种显示接口，并且本公开并非旨在限于特定的显示接口。此外，像素的数量以及每个像素的可显示的色彩针对不同的显示器而有所不同。像素的数量、可显示的色彩、显示器类型、以及本文中可引用的其他特性可被引用以促进理解，并且并非旨在作为限制。
40.在一些示例中，显示设备可包括数个tcon和驱动器，这些tcon和驱动器被配置成用于接收显示数据并使得显示设备基于该显示数据来显示图像。tcon和驱动器接收显示数据，对显示数据进行解码，并使得显示设备显示与该显示数据相对应的图像(例如，通过对像素进行照明、投射色彩等)。tcon和驱动器可被配置成用于控制显示设备的不同部分内的像素或可对这些像素进行操作。
41.显示器108可以是具有高动态范围并消耗相对较低功率量的直视型led显示器。直视型led显示器是生成其自身的光的显示器。这与“透射式显示器”形成对照，透射式显示器是指其中光从诸如背光之类的单独的源被生成的lcd屏幕。在直视型led显示器中，数百、数千甚至数百万个led直接被安装在面板上，并且没有液晶或偏振玻璃被使用。直视型led显示器中的led产生图像本身，而不是(像它们在lcd显示器中那样)充当背光。每个led本质上是在特定的电流穿过它时发射有色光的微小的灯泡。红色、绿色和蓝色led的集群被编组在面板上，创建产生图像所需要的全色像素。非常亮的像素与非常暗的像素之间的范围是动态范围，并且高动态范围意味着存在非常亮的像素和非常暗的像素。如果存在均匀的光，则显示器将不具有可接受的对比度水平。一些当前系统通过使用微发光二极管(微led(microled))来创建直视型led显示器。
42.当前微led的一个问题是制造成本。更具体地，在当前系统的情况下，微led以串行方式从晶片被转移到背板，并且显示器的创建可能花费相对大量的时间并且相对昂贵。另外，在制造期间，成品率可能是一个问题。更具体地，实现百分之八十(80％)的显示器生产线成品率所需要的微led成品率为99.99999％。这是非常严格的，并且是使用当前的系统和方法几乎不可能实现的。
43.显示器108包括微led显示器、发光二极管(led)显示器、有机led(oled)显示器、或某种其他类型的显示器。微led显示器包括形成各个像素元件的微led的阵列。微led是当今用于大量应用的led的微观规模的版本，并且基于相同的氮化镓技术。微led尺寸小于十(10)微米，或者比常规led管芯小了大约两个数量级。一些微led在一侧上小到三(3)微米。
44.显示器108可以包括多个连接的纳米金字塔led的阵列，并且该连接的纳米金字塔led的阵列可以构成微led。如果一个纳米金字塔led(或10个纳米金字塔led或更多个)是不起作用的，则剩余的纳米金字塔led可以仍然起作用。这在成品率和成本方面给予了巨大的优势。多个微led120中的每一个可以是大约三(3)微米乘大约三(3)微米的、在尺寸上是大约五(5)微米乘大约五(5)微米的、在尺寸上是大约十(10)微米成大约十(10)微米的，或者是更大的。微led 120不需要是正方形形状的，并且可以是几乎任何形状(例如，圆形、六边形等)，并且包括至少两个纳米金字塔122。而且，利用纳米金字塔led，可以创建红光、绿光和蓝光的纳米金字塔led可以全部生长在同一晶片上。
45.另外，可以在纳米金字塔led上建立微led的镜面结构。在当前系统中，通常在背板上建立镜面结构。在示例中，用于纳米金字塔led的镜面结构在制造过程结束时当该纳米金字塔led仍处于制造中的晶片上时被添加到该纳米金字塔led。在特定示例中，纳米金字塔led在晶片上创建或生长，随后将镜面添加到晶片上的纳米金字塔led，从晶片切割具有多个纳米金字塔led的试片(coupon)以创建微led，并且将试片(包括纳米金字塔led和镜面)接合至背板。
46.应当理解，也可利用其他实施例，并且可作出结构改变而不背离本公开的范围。因为可提供任何合适的布置和配置而不背离本公开的教导，所以电子设备100a-100c提供了很大的灵活性。
47.出于说明电子设备100a-100c的某些示例技术的目的，可将以下基础信息视为根据其来适当地解释本公开的基础。终端用户比以往具有更多媒体和通信选择。多个突出的技术趋势当前正在发生(例如，更多计算设备、更多在线视频服务、更多互联网通信量等)，并且这些趋势正在改变媒体交付的格局。一种变化是显示器的使用。一般而言，显示器是以图片形式向用户显示信息的输出设备。
48.早期的电子计算机安装有灯泡面板，其中每个特定灯泡的状态指示计算机内部的特定寄存器位的开/关状态。这允许操作计算机的工程师监视机器的内部状态，因此此种灯光面板被称为“监视器”。由于早期监视器仅能够显示非常有限的信息量并且是非常短暂的，因此它们仅仅被考虑用于程序输出。替代地，行式打印机是主要的输出设备，而监视器限于保持对程序的操作进行跟踪。最早的计算机监视器中的一些使用阴极射线管(crt)。然而，使用crt的计算机监视器典型地是大型重型设备。
49.lcd被创建来降低显示器的尺寸、种类、功耗等。随着计算机变得便携，lcd技术作为计算机监视器的主要使用是在膝上型计算机中，其中lcd显示器更低的功耗、更轻的重量和更小的物理尺寸证明lcd显示器相对于crt显示器更高的价格是有理由的。早期lcd面板的动态范围非常差，并且虽然文本和其他无运动图形相比于在crt上更清晰，但已知为像素滞后的lcd特性导致移动的图形出现明显的污点并且模糊不清。当前lcd显示器提供超出crt显示器的更好的分辨率和其他优势，并且当今大多数可用的显示器是lcd显示器。
50.lcd使用典型地使用led创建的背光。更具体地，大多数目前的系统使用具有黄色荧光粉层的蓝色微型led(mini-led)在lcd的背光单元中产生白光。这不允许良好的色域，并且不允许白色色点调谐。在一些当前系统中，为了改善色域而使用量子点。例如，量子点增强的液晶显示器使用包括红色和绿色量子点两者的量子点膜来促进显示器具有更好的色域。量子点膜覆盖背光单元中的每个蓝色led。例如，由硒化镉(cdse)形成的量子点可以
逐渐被调谐，以对于直径为5nm的量子点从可见光谱的红色区域发光，并且对于直径为1.5nm量子点调谐至紫色区域。通过改变量子点场中的点尺寸，可再次产生范围从大约460nm(蓝色)到大约650nm(红色)的整个可见波长。
51.量子点的常见问题之一在于它们是潜在地有毒的。对于消费者商品应用，无镉量子点或无重金属量子点可能是符合期望的。另一问题是显示器中量子点的高生产成本。仍存在设计量子点增强的液晶显示器以实现降低的毒性、改善的性能和制造中的低成本的需要。应当提及的是，无镉量子点是可用的，但它们并不像基于镉的量子点一样高效。
52.当今可用的显示器典型地具有相对较高的成本，这是因为使用量子点材料可能增加显示器的整体成本。而且，当前lcd显示器中的量子点膜典型地覆盖背光单元中的所有led，这意味着量子点的量相对较高并且可能是有毒的。而且，lcd面板要求偏振玻璃面板，并且偏振玻璃面板要求将其保持就位的边框。另外，由偏振玻璃造成眩光的可能性很高，并且在许多情况下是可能的。取决于环境，眩光可能减弱屏幕上的图像，或者甚至使屏幕上的图像模糊。直视型led显示器没有边框，因此它们可以被平铺在一起以形成完全无缝式显示器或视频墙。直视型led显示器还可以是非常明亮的、可靠的、能量高效的、且具有良好的色彩准确性和刷新率。当前直视型led显示器的一个问题是制造成本。
53.常规平面型基于半导体的led通常从跨晶片表面生长的层被图案化。更具体地，平面型基于半导体的led包括夹在较厚的基于半导体的披覆层之间的一个或多个基于半导体的活跃层。最近，自下而上的方法已被用于形成纳米线led结构，该结构可为平面型led提供多种优势，包括较低的位错密度、较高的光提取效率以及相对于衬底表面积更大的活跃区域表面积。然而，由于无法在纳米线的m平面上生长高铟含量的ingan，因此使用纳米线led实现高效率的绿色和红色发射相对困难。已经提出了微led的三重冗余来将所需的微led晶片管芯成品率从99.99999％降低到仅99.95％。然而，使用微led冗余会导致微led显示器的生产成本增加，在使用拾取和放置转移来制造微led显示器的情况下尤为如此。所需要的是具有形成微led的纳米金字塔led的显示器。
54.如图1a-图1c中所概述，被配置成包括具有纳米金字塔led的显示器的设备可以解决这些问题(和其他问题)。在示例中，电子设备(例如，电子设备100a-100c)可以被配置成包括具有纳米金字塔led的显示器。更具体地，电子设备可以被配置成包括形成微led的纳米金字塔led阵列。更具体地，显示器可以被配置成包括由冗余纳米金字塔led阵列(例如，数百个纳米金字塔led、数千个纳米金字塔led或数百万个纳米金字塔led)组成以制成为led显示器的子像素发射器。与现有的绿色光发射的系统相比，纳米金字塔led的使用在效率上可以高十倍或更多倍。
55.而且，利用纳米金字塔led，红色纳米金字塔led、绿色纳米金字塔led和蓝色纳米金字塔led可以全部生长在同一晶片上，以创建红色微led、绿色微led和蓝色微led。在当前系统中，使用平面led无法在同一晶片上制成红色微led、绿色微led和蓝色微led。而且，在当前系统中，使用平面led无法在同一晶片上制成绿色微led和蓝色微led。在一些当前系统中，光发射器(诸如led)通过对如煎饼堆叠一样对材料进行堆叠来制成led。led是所谓的平面led。
56.一旦纳米金字塔生长在晶片上，则镜面结构可以被添加到纳米金字塔，这与其中镜面结构在背板上建立并且镜面在制造过程结束时被添加到led的当前系统相对。在纳米
金字塔生长在晶片上并且镜面被添加之后，具有镜面的纳米金字塔可以被冲压或被转移至背板。在示例中，在背板的、具有镜面的纳米金字塔被添加在其中的区域中添加接收垫。在示例中，接收垫是铜接收垫。背板需要具有接收垫来将纳米金字塔选择性接合至背板的包括该接收垫的区域。如果不在背板上使用接收垫，则晶片上所有的纳米金字塔可能触及背板或与背板接触，并且失去选择性接合。晶片上处于具有接收垫的区域之外的纳米金字塔可以被接合至同一背板上或不同背板上的不同接收垫。
57.此过程允许纳米金字塔(例如，蓝色微led和绿色微led的阵列)在直接转移过程中从晶片被转移至背板，而不像当前系统的拾取和放置技术那样。直接转移过程是一种传质过程，相较于当前系统，该直接转移过程可以节省时间并降低成本。直接转移过程被设计成用于纳米金字塔led从晶片到背板的传质。
58.在一些示例中，蓝色微led和绿色微led被一次转移至背板。随后，可以在蓝色微led中的一些蓝色led上沉积红色转换膜来产生红色。颜色转换膜可包括量子点。例如，可以在蓝色微led中的一些蓝色led上涂覆红色量子点膜来产生红光。量子点膜不需要延伸或被涂覆在剩余的微led上，并且在显示器中使用最少量的有毒量子点材料，由此实现产品安全性。
59.在说明性示例中，可以使用直接转移将蓝色微led和绿色微led从单个晶片(直径为12英寸)转移至背光单元的led板。首先，在12英寸硅晶片上制作微led(由纳米金字塔led阵列制成)(为成本降低起见)。随后从硅晶片切割试片。试片具有处于其上的蓝色微led和绿色微led两者。将试片与led板对齐，其中存在被印刷在led板上的接收垫(例如，铜垫)的阵列。使用熔接或热压接合将微led接合在接收铜垫上。随后，微led从硅试片被释放，并经由通过试片背面使用红外激光烧蚀被赠予至led板。红外激光穿过硅晶片试片并对其中微led已在其上生长的释放层进行烧蚀。过程重复，直到所有的led板均以微led填充。此种过程具有高吞吐量，并且在一些示例中，过程的吞吐量可以比拾取和放置高出一百倍，极大地降低了制造成本。
60.在示例实现方式中，电子设备100a-100c旨在涵盖计算机、个人数字助理(pda)、膝上型计算机或电子笔记本、蜂窝电话、移动设备、个人数字助理、智能电话、平板设备、可穿戴设备、物联网(iot)设备、网络元件或包括led显示器的任何其他设备。电子设备100a-100c可以包括促进其操作的任何合适的硬件、软件、部件、模块或对象，以及用于在网络环境中接收、传送和/或以其他方式传输数据或信息的合适的接口。这可包括允许数据或信息的有效交换的适当的算法和通信协议。电子设备100a-100c可包括虚拟元件。
61.关于与电子设备100a-100c相关联的内部结构，电子设备100a-100c可以包括用于存储要在操作中使用的信息的存储器元件。电子设备100a-100c可以将信息保存在任何合适的存储器元件(例如，随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、可擦除可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、专用集成电路(asic)等)、软件、硬件、固件中，或者在适当的情况下并基于特定需求而保存在任何其他合适的部件、设备、元件或对象中。应当将本文中所讨论的存储器项中的任一者解释为被涵盖在广义术语“存储器元件”内。此外，可以以任何数据库、寄存器、队列、表、高速缓存、控制列表、或其他存储结构(所有的这些都可在任何合适的时间帧处引用)提供在电子设备100a-100c中正被使用、跟踪、发送或接收的信息。也可将任何此类存储选项包括在如本文中所使用的广义术语“存储器元件”内。
62.在某些示例实现方式中，功能可由被编码在一个或多个有形介质中的逻辑来实现(例如，在asic中提供的嵌入式逻辑、数字信号处理器(dsp)指令、将由处理器或其他类似机器执行的软件(可能包括目标代码和源代码)等)，该有形介质可包括非瞬态计算机可读介质。在这些实例中的一些实例中，存储器元件可存储用于操作的数据。这包括能够存储软件、逻辑、代码或处理器指令的存储器元件，这些软件、逻辑、代码或处理器指令被执行以执行活动。
63.在示例实现方式中，电子设备100a-100c的元件可包括用于实现或用于促进操作的软件。这些模块能以适当的方式被合适地组合，这可基于特定的配置和/或预设需求。在示例实施例中，可由被实现在这些元件外部的、或被包括在某个其他网络设备中的硬件执行此类操作，以实现预期功能。此外，模块可被实现为软件、硬件、固件或它们的任何合适的组合。这些元件还可包括可与其他网络元件协调以实现操作的软件(或往复式软件)。
64.另外，电子设备100a-100c可包括一个或多个处理器，该一个或多个处理器可以执行软件或算法来执行活动。处理器可执行与数据相关联的任何类型的指令以实现操作。在一个示例中，处理器可以将元件或制品(例如，数据)从一种状态或事物变换成另一种状态或事物。在另一示例中，活动可以用固定逻辑或可编程逻辑(例如，由处理器执行的软件/计算机指令)来实现，并且本文标识出的元件可以是某种类型的可编程处理器、可编程数字逻辑(例如，现场可编程门阵列(fpga)、可擦除可编程只读存储器(eprom)、电可擦除可编程只读存储器(eeprom))、或包括数字逻辑、软件、代码、电子指令的asic、或其任何合适的组合。应当将本文中描述的潜在的处理元件、模块和机器中的任一者理解为被涵盖在广义术语“处理器”内。
65.转到图2a和图2b，图2a和图2b是根据本公开的实施例的具有纳米金字塔led的显示器108的简化图。在示例中，显示器108可以包括多个微led 120。每个微led 120可以包括多个纳米金字塔122。多个微led120中的每一个可以是大约三(3)微米乘大约三(3)微米的、在尺寸上是大约五(5)微米乘大约五(5)微米的、在尺寸上是大约十(10)微米成大约十(10)微米的，或者是更大的。微led 120不需要是正方形形状的并且可以是几乎任何形状，并且包括至少两个纳米金字塔122。
66.转到图3，图3是根据本公开的实施例的具有纳米金字塔led的显示器108的简化框图。在示例中，显示器108可以包括多个微led 120。每个微led 120可以包括多个纳米金字塔122。在示例中，微led 120可包括红色、绿色和蓝色纳米金字塔。更具体地，如图3中所图示，微led 120a包括发射红光的红色纳米金字塔122a，微led 120b包括发射绿光的绿色纳米金字塔122b，并且微led 120c包括发射蓝光的蓝色纳米金字塔122c。
67.转到图4，图4是在生长在晶片124上之后的纳米金字塔122的简化框图。在示例中，晶片124可以包括衬底层126和氮化硅层128。氮化硅层128可以具有腔体130。纳米金字塔122可以包括纳米金字塔干132和纳米金字塔体134。纳米金字塔干132可以处于氮化硅层128的腔体130中。
68.衬底层126是基底或衬底，并且可以由硅蓝宝石或可以作为纳米金字塔122的基底或衬底的某种其他材料组成。氮化硅层128可以作为后续氮化镓外延生长的硬掩模，并且可以由氮化硅或可以充当后续氮化镓外延生长的硬掩模的任何其他材料组成。纳米金字塔干132可以充当纳米金字塔体134的生长籽晶，并且可以由掺杂有硅的氮化镓或可以充当纳米
金字塔体134的生长籽晶的任何其他n型掺杂物组成。纳米金字塔体134可以充当用于生长量子阱的基底，该量子阱引起自纳米金字塔体134的光发射。纳米金字塔体134可以由n型氮化镓或将充当用于生长量子阱的基底的某种其他材料组成。
69.转到图5a，图5a是图示出在晶片124上生长纳米金字塔122的过程的早期部分的示例细节的简化框图。在示例中，晶片124可以包括衬底层126。氮化铝层136可以处于衬底层126上方。金属氮化物层138可以处于氮化铝层136上方。二氧化硅层140可以处于氮化铝层136上方。氮化硅层128可以处于二氧化硅层140上方。如图5a中所图示，氮化硅层128、金属氮化物层138以及二氧化硅层140可以形成腔体130的内壁。
70.氮化铝层136可以作为用于生长纳米金字塔干132和纳米金字塔体134的成核层，并且可以由氮化铝、氮化钪铝或可以充当用于生长纳米金字塔干132和纳米金字塔体134的成核层的某种其他材料组成。金属氮化物层138有助于使用激光照射从衬底层126释放纳米金字塔122，并且可以由氮化钛、氮化铌、氮化钽或可以用于帮助将从衬底层126释放纳米金字塔122的某种其他金属氮化物组成。二氧化硅层140有助于在氮化硅掩模上开孔，以允许纳米金字塔体134从已经生长在硅衬底上的氮化铝向外的选择性外延生长。二氧化硅层140可以由二氧化硅或有助于在氮化硅掩模中开孔以允许纳米金字塔体134的选择性外延生长的任何其他材料组成。
71.转到图5b，图5b是图示出在晶片124上生长纳米金字塔122的过程的早期部分的示例细节的简化框图。在示例中，晶片124可以包括衬底层126。氮化铝层136可以处于衬底层126上方。金属氮化物层138可以处于氮化铝层136上方。二氧化硅层140可以处于氮化铝层136上方。氮化硅层128可以处于二氧化硅层140上方。氮化硅层128、金属氮化物层138以及二氧化硅层140可以形成腔体130的内壁。
72.如图5b中所图示，可以生长纳米金字塔干132和纳米金字塔体134。更具体地，纳米金字塔干132可以生长在腔体130中，并且纳米金字塔体134可以生长在氮化硅层128上方。在示例中，可以使用金属有机物气相外延(movpe)工艺或将生长纳米金字塔干132和纳米金字塔体134的某种其他类型的工艺来生长纳米金字塔干132和纳米金字塔体134。movpe(也被称为有机金属气相外延(omvpe)或金属有机化学气相沉积(mocvd))是一种用于生产单晶或多晶薄膜的化学气相沉积方法，并且是一种用于生长结晶层以创建复杂的半导体多层结构的工艺。
73.转到图5c，图5c是图示出在晶片124上生长纳米金字塔122的过程的部分的示例细节的简化框图。在示例中，晶片124可以包括衬底层126。氮化铝层136可以处于衬底层126上方。金属氮化物层138可以处于氮化铝层136上方。二氧化硅层140可以处于氮化铝层136上方。氮化硅层128可以处于二氧化硅层140上方。氮化硅层128、金属氮化物层138以及二氧化硅层140可以形成腔体130的内壁。纳米金字塔干132可以生长在腔体130中，并且纳米金字塔体134可以生长在氮化硅层128上方。
74.如图5c中所图示，氮化铟镓/氮化镓量子阱142可以生长在纳米金字塔体134上方。氮化铟镓/氮化镓量子阱142确定来自纳米金字塔的光的颜色。在示例中，可以使用用于生长纳米金字塔干132和纳米金字塔体134的movpe工艺或者将在纳米金字塔体134上方生长氮化铟镓/氮化镓量子阱142的某种其他类型的工艺来生长氮化铟镓/氮化镓量子阱142。
75.转到图5d，图5d是图示出在晶片124上生长纳米金字塔122的过程的部分的示例细
节的简化框图。在示例中，晶片124可以包括衬底层126。氮化铝层136可以处于衬底层126上方。金属氮化物层138可以处于氮化铝层136上方。二氧化硅层140可以处于氮化铝层136上方。氮化硅层128可以处于二氧化硅层140上方。氮化硅层128、金属氮化物层138以及二氧化硅层140可以形成腔体130的内壁。纳米金字塔干132可以生长在腔体130中，并且纳米金字塔体134可以生长在氮化硅层128上方。氮化镓/氮化镓量子阱142可以生长在纳米金字塔体134上方。
76.如图5d中所图示，p型氮化镓层144可以生长在氮化铟镓/氮化镓量子阱142上方。p型氮化镓层144可以有助于提供到氮化铟镓/氮化镓量子阱142的活跃层的孔，以允许光的发射。在示例中，可以使用用于生长纳米金字塔干132、纳米金字塔体134和生长氮化铟镓/氮化镓量子阱142的movpe工艺或者将在氮化铟镓/氮化镓量子阱142上方生长p型氮化镓层144的某种其他类型的工艺来生长p型氮化镓层144。
77.转到图5e，图5e是图示出在晶片124上生长纳米金字塔122的过程的部分的示例细节的简化框图。在示例中，晶片124可以包括衬底层126。氮化铝层136可以处于衬底层126上方。金属氮化物层138可以处于氮化铝层136上方。二氧化硅层140可以处于氮化铝层136上方。氮化硅层128可以处于二氧化硅层140上方。氮化硅层128、金属氮化物层138以及二氧化硅层140可以形成腔体130的内壁。纳米金字塔干132可以生长在腔体130中，并且纳米金字塔体134可以生长在氮化硅层128上方。氮化镓/氮化镓量子阱142可以生长在纳米金字塔体134上方。p型氮化镓层144可以生长在氮化铟镓/氮化镓量子阱142上方。
78.如图5e中所图示，可以在氮化硅层128上方添加第二二氧化硅层146。第二二氧化硅层146是绝缘层，并且可以由氮化硅、氧氮化硅、碳掺杂的氧化物或可以提供绝缘层的某种其他材料组成。在示例中，可以使用等离子体增强化学气相沉积(pecvd)或将在氮化硅层128上方创建第二二氧化硅层146的某种其他类型的工艺来在氮化硅层128上方添加第二二氧化硅层146。
79.转到图5f，图5f是图示出在晶片124上生长纳米金字塔122的过程的部分的示例细节的简化框图。在示例中，晶片124可以包括衬底层126。氮化铝层136可以处于衬底层126上方。金属氮化物层138可以处于氮化铝层136上方。二氧化硅层140可以处于氮化铝层136上方。氮化硅层128可以处于二氧化硅层140上方。氮化硅层128、金属氮化物层138以及二氧化硅层140可以形成腔体130的内壁。纳米金字塔干132可以生长在腔体130中，并且纳米金字塔体134可以生长在氮化硅层128上方。氮化镓/氮化镓量子阱142可以生长在纳米金字塔体134上方。p型氮化镓层144可以生长在氮化铟镓/氮化镓量子阱142上方。可以在氮化铝层128上方添加第二二氧化硅层146。
80.如图5f中所图示，可以在p型氮化镓层144上方添加镍粘附层148。镍粘附层148有助于确保与p型氮化镓层144的良好欧姆接触，并且可以由钯、铂、银或可以帮助确保与p型氮化镓层144的良好欧姆接触的某种其他材料组成。在示例中，可以使用物理气相沉积(pvd)或将在p型氮化镓层144上方创建镍粘附层148的某种其他类型的工艺来在p型氮化镓层144上方添加镍粘附层148。
81.转到图5g，图5g是图示出在晶片124上生长纳米金字塔122的过程的部分的示例细节的简化框图。在示例中，晶片124可以包括衬底层126。氮化铝层136可以处于衬底层126上方。金属氮化物层138可以处于氮化铝层136上方。二氧化硅层140可以处于氮化铝层136上
方。氮化硅层128可以处于二氧化硅层140上方。氮化硅层128、金属氮化物层138以及二氧化硅层140可以形成腔体130的内壁。纳米金字塔干132可以生长在腔体130中，并且纳米金字塔体134可以生长在氮化硅层128上方。氮化镓/氮化镓量子阱142可以生长在纳米金字塔体134上方。p型氮化镓层144可以生长在氮化铟镓/氮化镓量子阱142上方。可以在氮化铝层128上方添加第二二氧化硅层146。可以在p型氮化镓层144上方添加镍粘附层148。
82.如图5g中所图示，可以在第二二氧化硅层146上方添加铝硅层150。铝硅层150可以充当纳米金字塔122的镜面。铝硅层150可以由铝和硅组成(例如，大约97％至大约99％的铝和1％至大约3％的硅)。在示例中，可以使用溅射、pvd或在第二二氧化硅层146上方创建铝硅层150的某种其他类型的工艺来在第二二氧化硅层146上方添加铝硅层150。
83.转到图5h，图5h是图示出在晶片124上生长纳米金字塔122的过程的部分的示例细节的简化框图。在示例中，晶片124可以包括衬底层126。氮化铝层136可以处于衬底层126上方。金属氮化物层138可以处于氮化铝层136上方。二氧化硅层140可以处于氮化铝层136上方。氮化硅层128可以处于二氧化硅层140上方。氮化硅层128、金属氮化物层138以及二氧化硅层140可以形成腔体130的内壁。纳米金字塔干132可以生长在腔体130中，并且纳米金字塔体134可以生长在氮化硅层128上方。氮化镓/氮化镓量子阱142可以生长在纳米金字塔体134上方。p型氮化镓层144可以生长在氮化铟镓/氮化镓量子阱142上方。可以在氮化铝层128上方添加第二二氧化硅层146。可以在p型氮化镓层144上方添加镍粘附层148。可以在第二二氧化硅层146上方添加铝硅层150。
84.如图5h中所图示，可以在铝硅层150上方添加接收垫耦合层152。接收垫耦合层152可以与背板上的其中要添加纳米金字塔的背板区域中的接收垫耦合。接收垫耦合层152可以由铜或铜铝合金、钴、钼、氮化钛、金、银或将与在背板上的处于其中要添加纳米金字塔的背板区域中的接收垫耦合的某种其他材料。在示例中，可以在铝硅层150上方添加接收垫耦合层152。
85.转到图6a，图6a是晶片上的纳米金字塔的简化框图。更具体地，如图6a中所图示，可以在晶片154上生长多个纳米金字塔122。可以使用纳米金字塔122组来创建微led 120。
86.转到图6b，图6b是用于显示器的背板156的简化框图。背板156可以是用于显示器108的背板。背板156可以包括针对显示器中的各个连接点的布线，并且将各个连接点连接至驱动器控制电路系统(例如，列驱动器、行驱动器、定时控制器等)。
87.在示例中，背板156可以是薄膜晶体管背板。更具体地，背板156可以是通过在支撑(但非导电的)衬底上方沉积活跃半导体层以及电介质层而制成的特殊类型的金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)。晶体管被嵌入在面板本身的内部，减少显示器108a中的像素之间的串扰，并改善图像稳定性。背板156可以用于控制微led(例如，微led 120a-120c)，尤其针对局部调光来进行控制。
88.转到图6c，图6c是背板156的简化框图。如图6c中所图示，可以向背板156添加微led接收垫158。微led接收垫158可以是铜接收垫或将接合至晶片154上的纳米金字塔122组(如图6a中所图示)的某种其他材料。
89.转到图6d，图6d是背板156的简化框图。如图6d中所图示，已经向背板156添加了微led接收垫158。具有可以用于创建微led 120的纳米金字塔122组的晶片154可以被定位在背板156上方、在背板156的包括微led接收垫158的区域中。
90.转到图6e，图6e是具有可以用于在背板156上创建微led 120的纳米金字塔122组的晶片154的简化框图。如图6e中所图示，具有可以用于创建微led 120的纳米金字塔122组的晶片154可以被定位在背板156上方、在背板156的包括微led接收垫158(未示出)的区域中。来自晶片154的纳米金字塔122可以接合至背板156、在包括微led接收垫158(未示出)的区域中
91.转到图6f，图6f是背板156上用于创建微led 120的纳米金字塔122组的简化框图。在纳米金字塔122已经接合至微led接收垫158(未示出)之后，可以将晶片154从背板156移除。纳米金字塔122将接合至背板156以创建微led 120。晶片154的其中保持纳米金字塔122的区域中的纳米金字塔122可以用于与另一背板接合，或者可以用于将更多的纳米金字塔122添加到背板156并创建更多的微led 120。
92.转到图6g，图6g是背板156上用于创建微led 120的纳米金字塔122组的简化框图。纳米金字塔led 122可以被连接在一起，以制成包括数百个纳米金字塔122、数千个纳米金字塔122或数百万个纳米金字塔122的微led 120。这一点的优势在于，如果一个纳米金字塔led(或10个纳米金字塔led或更多个)是不起作用的，则剩余的纳米金字塔led可以仍然起作用。这在成品率和成本方面给予了巨大的优势。而且，利用纳米金字塔led，可以创建红光的纳米金字塔led、可以创建绿光的纳米金字塔led以及可以创建蓝光的纳米金字塔led可以全部生长在同一晶片上。
93.转到图7，图7是根据本公开的实施例的具有纳米金字塔led的显示器108的简化图。在示例中，显示器108可以包括多个微led 120。每个微led 120可以包括多个纳米金字塔122。
94.在示例中，在背板156上可以有多个微led 120。背板156可以是用于显示器108的背板，并且可以包括针对显示器中的各个连接点的布线并将各个连接点连接至驱动器控制电路系统(例如，列驱动器、行驱动器、定时控制器等)。每个微led 120可以包括多个纳米金字塔122。多个纳米金字塔122中的每一个可以包括纳米金字塔干132和纳米金字塔体134。氮化硅层128可以帮助支撑和隔离每个纳米金字塔干132。第二氮化硅层146可以帮助支撑和隔离每个纳米金字塔体134。铝硅层150可以处于每个纳米金字塔体134下方，并且充当用于反射来自每个纳米金字塔的光的镜面。接收垫耦合层152可以处于铝硅层150下方，并且帮助将微led 120耦合至微led接收垫158和背板156。
95.转到图8，图8是根据本公开的实施例的具有纳米金字塔led的显示器108的简化图。在示例中，显示器108可以包括多个微led 120。每个微led 120可以包括多个纳米金字塔122。
96.在示例中，在背板156上可以有多个微led 120。背板156可以是用于显示器108的背板，并且可以包括针对显示器中的各个连接点的布线并将各个连接点连接至驱动器控制电路系统(例如，列驱动器、行驱动器、定时控制器等)。每个微led 120可以包括多个纳米金字塔122。多个纳米金字塔122中的每一个可以包括纳米金字塔干132和纳米金字塔体134。氮化硅层128可以帮助支撑和隔离每个纳米金字塔干132。第二氮化硅层146可以帮助支撑和隔离每个纳米金字塔体134。铝硅层150可以处于每个纳米金字塔体134下方，并且充当用于反射来自每个纳米金字塔的光的镜面。接收垫耦合层152可以处于铝硅层150下方，并且帮助将微led 120耦合至微led接收垫158和背板156。绝缘体160可以帮助隔离背板156上的
每个微led 120。绝缘体160可以是树脂、聚酰亚胺、氧化物或可以隔离背板156上的每个微led 120的某种其他材料。可以在微led 120上方创建铟锡氧化物(ito)层162。ito层162是导电的透明层，并且可以由ito或可以帮助保护微led 120的任何其他透明的导电材料组成。每个微led 120具有处于纳米金字塔体134中的阳极端子和处于纳米金字塔干132中的阴极端子，阳极端子电气地耦合至微led接收垫158和背板156，阴极端子电气地耦合至ito层162。
97.转到图9，图9是根据本公开的实施例的被配置成启用具有纳米金字塔led的显示器的电子设备100a的简化框图。在示例中，电子设备100a可以包括第一壳体102和第二壳体104。第一壳体102可以使用铰链106可枢转地耦合至第二壳体104。第一壳体102可以包括显示器108和定时控制器(tcon)110。第二壳体104可以包括键盘(未示出)、存储器112、一个或多个处理器114、以及一个或多个电子部件116。tcon 110是显示器侧的定时控制器。一个或多个处理器114可以包括显示引擎。一个或多个电子部件116可以是能够辅助电子设备100a的操作或功能的器件或器件组。电子设备100a(以及100b和100c)可使用网络170与云服务164、服务器166、和/或一个或多个网络元件168通信。在一些示例中，电子设备100a(以及100b和100c)可以是独立式设备且不连接至网络170或另一设备。
98.图9的元件可通过一个或多个接口彼此耦合，这一个或多个接口采用为网络(例如，网络170等)通信提供可行路径的任何合适的连接(有线的或无线的)。另外，可基于特定的配置需求组合图9的这些元件中的任何一个或多个元件，或将这些元件中的任何一个或多个元件从架构中移除。电子设备100a-100c可包括能够进行传输控制协议/网际协议(tcp/ip)通信以在网络中发射或接收分组的配置。电子设备100a-100c还可在适当的情况下并基于特定需要与用户数据报协议/ip(udp/ip)或任何其他合适的协议结合来进行操作。
99.转到图9的基础设施，一般而言，该系统可以在任何类型或拓扑的网络中实现。网络170表示用于接收和发射通过系统传播的信息分组的经互连的通信路径的一系列点或节点。网络170提供节点之间的通信接口，并且可被配置为任何局域网(lan)、虚拟局域网(vlan)、广域网(wan)、无线局域网(wlan)、城域网(man)、内联网、外联网、虚拟专用网(vpn)、以及促进网络环境中的通信(包括有线和/或无线通信)的任何其他适当的架构或系统、或上述各项的任何合适的组合。
100.在系统中，可以根据任何合适的通信消息收发协议来发送和接收网络通信量，网络通信量包括分组、帧、信号、数据等。合适的通信消息收发协议可以包括多层式方案(诸如，开放系统互连(osi)模型)，或多层式方案的任何衍生或变体(例如，传输控制协议/网际协议(tcp/ip)、用户数据报协议/ip(udp/ip))。可根据各种网络协议(例如，以太网、无限带宽(infiniband)、全方位路径(omnipath)等)来制作通过网络的消息。另外，还可在系统中提供通过蜂窝网络的无线电信号通信。可提供合适的接口和基础设施来启用与蜂窝网络的通信。
101.如本文中所使用的术语“分组”是指可在分组交换型网络上的源节点与目的地节点之间被路由的数据单元。分组包括源网络地址和目的地网络地址。这些网络地址可以是tcp/ip消息收发协议中的网际协议(ip)地址。如本文中所使用的术语“数据”是指任何类型的二进制、数值、语音、视频、文本、或脚本数据，或者任何类型的源代码或目标代码，或者可
从电子设备和/或网络中的一点传输到另一点的、以任何适当格式的任何其他合适的信息。数据可帮助确定网络元件的状态或网络的状态。另外，消息、请求、响应和查询是网络通信量的形式，因此可包括分组、帧、信号、数据等。
102.重要的是，要注意前述示图中的操作仅说明可能场景以及可能执行的模式中的一些。在适当的情况下可删除或移除这些操作中的一些操作，或者可以显著地修改或改变这些操作而不背离本公开的范围。另外，已将这些操作中的许多操作描述为与一个或多个附加的操作并发地或并行地执行。然而，可以显著地改变这些操作的定时。已出于示例和讨论的目的提供了前述操作流程。电子设备100a-100c提供了相当大的灵活性，因为可以提供任何合适的布置、时序、配置以及定时机制而不背离本公开的教导。
103.虽然已参考特定的布置和配置详细描述了本公开，但是可显著地改变这些示例配置和布置而不背离本公开的范围。此外，可基于特定需求和实现方式来组合、分离、消除或添加某些部件。另外，虽然已参照促进通信过程的特定元件和操作图示了电子设备100a-100c，但是这些元件和操作可由实现电子设备100a-100c的预期功能的任何合适的架构、协议和/或过程替换。
104.众多其他改变、替换、变体、更改和修改对本领域技术人员而言可以是确定的，并且本公开旨在将所有此类改变、替换、变体、更改和修改涵盖为落在所附权利要求书的范围内。为了协助美国专利商标局(uspto)以及附加地本技术上授权的任何专利的任何读者解释所附的权利要求书，申请人希望申明，申请人：(a)不旨在任何所附权利要求援引35u.s.c.第112部分第六(6)款(由于其在本技术之日已经存在)，除非词语“用于
……
的装置”或“用于
……
的步骤”被具体地用在特定权利要求中；以及(b)不旨在通过说明书中的任何陈述来以未在所附权利要求书中反映的任何方式来限制本公开。其他注释和示例
105.示例a1是一种显示背板，其中具有多个微发光二极管(微led)并且具有背板，其中，每个微led由多个纳米金字塔发光二极管(led)组成并且每个纳米金字塔led具有接收垫耦合层，其中，背板包括接收垫并且纳米金字塔led上的每个接收垫耦合层耦合至背板上的接收垫。
106.在示例a2中，如示例a1所述的主题可以任选地包括：其中，铝硅层、接收垫耦合层以及接收垫处于多个纳米金字塔led中的每个纳米金字塔led与背板之间。
107.在示例a3中，如示例a1-a2中任一项所述的主题可以任选地包括：每个纳米金字塔led包括纳米金字塔干和纳米金字塔体。
108.在示例a4中，如示例a1-a3中任一项所述的主题可以任选地包括：其中，纳米金字塔体处于纳米金字塔干与背板之间。
109.在示例a5中，如示例a1-a4中任一项所述的主题可以任选地包括：其中，氮化铟镓层确定纳米金字塔led的颜色。
110.在示例a6中，如示例a1-a5中任一项所述的主题可以任选地包括：其中，氮化铟镓层位于纳米金字塔体上方。
111.在示例a7中，如示例a1-a6中任一项所述的主题可以任选地包括：其中，显示器包括多个蓝色微led和多个绿色微led。
112.在示例a8中，如示例a1-a7中任一项所述的主题可以任选地包括：其中，显示器包
括多个蓝色微led、多个绿色微led和多个红色微led。
113.示例m1是一种方法，包括：在晶片上生长多个纳米金字塔发光二极管(led)，其中，这些纳米金字塔led中的每个纳米金字塔led具有接收垫耦合层；将该多个纳米金字塔led耦合至背板，其中，背板包括接收垫并且纳米金字塔led接收垫耦合层与背板接收垫耦合。
114.在示例m2中，如示例m1所述的主题可以任选地包括：使用激光将纳米金字塔led从晶片转移至背板。
115.在示例m3中，如示例m1-m2中任一项所述的主题可以任选地包括：其中，铝硅层、接收垫耦合层以及接收垫处于多个纳米金字塔led中的每个纳米金字塔led与背板之间。
116.在示例m4中，如示例m1-m3中任一项所述的主题可以任选地包括：其中，每个纳米金字塔led包括纳米金字塔干和纳米金字塔体。
117.在示例m5中，如示例m1-m4中任一项所述的主题可以任选地包括：其中，氮化铟镓层位于纳米金字塔体上方。
118.在示例m6中，如示例m1-m5中任一项所述的主题可以任选地包括：其中，氮化铟镓层确定从纳米金字塔led发射的颜色。
119.示例aa1是一种电子设备，该电子设备包括：存储器；一个或多个处理器；以及直视型发光二极管(led)显示器，该直视型led显示器包括：多个微led，其中，每个微led由多个纳米金字塔led组成并且每个纳米金字塔led具有接收垫耦合层；以及背板，其中，背板包括接收垫并且纳米金字塔led上的每个接收垫耦合层耦合至背板上的接收垫。
120.在示例aa2中，如示例aa1所述的主题可以任选地包括：其中，铝硅层、接收垫耦合层以及接收垫处于多个纳米金字塔led中的每个纳米金字塔led与背板之间。
121.在示例aa3中，如示例aa1-aa2中任一项所述的主题可以任选地包括：其中，每个纳米金字塔led包括纳米金字塔干和纳米金字塔体。
122.在示例aa4中，如示例aa1-aa3中任一项所述的主题可以任选地包括：其中，氮化铟镓层位于纳米金字塔体上方。
123.在示例aa5中，如示例aa1-aa4中任一项所述的主题可以任选地包括：其中，氮化铟镓层确定纳米金字塔led的颜色。
124.在示例aa6中，如示例aa1-aa5中任一项所述的主题可以任选地包括：其中，背板包括多个蓝色微led、多个绿色微led和多个红色微led。