一种Ce

技术特征：
1.一种ce
3
掺杂氮氧化物单基质白光荧光粉，其特征在于：其化学式为la
2-x
ca3si4n4o8:xce
3
，其中0 ＜ x ≤ 2；当 x = 2时，获得了一种全新组成同构化合物ce2ca3si4n4o8。2.根据权利要求1所述的ce
3
掺杂氮氧化物单基质白光荧光粉，其特征在于：所得荧光粉中优选0.003 ≤ x ≤ 0.04。3.根据权利要求1所述的一种全新组成同构化合物ce2ca3si4n4o8，其特征在于：该晶体属于立方晶系，晶胞参数a = b = c = 15.16401(5)
ꢀå
，v = 3486.92(3)
ꢀå3，z = 12。4.根据权利要求1所述的一种氮氧化物荧光粉，其特征在于：由于n和o在一定程度上可以相互取代， la2ca3si4n4o8真实结构下的氮氧比可以实现一定扩展，即，氮氧比例不仅局限于1:2，在维持结构框架一定范围内，氮氧比值的上下波动也被允许，具体以xrd所表征的结构为准。5.根据权利要求1所述的氮氧化物荧光粉，其特征在于：该氮氧化物荧光粉的激发光谱范围为310～400 nm，发射光谱范围在500～750 nm之间，主发射峰位于460 nm，其光谱半峰宽约为150 nm，属于冷白光发射。6.根据权利要求1所述的ce
3
掺杂氮氧化物单基质白光荧光粉，采用高温固相法合成，具体步骤如下：（a）根据分子式la
2-x
ca3si4n4o8:xce
3
，其中0 ＜ x ≤ 2；按照化学计量比准确称取原料lan（99.0%）或la2o3（99.9%）、ca3n2（99.0%）或cao（99.9%）或caco3（99.9%）、si3n4（99.9%）、sio2（99.99%）、cecl3（99.9%）或cen（99.9%）或ceo2（99.9%），在玛瑙研钵中将原料充分混合并研磨20 ~ 80 min，将研磨好的混合物放入钨坩埚中，以封口膜封口，以上操作均在手套箱内操作完成；（b）将装好样品的钨坩埚转移至高温管式炉中，烧结过程在n2/h2（9:1）的还原气氛下进行，升温速率为5～10℃/min，在1300 ~ 1600℃下烧结3 ~ 30小时，冷却至室温得到样品；（c）将所得烧结体冷却至室温后充分研磨，即得到ce
3
掺杂氮氧化物单基质白光荧光粉。7.根据权利要求5所述的ce
3
掺杂氮氧化物单基质白光荧光粉原料选择，其特征在于：la2o3（99.9%）、ca3n2（99.0%）、si3n4（99.9%）、sio2（99.99%）和cen（99.9%）的原料组合。8.根据权利要求5所述的ce
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掺杂氮氧化物单基质白光荧光粉，其特征在于：研磨时长为40 min；在1500℃下烧结8小时，烧结的升温速率为10℃/min。9.根据权利要求1或2所述的单基质白光氮氧化物荧光粉在白光led中的应用。10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于所述的应用方法为，可将单基质白光氮氧化物荧光粉与近紫外led芯片封装，用于制备白光led。

技术总结
本发明公开了一种Ce


技术研发人员：焦桓 王晓明 郑宏伟 张苑
受保护的技术使用者：陕西师范大学
技术研发日：2022.03.31
技术公布日：2022/6/14