表面钝化抑制离子迁移的钙钛矿晶片X射线探测器及其制备方法

技术特征：
1.表面钝化抑制离子迁移的钙钛矿晶片x射线探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，将甲胺铅碘粉末和eddi粉末共混后研磨，将研磨后的mapbi3@eddi复合粉末装入热压装置中，在压力为25mpa、保压时间为10～15min和温度为150～155℃下进行热压，得到大尺寸的mapbi3@eddi复合晶片；步骤2，在mapbi3@eddi复合晶片的上下两面各蒸镀一层金膜，得x射线探测器。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，mapbi3粉末的制备方法如下：按甲胺碘和碘化铅的摩尔比为1:2，先将甲胺碘、碘化铅和γ-丁内酯混合并搅拌加热至60～70℃，得到mapbi3前驱体溶液，然后将三氯甲烷加入前驱体溶液中，快速搅拌30s后得到甲胺铅碘微晶，最后将微晶8000转/min离心2min，干燥，研磨10～20min，得到mapbi3粉末。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，eddi粉末的制备方法如下：按乙二胺和氢碘酸的摩尔比为1:1，先在冰浴条件下，将乙二胺溶液和氢碘酸溶液搅拌混合得到乙二胺二氢碘酸盐前驱体溶液，然后将乙二胺二氢碘酸盐前驱体溶液旋蒸，出现白色粉末状固体后停止旋蒸，用无水乙醚反复漂洗6-7次，去除杂质，得到乙二胺二氢碘酸盐粉末。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，旋蒸时转速为33转/min，温度为65℃。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1中，eddi的掺杂量为0.5％～2％。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1中，eddi的掺杂量为1％～1.5％。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2中，mapbi3@eddi复合晶片的尺寸为20mm，金膜的厚度为80nm。8.根据权利要求1至7任一所述的制备方法制得的x射线探测器。

技术总结
本发明公开了一种表面钝化抑制离子迁移的钙钛矿晶片X射线探测器及其制备方法。本发明将乙二胺二氢碘酸盐掺入甲胺铅碘中，利用真空热压的方法将其制成晶片，获得结构为Au/晶片/Au的基于乙二胺二氢碘酸盐钝化晶片表面/晶界缺陷的X射线探测器器件。本发明引入的乙二胺二氢碘酸盐提供了额外的I离子，可填补甲胺铅碘中卤化物的空位，从而抑制了晶界中的离子迁移，钝化了钙钛矿晶界。本发明制备得到的X射线探测器离子迁移活化能增加，在高偏压下电流保持稳定，在10V的偏置电压下实现了10016.11μC Gy


技术研发人员：李晓明 隽志立 柴英俊
受保护的技术使用者：南京理工大学
技术研发日：2022.03.01
技术公布日：2022/6/16