一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制 一种秧草收获机用电力驱动行走机构

显示设备的制作方法

2022-06-22 17:46:41 来源:中国专利 TAG:

显示设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年12月18日提交的第10-2020-0178919号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
3.一个或多个实施例涉及显示设备,并且更具体地,涉及具有改善的可靠性的显示设备。


背景技术:

4.显示设备用于视觉地显示数据。显示设备用作诸如移动电话等小型产品的显示部分,或者用作诸如电视等大型产品的显示部分。
5.显示设备可以包括多个像素,这些像素接收电信号并发射光以向外部显示图像。每一个像素可以包括发光元件,并且例如,有机发光显示设备可以包括有机发光二极管作为发光元件。通常,有机发光显示设备作为薄膜晶体管工作并且有机发光二极管形成在基底上并且有机发光二极管自身发射光。
6.近来,随着显示设备的用途多样化,已经以各种方式进行了旨在改善显示设备的质量的显示设备的设计。


技术实现要素:

7.然而,在根据相关技术的显示设备中,由于在制造工艺中产生缺陷,因此可靠性会降低。
8.一个或多个实施例提供具有改善的可靠性的显示设备。然而,这是示例性的,并且本发明的范围不限于此。
9.附加特征将部分地在随后的描述中阐述,并且部分地将从描述中变得明显,或者可以通过本发明所呈现的实施例的实践而获知。
10.根据实施例,一种显示设备,具有显示区域和在所述显示区域外部的周边区域,显示设备包括:第一基底,包括对应于所述显示区域的区域和对应于所述周边区域的区域;显示层,设置在所述第一基底上在所述显示区域中并且包括第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件;屏蔽图案部分,包括设置在所述第一基底上在所述周边区域中并围绕所述显示层的至少一部分的第一图案层以及设置在所述第一图案层上并通过覆盖所述第一图案层的绝缘层中的接触孔电连接到所述第一图案层的第二图案层;第二基底,设置在所述显示层上,使得所述第二基底的面向所述第一基底的表面面向所述显示层;以及密封部分,围绕所述显示层的至少一部分,设置在所述第一基底和所述第二基底之间,覆盖所述屏蔽图案部分的在朝向所述显示层的方向上的一侧,并与所述接触孔重叠。
11.在实施例中,所述接触孔可以仅布置在与所述密封部分重叠的区域中。
12.在实施例中,从在所述绝缘层的面向所述第二基底的表面上的所述接触孔中的布
置在最外侧处的接触孔的边缘到所述密封部分的外边缘的距离可以大于或等于预设距离。
13.在实施例中,从在所述绝缘层的所述表面上的所述接触孔中的布置在最外侧处的所述接触孔的所述边缘到所述密封部分的所述外边缘的距离可以大于或等于大约300微米(μm)。
14.在实施例中,所述第一图案层可以包括在第一方向上延伸的第一布线和在与所述第一方向相交的第二方向上延伸并电连接所述第一布线的第一桥接电极。
15.在实施例中,所述第二图案层可以包括与所述第一布线重叠的第二布线和与所述第一桥接电极重叠的第二桥接电极。
16.在实施例中,所述第一布线和所述第一桥接电极可以彼此一体,并且所述第二布线和所述第二桥接电极可以彼此一体。
17.在实施例中,所述显示层还可以包括:薄膜晶体管,分别电连接到所述第一发光元件至所述第三发光元件,并且包括半导体层、与所述半导体层重叠的栅极电极以及均电连接到所述半导体层的源极电极和漏极电极两者。
18.在实施例中,所述第一图案层和所述栅极电极可以包括相同的材料并且具有相同的层结构。
19.在实施例中,所述第二图案层与所述源极电极和所述漏极电极可以包括相同的材料和相同的层结构。
20.在实施例中,所述显示设备还可以包括:支撑层,设置在所述第二基底和所述密封部分之间,使得所述支撑层的表面面向所述第一基底。
21.在实施例中,所述第二基底可以包括对应于所述第一发光元件的第一区域、对应于所述第二发光元件的第二区域以及对应于所述第三发光元件的第三区域,并且所述显示设备还包括:第一滤色器层,设置在所述第一区域中在所述第二基底的所述表面上;第二滤色器层,设置在所述第二区域中在所述第二基底的所述表面上;以及第三滤色器层,设置在所述第三区域中在所述第二基底的所述表面上。
22.在实施例中,所述支撑层可以包括设置在所述第二基底的所述表面上的第一子层、设置在所述第一子层的面向所述第一基底的表面上的第二子层以及设置在所述第二子层的面向所述第一基底的表面上的第三子层。
23.在实施例中,所述第一子层可以包括与所述第一滤色器层中包括的材料相同的材料,所述第二子层包括与所述第二滤色器层中包括的材料相同的材料,并且所述第三子层包括与所述第三滤色器层中包括的材料相同的材料。
24.在实施例中,所述支撑层还可以包括设置在所述第三子层的面向所述第一基底的表面上的至少一个绝缘层。
25.在实施例中,所述支撑层还可以包括设置在所述第三子层的面向所述第一基底的表面上的低折射层。
26.在实施例中,所述支撑层还可以包括设置在所述低折射层的面向所述第一基底的表面上的至少一个绝缘层。
27.在实施例中,所述显示设备还可以包括:堤,设置在绝缘层的面向所述第一基底的表面上,所述绝缘层覆盖所述第一滤色器层至所述第三滤色器层的面向所述第一基底的表面,并所述堤限定对应于所述第一区域的第一开口、对应于所述第二区域的第二开口以及
对应于所述第三区域的第三开口;透光层,填充所述第一开口;第二彩色量子点层,填充所述第二开口;以及第三彩色量子点层,填充所述第三开口。
28.在实施例中,从所述堤的外边缘到所述密封部分的内边缘的距离可以大于或等于预设距离。
29.在实施例中,从所述堤的所述外边缘到所述密封部分的所述内边缘的距离可以大于或等于大约300μm。
附图说明
30.根据以下结合附图的描述,本发明的某些实施例的上述和其他特征和优点将更加明显,在附图中:
31.图1是显示设备的一部分的实施例的示意性透视图;
32.图2是图1的区a的一部分的示意性放大平面图;
33.图3是显示设备的一部分的实施例的示意性侧视图;
34.图4是显示设备的一部分的实施例的示意性截面图;
35.图5是显示设备的一部分的另一实施例的示意性截面图;
36.图6是显示设备的实施例的一部分的示意性平面图;
37.图7是显示设备的一部分的实施例的示意性截面图;
38.图8是显示设备的一部分的实施例的示意性截面图;以及
39.图9是显示设备的一部分的实施例的示意性截面图。
具体实施方式
40.现在将详细参照示例在附图中示出的实施例,其中相同的附图标记始终表示相同的元件。在这方面,实施例可以具有不同的形式并且不应被解释为限于在此阐述的描述。因此,下面通过参照附图仅描述实施例,以解释描述的特征。如本文所用,术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项目的任何和所有组合。在整个公开中,表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a,仅b,仅c,a和b两者,a和c两者,b和c两者,a、b和c的全部,或者它们的变型。
41.可以对实施例实施各种修改,并且特定实施例将在附图中示出并在详细描述部分中描述。通过参照以下结合附图的详细描述,实施例的效果和特征及实现实施例的效果和特征的方法将更加清楚。然而,实施例可以以各种形式实现,并不限于以下呈现的实施例。
42.下面将参照附图对实施例进行详细描述,并且在参照附图的描述中,相同或相对应的组成部分用相同的附图标记表述,并省略其重复描述。
43.在以下实施例中,尽管诸如“第一”、“第二”等的术语可用于描述各种组件,但是这些组件不必限于以上术语。以上术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。
44.在以下实施例中,以单数形式使用的表述包括复数表述,除非该表述在上下文中具有明显不同的含义。
45.在以下实施例中,将理解的是,诸如“包括”、“具有”和“包含”的术语意在表示本说明书中公开的特征、数字、步骤、操作、组件、部件或它们的组合的存在,且不意在排除可能存在或添加一个或多个其他特征、数字、步骤、操作、组件、部件或它们的组合。
46.在以下实施例中,将理解的是,当诸如层、膜、区或板的组件被称为“在”另一组件“上”时,所述组件可以直接在所述另一组件上,或者可以在所述组件与所述另一组件之间存在居间组件。
47.为了便于解释,附图中组件的尺寸可能被夸大。例如,由于为了便于解释,附图中的组件的尺寸和厚度可以任意示出,因此下述实施例不限于此。
48.当可以不同地实施特定实施例时,可以与所描述的顺序不同地执行特定工艺顺序。例如,两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
49.在说明书中,表述诸如“a和/或b”可以包括a、b、或a和b。此外,表述诸如“a和b中的至少一个”可以包括a、b、或a和b。
50.在以下实施例中,将理解的是,当层、区或组件被称为“连接到”另一层、区或组件时,该层、区或组件可以直接连接到另一层、区或组件,或者可以经由居间层、区或组件间接连接到另一层、区或组件。例如,在说明书中,当层、区或组件被称为电连接到另一层、区或组件时,该层、区或组件可以直接电连接到另一层、区或组件,或者可以经由居间层、区或组件间接电连接到另一层、区或组件。
51.在以下实施例中,x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴,并且可以在更广泛的意义上进行解释。例如,x轴、y轴和z轴可以彼此垂直,或者可以代表彼此不垂直的不同方向。
52.考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关的误差(即,测量系统的局限性),如本文所用的“大约”或“近似”包括所述值,并且意指在由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如,“大约”可以指在一个或多个标准偏差内,或者在所述值的
±
30%、
±
20%、
±
10%或
±
5%以内。
53.除非另有定义,否则本文所用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的相同的含义。将进一步理解的是,除非这里明确地如此定义,否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义相一致的含义,并且将不以理想化的或过于形式化的含义解释所述术语。
54.图1是显示设备1的一部分的实施例的示意性透视图。图2是图1的区a的一部分的示意性放大平面图。
55.如图1和图2中所示,实施例中的显示设备1可以包括发射光的显示区域da和不发射光的周边区域pa。显示设备1可以包括第一基底100,并且第一基底100可以包括对应于显示区域da的区域和对应于周边区域pa的区域。
56.尽管图1示出了显示区域da为四边形(例如,矩形)的显示设备1,但是显示区域da的形状可以是圆形、椭圆形和另一个多边形等。
57.多个像素px可以设置在显示区域da中,并且像素px中的每一个设置在x轴方向上延伸的扫描线sl和在y轴方向上延伸的数据线dl彼此相交的位置处。像素px中的每一个都可以被提供连接到扫描线sl、数据线dl和驱动电压供应线pl的像素电路和连接到像素电路的发光元件。
58.周边区域pa可以围绕显示区域da的至少一部分。例如,在实施例中,周边区域pa可以完全围绕显示区域da。周边区域pa可以包括在周边区域pa的一侧的焊盘区域(未示出)。
包括多个焊盘的焊盘部分可以布置在焊盘区域中。由于包括在焊盘部分中的每一个焊盘电连接到印刷电路板(“pcb”)的焊盘,因此每一个焊盘可以接收通过pcb输入的信号。为此,焊盘部分可以包括多个焊盘。焊盘可以通过未被绝缘层覆盖而暴露而电连接到pcb等。
59.用于传输将施加到显示区域da的电信号的各种布线可以设置在周边区域pa中。此外,用于控制将施加到显示区域da的电信号的电路部分的一部分可以设置在周边区域pa中。在实施例中,驱动部分20、电源布线30、屏蔽图案部分600和密封部分700可以设置在周边区域pa中。
60.驱动部分20可以包括发射驱动电路和扫描驱动电路等。发射驱动电路可以设置在第一基底100上在周边区域pa中,并且可以产生发射控制信号并且通过发射控制线(未示出)将产生的信号传输到像素px中的每一个。扫描驱动电路可以设置在第一基底100上在周边区域pa中,并且可以产生扫描信号并且通过扫描线sl将产生的信号传输到像素px中的每一个。
61.电源布线30可以通过围绕显示区域da的至少一部分设置在第一基底100上在周边区域pa中。电源布线30可以通过驱动电压供应线pl将驱动电力提供给像素px,或者将公共电力提供给发光元件的公共电极。
62.屏蔽图案部分600可以设置在第一基底100上在周边区域pa中。屏蔽图案部分600可以围绕显示区域da的至少一部分。在实施例中,屏蔽图案部分600可以完全围绕显示区域da。此外,例如,除了焊盘区域(未示出),屏蔽图案部分600可以整体围绕显示区域da。
63.屏蔽图案部分600可以防止在显示设备1的制造或使用期间产生的静电朝向显示区域da流入。在实施例中,例如,屏蔽图案部分600可以吸收和释放在显示设备1的制造或使用期间产生的静电。因此,屏蔽图案部分600可以防止静电流入到显示区域da内,从而防止由于静电而发生缺陷,例如对发光元件和像素电路等的损坏。
64.参照图2和下文将描述的图3,密封部分700可以提供在第一基底100和第二基底400之间。密封部分700可以将第一基底100结合到第二基底400。密封部分700可以提供在周边区域pa中在第一基底100和第二基底400之间并且可以整体围绕显示区域da。因此,由第一基底100、第二基底400和密封部分700限定的显示区域da中的空间与外部隔绝,并且因此,可以防止外部湿气或杂质渗透到显示设备1内。
65.密封部分700可以包括诸如玻璃料的无机材料以及诸如环氧树脂等的有机材料。在实施例中,玻璃料可以理解为在诸如氧化硅(sio2)等主要材料中包括激光或红外吸收材料、有机粘合剂和用于降低热膨胀系数的填料等的糊状物。随着有机粘合剂和湿气通过干燥和烧制工艺被去除,糊状物中的玻璃料可以固化。激光或红外吸收材料可以包括过渡金属化合物。玻璃料可以通过激光等固化,从而形成密封部分700。
66.密封部分700设置为至少部分地与相邻元件重叠,并且因此,可以减少显示设备1的死区。在详细示例中,如图9中所示,密封部分700可以设置以覆盖并与电源布线30或屏蔽图案部分600的一部分重叠。
67.在以下描述中,有机发光显示器被描述为显示设备1的实施例。然而,根据本发明的显示设备1不限于此。换言之,根据本发明的显示设备1可以包括无机发光显示器或量子点发光显示器。例如,在实施例中,包括在显示设备1中的显示元件的发射层可以包括有机材料或无机材料。显示设备1可以包括量子点、有机材料和量子点、或者无机材料和量子点。
68.图3是显示设备1的一部分的实施例的示意性侧视图。
69.参照图3,实施例中的显示设备1可以包括第一基底100和布置在第一基底100上方的第二基底400,使得第二基底400的下表面面向第一基底100。此外,显示层dpl和滤光层cfl可以设置在第一基底100和第二基底400之间。
70.显示层dpl可以包括多个像素。在实施例中,显示层dpl可以包括第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3。例如,第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3各自可以是在第一基底100上发射不同颜色的像素。在实施例中,第一像素px1可以发射第一色光la,第二像素px2可以发射第二色光lb,并且第三像素px3可以发射第三色光lc。在实施例中,例如,第一色光la可以是蓝光,第二色光lb可以是绿光,并且第三色光lc可以是红光。
71.每一个像素可以包括发光二极管led。详细地,第一像素px1可以包括第一发光二极管led1,第二像素px2可以包括第二发光二极管led2,并且第三像素px3可以包括第三发光二极管led3。在另一实施例中,第一像素px1可以包括第一发光二极管led1、第二发光二极管led2和第三发光二极管led3。在另一实施例中,第一发光二极管led1、第二发光二极管led2和第三发光二极管led3可以发射第一色光la,例如蓝光。在另一实施例中,第一发光二极管led1、第二发光二极管led2和第三发光二极管led3可以分别发射第一色光la、第二色光lb和第三色光lc。在另一实施例中,第一发光二极管led1、第二发光二极管led2和第三发光二极管led3可以发射第一色光la和第二色光lb的混合光,例如蓝光和绿光混合的光。
72.滤光层cfl可以包括第一滤色器部分400a、第二滤色器部分400b和第三滤色器部分400c。从第一发光二极管led1、第二发光二极管led2和第三发光二极管led3发射的光可以分别通过第一滤色器部分400a、第二滤色器部分400b和第三滤色器部分400c透射,并且因此第一发光二极管led1、第二发光二极管led2和第三发光二极管led3可以分别发射第一色光la、第二色光lb和第三色光lc。
73.图4是显示设备的一部分的实施例的示意性截面图,并且图5是显示设备的一部分的另一实施例的示意性截面图。与图4的附图标记相同的图5的附图标记表示相同的元件,并且因此,将省略相同元件的冗余描述。
74.实施例中的显示设备可以包括第一基底100、布置在第一基底100上的发光元件、第二基底400、以及布置在第二基底400的面向第一基底100的下表面上的滤光部分。
75.第一基底100可以包括玻璃、金属或聚合物树脂。在实施例中,当第一基底100为柔性的或可弯曲时,第一基底100可以包括聚合物树脂,例如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或醋酸丙酸纤维素。第一基底100可以具有各种变型,例如,包括两层以及提供在两层之间的阻挡层的多层结构,两层各自包括如上的聚合物树脂,并且阻挡层包括诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅等的无机材料。
76.包括第一像素电极311的第一发光元件可以设置在第一基底100上。此外,除了第一发光元件之外,电连接到第一发光元件的第一薄膜晶体管(“tft”)210可以设置在第一基底100上。如图4中所示,第一发光元件电连接到第一tft 210可以是指第一发光元件的第一像素电极311电连接到第一tft 210。
77.第一tft 210可以包括第一半导体层211、第一栅极电极213、第一源极电极215a和第一漏极电极215b。第一半导体层211可以包括非晶硅、多晶硅、有机半导体材料或氧化物
半导体材料。第一栅极电极213可以包括各种导电材料并具有包括例如钼(mo)层和铝(al)层的各种层叠结构。在这种情况下,第一栅极电极213可以具有mo/al/mo的层叠结构。在替代实施例中,第一栅极电极213可以包括氮化钛(tin
x
)层、al层和/或钛(ti)层。第一源极电极215a和第一漏极电极215b还可以包括各种导电材料并具有包括例如ti层、al层和/或铜(cu)层的各种层叠结构。在这种情况下,第一源极电极215a和第一漏极电极215b可以具有ti/al/ti的层叠结构。
78.为了确保第一半导体层211和第一栅极电极213之间的绝缘,可以在第一半导体层211和第一栅极电极213之间提供栅极绝缘层121。另外,第一层间绝缘层131可以设置在第一栅极电极213上,并且第一源极电极215a和第一漏极电极215b可以设置在第一层间绝缘层131上。此外,第二层间绝缘层135可以设置在第一源极电极215a和第一漏极电极215b上。绝缘层可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等的无机材料。在实施例中,可以通过化学气相沉积(“cvd”)或原子层沉积(“ald”)来提供绝缘层。这同样适用于以下描述的实施例及其修改示例。
79.包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等无机材料的缓冲层110可以提供在上述结构的第一tft 210和第一基底100之间。缓冲层110可以增加第一基底100的上表面的平坦度或者防止或减少杂质从第一基底100等向第一tft 210的第一半导体层211的渗透。
80.平坦化层140可以布置在第一tft 210上。例如,在实施例中,如图4中所示,当有机发光二极管布置为第一tft 210上的第一发光元件时,平坦化层140通常可以平坦化覆盖第一tft 210的保护膜的上部。在实施例中,平坦化层140可以包括有机材料,例如亚克力(acryl)、苯并环丁烯(“bcb”)和六甲基二硅氧烷(“hmdso”)等。尽管图4将平坦化层示出为单层,但是平坦化层140可以以各种方式(例如,多层等)修改。
81.第一发光元件可以设置在第一基底100的平坦化层140上。在图4中,作为第一发光元件的有机发光二极管设置在平坦化层140上。设置在第一像素px1中的第一发光元件可以是包括第一像素电极311、对电极330和布置在像素电极311和对电极330之间并包括第一颜色发射层的中间层320的有机发光二极管。如图4中所示,第一像素电极311可以通过限定在第二层间绝缘层135和平坦化层140等中的开口接触第一源极电极215a和第一漏极电极215b中的任一个而电连接到第一tft 210。第一像素电极311可以包括包含诸如氧化铟锡(“ito”)、氧化铟(in2o3)和氧化铟锌(“izo”)等的透光导电氧化物的透光导电层和包含诸如al和ag等金属的反射层。例如,在实施例中,第一像素电极311可以具有ito/ag/ito的三层结构。
82.如图4中所示,尽管包括第一颜色发射层的中间层320可以具有图案化以对应于第一像素电极311的形状,但是中间层320也可以设置在布置在第一基底100上的第二像素电极312和第三像素电极313上以一体地横跨第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313。中间层320上的对电极330也可以一体地横跨第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313。在实施例中,对电极330可以包括包含ito、in2o3或izo的透光导电层,并且可以包括包含诸如al和ag等金属的半透明膜。例如,在实施例中,对电极330可以包括包含mg或ag的半透明膜。
83.像素限定层150可以布置在平坦化层140上方。像素限定层150可以限定像素,像素限定层150中限定了对应于每一个像素的开口,例如暴露第一像素电极311的中心部分的开
口。此外,像素限定层150可以通过增加第一像素电极311的边缘与对电极330之间的距离防止在第一像素电极311的边缘产生电弧等。在实施例中,像素限定层150可以包括有机材料,例如聚酰亚胺和hmdso等。
84.中间层320可以包括低分子量材料或聚合物材料。当中间层320包括低分子量材料时,中间层320可以具有空穴注入层(“hil”)、空穴传输层(“htl”)、发射层(“eml”)、电子传输层(“etl”)和电子注入层(“eil”)等堆叠在单个或复合结构中的结构,并且可以通过真空沉积方法提供中间层320。当中间层320包括聚合物材料时,中间层320可以具有包括htl和eml的结构。此时,hil可以包括聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(“pedot”),并且eml可以包括基于聚苯乙炔(“ppv”)的聚合物材料和基于聚芴的聚合物材料等。在实施例中,可以通过丝网印刷法、喷墨印刷法、沉积法和激光诱导热成像(“liti”)法等提供中间层320。中间层320不限于此,并且可以具有各种结构。
85.尽管中间层320可以包括如上所述的一体地横跨第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313的层,但是根据需要,中间层320可以包括被图案化以对应于第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313中的每一个的层。在任何情况下,中间层320可以包括第一颜色发射层。根据需要,第一颜色发射层可以一体地横跨第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313,或者可以图案化以对应于第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313中的每一个。第一颜色发射层可以发射第一波段的光。例如,在实施例中,第一颜色发射层可以发射大约450纳米(nm)至大约495nm的波长的光。
86.由于上述有机发光二极管可能容易地被外部湿气或氧气等损坏,因此有机发光二极管可以被封装层160覆盖和保护。封装层160可以包括至少一层有机封装层和至少一层无机封装层。例如,在实施例中,封装层160可以包括第一无机封装层161、有机封装层162和第二无机封装层163。
87.第一无机封装层161可以覆盖对电极330,并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等。可以在第一无机封装层161和对电极330之间提供诸如覆盖层等的其他层(未示出)。由于沿第一无机封装层161下方的结构提供的第一无机封装层161具有不平坦的上表面,因此有机封装层162覆盖第一无机封装层161,从而平坦化第一无机封装层161的上表面。在实施例中,有机封装层162可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷中的一种或多种材料。第二无机封装层163布置为覆盖有机封装层162,并且可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅等。
88.即使当通过上述多层结构在封装层160中产生裂纹时,封装层160也可以防止裂纹在第一无机封装层161和有机封装层162之间或有机封装层162和第二无机封装层163之间连接。因此,可以防止或减少外部湿气或氧气等通过其渗透到内部的路径。
89.如图4中所示,实施例中的显示设备可以包括设置在第二像素px2中的第二发光元件。如图4所示,第二发光元件可以是包括第二像素电极312、对电极330和布置在第二像素电极312和对电极330之间并包括第一颜色发射层的中间层320的有机发光二极管。不仅第二发光元件,而且电连接到第二发光元件的第二tft 220也可以设置在第一基底100上。如图4中所示,第二发光元件电连接到第二tft 210可以是指第二发光元件的第二像素电极312电连接到第二tft 210。第二像素电极312和第二tft 220的描述类似于如上所述的第一像素电极311和第一tft 210的描述。在实施例中,第二tft 220可以包括第二半导体层221、
第二栅极电极223、第二源极电极225a和第二漏极电极225b。
90.此外,如图4中所示,实施例中的显示设备可以具有设置在第三像素px3中的第三发光元件。如图4中所示,第三发光元件可以是包括第三像素电极313、对电极330和布置在第三像素电极313和对电极330之间并包括第一颜色发射层的中间层320的有机发光二极管。不仅第三发光元件,而且电连接到第三发光元件的第三tft 230也可以设置在第一基底100上。如图4中所示,第三发光元件电连接到第三tft 230可以是指第三发光元件的第三像素电极313电连接到第三tft 230。第三像素电极313和第三tft 230的描述类似于如上所述的第一像素电极311和第一tft 210的描述。在实施例中,第三tft 230可以包括第三半导体层231、第三栅极电极233、第三源极电极235a和第三漏极电极235b。
91.第二基底400可以布置在第一基底100上方,使得第二基底400的下表面面向第一基底100。第二基底400可以布置为使得第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313布置在第二基底400和第一基底100之间。第二基底400可以包括聚合物树脂。在实施例中,第二基底400可以包括聚合物树脂,例如,诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或醋酸丙酸纤维素。
92.第二基底400可以具有各种修改,例如,包含两层和阻挡层的多层结构,两层各自包括如上所述的聚合物树脂,阻挡层包括诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅等的无机材料并且提供在层之间。第二基底400可以是柔性的或可弯曲的。
93.第二基底400可以包括对应于第一发光元件的第一区域a1、对应于第二发光元件的第二区域a2和对应于第三发光元件的第三区域a3。表述“对应于”可以指两个对象在垂直于第二基底400的上表面的方向( z轴方向或-z轴方向)上彼此重叠。详细地,在垂直于第二基底400的上表面的方向(z轴方向)上,第一区域a1可以与第一像素电极311重叠,第二区域a2可以与第二像素电极312重叠,并且第三区域a3可以与第三像素电极313重叠。
94.滤光器部分可以布置在第二基底400的沿-z轴方向面向第一基底100的下表面上。滤光器部分可以包括分别对应于第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3的第一滤色器部分400a、第二滤色器部分400b和第三滤色器部分400c。第一滤色器部分400a、第二滤色器部分400b和第三滤色器部分400c可以在垂直于第一基底100或第二基底400的方向(z轴方向)上分别与第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313重叠。第一滤色器部分400a、第二滤色器部分400b和第三滤色器部分400c可以分别对从第一发光元件至第三发光元件发射的光执行过滤。因此,显示设备可以显示全色图像。
95.在实施例中,在第一区域a1中,第一滤色器部分400a可以包括布置在第二基底400和对电极330之间的透光层415和布置在第二基底400和透光层415之间的第一滤色器层410。此外,在第二区域a2中,第二滤色器部分400b可以包括布置在第二基底400与对电极330之间的第二彩色量子点层425以及布置在第二基底400与第二彩色量子点层425之间的第二滤色器层420。此外,在第三区域a3中,第三滤色器部分400c可以包括布置在第二基底400与对电极330之间的第三彩色量子点层435以及布置在第二基底400与第三彩色量子点层435之间的第三滤色器层430。
96.在实施例中,第一滤色器层410可以是仅透射例如大约450nm至大约495nm波长的光的层。第一滤色器层410可以设置在第二基底400的沿-z轴方向面向第一基底100的下表
面上。第一滤色器层410可以覆盖第二基底400的对应于第一发光元件的第一区域a1。如图4中所示,暴露对应于第二像素电极312的第二区域a2的第一-2开口412限定在第一滤色器层410中。第一-2开口412可以限定第二像素px2的面积。此外,暴露对应于第三像素电极313的第三区域a3的第一-3开口413限定在第一滤色器层410中。第一-3开口413可以限定第三像素px3的面积。
97.在实施例中,第二滤色器层420可以是仅透射例如大约495nm至大约570nm波长的光的层。第二滤色器层420可以包括设置在第一滤色器层410的沿-z轴方向面向第一基底100的下表面上的一部分以及填充第一滤色器层410的第一-2开口412的一部分。在第二滤色器层420中,设置在第一滤色器层410的沿-z轴方向面向第一基底100的下表面上的一部分可以用作阻挡光的屏障。在第二滤色器层420中,填充第一滤色器层410的第一-2开口412的一部分可以设置在第二基底400的沿-z轴方向面向第一基底100的下表面上。如图4中所示,暴露对应于第一像素电极311的第一区域a1的第二-1开口421可以限定在第二滤色器层420中。第二-1开口421可以限定第一像素px1的面积。此外,暴露对应于第三像素电极313的第三区域a3的第二-3开口423可以限定在第二滤色器层420中。
98.在实施例中,第三滤色器层430可以是仅透射例如大约630nm至大约780nm波长的光的层。第三滤色器层430填充第一滤色器层410的第一-3开口413。第三滤色器层430可以理解为填充第二滤色器层420的第二-3开口423。
99.第一滤色器层410、第二滤色器层420和第三滤色器层430可以减少显示设备中外部光的反射。例如,在实施例中,当外部光到达第一滤色器层410时,只有上述预设波长的光可以通过第一滤色器层410,并且其他波长的光可以被第一滤色器层410吸收。因此,入射到显示设备上的外部光中只有上述预设波长的光通过第一滤色器层410,并且部分光被第一滤色器层410下方的对电极330或第一像素电极311反射并发射到外部。结果,由于入射到设置第一像素px1的位置上的外部光的仅一部分反射到外部,因此可以减少外部光的反射。以上描述可能与第二滤色器层420和第三滤色器层430的描述相同。
100.尽管图4示出了第二滤色器层420的第二-1开口421限定第一区域a1、第一滤色器层410的第一-2开口412限定第二区域a2、以及第一滤色器层410的第一-3开口413限定第三区域a3的情况,但是本发明不以此为限。
101.在另一实施例中,如图5中所示,黑矩阵510可以布置在第一滤色器层410、第二滤色器层420和第三滤色器层430之间。由于对应于第一区域a1、第二区域a2和第三区域a3中的每一个的开口限定在黑矩阵510中,因此可以限定第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3的面积。黑矩阵510可以包括与包括在下面描述的堤500中的材料相同的材料。在实施例中,黑矩阵510可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等的无机材料。在可选的实施例中,黑矩阵510可以包括光刻胶材料。在这种情况下,可以通过曝光和显影等工艺容易地提供黑矩阵510。
102.堤500可以设置在第一保护层il1的下表面上,第一保护层il1是覆盖滤色器层的沿-z轴方向面向第一基底100的下表面的绝缘层。堤500可以设置在滤色器层彼此重叠的一部分与第一基底100之间。在实施例中,如图4中所示,堤500可以设置在第一滤色器层410和第二滤色器层420彼此重叠的一部分与第一基底100之间。在可选的实施例中,如图5中所示,当显示设备包括如上所述的黑矩阵510时,堤500可以与黑矩阵510重叠。
103.堤500可以限定第一区域a1、第二区域a2和第三区域a3。对应于第一区域a1的第一开口501、对应于第二区域a2的第二开口502和对应于第三区域a3的第三开口503可以限定在堤500中。堤500的第一开口501、第二开口502和第三开口503可以分别对应于分别限定第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3的面积的像素限定层150的开口。分别对应于分别限定第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3的像素限定层150的开口的堤500的第一开口501、第二开口502和第三开口503可以是指,在垂直于第二基底400的上表面的方向(z-轴方向)上,堤500的第一开口501、第二开口502和第三开口503中的每一个的边缘的形状与分别限定第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3的像素限定层150的开口中的每一个的边缘的形状相同或相似。
104.堤500可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等的无机材料。在可选的实施例中,堤500可以包括光刻胶材料。在这种情况下,可以通过曝光和显影等工艺容易地提供堤500。
105.透光层415可以填充堤500的第一开口501。在实施例中,包括在第一像素电极311上方的中间层320中的第一颜色发射层可以发射第一波段中的光,例如,大约450nm至大约495nm的波长的光。在第一像素px1中,第一波段中的光通过第二基底400发射到外部而不改变波长。因此,第一像素px1不具有量子点层。由于在堤500的第一开口501中不需要量子点层,因此可以布置包括透光树脂的透光层415。例如,在实施例中,透光层415可以包括亚克力、bcb或hmdso。在可选的实施例中,与图4中示出的不同,透光层415可以不在堤500的第一开口501中。
106.第二彩色量子点层425填充堤500的第二开口502。第二彩色量子点层425可以将在第二像素电极312上的中间层320中产生的在第一波段中的光转换为在第二波段中的光。例如,在实施例中,当在第二像素电极312上的中间层320中产生大约450nm至大约495nm的波长的光时,第二彩色量子点层425可以将产生的光转换为大约495nm至大约570nm的波长的光。因此,在第二像素px2中,大约495nm至大约570nm波长的光可以通过第二基底400发射到外部。
107.第三彩色量子点层435可以填充堤500的第三开口503。第三彩色量子点层435可以将在第三像素电极313上的中间层320中产生的第一波段中的光转换为第三波段中的光。例如,在实施例中,当在第三像素电极313上的中间层320中产生大约450nm至大约495nm的波长的光时,第三彩色量子点层435可以将产生的光转换为大约630nm至大约780nm的波长的光。因此,在第三像素px3中,大约630nm至大约780nm波长的光可以通过第二基底400发射到外部。
108.第二彩色量子点层425和第三彩色量子点层435各自可以是分布在树脂中的量子点的形式。在实施例中,量子点可以包括诸如硫化镉(cds)、碲化镉(cdte)、硫化锌(zns)和磷化铟(inp)等的半导体材料。量子点可以具有几纳米的大小,并且转换后的光的波长会根据量子点的大小而变化。此外,可以使用任何透光材料作为包括在第二彩色量子点层425和第三彩色量子点层435中的树脂。例如,在实施例中,可以使用诸如亚克力、bcb或hmdso的聚合物树脂作为用于形成第二彩色量子点层425和第三彩色量子点层435的材料。用于形成第二彩色量子点层425和第三彩色量子点层435的材料可以通过喷墨印刷的方法分别地布置在堤500的第二开口502和第三开口503中。
109.第一保护层il1可以布置在第一滤色器层410和透光层415之间、第二滤色器层420和第二彩色量子点层425之间以及第三滤色器层430和第三彩色量子点层435之间。此外,第二保护层il2可以覆盖透光层415、第二彩色量子点层425和第三彩色量子点层435的沿-z轴方向面向第一基底100的下表面。此外,第一保护层il1和第二保护层il2各自可以在第二基底400的整个表面上是一体的。第一保护层il1和第二保护层il2可以防止在制造工艺中或在制造后的使用过程中对滤色器层410、420和430、量子点层425和435以及透光层415的损坏。
110.第一保护层il1和第二保护层il2各自可以包括诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅等的材料作为具有透光性的无机绝缘材料。此外,第一保护层il1和第二保护层il2各自可以包括包含聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚磺酸乙烯酯、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷中的一种或多种材料的层。此外,在可选的实施例中,不同于图4中所示其中低折射层lr设置在第一保护层il1的上表面上的实施例,低折射层lr可以设置在第一保护层il1的下表面上。低折射层lr作为包括具有低折射率的材料的层可以改善显示设备的光效率。在实施例中,粘合层adh可以设置在第二无机封装层163和第二保护层il2之间。
111.图6是显示设备的一部分的实施例的示意性平面图。作为参照,在图6中,为方便起见,省略了屏蔽图案部分600和密封部分700以外的组件。
112.如图6中所示,在实施例中,包括在显示设备中的屏蔽图案部分600可以包括围绕显示区域da(见图2)的至少一部分的下图案层610和上图案层620。此外,尽管图6中未示出,但是可以在下图案层610和上图案层620之间提供绝缘层,并且上图案层620的上表面可以覆盖有绝缘层。
113.接触孔cnt可以限定在提供在下图案层610和上图案层620之间的绝缘层的一侧处。上图案层620可以通过接触孔cnt电连接到下图案层610。如此,具有彼此重叠并彼此电连接的两个图案层610和620的屏蔽图案部分600可以有效地吸收静电。
114.下图案层610和上图案层620可以彼此重叠并且各自可以具有图案化结构。在实施例中,下图案层610和上图案层620各自可以具有网格结构。详细地,下图案层610可以包括在第一方向(y轴方向)上延伸的第一布线611以及在与第一方向相交的第二方向(x轴方向)上延伸的第一桥接电极613。第一布线611可以布置为彼此不相交并且可以通过围绕显示区域da(见图2)的至少一侧而延伸。第一桥接电极613可以布置在与布置第一布线611的方向相交的方向上,并且可以连接到第一布线611。第一桥接电极613可以电连接第一布线611。此外,第一桥接电极613可以与第一布线611是一体的。在图6中,以虚线示出了第一布线611和第一桥接电极613的轮廓。
115.在实施例中,如图6中所示,例如,第一布线611可以通过在第一方向上延伸而彼此平行。第一桥接电极613可以在与第一方向相交的第二方向上延伸,并且可以与第一布线611是一体的,从而电连接第一布线611。此外,第一桥接电极613可以以预设间隔彼此间隔开。尽管图6示出了两个第一桥接电极作为第一桥接电极613的实施例,但是第一桥接电极613的数量和排列间隔等可以是无限的。
116.如图6中所示,上图案层620可以包括与下图案层610的第一布线611重叠的第二布线621和与下图案层610的第一桥接电极613重叠的第二桥接电极623。换言之,上图案层620
可以包括在第一方向上延伸的第二布线621以及在与第一方向相交的第二方向上延伸的第二桥接电极623。第二布线621可以布置为彼此不相交并且可以通过围绕显示区域da(见图2)的至少一侧而延伸。第二桥接电极623可以布置在与布置第二布线621的方向相交的方向上,并且可以连接到第二布线621。第二桥接电极623可以电连接第二布线621。此外,第二桥接电极623可以与第二布线621是一体的。在图6中,以虚线示出了第二布线621和第二桥接电极623的轮廓。
117.密封部分700可以与显示设备的一些部件重叠,并且因此,可以减少显示设备的死区。在实施例中,如图6中所示,例如,密封部分700可以在朝向显示区域da(见图2)的方向或朝向显示层dpl(见图3)的方向上覆盖屏蔽图案部分600的一侧。
118.图7至图9是显示设备的一部分的实施例的示意性截面图。图7是沿图6的线i-i'截取的显示设备的截面图。图8是沿图6的线ii-ii'截取的显示设备的截面图。在所有附图中,相同的附图标记表示相同的构成元件,并且因此省略其重复描述。
119.在实施例中,如图7至图9中所示,下图案层610可以包括与上述tft的栅极电极中包括的材料相同的材料,并且可以具有与栅极电极的层结构相同的层结构。换言之,下图案层610可以在形成tft的栅极电极的相同工艺中同时提供。
120.此外,上图案层620可以包括与上述tft的源极电极和/或漏极电极中包括的材料相同的材料,并且可以具有与源极电极和/或漏极电极的层结构相同的层结构。换言之,上图案层620可以在形成tft的源极电极和/或漏极电极的相同工艺中同时提供。
121.密封部分700可以覆盖屏蔽图案部分600的内端部分(例如,图9中的右端部分)和电源布线30的外端部分(例如,图9中的左端部分)。在实施例中,导电膜212可以覆盖与电源布线30的外端部分相对的电源布线30的内端部分(例如,图9中的右端部分)。由于导电膜212覆盖电源布线30的内端部分,因此导电膜212的一侧电连接到电源布线30,并且导电膜212的另一侧电连接到对电极330,并且因此,电源布线30可以向对电极330供电。导电膜212可以包括与像素电极的材料相同的材料。例如,在实施例中,导电膜212可以具有ito/ag/ito的堆叠结构。在另一实施例中,可以省略导电膜212。在这种情况下,朝向显示区域da(见图2)延伸的电源布线30可以直接连接到对电极330。
122.此外,提供在下图案层610和上图案层620之间的绝缘层以及覆盖上图案层620的上表面的绝缘层可以布置为横跨第一基底100的整个表面。换言之,下图案层610和上图案层620之间的绝缘层以及覆盖上图案层620的上表面的绝缘层可以不仅延伸到布置屏蔽图案部分600所在的周边区域pa(见图2),而且延伸到显示区域da(见图2)。在实施例中,下图案层610和上图案层620之间的绝缘层可以是上述的第一层间绝缘层131,覆盖上图案层620的上表面的绝缘层可以是上述的第二层间绝缘层135。
123.如图7中所示,屏蔽图案部分600在布置接触孔cnt的部分中可能由于湿气的渗透、绝缘层的破坏和金属氧化物的扩散等而具有缺陷。在示出的实施例中,为了防止产生缺陷,密封部分700与屏蔽图案部分600的接触孔cnt重叠。换言之,在屏蔽图案部分600的下图案层610和上图案层620之间的绝缘层中的接触孔cnt可以仅布置在与密封部分700重叠的区域中,而不布置在不与密封部分700重叠的区域中。在实施例中,接触孔cnt可以布置在屏蔽图案部分600中,仅在被密封部分700覆盖的部分中,并且可以不布置在屏蔽图案部分600不被被密封部分700覆盖的部分,例如,密封部分700的外部区域。如此,例如,由于密封部分
700覆盖布置屏蔽图案部分600的接触孔cnt的部分,此部分不直接暴露于潮湿环境,因此可以改善产品的可靠性。
124.在实施例中,屏蔽图案部分600的接触孔cnt可以与密封部分700的外边缘向内间隔开预定距离。这可以理解为使得,考虑到工艺扩展,所有接触孔cnt均布置为比密封部分700的外边缘的更靠近内部。
125.在实施例中,如图7和图8中所示,从在第一层间绝缘层131的上表面上的接触孔cnt中的限定在最外侧(例如,图7和图8中的最左侧)处的接触孔cnt的边缘到密封部分700的外边缘的距离l1可以大于或等于预设的第一距离。在详细示例中,例如,从在第一层间绝缘层131的上表面上的接触孔cnt中的设置在最外侧处的接触孔cnt的边缘到密封部分700的外边缘的距离l1可以大于或等于大约300微米(μm)。
126.如图9中所示,堤500可以在朝向周边区域pa(见图2)的方向上从显示区域da(见图2)延伸。在实施例中,堤500的延伸部分可以不与密封部分700重叠。堤500可以在朝向密封部分700的方向上从显示区域da(见图2)延伸并且在与密封部分700的内边缘相邻的区域中中断。换言之,堤500可以与密封部分700间隔开预定距离。
127.在实施例中,如图9中所示,例如,从堤500的外边缘到密封部分700的内边缘的距离l2可以大于或等于预设的第二距离。这可以理解为使得,考虑到工艺扩展,堤500布置为比密封部分700的外边缘更靠近内部。在详细示例中,从堤500的外边缘到密封部分700的内边缘的距离l2可以大于或等于大约300μm。
128.如此,当堤500与密封部分700间隔开,不与密封部分700重叠时,密封部分700的厚度可以增加。此外,由于堤500和密封部分700之间的空间与附近的组件具有台阶,因此可能导致填充密封部分700的内部区域的材料(例如,填充物等)的厚度扩展。为了防止上述问题,实施例中的显示设备还可以包括支撑层800。
129.如图7、图8和图9中所示,支撑层800可以改善第一基底100和第二基底400之间的台阶。支撑层800可以设置在第二基底400和密封部分700之间,使得支撑层800的下表面面向第一基底100。密封部分700的上表面可以不接合到第二基底400的下表面,并且可以接合到支撑层800的沿-z轴方向面向第一基底100的下表面。因此,密封部分700的厚度可以减去支撑层800的厚度。
130.在实施例中,支撑层800可以包括设置在第二基底400的下表面上的第一子层810、设置在第一子层810的下表面上的第二子层820以及设置在第二子层820的下表面上的第三子层830。在这种状态下,第一子层810可以包括与上述图4的第一滤色器层410的材料相同的材料。此外,第二子层820可以包括与图4的第二滤色器层420的材料相同的材料。此外,第三子层830可以包括与图5的第三滤色器层430的材料相同的材料。因此,第一子层810、第二子层820和第三子层830可以分别在形成第一滤色器层410、第二滤色器层420和第三滤色器层430的工艺中同时提供。
131.在实施例中,支撑层800还可以包括设置在第三子层830的下表面上的低折射层lr和/或至少一个绝缘层。详细地,从显示区域da(见图2)延伸的第一保护层il1、第二保护层il2和/或低折射层lr可以设置在第三子层830的下表面上。例如,在实施例中,可以仅设置第一保护层il1和第二保护层il2,或者可以将低折射层lr、第一保护层il1和第二保护层il2依次堆叠在第三子层830的下表面上。因此,支撑层800可以提供为相对更厚,并且密封
部分700的厚度可以进一步减小。
132.尽管以上主要描述了显示设备,但是本发明不限于此。例如,制造显示设备的方法可以属于本发明的范围。
133.在本发明的实施例中,可以实现具有改善的可靠性的显示设备。本发明的范围不受上述效果的限制。
134.应当理解的是,本文描述的实施例应当仅被认为是描述性的,并且不是出于限制的目的。每一个实施例中的特征或优点的描述通常应被视为可用于其他实施例中的其他类似特征或优点。虽然已经参照附图描述了一个或多个实施例,但是本领域普通技术人员将理解,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,在本发明中可以在形式和细节上做出各种改变。
再多了解一些

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