一种用于直写光刻机曝光工序的纠偏对位方法与流程

技术特征：
1.一种用于直写光刻机曝光工序的纠偏对位方法，其特征在于：其中曝光工序包括第一曝光工序和第二曝光工序；在第一曝光工序中介质层与芯片层对准，需要满足条件一：介质层图案与芯片层图案的最大套刻圆心距d1＜je1；在第二曝光工序中线路层与介质层对准，需要满足条件二：线路层图案与介质层图案的最大套刻圆心距d2＜je2；第二曝光工序中，线路层图案仅发生刚性变换；je1、je2均为设定的阈值；{die1,die2,
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}为n个需要互联的芯片，每个芯片上存在m个对位点；纠偏对位方法包括以下步骤：步骤一：测量每个芯片上m个对位点的坐标，计算得到各芯片的中心坐标以及贴片导致的角度误差；步骤二：对各芯片对应的介质层进行分区刚性变换：根据各芯片的中心坐标以及角度误差，计算各芯片对应的介质层分区刚性变换参数，介质层分区刚性变换参数包括旋转角度、平移向量；步骤三：持续修正各芯片对应介质层分区刚性变换参数，直至在第一曝光工序中满足条件一；步骤四：对各芯片对应的线路层进行全局刚性变换：计算线路层全局刚性变换参数，如果线路层全局刚性变换参数能够使第二曝光工序满足条件二，则完成介质层纠偏，对介质层进行曝光；其中，对介质层进行分区刚性变换是指各芯片对应的介质层采用各自独立的刚性变换参数；对线路层进行全局刚性变换是指各芯片对应的线路层采用相同的刚性变换参数。2.根据权利要求1所述用于直写光刻机曝光工序的纠偏对位方法，其特征在于：阈值je1根据介质层的套刻精度设置；阈值je2根据线路层的套刻精度设置。

技术总结
本发明涉及直写光刻机领域，公开了一种用于直写光刻机的纠偏对位方法，可以降低贴片精度的方式提高产能，通过介质层对芯片贴片时产生的偏移量进行纠偏，一方面对芯片贴片精度的要求更宽，同时不影响生产良率，确保芯片功能正常，另一方面可解决高精度贴片机产能的问题。题。题。


技术研发人员：程建高 唐星 高天
受保护的技术使用者：合肥芯碁微电子装备股份有限公司
技术研发日：2022.02.21
技术公布日：2022/6/14