基于自由形式光源的快速制定ADI的方法与流程

基于自由形式光源的快速制定adi的方法
技术领域
1.本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种基于自由形式光源的快速制定adi的方法。


背景技术：

2.对于先进节点的半导体芯片制造中，opc(光学邻近校正)在对掩膜版进行修正时会根据图形目标adi(显影后检测)值对设计芯片版图进行偏移，实现提高版图的光刻工艺窗口，减少晶圆缺陷。
3.目前对版图目标adi值的一般依据光刻工艺和已有经验设置初始值，经过运行完opc根据结果再作多轮的调整。对于传统的光源可以根据已有充足经验容易地设置合适adi初始值，但对于14nm节点以下等先进节点工艺，光源是由smo(光源掩模协同优化技术)产生的自由形式光源，没有经验去设置合适的初始adi值，这可能需要多轮的调整，才能得到合适的adi值。
4.为此，需要一种新型的adi制定方法，用于缩减adi值的调整次数，减少工作量，加快掩膜版的出版进度，为芯片制造后续工艺争取更多的时间。


技术实现要素：

5.鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种基于自由形式光源的快速制定adi的方法，用于解决现有技术中对于14nm节点以下等先进节点工艺，光源是由光源掩模协同优化技术产生的自由形式光源，没有经验去设置合适的初始adi值，这可能需要多轮的调整，才能得到合适的adi值的问题。
6.为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种基于自由形式光源的快速制定adi的方法包括：
7.步骤一、获取光源文件，所述光源文件为在一个半径为1的圆内的取样点，每个所述取样点均记录一个光强值，用于形成光刻机可读的光源，每个所述取样点均记录其x坐标、y坐标和光强；
8.步骤二、根据每个所述取样点的光强分解得到x方向的第一光强和y方向的第二光强；
9.步骤三、对全部所述取样点的所述第一光强和所述第二光强分别求和得到第一总光强和第二总光强，之后计算所述第一总光强与所述第二总光强的光强比；
10.步骤四、提供版图，获取所述版图中连接孔x方向长度的第一设计值和y方向长度的第二设计值，以所述连接孔刻蚀后的偏差值与所述第一设计值的总和作为x方向的第一adi值，以所述第一adi值与所述光强比的比值作为y方向的第二adi值。
11.优选地，所述方法还包括步骤五、以所述第一adi值和所述第二adi值设定对原始芯片设计版图进行adi值设定和平均标准偏差的添加，之后运行opc对晶圆验证。
12.优选地，所述方法还包括步骤六、保持所述第一adi值不变，改变第二adi值，得到
每个所述第二adi值下的光刻窗口。
13.优选地，步骤四中的所述版图包括孔型形状的图形和长条型形状的图形。
14.优选地，步骤四中的所述版图包括第一图层、第二图层以及用于连接两者的第三图层。
15.优选地，所述第三图层包括多个所述连接孔。
16.优选地，步骤四中的所述连接孔的长和宽均不大于50纳米。
17.优选地，步骤三中的所述光强比为0.871。
18.优选地，步骤四中的所述第一设计值为40纳米，第二设计值为50纳米，以所述偏差值与所述第一设计值的总和得到第一adi值为65纳米，以所述第一adi值与所述光强比的比值得到第二adi值为75纳米。
19.如上所述，本发明的基于自由形式光源的快速制定adi的方法，具有以下有益效果：
20.本发明在版图制定之初，在已有光源的条件下，通过对xy方向光强比，代入adi目标值设定，可以减少对原始芯片设计版图进行adi值设定和平均标准偏差的添加的adi目标值设定迭代次数，减少opc调试时间，加快出版。
附图说明
21.图1显示为现有技术的光源文件示意图；
22.图2显示为现有技术的一种版图示意图；
23.图3显示为现有技术的连接孔桥接示意图；
24.图4显示为本发明的光刻窗口示意图；
25.图5显示为本发明的光刻窗口验证示意图；
26.图6显示为本发明的工艺流程示意图。
具体实施方式
27.以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
28.请参阅图6，本发明提供一种基于自由形式光源的快速制定adi的方法包括：
29.步骤一，获取光源文件，光源文件为在一个半径为1的圆内，每个取样点均记录一个光强值，用于形成光刻机可读的光源，每个取样点均记录其x坐标、y坐标和光强；
30.在一种可选的实施方案中，如图1为14nm节点的光源。光源值为(x,y,i)，x和y为坐标，i为此处的光强。对光源xy方向分别分解方法如下：
31.1.假设第i个取样点，其光源值为(xi,yi,ii)。
32.2.x方向光强分解值为iix＝ii*xi/(xi2 yi2)1/2
33.3.y方向光强分解值为iiy＝ii*yi/(xi2 yi2)1/2
34.步骤二，可用脚本使用循环的方式，根据每个取样点的光强分解得到x方向的第一光强和y方向的第二光强；
35.步骤三，对全部第一光强和全部第二光强分别求和得到第一总光强和第二总光强，之后计算第一总光强与第二总光强的光强比，即光源x方向的光强与光源y方向的比值；
36.步骤四，提供版图，通常情况下连接孔的版图设计形状为矩形，获取版图中连接孔x方向长度的第一设计值和y方向长度的第二设计值，以连接孔刻蚀后的偏差值与第一设计值的总和作为x方向的第一adi值，以第一adi值与光强比的比值作为y方向的第二adi值。
37.在一种可选的实施方案中，步骤四中的所述版图包括孔型形状的图形和长条型形状的图形。
38.在一种可选的实施方案中，步骤四中的版图包括第一图层、第二图层以及用于连接两者的第三图层。
39.在一种可选的实施方案中，请参阅图2，在sram691的版图中，m0p层是用于联结po和v0层，版图类型比较复杂，所以通过smo优化得到光源为自由形式。对于此类非传统光源，版图的adi目标值设定没有统一的经验，正常是加上刻蚀偏差后的值设为adi值。其中sram691版图，其中最难的是m0p s1两孔的大小只有50纳米，而且不能再增大，所以此处有很大的桥接风险(如图3)，因此在设置adi值时需要着重考虑这两个对边的pvb。
40.请参阅图4，pvb为在佳光刻条件，条件中关键尺寸最大值与关键尺寸最小值的差，pvb值越小，光刻窗口越大。
41.在一种可选的实施方案中，第三图层包括多个连接孔。
42.在一种可选的实施方案中，步骤四中的连接孔的长和宽均不大于50纳米。
43.在一种可选的实施方案中，步骤三中的光强比为0.871。
44.在一种可选的实施方案中，步骤四中的第一设计值为40纳米，第二设计值为50纳米，以偏差值与第一设计值的总和得到第一adi值为65纳米，以第一adi值与光强比的比值得到第二adi值为75纳米。
45.在一种可选的实施方案中，方法还包括步骤五，读取修正原始的芯片设计版图后，以第一adi值和第二adi值设定对原始芯片设计版图进行adi值设定和平均标准偏差的添加，芯片版图图形的形成主要由光刻和干刻两道工艺，为了光刻工艺窗口，需要设定合理的光刻adi，光刻以后再由干刻和其他工艺实现最终芯片设计wafer转移，再对原始芯片设计版图，基于光刻工艺模型，对版图进行修正，生成芯片mask版图文件，之后运行opc对晶圆验证。
46.在一种可选的实施方案中，方法还包括步骤六，保持第一adi值不变，改变第二adi值，得到每个第二adi值下的光刻窗口。
47.在一种可选的实施方案中，请参阅图5，保持第一adi值(x方向的关键尺寸)为65nm，改变第二adi值(y方向的关键尺寸)，经验证得到pvb的最小值，此时光刻窗口最大。
48.需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
49.综上所述，本发明在版图制定之初，在已有光源的条件下，通过对xy方向光强比，代入adi目标值设定，可以减少对原始芯片设计版图进行adi值设定和平均标准偏差的添加的adi目标值设定迭代次数，减少opc调试时间，加快出版。所以，本发明有效克服了现有技
术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
50.上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。