发光元件的制作方法

1.本发明涉及一种发光元件，更详细地，涉及一种发光层包括多环化合物的发光元件。


背景技术：

2.最近，作为影像显示装置，正在大力进行有机电致发光显示装置(organic electroluminescence display)的开发。有机电致发光显示装置与液晶显示装置等不同，是通过使从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在发光层再结合，从而使发光层的包括有机化合物的发光材料发光而实现显示的所谓自发光型的显示装置。
3.在将发光元件应用到显示装置时，需要发光元件的低驱动电压化、高发光效率化以及长寿命化，并且持续地需要开发能够稳定地实现这些的发光元件用材料。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种长寿命的发光元件。
5.一实施例提供一种发光元件，包括：第一电极；第二电极，布置于所述第一电极上；以及发光层，布置于所述第一电极与所述第二电极之间，并且包括由下述化学式1表示的多环化合物，其中，所述第一电极以及所述第二电极分别独立地包括选自ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif、mo、ti、w、in、sn以及zn中的至少一个、选自它们中的两种以上的化合物、选自它们中的两种以上的混合物、它们的氧化物或者具有lif/ca或lif/al的多层结构的材料。
6.[化学式1]
[0007][0008]
在所述化学式1中，m和n分别独立地为0或1，o为0以上3以下的整数，x1至x4分别独立地为nra、crbrc、o或者s，y1以及y2分别独立地为nrd、o或者s，r1至r
20
以及ra至rd分别独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、被取代或未被取代的胺基、被取代或未被取代的碳原子数为1以上20以下的烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的芳基或者被
取代或未被取代的成环碳原子数为3以上30以下的杂芳基。
[0009]
所述化学式1可以由下述化学式2-1或者下述化学式2-2表示。
[0010]
[化学式2-1]
[0011][0012]
[化学式2-2]
[0013][0014]
在所述化学式2-1以及所述化学式2-2中，n、o、x1至x4、y1、y2以及r1至r
20
可以与在所述化学式1中的定义相同，在所述化学式2-2中，o1可以为0或者1。
[0015]
所述化学式1可以由下述化学式3-1至下述化学式3-3中的任意一个表示。
[0016]
[化学式3-1]
[0017][0018]
[化学式3-2]
[0019][0020]
[化学式3-3]
[0021]
[0022]
在所述化学式3-1至所述化学式3-3中，m至o、x1至x4、y1、y2以及r1至r
20
可以与在所述化学式1中的定义相同，在所述化学式3-1以及所述化学式3-2中，o1可以为0或者1。
[0023]
在所述化学式3-1中，r
11
至r
18
中的至少一个可以为未被取代的苯基。
[0024]
所述化学式1可以由下述化学式4-1至下述化学式4-3中的任意一个表示。
[0025]
[化学式4-1]
[0026][0027]
[化学式4-2]
[0028][0029]
[化学式4-3]
[0030][0031]
在所述化学式4-1以及所述化学式4-3中，m至n、x1至x4以及r1至r
20
可以与在所述化学式1中的定义相同，rd1以及rd2可以分别独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、被取代或未被取代的胺基、被取代或未被取代的碳原子数为1以上20以下的烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上30以下的杂芳基。
[0032]
在所述化学式1中，x1至x4中的至少一个可以为nra，ra可以为被取代或未被取代的苯基、被取代或未被取代的联苯基以及被取代或未被取代的三联苯基中的任意一个。
[0033]
在所述化学式1中，y1以及y2中的至少一个可以为nrd，rd可以为被取代或未被取代的苯基。
[0034]
所述发光层可以包括掺杂剂以及主体，所述掺杂剂可以包括所述多环化合物。
[0035]
所述发光层可以发出热活性延迟荧光。
[0036]
所述发光层可以发出发光中心波长为430nm以上490nm以下的光。
[0037]
所述r1至r
20
可以均为重氢原子。
[0038]
一实施例提供一种发光元件，包括：第一电极；第二电极，布置于所述第一电极上；发光层，布置于所述第一电极与所述第二电极之间，并且包括由下述化学式1a表示的多环化合物；以及封盖层，布置于所述发光层上，折射率为1.6以上。
[0039]
[化学式1a]
[0040][0041]
在所述化学式1a中，在w1至w6中，由选自w1至w3中的彼此相邻的两个构成的一对以
及由选自w4至w6中的彼此相邻的两个构成的一对中的至少一对可以与由化学式2a表示的取代基连接，其余可以分别独立地为cre，x1至x4可以分别独立地为nra、crbrc、o或者s，r1至r
10
、ra至rc以及re可以分别独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、被取代或未被取代的胺基、被取代或未被取代的碳原子数为1以上20以下的烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为3以上30以下的杂芳基。
[0042]
[化学式2a]
[0043][0044]
在所述化学式2a中，y可以为nrd、o或s，r
11
至r
14
以及rd可以分别独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、被取代或未被取代的胺基、被取代或未被取代的碳原子数为1以上20以下的烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的芳基或者被取代或未被取代的碳原子数为3以上30以下的杂芳基。
[0045]
所述化学式2a可以由化学式3a-1或者化学式3a-2表示。
[0046]
[化学式3a-1]
[0047][0048]
[化学式3a-2]
[0049][0050]
在所述化学式3a-1中，y1可以为nrd1、o或s，y1可以与w1或者w2结合，r
11a
至r
14a
以及rd1可以分别独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、被取代或未被取代的胺基、被取代或未被取代的碳原子数为1以上20以下的烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的芳基或者被取代或未被取代的碳原子数为3以上30以下的杂芳基，在所述化学式3a-2中，y2可以为nrd2、o或s，y2可以与w5或w6结合，r
11b
至r
14b
以及rd2可以分别独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、被取代或未被取代的胺基、被取代或未被取代的碳原子数为1以上20以下的烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的芳基或者被取代或未被取代的碳原子数为3以上30以下的杂芳基。
[0051]
如果所述化学式3a-1与w1以及w2结合，则所述化学式3a-2可以与w5以及w6结合。
[0052]
所述化学式3a-1中的y1可以与所述化学式3a-2中的y2相同。
[0053]
所述化学式2a可以由下述化学式4a-1至下述化学式4a-3表示。
[0054]
[化学式4a-1]
[0055][0056]
[化学式4a-2]
[0057][0058]
[化学式4a-3]
[0059][0060]
在所述化学式4a-1至所述化学式4a-3中，r
11
至r
14
以及rd可以与在所述化学式2a中的定义相同。
[0061]
在所述化学式1a中，x1至x4中的至少一个可以为nra，ra可以为被取代或未被取代的苯基、被取代或未被取代的联苯基以及被取代或未被取代的三联苯基中的任意一个。
[0062]
在所述化学式2a，y可以为nrd，rd为被取代或未被取代的苯基。
[0063]
所述发光层可以包括在下述化合物群1示出的化合物中的至少一个。
[0064]
一实施例的发光元件可以通过在发光层包括一实施例的多环化合物而表现出长寿命特性。
附图说明
[0065]
图1是示出显示装置的一实施例的平面图。
[0066]
图2是一实施例的显示装置的剖面图。
[0067]
图3是示意性地示出根据一实施例的发光元件的剖面图。
[0068]
图4是示意性地示出根据一实施例的发光元件的剖面图。
[0069]
图5是示意性地示出根据一实施例的发光元件的剖面图。
[0070]
图6是示意性地示出根据一实施例的发光元件的剖面图。
[0071]
图7是关于根据一实施例的显示装置的剖面图。
[0072]
图8是关于根据一实施例的显示装置的剖面图。
[0073]
【附图标记的说明】
[0074]
dd、dd-td：显示装置
[0075]
ed：发光元件
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
el1：第一电极
[0076]
el2：第二电极
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
htr：空穴传输区域
[0077]
eml：发光层
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
etr：电子传输区域
具体实施方式
[0078]
本发明可以进行多种变更，并且可以具有多种形态，在附图中举例示出特定实施例并在本文中进行详细说明。然而，其并不旨在将本发明限定在特定的公开形态，应当理解为包含本发明的思想以及技术范围所包括的所有变更、等同物以及替代物。
[0079]
在说明各图时，对相似的构成要素使用了相似的附图标记。在附图中，为了本发明的明确性，相比实际而放大示出了结构物的尺寸。第一、第二等术语可以用于说明多种构成要素，但所述构成要素不应被所述术语限定。所述术语仅用于将一个构成要素与另一构成要素进行区分的目的。例如，在不脱离本发明的权利范围的情形下，第一构成要素可以被命名为第二构成要素，相似地，第二构成要素也可以被命名为第一构成要素。单数的表述只要在语境中没有明确表示出不同含义，便包括复数的表述。
[0080]
在本技术中，“包括”或者“具有”等术语应当被理解为旨在指定说明书中所记载的特征、数字、步骤、操作、构成要素、部件或者其组合的存在，而不是预先排除一个或者其以上的其他特征或者数字、步骤、操作、构成要素、部件或者其组合的存在或者附加的可能性。
[0081]
在本技术中，在提及层、膜、区域、板等部分位于另一部分“之上”或者“上部”的情形下，其不仅包括位于另一部分“紧邻的上方”的情形，还包括在两者中间还存在其他部分的情形。相反，在提及层、膜、区域、板等部分位于另一部分“之下”或者“下部”的情形下，其不仅包括位于另一部分“紧邻的下方”的情形，还包括在两者中间还存在其他部分的情形。并且，在本技术中，提及布置在“之上”时不仅可以包括布置在上部的情形，还可以包括布置在下部的情形。
[0082]
在本说明书中，“被取代或未被取代”可以表示被选自由重氢原子、卤素原子、氰基、硝基、氨基、甲硅烷基、氧基、硫基、亚磺酰基、磺酰基、羰基、硼基、氧化膦基、硫化膦基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、烃环基、芳基以及杂环基构成的群中的一个以上的取代基取代或者未被取代的情形。并且，上述例示的取代基分别可以是被取代或未被取代的取代基。例如，联苯基可以被解释为芳基，也可以被解释为被苯基取代的苯基。
[0083]
在本说明书中，“与相邻的基团彼此结合而成环”可以表示与相邻的基团彼此结合而形成被取代或未被取代的烃环或者形成被取代或未被取代的杂环的情形。烃环包括脂肪族烃环和芳香族烃环。杂环包括脂肪族杂环和芳香族杂环。烃环以及杂环可以是单环或者多环。并且，彼此结合而形成的环可以与其他环连接而形成螺结构。
[0084]
在本说明书中，“相邻的基团”可以表示在与被相应取代基取代的原子直接连接的原子取代的取代基、在被相应取代基取代的原子取代的另一取代基或者在立体结构上与相应取代基最邻近的取代基。例如，在1,2-二甲苯(1,2-dimethylbenzene)中，两个甲基可以被解释为是“相邻的基团”，在1,1-二乙基环戊烷(1,1-diethylcyclopentane)中，两个乙基可以被解释为是彼此“相邻的基团”。并且，在4,5-二甲基菲(4,5-dimethylphenanthrene)中，两个甲基可以被解释为是彼此“相邻的基团”。
[0085]
在本说明书中，卤素原子的示例有氟原子、氯原子、溴原子或者碘原子。
[0086]
在本说明书中，烷基可以是直链、支链或环形。烷基的碳原子数为1以上50以下、1以上30以下、1以上20以下、1以上10以下或者1以上6以下。烷基的示例可以有甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、2-乙基丁基、3,3-二甲基丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、环戊基、1-甲基戊基、3-甲基戊基、2-乙基戊基、4-甲基-2-戊基、正己
基、1-甲基己基、2-乙基己基、2-丁基己基、环己基、4-甲基环己基、4-叔丁基环己基、正庚基、1-甲基庚基、2,2-二甲基庚基、2-乙基庚基、2-丁基庚基、正辛基、叔辛基、2-乙基辛基、2-丁基辛基、2-己基辛基、3,7-二甲基辛基、环辛基、正壬基、正癸基、金刚烷基、2-乙基癸基、2-丁基癸基、2-己基癸基、2-辛基癸基、正十一烷基、正十二烷基、2-乙基十二烷基、2-丁基十二烷基、2-己基十二烷基、2-辛基十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、2-乙基十六烷基、2-丁基十六烷基、2-己基十六烷基、2-辛基十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基、正二十烷基、2-乙基二十烷基、2-丁基二十烷基、2-己基二十烷基、2-辛基二十烷基、正二十一烷基、正二十二烷基、正二十三烷基、正二十四烷基、正二十五烷基、正二十六烷基、正二十七烷基、正二十八烷基、正二十九烷基以及正三十烷基等，但并不限于此。
[0087]
在本说明书中，烃环基表示衍生自脂肪族烃环的任意的官能团或取代基。烃环基可以是成环碳原子数为5以上20以下的饱和烃环基。
[0088]
在本说明书中，芳基表示衍生自芳香族烃环的任意官能团或者取代基。芳基可以是单环芳基或者多环芳基。芳基的成环碳原子数可以为6以上30以下、6以上20以下或者6以上15以下。芳基的示例可以有苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、四联苯基、五联苯基(quinquephenyl)、六联苯基、苯并[9,10]菲基、芘基、苯并荧蒽基、基等，但并不限于此。
[0089]
在本说明书中，芴基可以被取代，也可以两个取代基彼此结合而形成螺结构。芴基被取代的情形的示例如下所述。然而，并不限于此。
[0090][0091]
在本说明书中，杂环基表示衍生自包括b、o、n、p、si以及s中的一个以上作为杂原子的环的任意的官能团或者取代基。杂环基包括脂肪族杂环基和芳香族杂环基。芳香族杂环基可以为杂芳基。脂肪族杂环和芳香族杂环可以是单环或者多环。
[0092]
在本说明书中，杂环基可以包括b、o、n、p、si以及s中的一个以上作为杂原子。在杂环基包括两个以上的杂原子的情形下，两个以上的杂原子可以相同，也可以相异。杂环基可以是单环式杂环基或者多环式杂环基，并且为包括杂芳基的概念。杂环基的成环碳原子数可以为2以上30以下，2以上20以下或者2以上10以下。
[0093]
在本说明书中，脂肪族杂环基可以包括b、o、n、p、si以及s中的一个以上作为杂原子。脂肪族杂环基的成环碳原子数可以为2以上30以下，2以上20以下或者2以上10以下。脂肪族杂环基的示例有环氧乙烷基、硫杂环丙烷基、吡咯烷基、哌啶基、四氢呋喃基、四氢噻吩基、噻烷基(thiane)、四氢吡喃基、1,4-二噁烷等，但并不限于此。
[0094]
本说明书中，杂芳基可以包括b、o、n、p、si以及s中的一个以上作为杂原子。在杂芳基包括两个以上的杂原子的情形下，两个以上的杂原子可以彼此相同，也可以彼此不同。杂芳基可以是单环型杂环基或者多环型杂芳基。杂芳基的成环碳原子数可以为2以上30以下、2以上20以下或者2以上10以下。杂芳基的示例有噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、
吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、n-芳基咔唑基、n-杂芳基咔唑基、n-烷基咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、噻唑基、异噁唑基、噁唑基、噁二唑基、噻二唑基、吩噻嗪基、二苯并噻咯(dibenzosilole)基和二苯并呋喃基等，但并不限于此。
[0095]
在本说明书中，除了亚芳基为二价基以外，可以适用关于前述的芳基的说明。除了亚杂芳基为二价基以外，可以适用关于前述的杂芳基的说明。
[0096]
在本说明书中，甲硅烷基包括烷基甲硅烷基和芳基甲硅烷基。甲硅烷基的示例有三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基等，但并不限于此。
[0097]
在本说明书中，氨基的碳原子数虽不受特别限制，但可以为1以上30以下。氨基可以包括烷基氨基、芳基氨基或者杂芳基氨基。氨基的示例有甲基氨基、二甲基氨基、苯基氨基、二苯基氨基、萘基氨基、9-甲基-蒽基氨基等，但并不限于此。
[0098]
在本说明书中，羰基的碳原子数虽不受特别限制，但可以为1以上40以下，1以上30以下或者1以上20以下。例如，虽然可以具有下述结构，但并不限于此。
[0099][0100]
在本说明书中，亚磺酰基和磺酰基的碳原子数虽不受特别限制，但可以为1以上30以下。亚磺酰基可以包括烷基亚磺酰基和芳基亚磺酰基。磺酰基可以包括烷基磺酰基和芳基磺酰基。
[0101]
在本说明书中，硫醇基可以包括烷基硫基和芳基硫基。硫醇基可以表示在被定义的所述烷基或者芳基结合有硫原子的情形。硫醇基的示例有甲基硫基、乙基硫基、丙基硫基、戊基硫基、己基硫基、辛基硫基、十二烷基硫基、环戊基硫基、环己基硫基、苯基硫基、萘基硫基等，但并不限于此。
[0102]
在本说明书中，氧基可以包括烷氧基和芳氧基。氧基可以表示在被定义的所述烷基或者芳基结合有氧原子的情形。烷氧基可以是直链、支链或者环链。烷氧基的碳原子数虽不受特别限制，但可以为例如，1以上20以下或者1以上10以下。氧基的示例有甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、苄氧基，但并不限于此。
[0103]
在本说明书中，硼基包括烷基硼基和芳基硼基。硼基可以表示在被定义的所述烷基或芳基结合有硼原子的情形。硼基的示例有三甲基硼基、三乙基硼基、叔丁基二甲基硼基、三苯基硼基、二苯基硼基、苯基硼基等，但并不限于此。
[0104]
在本说明书中，烯基可以是直链或支链。碳原子数虽不受特别限制，但为2以上30以下，2以上20以下或者2以上10以下。烯基的示例有乙烯基、1-丁烯基、1-戊烯基、1,3-丁二烯基、苯乙烯基、苯乙烯基乙烯基等，但并不限于此。
[0105]
在本说明书中，胺基的碳原子数虽不受特别限制，但可以为1以上30以下。胺基可
以包括烷基胺基和芳基胺基。胺基的示例有甲基胺基、二甲基胺基、苯基胺基、二苯基胺基、萘基胺基、9-甲基-蒽基胺基、三苯基胺基等，但并不限于此。
[0106]
在本说明书中，烷基硫基、烷基亚硫氧基、烷基芳基、烷基氨基、烷基硼基、烷基甲硅烷基、烷基胺基中的烷基与前述烷基的示例相同。
[0107]
在本说明书中，芳基氧基(或称为“芳氧基”)、芳基硫基、芳基亚硫氧基、芳基氨基、芳基硼基、芳基甲硅烷基、芳基胺基中的芳基与前述芳基的示例相同。
[0108][0109]
以下，参照附图对根据本发明的一实施例进行说明。
[0110]
图1是示出显示装置dd的一实施例的平面图。图2是一实施例的显示装置dd的剖面图。图2是示出与图1的i-i'线对应的部分的剖面图。
[0111]
显示装置dd可以包括：显示面板dp；以及光学层pp，布置在显示面板dp上。显示面板dp包括发光元件ed-1、ed-2、ed-3。显示装置dd可以包括多个发光元件ed-1、ed-2、ed-3。光学层pp可以布置在显示面板dp上以控制由外部光引起的在显示面板dp处的反射光。光学层pp例如可以包括偏光层或者滤色器层。此外，与图中所示情形不同地，在一实施例的显示装置dd中，光学层pp可以被省略。
[0112]
在光学层pp上可以布置有基础基板bl。基础基板bl可以是提供布置光学层pp的基础面的部件。基础基板bl可以是玻璃基板、金属基板、塑料基板等。然而，实施例并不限于此，基础基板bl可以是无机层、有机层或者复合材料层。并且，与图示情形不同地，在一实施例中，基础基板bl可以被省略。
[0113]
根据一实施例的显示装置dd还可以包括填充层(未示出)。填充层(未示出)可以布置在显示元件层dp-ed和基础基板bl之间。填充层(未示出)可以是有机物层。填充层(未示出)可以包括丙烯酸系树脂、硅系树脂以及环氧系树脂中的至少一个。
[0114]
显示面板dp可以包括基础层bs、布置在基础层bs上的电路层dp-cl以及显示元件层dp-ed。显示元件层dp-ed可以包括：像素限定膜pdl；发光元件ed-1、ed-2、ed-3，布置在像素限定膜pdl之间；以及封装层tfe，布置在发光元件ed-1、ed-2、ed-3上。
[0115]
基础层bs可以是提供布置显示元件层dp-ed的基础面的构件。基础层bs可以是玻璃基板、金属基板、塑料基板等。然而，实施例并不限于此，基础层bs可以是无机层、有机层或者复合材料层。
[0116]
在一实施例中，电路层dp-cl布置在基础层bs上，电路层dp-cl可以包括多个晶体管(未示出)。晶体管(未示出)可以分别包括控制电极、输入电极以及输出电极。例如，电路层dp-cl可以包括用于驱动显示元件层dp-ed的发光元件ed-1、ed-2、ed-3的开关晶体管和驱动晶体管。
[0117]
发光元件ed-1、ed-2、ed-3中的每一个可以具有后述的根据图3至图6的一实施例的发光元件ed的结构。发光元件ed-1、ed-2、ed-3中的每一个可以包括第一电极el1、空穴传输区域htr、发光层eml-r、eml-g、eml-b、电子传输区域etr以及第二电极el2。
[0118]
在图2示出了如下实施例：发光元件ed-1、ed-2、ed-3的发光层eml-r、eml-g、eml-b布置在由像素限定膜pdl限定的开口部oh内，空穴传输区域htr、电子传输区域etr以及第二
电极el2作为公共层而提供于整个发光元件ed-1、ed-2、ed-3。然而，实施例并不限于此，与图2所示情形不同地，在一实施例中，空穴传输区域htr和电子传输区域etr可以被图案化而提供于由像素限定膜pdl限定的开口部oh内部。例如，在一实施例中，发光元件ed-1、ed-2、ed-3的空穴传输区域htr、发光层eml-r、eml-g、eml-b以及电子传输区域etr等可以利用喷墨印刷方法进行图案化而提供。
[0119]
封装层tfe可以覆盖发光元件ed-1、ed-2、ed-3。封装层tfe可以密封显示元件层dp-ed。封装层tfe可以是薄膜封装层。封装层tfe可以是一层或者由多个层堆叠而成。封装层tfe包括至少一个绝缘层。根据一实施例的封装层tfe可以包括至少一个无机膜(以下，称作封装无机膜)。并且，根据一实施例的封装层tfe可以包括至少一个有机膜(以下，称作封装有机膜)和至少一个封装无机膜。
[0120]
封装无机膜保护显示元件层dp-ed免受水分/氧气的影响，封装有机膜保护显示元件层dp-ed免受诸如灰尘颗粒等异物的影响。封装无机膜可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛或者氧化铝等，但并不特别限于此。封装有机膜可以包括丙烯酸系化合物、环氧系化合物等。封装有机膜可以包括能够光聚合的有机物质，但并不特别限于此。
[0121]
封装层tfe可以布置在第二电极el2上，并且可以布置为填充开口部oh。
[0122]
参照图1和图2，显示装置dd可以包括非发光区域npxa和发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b。发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b分别可以是发出分别从发光元件ed-1、ed-2、ed-3生成的光的区域。发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b可以在平面上彼此相隔。
[0123]
发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b中的每一个可以是由像素限定膜pdl划分的区域。非发光区域npxa是相邻的发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b之间的区域，可以是与像素限定膜pdl对应的区域。此外，在本说明书中，发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b可以分别与像素(pixel)对应。像素限定膜pdl可以划分发光元件ed-1、ed-2、ed-3。发光元件ed-1、ed-2、ed-3的发光层eml-r、eml-g、eml-b可以通过布置在由像素限定膜pdl限定的开口部oh而被区分。
[0124]
发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b可以根据在发光元件ed-1、ed-2、ed-3生成的光的颜色而被划分为多个组。在图1和图2所示的一实施例的显示装置dd中，示例性地示出了发出红色光、绿色光以及蓝色光的三个发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b。例如，一实施例的显示装置dd可以包括可以彼此区分的红色发光区域pxa-r、绿色发光区域pxa-g以及蓝色发光区域pxa-b。
[0125]
在根据一实施例的显示装置dd中，多个发光元件ed-1、ed-2、ed-3可以发出彼此不同的波段的光。例如，在一实施例中，显示装置dd可以包括发出红色光的第一发光元件ed-1、发出绿色光的第二发光元件ed-2以及发出蓝色光的第三发光元件ed-3。即，显示装置dd的红色发光区域pxa-r、绿色发光区域pxa-g以及蓝色发光区域pxa-b可以分别对应于第一发光元件ed-1、第二发光元件ed-2以及第三发光元件ed-3。
[0126]
然而，实施例并不限于此，第一发光元件至第三发光元件ed-1、ed-2、ed-3可以发出相同波段的光，或者其中的至少一个可以发出不同波段的光。例如，第一发光元件至第三发光元件ed-1、ed-2、ed-3可以均发出蓝色光。
[0127]
根据一实施例的显示装置dd中的发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b可以排列为条纹形态。参照图1，多个红色发光区域pxa-r、多个绿色发光区域pxa-g以及多个蓝色发光区域pxa-b可以分别沿着第二方向轴dr2排列。并且，也可以沿第一方向轴dr1而以红色发光区域
pxa-r、绿色发光区域pxa-g以及蓝色发光区域pxa-b的顺序交替排列。
[0128]
在图1和图2中示出了发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b的面积均相似的情形，但实施例并不限于此，发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b的面积可以根据发出光的波段而彼此不同。此外，发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b的面积可以表示在从由第一方向轴dr1和第二方向轴dr2定义的平面上观察时的面积。
[0129]
此外，发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b的排列形态并不限于图1所示的情形，红色发光区域pxa-r、绿色发光区域pxa-g以及蓝色发光区域pxa-b的排列顺序可以根据显示装置dd所需的显示品质的特性而多样地组合并提供。例如，发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b的排列形态可以具有五片瓦(pentile)排列形态者或钻石排列形态。
[0130]
并且，发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b的面积可以彼此相异。例如，在一实施例中，绿色发光区域pxa-g的面积可以小于蓝色发光区域pxa-b的面积，但实施例并不限于此。
[0131]
以下，图3至图6是示意性地示出根据一实施例的发光元件的剖面图。根据一实施例的发光元件ed可以包括依次堆叠的第一电极el1、空穴传输区域htr、发光层eml、电子传输区域etr以及第二电极el2。
[0132]
相比图3，图4示出了空穴传输区域htr包括空穴注入层hil以及空穴传输层htl，电子传输区域etr包括电子注入层eil和电子传输层etl的一实施例的发光元件ed的剖面图。并且，相比图3，图5示出了空穴传输区域htr包括空穴注入层hil、空穴传输层htl以及电子阻挡层ebl，电子传输区域etr包括电子注入层eil、电子传输层etl以及空穴阻挡层hbl的一实施例的发光元件ed的剖面图。相比图4，图6示出了包括布置在第二电极el2上的封盖层cpl的一实施例的发光元件ed的剖面图。
[0133]
第一电极el1具有导电性。第一电极el1可以由金属材料、金属合金或者导电性化合物形成。第一电极el1可以是阳极(anode)或者阴极(cathode)。然而，实施例并不限于此。并且，第一电极el1可以是像素电极。第一电极el1可以是透射型电极、半透射型电极或者反射型电极。在第一电极el1是透射型电极的情形下，第一电极el1可以包括透明金属氧化物，例如，氧化铟锡(ito：indium tin oxide)、氧化铟锌(izo：indium zinc oxide)、氧化锌(zno：zinc oxide)、氧化铟锡锌(itzo：indium tin zinc oxide)等。在第一电极el1为半透射型电极或者反射型电极的情形下，第一电极el1可以包括ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif、mo、ti、w、它们的化合物和混合物(例如，ag和mg的混合物)以及具有诸如lif/ca或lif/al的多层结构的材料中的至少一个。或者，第一电极el1可以是包括由所述物质形成的反射膜或者半透射膜以及由氧化铟锡(ito：indium tin oxide)、氧化铟锌(izo：indium zinc oxide)、氧化锌(zno：zinc oxide)、氧化铟锡锌(itzo：indium tin zinc oxide)等形成的透明导电膜的多个层结构。例如，第一电极el1可以具有ito/ag/ito的三层结构，但并不限于此。并且，实施例并不限于此，第一电极el1可以包括上述金属材料、选自上述金属材料中的两种以上的金属材料的组合或者上述金属材料的氧化物等。第一电极el1的厚度可以为大约至大约例如，第一电极el1的厚度可以为大约至大约
[0134]
空穴传输区域htr被提供在第一电极el1上。空穴传输区域htr可以包括空穴注入层hil、空穴传输层htl、缓冲层或者发光辅助层(未示出)以及电子阻挡层ebl中的至少一
个。空穴传输区域htr的厚度例如可以为大约至大约
[0135]
空穴传输区域htr可以具有由单一物质构成的单一层结构、由多个彼此不同的物质构成的单一层结构或者具有由多个彼此不同的物质构成的多个层的多层结构。
[0136]
例如，空穴传输区域htr可以具有空穴注入层hil或者空穴传输层htl的单一层的结构，也可以具有由空穴注入物质以及空穴传输物质构成的单一层结构。并且，空穴传输区域htr可以具有由多个彼此不同的物质构成的单一层的结构，或者可以具有从第一电极el1依次层叠的空穴注入层hil/空穴传输层htl、空穴注入层hil/空穴传输层htl/缓冲层(未示出)、空穴注入层hil/缓冲层(未示出)、空穴传输层htl/缓冲层(未示出)或者空穴注入层hil/空穴传输层htl/电子阻挡层ebl的结构，但实施例并不限于此。
[0137]
空穴传输区域htr可以利用真空沉积法、旋涂法、浇铸法、lb法(langmuir-blodgett)、喷墨印刷法、激光印刷法、激光热转印法(liti：laser induced thermal imaging)等多种方法形成。
[0138]
空穴传输区域htr可以包括由下述化学式h-1表示的化合物。
[0139]
[化学式h-1]
[0140][0141]
在所述化学式h-1中，l1和l2可以分别独立地为直接结合(direct linkage)、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的亚芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上30以下的亚杂芳基。a和b可以分别独立地为0以上10以下的整数。此外，在a或者b为2以上的整数的情形下，多个l1和l2可以分别独立地为被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的亚芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上30以下的亚杂芳基。
[0142]
在化学式h-1中，ar1和ar2可以分别独立地为被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上30以下的杂芳基。并且，在化学式h-1中，ar3可以是被取代或未被取代的成环原子数为6以上30以下的芳基。
[0143]
由所述化学式h-1表示的化合物可以是单胺化合物。或者，由所述化学式h-1表示的化合物可以为ar1至ar3中的至少一个包括胺基作为取代基的二胺化合物。并且，由所述化学式h-1表示的化合物可以是ar1和ar2中的至少一个包括被取代或未被取代的咔唑基的咔唑系化合物，或者ar1和ar2中的至少一个包括被取代或未被取代的芴基的芴系化合物。
[0144]
由化学式h-1表示的化合物可以由下述化合物群h的化合物中的任意一个表示。然而，在下述化合物群h罗列的化合物为示例性的，由化学式h-1表示的化合物并不限于在下述化合物群h所示的化合物。
[0145]
[化合物群h]
m-tolylbenzene-1,4-diamine))、4,4',4"-[三(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺(m-mtdata：4,4',4"-[tris(3-methylphenyl)phenylamino]triphenylamine)、4,4',4"-三(n,n-二苯基氨基)三苯胺(tdata：4,4',4"-tris(n,n-diphenylamino)triphenylamine)、4,4',4"-三[n-(2-萘基)-n-苯基氨基]-三苯胺(2-tnata：4,4',4"-tris[n-(2-naphthyl)-n-phenylamino]-triphenylamine)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss：poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(4-styrenesulfonate))、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa：polyaniline/dodecylbenzenesulfonic acid)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa：polyaniline/camphor sulfonicacid)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pani/pss：polyaniline/poly(4-styrenesulfonate))、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基-联苯胺(npb：n,n'-di(naphthalene-l-yl)-n,n'-diphenyl-benzidine)、含有三苯胺的聚醚酮(tpapek)、4-异丙基-4'-甲基二苯基碘鎓[四(五氟苯基)硼酸盐](4-isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium[tetrakis(pentafluorophenyl)borate])、双吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈(hat-cn：dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile)等。
[0148]
空穴传输区域htr也可以包括n-苯基咔唑、聚乙烯基咔唑等咔唑系衍生物、芴(fluorene)系衍生物、n,n'-双(3-甲基苯基)-n,n'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(tpd：n,n'-bis(3-methylphenyl)-n,n'-diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine)、4,4',4"-三(n-咔唑基)三苯胺(tcta：4,4',4"-tris(n-carbazolyl)triphenylamine)等三苯胺系衍生物、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基-联苯胺(npb：n,n'-di(naphthalene-l-yl)-n,n'-diphenyl-benzidine)、4,4'-亚环己基双[n,n-双(4-甲基苯基)苯胺](tapc：4,4
′‑
cyclohexylidenebis[n,n-bis(4-methylphenyl)benzenamine])、4,4'-双[n,n'-(3-甲苯基)氨基]-3,3'-二甲基联苯(hmtpd：4,4'-bis[n,n'-(3-tolyl)amino]-3,3'-dimethylbiphenyl)、1,3-双(n-咔唑基)苯(mcp：1,3-bis(n-carbazolyl)benzene)等。
[0149]
并且，空穴传输区域可以包括9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9h-咔唑(czsi：9-(4-tert-butylphenyl)-3,6-bis(triphenylsilyl)-9h-carbazole)、9-苯基-9h-3,9'-联咔唑(ccp：9-phenyl-9h-3,9'-bicarbazole)或者1,3-双(1,8-二甲基-9h-咔唑-9-基)苯(mdcp：1,3-bis(1,8-dimethyl-9h-carbazol-9-yl)benzene)等。
[0150]
空穴传输区域htr可以在空穴注入层hil、空穴传输层htl以及电子阻挡层ebl中的至少一个包括上述空穴传输区域htr的化合物。
[0151]
空穴传输区域htr的厚度可以为大约至大约例如，可以为大约至大约在空穴传输区域htr包括空穴注入层hil的情形下，空穴注入层hil的厚度例如可以为大约至大约在空穴传输区域htr包括空穴传输层htl的情形下，空穴传输层htl的厚度可以为大约至大约例如，在空穴传输区域htr包括电子阻挡层ebl的情形下，电子阻挡层ebl的厚度可以为大约至大约在空穴传输区域htr、空穴注入层hil、空穴传输层htl以及电子阻挡层ebl的厚度满足如前所述的范围的情形下，可以在不使驱动电压实质性地上升的情形下获得较满意的程度的空穴传输特性。
[0152]
除在先提及的物质外，为了提高导电性，空穴传输区域htr还可以包括电荷生成物
质。电荷生成物质可以均匀或者非均匀地分散在空穴传输区域htr内。电荷生成物质例如可以为p-掺杂剂(dopant)。p-掺杂剂可以包括卤化金属化合物、醌(quinone)衍生物、金属氧化物以及含氰(cyano)基的化合物中的至少一种，但并不限于此。例如，p-掺杂剂可以包括：卤化金属化合物，cui和rbi等；醌衍生物，诸如四氰基醌二甲烷(tcnq：tetracyanoquinodimethane)以及2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(f4-tcnq：2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane)等；金属氧化物，诸如钨氧化物和钼氧化物等；以及含氰基化合物，诸如双吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈(hat-cn：dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile)以及4-[[2,3-双[氰基-(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]环亚丙基]-氰基甲基]-2,3,5,6-四氟苄腈(4-[[2,3-bis[cyano-(4-cyano-2,3,5,6-tetrafluorophenyl)methylidene]cyclopropylidene]-cyanomethyl]-2,3,5,6-tetrafluorobenzonitrile)等，但实施例并不限于此。
[0153]
如前所述，除了空穴注入层hil以及空穴传输层htl之外，空穴传输区域htr还可以包括缓冲层(未示出)以及电子阻挡层ebl中的至少一个。缓冲层(未示出)可以通过补偿根据从发光层eml发出的光的波长的谐振距离而提高光发出效率。包含于缓冲层(未示出)的物质可以使用能够包含于空穴传输区域htr的物质。电子阻挡层ebl是起到防止电子从电子传输区域etr注入到空穴传输区域htr的作用的层。
[0154]
发光层eml设置在空穴传输区域htr上。发光层eml例如可以具有大约至大约或者大约至大约的厚度。发光层eml可以具有由单一物质构成的单一层结构、由多个彼此不同的物质构成的单一层结构或者具有由多个彼此不同的物质构成的多个层的多层结构。
[0155]
在一实施例的发光元件ed中，发光层eml可以包括由下述化学式1表示的多环化合物。
[0156]
[化学式1]
[0157][0158]
在化学式1中，m和n可以分别独立地为0或1。
[0159]
o可以为0以上3以下的整数。在m为0的情形下，o可以为0以上3以下的整数，在m为1的情形下，o可以为0或1。
[0160]
x1至x4可以分别独立地为nra、crbrc、o或者s。x1至x4可以相同或者彼此相异。例如，x1至x4可以全部相同、x1至x4可以全部相异或者x1至x4中的至少一个可以与其余相异。在一实施例中，x1至x4中的至少一个可以为nra，ra可以为被取代或未被取代的苯基、被取代或未被取代的联苯基或者被取代或未被取代的三联苯基。
[0161]
y1以及y2可以分别独立地为nrd、o或者s。y1以及y2可以相同或者彼此相异。在一实施例中，y1以及y2中的至少一个可以为nrd，rd可以为被取代的苯基。
[0162]
r1至r
20
以及ra至rd分别独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、被取代或未被取代的胺基、被取代或未被取代的碳原子数为1以上20以下的烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为3以上30以下的杂芳基。r1至r
20
可以全部相同或者至少一个与其余相异。在一实施例中，r1至r
20
可以全部为重氢原子。在一实施例中，r1至r
20
中的至少一个可以为未被取代的苯基。在一实施例中，r1至r
20
中的至少一个可以为被取代的胺基。
[0163]
化学式1可以由化学式2-1或者化学式2-2表示。
[0164]
[化学式2-1]
[0165][0166]
[化学式2-2]
[0167]
[0168]
化学式2-1为在化学式1中m为0的情形，化学式2-2为在化学式1中m为1的情形。在化学式2-1中，o可以为0以上3以下的整数。在化学式2-2中，o1可以为0或1。
[0169]
化学式1可以由下述化学式3-1至化学式3-3中的任意一个表示。
[0170]
[化学式3-1]
[0171][0172]
[化学式3-2]
[0173][0174]
[化学式3-3]
[0175][0176]
化学式3-1中，m为0或1，当m为1时，y1与x1处于邻位，y2与x4处于邻位。化学式3-2中，m为0或1，当m为1时，y1与x1处于间位，(r
19
)n与y1处于邻位，y2与x4处于间位，(r
20
)
o1
与y2处于邻位。化学式3-3是m为0，y1与x1处于间位，(r
19
)n与x1处于邻位的情形。
[0177]
在所述化学式3-1中，所述r
11
至r
18
中的至少一个可以为未被取代的苯基。r
11
至r
18
中的一个可以为未被取代的苯基、r
11
至r
18
中的两个可以为未被取代的苯基、r
11
至r
18
中的三个可以为未被取代的苯基或者r
11
至r
18
中的全部可以为未被取代的苯基。
[0178]
所述化学式1可以由下述化学式4-1至化学式4-3中的任意一个表示。
[0179]
[化学式4-1]
[0180][0181]
[化学式4-2]
[0182][0183]
[化学式4-3]
[0184][0185]
所述化学式4-1为在所述化学式1中y1为nrd1，y2为nrd2的情形，化学式4-2为y1和y2为o的情形，化学式4-3为y1为s，y2为s的情形。
[0186]
在所述化学式4-1中，rd1和rd2分别独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、被取代或未被取代的胺基、被取代或未被取代的碳原子数为1以上20以下的烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为3以上30以下的杂芳基。r
d1
和r
d2
可以相同或者彼此相异。
[0187]
在一实施例中，发光层eml可以包括由下述化学式1a表示的多环化合物。
[0188]
[化学式1a]
[0189][0190]
在所述化学式1a中，在w1至w6中，由选自w1至w3中的彼此相邻的两个构成的一对以及由选自w4至w6中的彼此相邻的两个构成的一对中的至少一个一对可以与由化学式2a表示的取代基连接，其余可以分别独立地为cre。
[0191]
x1至x4可以分别独立地为nra、crbrc、o或者s。在一实施例中，x1至x4中的至少一个可以为nra，ra可以为被取代或未被取代的苯基、被取代或未被取代的联苯基以及被取代或未被取代的三联苯基中的任意一个。
[0192]
r1至r
10
、ra至rc以及re可以分别独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、被取代或未被取代的胺基、被取代或未被取代的碳原子数为1以上20以下的烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为3以上30以下的杂芳基。x1至x4可以相同或者彼此相异，r1至r
10
可以全部相同或者至少一个与其余相异。在一实施例中，r1至r
10
可以全部为重氢原子。在一实施例中，r1至r
10
中的至少一个可以为未被取代的苯基。在一实施例中，r1至r
10
中的至少一个可以为被取代的胺基。
[0193]
[化学式2a]
[0194][0195]
在所述化学式2a中，y可以为nrd、o或s。
[0196]r11
至r
14
以及rd分别独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、被取代或未被取代的胺基、被取代或未被取代的碳原子数为1以上20以下的烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的芳基或者被取代或未被取代的碳原子数为3以上30以下的杂芳基。r
11
至r
14
可以相同或者彼此相异。化学式2a的可以为分别与化学式1a的w1至w6中的任意一个结合的部分。
[0197]
化学式2a可以由化学式3a-1或化学式3a-2表示。
[0198]
[化学式3a-1]
[0199][0200]
[化学式3a-2]
[0201][0202]
y1为nrd1、o或s，并且可以与w1或者w2结合。即，y1可以在结合有r2的苯环中与x1处于邻位或间位。
[0203]r11a
至r
14a
以及rd1可以分别独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、被取代或未被取代的胺基、被取代或未被取代的碳原子数为1以上20以下的烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的芳基或者被取代或未被取代的碳原子数为3以上30以下的杂芳基。r
11a
至r
14a
可以全部相同，或者至少一个可以与其余相异。
[0204]
在化学式3a-2中，y2可以为nrd2、o或s，并且可以与w5或w6结合。即，y2可以在结合有r3的苯环中与x4处于邻位或间位。
[0205]r11b
至r
14b
以及rd2分别独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、被取代或未被取代的胺基、被取代或未被取代的碳原子数为1以上20以下的烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的芳基或者被取代或未被取代的碳原子数为3以上30以下的杂芳基。r
11b
至r
14b
可以全部相同，或者至少一个可以与其余相异。
[0206]
如果化学式3a-1与w1以及w2这一对结合，则所述化学式3a-2与w5、w6这一对结合，如果化学式3a-1与w2以及w3这一对结合，则所述化学式3a-2可以不与由选自w4至w6中的彼此相邻的两个构成的一对结合。
[0207]
化学式3a-1中的y1可以与化学式3a-2中的y2相同。即，y1和y2可以全部为nrd、全部为o或者全部为s。
[0208]
化学式2a由下述化学式4a-1至化学式4a-3表示。
[0209]
[化学式4a-1]
[0210][0211]
[化学式4a-2]
[0212]
[0213]
[化学式4a-3]
[0214][0215]
化学式4a-1为在化学式2a中y为nrd的情形，化学式4a-2为在化学式2a中y为o的情形，化学式4a-3为在化学式2a中y为s的情形。
[0216]
发光层eml可以包括在下述化合物群1示出的化合物中的至少一个。
[0217]
[化合物群1]
[0218]
[0219]
[0220]
[0221]
[0222]
[0223][0224]
在一实施例中，由化学式1表示的多环化合物可以发出蓝色光。
[0225]
在图3至图6所示的一实施例的发光元件ed中，发光层eml可以包括主体和掺杂剂。根据一实施例的多环化合物可以用作掺杂剂材料。例如，根据一实施例的多环化合物可以
用作发出热活性延迟荧光的发光层的掺杂材料。
[0226]
除了一实施例的多环化合物之外，发光层eml还可以包括以下说明的发光层材料。
[0227]
发光层eml还可以包括由下述化学式e-1表示的化合物。由下述化学式e-1表示的化合物可以作为荧光主体材料而使用。
[0228]
[化学式e-1]
[0229][0230]
在化学式e-1中，r
31
至r
40
可以分别独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、被取代或未被取代的甲硅烷基、被取代或未被取代的碳原子数为1以上10以下的烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上30以下的杂芳基，或者可以与相邻的基团结合而成环。此外，r
31
至r
40
可以与相邻的基团彼此结合而形成饱和烃环或者不饱和烃环。
[0231]
在化学式e-1中，c和d可以分别独立地为0以上5以下的整数。
[0232]
化学式e-1可以由下述化合物e1至化合物e19中的任意一个表示。
[0233]
[0234][0235]
在一实施例中，发光层eml还可以包括由下述化学式e-2a或者化学式e-2b表示的化合物。由下述化学式e-2a或者化学式e-2b表示的化合物可以作为磷光主体材料而使用。
[0236]
[化学式e-2a]
[0237][0238]
在化学式e-2a中，a可以为0以上10以下的整数，la可以为直接结合、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的亚芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上30以下的亚杂芳基。此外，在a为2以上的整数的情形下，多个la可以分别独立地为被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的亚芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上30以下的亚杂芳基。
[0239]
并且，在化学式e-2a中，a1至a5可以分别独立地为n或者cri。ra至ri可以分别独立地为氢原子、重氢原子、被取代或未被取代的胺基、被取代或未被取代的硫基、被取代或未被取代的氧基、被取代或未被取代的碳原子数为1以上20以下的烷基、被取代或未被取代的碳原子数为2以上20以下的烯基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上30以下的杂芳基，或者可以与相邻的基团彼此结合而成环。ra至ri可以与相邻的基团彼此结合而形成烃环或者形成包括n、o、s等作为成环原子的杂环。
[0240]
此外，在化学式e-2a中，选自a1至a5中的两个或者三个可以为n，其余可以为cri。
[0241]
[化学式e-2b]
[0242][0243]
在化学式e-2b中，cbz1和cbz2可以分别独立地为未被取代的咔唑基或者被成环碳原子数为6以上30以下的芳基取代的咔唑基。lb可以为直接结合、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的亚芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上30以下的亚杂芳基。b可以为0以上10以下的整数，在b为2以上的整数的情形下，多个lb可以分别独立地为被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的亚芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上30以下的亚杂芳基。
[0244]
由化学式e-2a或者化学式e-2b表示的化合物可以由下述化合物群e-2的化合物中的任意一个表示。然而，在下述化合物群e-2罗列的化合物为示例性的，由化学式e-2a或化学式e-2b表示的化合物不限于在下述化合物群e-2示出的化合物。
[0245]
[化合物群e-2]
[0246]
[0247][0248]
发光层eml还可以包括本技术领域中公知的普通材料而作为主体物质。例如，发光层eml可以包括双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(dpepo：bis[2-(diphenylphosphino)phenyl]ether oxide)、4,4'-双(咔唑-9-基)联苯(cbp：4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mcp：1,3-bis(carbazol-9-yl)benzene)、2,8-双(二苯基磷酰基)二苯并[b,d]呋喃(ppf：2,8-bis(diphenylphosphoryl)dibenzo[b,d]furan)、4,4',4
”‑
三(咔唑-9-基)-三苯胺(tcta：4,4',4
”‑
tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine)以及1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并[d]咪唑-2-基)苯(tpbi：1,3,5-tris(1-phenyl-1h-benzo[d]imidazol-2-yl)benzene)中的至少一个而作为主体物质。然而，并不限于此，例如，可以使用三(8-羟基喹啉)铝(alq3：tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)、4,4'-双(n-咔唑基)-1,1'-联苯(cbp：4,4'-bis(n-carbazolyl)-1,1'-biphenyl)、聚(n-乙烯基咔唑)(pvk：poly
(n-vinylcabazole))、9,10-二(萘-2-基)蒽(adn：9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene)、4,4',4"-三(咔唑-9-基)-三苯胺(tcta：4,4',4
”‑
tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine)、1,3,5-三(n-苯基苯并咪唑-2-基)苯(tpbi：1,3,5-tris(n-phenylbenzimidazol-2-yl)benzene)、2-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(tbadn：2-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene)、二苯乙烯基亚芳(dsa：distyrylarylene)、4,4'-双(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-联苯(cdbp：4,4
′‑
bis(9-carbazolyl)-2,2
′‑
dimethyl-biphenyl)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn：2-methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene)、六苯基环三磷腈(cp1：hexaphenyl cyclotriphosphazene)、1,4-双(三苯基甲硅烷基)苯(ugh2：1,4-bis(triphenylsilyl)benzene)、六苯基环三硅氧烷(dpsio3：hexaphenylcyclotrisiloxane)、八苯基环四硅氧烷(dpsio4：octaphenylcyclotetrasiloxane)、2,8-双(二苯基磷酰基)二苯并呋喃(ppf：2,8-bis(diphenylphosphoryl)dibenzofuran)等而作为主体材料。
[0249]
发光层eml还可以包括由下述化学式m-a或者化学式m-b表示的化合物。由下述化学式m-a或者化学式m-b表示的化合物可以作为磷光掺杂剂材料而使用。
[0250]
[化学式m-a]
[0251][0252]
在所述化学式m-a中，y1至y4以及z1至z4分别独立地为cr1或者n，r1至r4可以分别独立地为氢原子、重氢原子、被取代或未被取代的胺基、被取代或未被取代的硫基、被取代或未被取代的氧基、被取代或未被取代的碳原子数为1以上20以下的烷基、被取代或未被取代的碳原子数为2以上20以下的烯基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上30以下的杂芳基，或者可以与相邻的基团彼此结合而成环。在化学式m-a中，m为0或者1，n为2或者3。在化学式m-a中m为0时，n为3，m为1时，n为2。
[0253]
由化学式m-a表示的化合物可以作为红色磷光掺杂剂或者绿色磷光掺杂剂而使用。
[0254]
由化学式m-a表示的化合物可以由下述化合物m-a1至m-a19中的任意一个表示。然而，下述化合物m-a1至m-a19是示例性的，由化学式m-a表示的化合物并不限于由下述化合物m-a1至m-a19表示的化合物。
[0255]
[0256][0257]
化合物m-a1以及化合物m-a2可以作为红色掺杂材料而使用，化合物m-a3至化合物m-a5可以作为绿色掺杂材料而使用。
[0258]
[化学式m-b]
[0259][0260]
在化学式m-b中，q1至q4分别独立地为c或者n，c1至c4分别独立地为被取代或未被
取代的成环碳原子数为5以上30以下的烃环或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上30以下的杂环。l
21
至l
24
分别独立地为直接结合、被取代或未被取代的碳原子数为1以上20以下的2价的烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的亚芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上30以下的亚杂芳基，e1至e4分别独立地为0或者1。r
31
至r
39
分别独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、氰基、被取代或未被取代的胺基、被取代或未被取代的碳原子数为1以上20以下的烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上30以下的杂芳基，或者与相邻的基团彼此结合而成环，d1至d4分别独立地为0以上4以下的整数。
[0261]
由化学式m-b表示的化合物可以作为蓝色磷光掺杂剂或者绿色磷光掺杂剂而使用。
[0262]
由化学式m-b表示的化合物可以由下述化合物中的任意一个表示。然而，下述化合物是示例性的，由化学式m-b表示的化合物不限于由下述化合物表示的化合物。
[0263][0264]
在所述化合物中，r、r
38
以及r
39
可以分别独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、氰基、被取代或未被取代的胺基、被取代或未被取代的碳原子数为1以上20以下的烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上30以下的杂芳基。
[0265]
发光层eml可以包括由下述化学式f-a至化学式f-c中的任意一个表示的化合物。由下述化学式f-a至化学式f-c表示的化合物可以作为荧光掺杂剂材料而使用。
[0266]
[化学式f-a]
[0267]
至r
11
分别独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、氰基、被取代或未被取代的胺基、被取代或未被取代的硼基、被取代或未被取代的氧基、被取代或未被取代的硫基、被取代或未被取代的碳原子数为1以上20以下的烷基、被取代或未被取代的成环碳原子数为6以上30以下的芳基或者被取代或未被取代的成环碳原子数为2以上30以下的杂芳基，或者与相邻的基团彼此结合而成环。
[0277]
在化学式f-c中，a1和a2可以分别独立地与相邻的环的取代基结合而形成缩合环。例如，在a1和a2分别独立地为nrm时，a1可以与r4或者r5结合而成环。并且，a2可以与r7或者r8结合而成环。
[0278]
在一实施例中，发光层eml可以包括作为公知的掺杂剂材料的苯乙烯基衍生物(例如，1,4-双[2-(3-n-乙基咔唑基)乙烯基]苯(bczvb：1,4-bis[2-(3-n-ethylcarbazolyl)vinyl]benzene)、4-(二对甲苯基氨基)-4
’‑
[(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]二苯乙烯(dpavb：4-(di-p-tolylamino)-4
’‑
[(di-p-tolylamino)styryl]stilbene)、n-(4-((e)-2-(6-((e)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)萘-2-基)乙烯基)苯基)-n-苯基苯胺(n-bdavbi：n-(4-((e)-2-(6-((e)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-n-phenylbenzenamine)、4,4'-双[2-(4-(n,n-二苯基氨基)苯基)乙烯基]联苯(dpavbi：4,4'-bis[2-(4-(n,n-diphenylamino)phenyl)vinyl]biphenyl))、苝及其衍生物(例如，2,5,8,11-四叔丁基苝(tbp：2,5,8,11-tetra-t-butylperylene))、芘及其衍生物(例如，1,1'-二芘(1,1'-dipyrene)、1,4-二芘基苯(1,4-dipyrenylbenzene)、1,4-双(n,n-二苯基氨基)芘(1,4-bis(n,n-diphenylamino)pyrene))等。
[0279]
发光层eml可以包括公知的磷光掺杂剂物质。例如，磷光掺杂剂可以使用包括铱(ir)、铂(pt)、锇(os)、金(au)、钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)或者铥(tm)的金属配合物。具体地，可以使用铱(iii)双(4,6-二氟苯基吡啶基-n,c2)吡啶甲酸盐(firpic：iridium(iii)bis(4,6-difluorophenylpyridinato-n,c2)picolinate)、双(2,4-二氟苯基吡啶基)-四(1-吡唑基)硼酸铱(iii)(fir6：bis(2,4-difluorophenylpyridinato)-tetrakis(1-pyrazolyl)borate iridium(iii))或者八乙基卟啉铂(ptoep：platinum octaethyl porphyrin)作为磷光掺杂剂。然而，实施例并不限于此。
[0280]
发光层eml可以包括量子点(quantum dot)物质。量子点的核可以选自ii-vi族化合物、iii-vi族化合物、i-iii-vi族化合物、iii-v族化合物、iii-ii-v族化合物、iv-vi族化合物、iv族元素、iv族化合物以及它们的组合。
[0281]
ii-vi族化合物可以选自由以下化合物构成的群：二元化合物，选自由cdse、cdte、cds、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs以及它们的混合物构成的群；三元化合物，选自由cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns以及它们的混合物构成的群；以及四元化合物，选自由hgzntes、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste以及它们的混合物构成的群。
[0282]
iii-vi族化合物可以包括：二元化合物，诸如in2s3、in2se3等；三元化合物，诸如ingas3、ingase3等；或者它们的任意组合。
[0283]
i-iii-vi族化合物可以选自：三元化合物，选自由agins、agins2、cuins、cuins2、aggas2、cugas2、cugao2、aggao2、agalo2以及它们的混合物构成的群；或者四元化合物，
agingas2、cuingas2等。
[0284]
iii-v族化合物可以选自由以下化合物构成的群：二元化合物，选自由gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb以及它们的混合物组成的群；三元化合物，选自由ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、inalp、innp、innas、innsb、inpas、inpsb以及它们的混合物构成的群；以及四元化合物，选自由gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb以及它们的混合物构成的群。此外，iii-v族化合物还可以包括ii族金属。例如，作为iii-ii-v族化合物，可以选择inznp等。
[0285]
iv-vi族化合物可以选自由以下化合物构成的群：二元化合物，选自由sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte以及它们的混合物构成的群；三元化合物，选自由snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte以及它们的混合物构成的群；以及四元化合物，选自由snpbsse、snpbsete、snpbste以及它们的混合物构成的群。iv族元素可以选自由si、ge以及它们的混合物构成的群。iv族化合物可以是选自由sic、sige以及它们的混合物构成的群的二元化合物。
[0286]
此时，二元化合物、三元化合物或者四元化合物可以以均一的浓度存在于颗粒内，或者可以以浓度分布局部不同的状态分散地存在于同一颗粒内。并且，还可以具有一个量子点围绕其他量子点的核/壳结构。在核/壳结构中，存在于壳的元素的浓度随着靠近核而变低的浓度梯度(gradient)。
[0287]
在一些实施例中，量子点可以具有包括包含前述的纳米晶体的核以及围绕所述核的壳的核-壳结构。所述量子点的壳可以起到用于防止所述核的化学变性而维持半导体特性的保护层作用和/或用于向量子点赋予电泳特性的充电层(charging layer)的作用。所述壳可以是单层或者多重层。作为所述量子点的壳的例子，可以有金属或者非金属的氧化物、半导体化合物或者它们的组合等。
[0288]
例如，所述金属或者非金属的氧化物可以例示出：二元化合物，诸如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4、nio等；或者三元化合物，诸如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4、comn2o4等，但本发明并不限于此。
[0289]
此外，所述半导体化合物可以例示出cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb等，但本发明并不限于此。
[0290]
量子点可以具有大约45nm以下，优选为大约40nm以下，更加优选为大约30nm以下的发光波长光谱的半峰全宽(fwhm：full width of half maximum)，在此范围内，可以提高色纯度或者色彩再现性。并且，通过这种量子点发出的光向所有方向发出，从而可以提高光视角。
[0291]
并且，量子点的形态不受特别限制，只要是本领域通常使用的形态即可，但更加具体地，可以使用球形、金字塔形、多臂形(multi-arm)或者立方体(cubic)的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米板状颗粒等形态。
[0292]
量子点可以根据颗粒大小来调节发出的光的颜色，据此，量子点可以具有蓝色、红色、绿色等多种发光颜色。
[0293]
在图3至图6所示的一实施例的发光元件ed，电子传输区域etr被提供在发光层eml
phenylbenzoimidazol-1-yl)phenyl)-9,10-dinaphthylanthracene)、1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并[d]咪唑-2-基)苯(tpbi：1,3,5-tri(1-phenyl-1h-benzo[d]imidazol-2-yl)benzene)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp：2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen：4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(taz：3-(4-biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4h-1,2,4-三唑(ntaz：4-(naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4h-1,2,4-triazole)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑(tbu-pbd：2-(4-biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole)、双(2-甲基-8-喹啉基-n1,o8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(balq：bis(2-methyl-8-quinolinolato-n1,o8)-(1,1'-biphenyl-4-olate)aluminum)、双(苯并喹啉-10-羟基)铍(bebq2：berylliumbis(benzoquinolin-10-olate))、9,10-二(萘-2-基)蒽(adn：9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene)、1,3-双[3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯(bmpyphb：(1,3-bis[3,5-di(pyridin-3-yl)phenyl]benzene)以及它们的混合物。
[0303]
电子传输区域etr可以包括下述化合物et1至化合物et36中的至少一个。
[0304]
[0305]
[0306]
[0307][0308]
并且，电子传输区域etr可以包括：卤化金属，诸如lif、nacl、csf、rbcl、rbi、cui、ki等；镧族金属，诸如yb等，并且可以包括所述卤化金属和镧族金属的共沉积材料。例如，电子传输区域etr可以包括ki：yb、rbi：yb等而作为共沉积材料。此外，电子传输区域etr可以使用诸如li2o、bao等金属氧化物或者8-羟基-喹啉锂(liq：8-hydroxyl-lithium quinolate)等，但实施例并不限于此。电子传输区域etr还可以由混合有电子传输物质和绝缘性的有机金属盐(organo metal salt)的物质构成。有机金属盐可以为能带间隙(energy band gap)为大约4ev以上的物质。具体地，例如，有机金属盐可以包括金属乙酸盐(metal acetate)、金属苯甲酸盐(metal benzoate)、金属乙酰乙酸盐(metal acetoacetate)、金属乙酰丙酮酸盐(metal acetylacetonate)或者金属硬脂酸盐(stearate)。
[0309]
电子传输区域etr除了在先所提及的材料之外，还可以包括2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp：2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)以及4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen：4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)中的至少一个，但实施例并不限于此。
[0310]
电子传输区域etr可以在电子注入层eil、电子传输层etl以及空穴阻挡层hbl中的
至少一个包括上述电子传输区域etr的化合物。
[0311]
在电子传输区域etr包括电子传输层etl的情形下，电子传输层etl的厚度可以为大约至大约例如，可以为大约至大约在电子传输层etl的厚度满足如前所述的范围的情形下，可以不发生驱动电压的实质上升而获得令人满意的程度的电子传输特性。在电子传输区域etr包括电子注入层eil的情形下，电子注入层eil的厚度可以为大约至大约大约至大约在电子注入层eil的厚度满足如前所述的范围的情形下，可以不发生驱动电压的实质上升而获得令人满意的程度的电子注入特性。
[0312]
第二电极el2提供在电子传输区域etr上。第二电极el2可以是公共电极。第二电极el2可以是阴极(cathode)或者阳极(anode)，但实施例并不限于此。例如，在第一电极el1为阳极的情形下，第二电极el2可以为阴极，在第一电极el1为阴极的情形下，第二电极el2可以为阳极。
[0313]
第二电极el2可以是透射型电极、半透射型电极或者反射型电极。在第二电极el2为透射型电极的情形下，第二电极el2可以由透明金属氧化物，例如，氧化铟锡(ito：indium tin oxide)、氧化铟锌(izo：indium zinc oxide)、氧化锌(zno：zinc oxide)、氧化铟锡锌(itzo：indium tin zinc oxide)等构成。
[0314]
在第二电极el2为半透射型电极或者反射型电极的情形下，第二电极el2可以包括ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif、mo、ti、yb、w、包含它们的化合物和混合物(例如，agmg、agyb或者mgyb)、以及具有诸如lif/ca或lif/al的多层结构的材料中的至少一个。或者，第二电极el2可以是包括由所述物质形成的反射膜或者半透射膜以及由氧化铟锡(ito：indium tin oxide)、氧化铟锌(izo：indium zinc oxide)、氧化锌(zno：zinc oxide)、氧化铟锡锌(itzo：indium tin zinc oxide)等形成的透明导电膜的多层结构。例如，第二电极el2可以包括上述金属材料、选自上述金属材料中的两种以上的金属材料的组合或者上述金属材料的氧化物等。
[0315]
虽然未示出，但第二电极el2可以与辅助电极连接。如果第二电极el2与辅助电极连接，则可以减小第二电极el2的电阻。
[0316]
此外，在一实施例的发光元件ed的第二电极el2上还可以布置有封盖层cpl。封盖层cpl可以包括多层或者单层。
[0317]
在一实施例中，封盖层cpl可以为有机层或者无机层。例如，在封盖层cpl包括无机物的情形下，无机物可以包括：碱金属化合物，诸如lif等；碱土金属化合物，诸如mgf2等；以及sion、sin
x
、sioy等。
[0318]
例如，在封盖层cpl包括有机物的情形下，有机物可以包括α-npd、npb、tpd、m-mtdata、alq3、cupc、n4,n4,n4',n4'-四(联苯-4-基)联苯-4,4'-二胺(tpd15：n4,n4,n4',n4'-tetra(biphenyl-4-yl)biphenyl-4,4'-diamine)、4,4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(tcta：4,4',4"-tris(carbazol-9-yl)triphenylamine)等，或者可以包括环氧树脂或者诸如甲基丙烯酸酯的丙烯酸酯。然而，实施例并不限于此，封盖层cpl可以包括如下述的化合物p1至化合物p5中的至少一个。
[0319][0320][0321]
此外，封盖层cpl的折射率可以是1.6以上。具体地，针对550nm以上660nm以下的波长范围的光，封盖层cpl的折射率可以为1.6以上。
[0322]
图7以及图8分别是针对根据一实施例的显示装置的剖面图。以下，在对参照图7和图8说明的针对一实施例的显示装置进行说明时，不再说明与在上述的图1至图6中进行说明的内容重复的内容，以差异点为主进行说明。
[0323]
参照图7，根据一实施例的显示装置dd可以包括包括显示元件层dp-ed的显示面板dp和布置在显示面板dp上的光控制层ccl以及滤色器层cfl。
[0324]
在图7所示的一实施例中，显示面板dp可以包括基础层bs、布置在基础层bs上的电
路层dp-cl以及显示元件层dp-ed，显示元件层dp-ed可以包括发光元件ed。
[0325]
发光元件ed可以包括：第一电极el1；空穴传输区域htr，布置在第一电极el1上；发光层eml，布置在空穴传输区域htr上；电子传输区域etr，布置在发光层eml上；以及第二电极el2，布置在电子传输区域etr上。此外，图7所示的发光元件ed的结构可以相同地适用上述图3至图6的发光元件的结构。
[0326]
参照图7，发光层eml可以布置在由像素限定膜pdl限定的开口部oh内。例如，被像素限定膜pdl划分而与各个发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b对应地提供的发光层eml可以发出相同波段的光。在一实施例的显示装置dd中，发光层eml可以发出蓝色光。此外，与图示情形不同地，在一实施例中，发光层eml可以作为公共层而提供于整个发光区域pxa-r、pxa-g、pxa-b。
[0327]
光控制层ccl可以布置在显示面板dp上。光控制层ccl可以包括光转换体。光转换体可以是量子点或者荧光体等。光转换体可以对接收的光进行波长转换而发出。即，光控制层ccl可以是包括量子点的层或者包括荧光体的层。
[0328]
光控制层ccl可以包括多个光控制部ccp1、ccp2、ccp3。光控制部ccp1、ccp2、ccp3可以彼此相隔。
[0329]
参照图7，在彼此相隔的光控制部ccp1、ccp2、ccp3之间可以布置有分割图案bmp，但实施例并不限于此。虽然在图7中示出了分割图案bmp与光控制部ccp1、ccp2、ccp3不重叠的情形，但光控制部ccp1、ccp2、ccp3的边沿可以与分割图案bmp至少一部分重叠。
[0330]
光控制层ccl可以包括：第一光控制部ccp1，包括将从发光元件ed提供的第一色光转换为第二色光的第一量子点qd1；第二光控制部ccp2，包括将第一色光转换为第三色光的第二量子点qd2；以及第三光控制部ccp3，使第一色光透射。
[0331]
在一实施例中，第一光控制部ccp1可以提供作为第二色光的红色光，第二光控制部ccp2可以提供作为第三色光的绿色光。第三光控制部ccp3可以使作为从发光元件ed提供的第一色光的蓝色光透射而提供蓝色光。例如，第一量子点qd1可以是红色量子点，第二量子点qd2可以是绿色量子点。针对量子点qd1、qd2可以适用与上述内容相同的内容。
[0332]
并且，光控制层ccl还可以包括散射体sp。第一光控制部ccp1可以包括第一量子点qd1和散射体sp，第二光控制部ccp2可以包括第二量子点qd2和散射体sp，第三光控制部ccp3可以不包括量子点并且包括散射体sp。
[0333]
散射体sp可以是无机颗粒。例如，散射体sp可以包括tio2、zno、al2o3、sio2以及中空二氧化硅中的至少一个。散射体sp可以包括tio2、zno、al2o3、sio2以及中空二氧化硅中的任意一个，或者可以为选自tio2、zno、al2o3、sio2以及中空二氧化硅中的两种以上的物质混合的物质。
[0334]
第一光控制部ccp1、第二光控制部ccp2以及第三光控制部ccp3中的每一个可以包括用于分散量子点qd1、qd2以及散射体sp的基础树脂br1、br2、br3。在一实施例中，第一光控制部ccp1可以包括分散在第一基础树脂br1内的第一量子点qd1和散射体sp，第二光控制部ccp2可以包括分散在第二基础树脂br2内的第二量子点qd2和散射体sp，第三光控制部ccp3可以包括分散在第三基础树脂br3内的散射体sp。基础树脂br1、br2、br3作为用于分散量子点qd1、qd2以及散射体sp的介质，可以由通常可以被称为粘合剂的多种树脂组合物构成。例如，基础树脂br1、br2、br3可以是丙烯酸系树脂、聚氨酯系树脂、硅系树脂、环氧系树
脂等。基础树脂br1、br2、br3可以是透明树脂。在一实施例中，第一基础树脂br1、第二基础树脂br2以及第三基础树脂br3可以相同或者相异。
[0335]
光控制层ccl可以包括阻挡层bfl1。阻挡层bfl1可以起到阻止水分和/或氧气(以下，称作“水分/氧气”)渗透的作用。阻挡层bfl1可以布置在光控制部ccp1、ccp2、ccp3上而阻断光控制部ccp1、ccp2、ccp3暴露于水分/氧气。此外，阻挡层bfl1可以覆盖光控制部ccp1、ccp2、ccp3。并且，在光控制部ccp1、ccp2、ccp3与后述的滤光器cf1、cf2、cf3之间也可以提供有阻挡层bfl2。
[0336]
阻挡层bfl1、bfl2可以包括至少一个无机层。即，阻挡层bfl1、bfl2可以包括无机材料而形成。例如，阻挡层bfl1、bfl2可以包括硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铈氧化物以及硅氮氧化物或者确保透光率的金属薄膜等而形成。此外，阻挡层bfl1、bfl2还可以包括有机膜。阻挡层bfl1、bfl2可以由单一层或者多个层构成。
[0337]
在一实施例的显示装置dd中，滤色器层cfl可以布置在光控制层ccl上。例如，滤色器层cfl可以直接布置在光控制层ccl上。在此情形下，可以省略阻挡层bfl2。
[0338]
滤色器层cfl可以包括遮光部bm以及滤光器cf1、cf2、cf3。并且，滤色器层cfl还可以包括阻挡层bfl2。滤色器层cfl可以包括：第一滤光器cf1，使第二色光透射；第二滤光器cf2，使第三色光透射；以及第三滤光器cf3，使第一色光透射。例如，第一滤光器cf1可以是红色滤光器，第二滤光器cf2可以是绿色滤光器，第三滤光器cf3可以是蓝色滤光器。滤光器cf1、cf2、cf3中的每一个可以包括高分子感光树脂和颜料或染料。第一滤光器cf1可以包括红色颜料或染料，第二滤光器cf2可以包括绿色颜料或染料，第三滤光器cf3可以包括蓝色颜料或染料。此外，实施例并不限于此，第三滤光器cf3可以不包括颜料或染料。第三滤光器cf3可以包括高分子感光树脂并且不包括颜料或染料。第三滤光器cf3可以是透明的。第三滤光器cf3可以由透明感光树脂形成。
[0339]
并且，在一实施例中，第一滤光器cf1和第二滤光器cf2可以是黄色(yellow)滤光器。第一滤光器cf1和第二滤光器cf2可以不彼此区分而一体地提供。
[0340]
遮光部bm可以是黑色矩阵。遮光部bm可以包括包含黑色颜料或者黑色染料的有机遮光物质或者无机遮光物质而形成。遮光部bm可以防止漏光现象，并且可以划分相邻的滤光器cf1、cf2、cf3之间的边界。并且，在一实施例中，遮光部bm可以由蓝色滤光器形成。
[0341]
第一滤光器至第三滤光器cf1、cf2、cf3可以分别与红色发光区域pxa-r、绿色发光区域pxa-g以及蓝色发光区域pxa-b对应而布置。
[0342]
在滤色器层cfl上可以布置有基础基板bl。基础基板bl可以是提供布置滤色器层cfl以及光控制层ccl等的基础面的部件。基础基板bl可以是玻璃基板、金属基板、塑料基板等。然而，实施例并不限于此，基础基板bl可以是无机层、有机层或者复合材料层。并且，与图示情形不同地，在一实施例中，基础基板bl可以被省略。
[0343]
图8是示出根据一实施例的显示装置的一部分的剖面图。在图8示出了与图7的显示面板dp对应的一部分的剖面图。在一实施例的显示装置dd-td中，发光元件ed-bt可以包括多个发光结构ol-b1、ol-b2、ol-b3。发光元件ed-bt可以包括：彼此面对的第一电极el1和第二电极el2；以及多个发光结构ol-b1、ol-b2、ol-b3，在第一电极el1和第二电极el2之间沿厚度方向依次堆叠而提供。发光结构ol-b1、ol-b2、ol-b3中的每一个可以包括发光层eml
(图7)、在中间夹设发光层eml(图7)而布置的空穴传输区域htr和电子传输区域etr。
[0344]
即，包括于一实施例的显示装置dd-td的发光元件ed-bt可以是包括多个发光层的串联(tandem)结构的发光元件。
[0345]
在图8所示的一实施例中，从发光结构ol-b1、ol-b2、ol-b3中的每一个发出的光可以均为蓝色光。然而，实施例并不限于此，从发光结构ol-b1、ol-b2、ol-b3中的每一个发出的光的波段可以彼此相异。例如，包括发出彼此不同的波段的光的多个发光结构ol-b1、ol-b2、ol-b3的发光元件ed-bt可以发出白色光。
[0346]
在相邻的发光结构ol-b1、ol-b2、ol-b3之间可以布置有电荷生成层cgl1、cgl2。电荷生成层cgl1、cgl2可以包括p型电荷生成层和/或n型电荷生成层。
[0347]
以下，参照实施例和比较例而对根据本发明的一实施例的多环化合物和包括一实施例的多环胺化合物的一实施例的发光元件进行具体说明。并且，以下示出的实施例为用于帮助理解本发明的一示例，本发明的范围并不限于此。
[0348]
[实施例]
[0349]
1、一实施例的多环化合物的合成
[0350]
首先，针对根据一实施例的多环化合物的合成方法，将化合物a-8、b-18以及c-17的合成方法例示而具体说明。并且，以下说明的化合物的合成方法为一实施例，根据本发明的实施例的化合物的合成方法并不限于下述实施例。
[0351]
1-1、化合物a-8的合成
[0352]
本发明的一实施例的多环化合物1例如可以通过下述反应式1合成。
[0353]
[反应式1]
[0354]
[0355][0356]
在向三口烧瓶加入100g(404mmol)的a-1、56g(607mmol)的苯胺、46g(486mmol)的叔丁醇钠(tbuona)、12g(21mmol)的pd(dba)2、13g(25mmol)的4,5-双(二苯基膦)-9,9-二甲基氧杂蒽(xantphos)，并置换ar之后，加入1500ml的甲苯并在60℃搅拌了3小时。在向反应系统中加入水，利用甲苯萃取有机层之后，用硫酸镁进行干燥并去除了溶剂。通过将得到的粗产物用硅胶柱层析(己烷/甲苯混合溶剂)以及再结晶(乙醇(ethanol)/甲苯混合溶剂)进行提纯而得到了108g(收率80％)的白色固体。通过对得到的提纯物进行fab-ms测量，确认其分子量为335，从而确认得到了化合物a-2。
[0357]
在向三口烧瓶加入100g(299mmol)的a-2，并置换ar之后，加入700ml的n-甲基吡咯烷酮(nmp)进行溶解，然后在190℃搅拌了5小时。在向反应系统中加入水，利用甲苯萃取有机层之后，用硫酸镁进行干燥并去除了溶剂。通过将得到的粗产物用硅胶柱层析(己烷/甲苯混合溶剂)以及再结晶(乙醇(ethanol)/甲苯混合溶剂)进行提纯而得到了110g(收率75％)的白色固体。通过对得到的提纯物进行fab-ms测量，确认其分子量为493，从而确认得到了化合物a-3。
[0358]
在向三口烧瓶加入100g(203mmol)的a-3、36g(213mmol)的二苯胺、23g(243mmol)的叔丁醇钠(tbuona)、4.7g(8.1mmol)的pd(dba)2、4.7g(8.1mmol)的4,5-双(二苯基膦)-9,9-二甲基氧杂蒽(xantphos)，并置换ar之后，加入1000ml的甲苯并在60℃搅拌了2小时。在向反应系统中加入水，利用甲苯萃取有机层之后，用硫酸镁进行干燥并去除了溶剂。通过将得到的粗产物用硅胶柱层析(己烷/甲苯混合溶剂)以及再结晶(乙醇(ethanol)/甲苯混合溶剂)进行提纯而得到了111g(收率94％)的白色固体。通过对得到的提纯物进行fab-ms测量，确认其分子量为581，从而确认得到了化合物a-4。
[0359]
在向三口烧瓶加入100g(172mmol)的a-4、17g(189mmol)的苯胺、20g(207mmol)的叔丁醇钠(tbuona)、5.0g(8.6mmol)的pd(dba)2、5.5g(10mmol)的4,5-双(二苯基膦)-9,9-二甲基氧杂蒽(xantphos)，并置换ar之后，加入800ml的甲苯并在60℃搅拌了6小时。在向反应系统中加入水，利用甲苯萃取有机层之后，用硫酸镁进行干燥并去除了溶剂。通过将得到的粗产物用硅胶柱层析(己烷/甲苯混合溶剂)以及再结晶(乙醇(ethanol)/甲苯混合溶剂)进行提纯而得到了70g(收率69％)的白色固体。通过对得到的提纯物进行fab-ms测量，确认其分子量为593，从而确认得到了化合物a-5。
[0360]
在向三口烧瓶加入70g(118mmol)的a-5、19g(59mmol)的1,3-二碘苯(1,3-diiodobenzene)、34g(354mmol)的叔丁醇钠(tbuona)、5.4g(9.4mmol)的pd(dba)2、5.5g(19mmol)的三叔丁基膦四氟硼酸盐(p(tbu)3hbf4)，并置换ar之后，加入600ml的甲苯并在80℃搅拌了1小时。在向反应系统中加入水，利用甲苯萃取有机层之后，用硫酸镁进行干燥并去除了溶剂。通过将得到的粗产物用硅胶柱层析(己烷/甲苯混合溶剂)以及再结晶(乙醇/甲苯混合溶剂)进行提纯而得到了107g(收率72％)的白色固体。通过对得到的提纯物进行
fab-ms测量，确认其分子量为1261，从而确认得到了化合物a-6。
[0361]
在向三口烧瓶加入20g(16mmol)的a-6，并置换ar之后，加入25g(64mmol)的bi3、160ml的邻二氯苯(odcb)进行溶解，然后加入11ml(63mmol)的n,n-二异丙基乙胺(dipea)并在160℃搅拌了20分钟。向反应系统中加入260ml(190mmol)的n,n-二异丙基乙胺(dipea)，并在室温搅拌了30分钟。在利用大量乙腈(acetonitrile)分散清洗反应液之后，通过进行过滤回收了固体。通过将得到的粗产物用硅胶柱层析(己烷/二氯甲烷混合溶剂)以及再结晶(乙醇/甲苯混合溶剂)进行提纯而得到了6.5g(收率32％)的黄色固体。通过对得到的提纯物进行fab-ms测量，确认其分子量为1277，从而确认得到了化合物a-8。
[0362]
1-2、化合物b-18的合成
[0363]
本发明的一实施例的多环化合物b-18例如可以通过下述反应式2-1至反应式2-3合成。
[0364]
[反应式2-1]
[0365][0366]
在向三口烧瓶加入100g(380mmol)的b-1、70g(760mmol)的苯胺、44g(456mmol)的叔丁醇钠(tbuona)、11g(19mmol)的pd(dba)2、12g(23mmol)的4,5-双(二苯基膦)-9,9-二甲基氧杂蒽(xantphos)，并置换ar之后，加入1900ml的甲苯并在80℃搅拌了1小时。在向反应系统中加入水，利用甲苯萃取有机层之后，用硫酸镁进行干燥并去除了溶剂。通过将得到的粗产物用硅胶柱层析(己烷/甲苯混合溶剂)以及再结晶(乙醇/甲苯混合溶剂)进行提纯而得到了90g(收率86％)的白色固体。通过对得到的提纯物进行fab-ms测量，确认其分子量为275，从而确认得到了化合物b-2。
[0367]
在向三口烧瓶加入45g(163mmol)的b-2、50g(196mmol)的1,3-二溴-5-氟苯(1,3-dibromo-5-fluorobenzene)、80g(245mmol)的csco3，并置换ar之后，加入400ml的n-甲基吡咯烷酮(nmp)进行溶解，然后在180℃搅拌了3小时。在向反应系统中加入水，利用甲苯萃取有机层之后，用硫酸镁进行干燥并去除了溶剂。通过将得到的粗产物用硅胶柱层析(己烷/
甲苯混合溶剂)以及再结晶(乙醇/甲苯混合溶剂)进行提纯而得到了67g(收率81％)的白色固体。通过对得到的提纯物进行fab-ms测量，确认其分子量为509，从而确认得到了化合物b-3。
[0368]
在向三口烧瓶加入67g(132mmol)的b-3、23g(138mmol)的二苯胺(diphenylamine)、15g(158mmol)的叔丁醇钠(tbuona)、3.0g(5.2mmol)的pd(dba)2、3.0g(5.3mmol)的4,5-双(二苯基膦)-9,9-二甲基氧杂蒽(xantphos)，置换ar之后，加入700ml的甲苯并在60℃搅拌了6小时。在向反应系统中加入水，利用甲苯萃取有机层之后，用硫酸镁进行干燥并去除了溶剂。通过将得到的粗产物用硅胶柱层析(己烷/甲苯混合溶剂)以及再结晶(乙醇/甲苯混合溶剂)进行提纯而得到了68g(收率87％)的白色固体。通过对得到的提纯物进行fab-ms测量，确认其分子量为598，从而确认得到了化合物b-4。
[0369]
在向三口烧瓶加入65g(109mmol)的b-4、11g(120mmol)的苯胺、12g(130mmol)的叔丁醇钠(tbuona)、3.1g(5.4mmol)的pd(dba)2、3.4g(6.5mmol)的4,5-双(二苯基膦)-9,9-二甲基氧杂蒽(xantphos)，并置换ar之后，加入500ml的甲苯并在60℃搅拌了2小时。在向反应系统中加入水，利用甲苯萃取有机层之后，用硫酸镁进行干燥并去除了溶剂。通过将得到的粗产物用硅胶柱层析(己烷/甲苯混合溶剂)以及再结晶(乙醇/甲苯混合溶剂)进行提纯而得到了40g(收率60％)的白色固体。通过对得到的提纯物进行fab-ms测量，确认其分子量为610，从而确认得到了化合物b-5。
[0370]
[反应式2-2]
[0371][0372]
在向三口烧瓶加入45g(163mmol)的b-2、40g(196mmol)的3-溴-5-氟苯甲醚(3-bromo-5-fluoroanisole)、80g(245mmol)的csco3，并置换ar之后，加入400ml的n-甲基吡咯烷酮(nmp)进行溶解，然后在190℃搅拌了5小时。在向反应系统中加入水，利用甲苯萃取有机层之后，用硫酸镁进行干燥并去除了溶剂。通过将得到的粗产物用硅胶柱层析(己烷/甲苯混合溶剂)以及再结晶(乙醇/甲苯混合溶剂)进行提纯而得到了67g(收率90％)的白色固
体。通过对得到的提纯物进行fab-ms测量，确认其分子量为460，从而确认得到了化合物b-3'。
[0373]
在向三口烧瓶加入60g(130mmol)的b-3'、23g(169mmol)的二苯胺(diphenylamine)、15g(156mmol)的叔丁醇钠(tbuona)、3.0g(5.2mmol)的pd(dba)2、3.0g(5.3mmol)的4,5-双(二苯基膦)-9,9-二甲基氧杂蒽(xantphos)，并置换ar之后，加入500ml的甲苯并在60℃搅拌了4小时。在向反应系统中加入水，利用甲苯萃取有机层之后，用硫酸镁进行干燥并去除了溶剂。通过将得到的粗产物用硅胶柱层析(己烷/甲苯混合溶剂)以及再结晶(乙醇/甲苯混合溶剂)进行提纯而得到了60g(收率83％)的白色固体。通过对得到的提纯物进行fab-ms测量，确认其分子量为549，从而确认得到了化合物b-4'。
[0374]
在向三口烧瓶加入50g(91mmol)的b-4'、57g(228mmol)的bbr3，并置换ar之后，加入500ml的二氯甲烷(dmc)并在室温搅拌了12小时。在向反应系统中加入水，利用二氯甲烷(dmc)萃取有机层之后，用硫酸镁进行干燥并去除了溶剂。通过将得到的粗产物用硅胶柱层析(己烷/甲苯混合溶剂)以及再结晶(乙醇(ethanol)/甲苯混合溶剂)进行提纯而得到了46g(收率95％)的白色固体。通过对得到的提纯物进行fab-ms测量，确认其分子量为535，从而确认得到了化合物b-5'。
[0375]
[反应式2-3]
[0376][0377][0378]
在向三口烧瓶加入50g(82mmol)的b-5、73g(328mmol)的1-氟-3-碘苯(1-fluoro-3-iodobenzene)、57g(410mmol)的k2co3、78g(410mmol)的cui，并置换ar之后，在180℃搅拌了36小时。在向反应系统中加入水，利用二氯甲烷(dmc)萃取有机层之后，用硫酸镁进行干燥并去除了溶剂。通过将得到的粗产物用硅胶柱层析(己烷/甲苯混合溶剂)以及再结晶(乙醇(ethanol)/甲苯混合溶剂)进行提纯而得到了40g(收率70％)的白色固体。通过对得到的提纯物进行fab-ms测量，确认其分子量为704，从而确认得到了化合物b-6。
[0379]
在向三口烧瓶加入40g(56mmol)的b-6、36g(68mmol)的b-5'、28g(85mmol)的
dibromo-5-fluorobenzene)、94g(290mmol)的csco3，并置换ar之后，加入500ml的n-甲基吡咯烷酮(nmp)进行溶解，然后在180℃搅拌了2小时。在向反应系统中加入水，利用甲苯萃取有机层之后，用硫酸镁进行干燥并去除了溶剂。通过将得到的粗产物用硅胶柱层析(己烷/甲苯混合溶剂)以及再结晶(乙醇/甲苯混合溶剂)进行提纯而得到了86g(收率90％)的白色固体。通过对得到的提纯物进行fab-ms测量，确认其分子量为493，从而确认得到了化合物c-3。
[0387]
在向三口烧瓶加入80g(162mmol)的c-3、29g(170mmol)的二苯胺(diphenylamine)、19g(195mmol)的叔丁醇钠(tbuona)、3.7g(6.5mmol)的pd(dba)2、3.7g(6.5mmol)的4,5-双(二苯基膦)-9,9-二甲基氧杂蒽(xantphos)，并置换ar之后，加入800ml的二甲苯(xylene)并在60℃搅拌了3小时。在向反应系统中加入水，利用甲苯萃取有机层之后，用硫酸镁进行干燥并去除了溶剂。通过将得到的粗产物用硅胶柱层析(己烷/甲苯混合溶剂)以及再结晶(乙醇/甲苯混合溶剂)进行提纯而得到了78g(收率83％)的白色固体。通过对得到的提纯物进行fab-ms测量，确认其分子量为581，从而确认得到了化合物c-4。
[0388]
在向三口烧瓶加入75g(129mmol)的c-4、35g(142mmol)的三联苯胺、15g(155mmol)的叔丁醇钠(tbuona)、3.7g(6.5mmol)的pd(dba)2、4.0g(7.7mmol)的4,5-双(二苯基膦)-9,9-二甲基氧杂蒽(xantphos)，并置换ar之后，加入500ml的甲苯并在60℃搅拌了5小时。在向反应系统中加入水，利用甲苯萃取有机层之后，用硫酸镁进行干燥并去除了溶剂。通过将得到的粗产物用硅胶柱层析(己烷/甲苯混合溶剂)以及再结晶(乙醇/甲苯混合溶剂)进行提纯而得到了51g(收率53％)的白色固体。通过对得到的提纯物进行fab-ms测量，确认其分子量为746，从而确认得到了化合物c-5。
[0389]
[反应式3-2]
[0390][0391]
在向三口烧瓶加入50g(279mmol)的3,5-二氯苯硫醇(3,5-dichlorobenzenethiol)、236g(1396mmol)的二苯胺、64g(670mmol)的叔丁醇钠(tbuona)、12.8g(22mmol)的pd(dba)2、26g(45mmol)的4,5-双(二苯基膦)-9,9-二甲基氧杂蒽(xantphos)，并置换ar之后，加入1500ml的二甲苯并在120℃搅拌了8小时。在向反应系统中加入水，利用甲苯萃取有机层之后，用硫酸镁进行干燥并去除了溶剂。通过将得到的粗产物用硅胶柱层析(己烷/甲苯混合溶剂)以及再结晶(乙醇/甲苯混合溶剂)进行提纯而得到了58g(收率47％)的白色固体。通过对得到的提纯物进行fab-ms测量，确认其分子量为445，从而确认得到了化合物c-1'。
[0392]
[反应式3-3]
[0393][0394]
在向三口烧瓶加入50g(84mmol)的c-5、75g(337mmol)的1-氟-3-碘苯(1-fluoro-3-iodobenzene)、58g(422mmol)的k2co3、80g(422mmol)的cui，并置换ar之后，在180℃搅拌了50小时。在向反应系统中加入水，利用二氯甲烷(dmc)萃取有机层之后，用硫酸镁进行干燥并去除了溶剂。通过将得到的粗产物用硅胶柱层析(己烷/甲苯混合溶剂)以及再结晶(乙醇/甲苯混合溶剂)进行提纯而得到了42g(收率70％)的白色固体。通过对得到的提纯物进行fab-ms测量，确认其分子量为704，从而确认得到了化合物c-6。
[0395]
在向三口烧瓶加入40g(57mmol)的c-6、30g(68mmol)的c-1'、28g(85mmol)的csco3，并置换ar之后，加入200ml的n-甲基吡咯烷酮(nmp)进行溶解，并在180℃搅拌了3小时。在向反应系统中加入水，利用甲苯萃取有机层之后，用硫酸镁进行干燥并去除了溶剂。通过将得到的粗产物用硅胶柱层析(己烷/甲苯混合溶剂)以及再结晶(乙醇/甲苯混合溶剂)进行提纯而得到了44g(收率70％)的白色固体。通过对得到的提纯物进行fab-ms测量，确认其分子量为1112，从而确认得到了化合物c-7。
[0396]
在向三口烧瓶加入20g(18mmol)的c-7，并置换ar之后，加入28g(72mmol)的bi3、180ml的邻二氯苯(odcb)进行溶解，然后加入13ml(72mmol)的n,n-二异丙基乙胺(dipea)并在160℃搅拌了20分钟。向反应系统中加入290ml(214mmol)的n,n-二异丙基乙胺(dipea)，并在室温搅拌了30分钟。在利用大量乙腈(acetonitrile)分散清洗反应液后，通过进行过滤回收了固体。通过将得到的粗产物用硅胶柱层析(己烷/二氯甲烷混合溶剂)以及再结晶(乙醇/甲苯混合溶剂)进行提纯而得到了5.1g(收率25％)的黄色固体。通过对得到的提纯物进行fab-ms测量，确认其分子量为1127，从而确认得到了化合物c-17。
[0397]
2、多环化合物的物性评价
[0398]
[分子轨道的计算]
[0399]
在下述表1示出了实施例化合物a-8、实施例化合物b-18、实施例化合物c-17以及比较例化合物x1至比较例化合物x6的s1能级(s1 energy level)和t1能级(t1 energy level)。通过非经验性的分子轨道法计算了s1能级和t1能级。具体地，利用高斯(gaussian)公司产品gaussian 09，泛函数利用b3lyp、基函数用6-31g(d)进行了计算。
[0400]
【表1】
[0401]
化合物s1能级t1能级δest实施例化合物a-82.912.630.28实施例化合物b-182.892.590.30实施例化合物c-172.872.580.29比较例化合物x12.902.580.32比较例化合物x23.042.710.33比较例化合物x32.922.590.32比较例化合物x42.282.270.01比较例化合物x52.732.260.47比较例化合物x62.892.530.36
[0402]
[比较例化合物]
[0403][0404]
可以确认，实施例化合物a-8、实施例化合物b-18、实施例化合物c-17的
△
est小于比较例化合物x1至比较例化合物x3、比较例化合物x5以及比较例化合物x6的
△
est，且满足0.2以上0.3以下的范围。因此，实施例化合物可以用作热活性延迟荧光(tadf)掺杂剂材料、然而，与比较例化合物x1至比较例化合物x3、比较例化合物x5以及比较例化合物x6不同地，比较例化合物x4的最高占据分子轨道(homo)与最低未占分子轨道(lumo)是分离的，因此判断为发光原理与比较例化合物x1至比较例化合物x3、比较例化合物x5以及比较例化合物x6相异，
△
est表现出小的值。
[0405]
[荧光发光特性评价]
[0406]
在发光特性评价中，将ppf与一实施例的化合物以80:20的重量比沉积于石英玻璃(quartz glass)上，利用jasco v-670光谱仪(spcetrometer)测量了荧光发光光谱并在表2示出。利用jascoilf-835积分球系统(integrating sphere system)测量了荧光量子效率。
[0407][0408]
【表2】
[0409][0410][0411]
可以确认，实施例化合物a-8、实施例化合物b-18、实施例化合物c-17的荧光量子效率高于比较例化合物x1至比较例化合物x6。
[0412]
3、发光元件的制造和评价
[0413]
(发光元件的制造)
[0414]
在玻璃基板上图案化厚度为的ito之后，用超纯水清洗，进行10分钟的uv臭氧处理，从而形成了第一电极。在第一电极上真空沉积hat-cn形成了厚度的空穴注入层。在空穴注入层上部真空沉积npd而形成了厚度的空穴传输层。在空穴传输层上部真空沉积mcp而形成了厚度的电子阻挡层。在电子阻挡层上以80:20的重量比同时沉积mcbp和实施例化合物或者比较例化合物而形成了厚度的发光层。在发光层上部沉积tbpi形成厚度的电子传输层之后，在电子传输层上部沉积liq而形成了厚度的电子注入层。在电子注入层上真空沉积铝(al)而形成了厚度的第二电极。在第二电极上真空沉积化合物p5而形成厚度的封盖层，由此制造了发光元件。在实施例中，利用真空沉积装置形成了第一电极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层、电子注入层、第二电极以及封盖层。
[0415]
在下方示出了在制造发光元件时所使用到的化合物。
[0416][0417]
(发光元件的特性评价)
[0418]
为了评价根据实施例1至实施例3以及比较例1至比较例6的发光元件的特性，对外部量子效率的最大值进行了评价，并在表3示出。利用源表(吉时利仪器公司，2400系列)测量了发光元件的电压以及电流密度，利用滨松光子公司的外部量子效率测量装置c9920-12测量了亮度以及外部量子效率。
[0419]
【表3】
[0420][0421][0422]
比较实施例1至实施例3与比较例1至比较例6可知，包括实施例1至实施例3的发光元件表现出长寿命。这被认为是因为实施例1至实施例3的化合物的分子整体的分子轨道比比较例1至比较例6的化合物的分子整体的分子轨道宽，从而电稳定性得到提高而所致的。
[0423]
比较例1至比较例6的化合物在以硼为主要骨架的部分未取代有二苯并杂基。与此相反地，实施例1至实施例3的化合物在以硼为主要骨架的部分取代有至少一个二苯并杂基，其结果，具有长共轭结构(long conjugation)，从而可以提高电稳定性。
[0424]
像这样，包括实施例1至实施例3的情形相比包括比较例1至比较例6的情形表现出发光元件的寿命得到提高的结果。即，实施例1至实施例3的多环化合物在被硼取代的苯环取代有二苯并杂基，从而电稳定性高，其结果，可以提高包括该多环化合物的发光元件的寿命。
[0425]
一实施例的发光元件可以通过包括在被硼取代的苯环取代有二苯并杂基的多环化合物而提高元件的寿命。
[0426]
以上，虽然参照本发明的优选实施例进行了说明，但只要是本技术领域的熟练的技术人员或者具有本技术领域中的普通知识的人员，便可以理解在不脱离权利要求书中记载的本发明的思想和技术领域的范围内，可以对本发明进行多种修改和变更。
[0427]
因此，本发明的技术范围并不应该局限于说明书的详细说明中记载的内容，而应当通过权利要求书来确定。