一种反应室及化学气相沉积设备的制作方法

1.本技术涉及半导体生产设备领域，尤其涉及一种反应室及化学气相沉积设备。


背景技术：

2.cvd(chemical vapordeposition，化学气相沉积)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术。气体在沉积时沉积涂层会附着在反应室的腔体上，对反应室的腔体造成污染，影响后续的生产。因为反应室清洁较为困难，现有技术通常在反应室的腔体上设置挡板，以此来遮挡反应室的腔体。
3.现有技术通常在挡板上设置销钉，反应室上设有对应的销孔，销钉与销孔配合以防止挡板滑动。但在实际使用过程中，采用销钉结构固定连接有以下几个方面的缺点，1、因误碰或者沉积涂层生长到销钉处，导致销钉在清机过程中易发生折断，使挡板的重复使用率不高，需要频繁更换挡板，增加了使用成本。2、销钉在反应室内可能会因热胀冷缩而导致断裂，断裂后的销钉无法继续固定挡板，在大量反应气体的作用下，会促使挡板发生滑动，滑动过程中挡板存在与加工工件发生碰撞的风险，导致工件的工艺数据无法达到要求，工件的良品率下降。3、销钉与销孔不易对准，使挡板不便安装于反应室的腔体上。


技术实现要素：

4.为克服现有技术中的不足，本技术提供一种反应室及化学气相沉积设备。
5.本技术提供如下技术方案：
6.一种反应室，所述反应室包括顶盖、底座及固定挡板，所述底座上设有凹槽，所述固定挡板上设有对应的凸块，所述凹槽与所述凸块配合，使所述固定挡板与所述底座固定连接，所述固定挡板用于遮挡所述底座的表面，所述凸块的长度和宽度均大于所述凸块插入所述凹槽的深度。
7.在一种可能的实施方式中，所述底座上设有承载装置，所述固定挡板上设有配合部，所述配合部的形状与所述承载装置的形状配合，使所述固定挡板遮挡所述底座上除所述承载装置覆盖范围外的区域。
8.在一种可能的实施方式中，所述底座上至少设有两块所述固定挡板，至少两块所述固定挡板的所述配合部与所述承载装置配合，将所述承载装置包围于至少两个所述配合部围成的区域内。
9.在一种可能的实施方式中，所述固定挡板上设有两个所述凸块。
10.在一种可能的实施方式中，两个所述凸块在所述固定挡板上对称设置。
11.在一种可能的实施方式中，两个所述凸块的长度方向与所述固定挡板的长度方向平行。
12.在一种可能的实施方式中，所述凸块的长度占所述固定挡板长度的百分之七十五。
13.在一种可能的实施方式中，两个所述凸块的长度方向与所述固定挡板的宽度方向平行。
14.在一种可能的实施方式中，所述凸块的长度占所述固定挡板宽度的百分之五十。
15.第二方面，本技术还提供了一种化学气相沉积设备，包括上述的反应室。
16.相比现有技术，本技术的有益效果：
17.本实施例提供的反应室，通过在反应室内设置所述固定挡板，所述固定挡板上的所述凸块与所述反应室内壁上的所述凹槽配合，使所述固定挡板固定于所述反应室的内壁上。相较于销钉和销钉孔固定连接的方式，本技术所述凸块的长度和宽度均大于所述凸块插入所述凹槽的深度，使所述凸块在插入所述凹槽内或从所述凹槽内取出时，所述凸块不易折断，使得所述固定挡板的重复使用率高，有效节省了生产成本。所述凸块受到热胀冷缩时不易断裂，避免所述挡板的意外滑动，有效提高了工件成产过程中的安全性，提高工件的良品率。所述凸块插入所述凹槽时容易对准，方便所述固定挡板安装于所述反应室内。
18.为使本技术的上述目的、特征和优点能更明显和易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，做详细说明如下。
附图说明
19.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
20.图1示出了本技术一实施例反应室的俯视图；
21.图2示出了本技术一实施例反应室的正视图；
22.图3示出了本技术另一实施例反应室的俯视图；
23.图4示出了本技术一实施例固定挡板的结构示意图；
24.图5示出了本技术一实施例固定挡板的侧视图；
25.图6示出了本技术两个固定挡板的结构示意图；
26.图7示出了本技术两个固定挡板另一种结构示意图。
27.主要元件符号说明：
28.100-反应室；110-顶盖；120-底座；121-凹槽；200-固定挡板；210-凸块；220-配合部；300-承载装置；310-旋转座；320-托盘。
具体实施方式
29.下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
30.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必
须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
31.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
32.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
33.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
34.实施例一
35.请参阅图1至图7，本技术一实施例提供一种反应室100。所述反应室100用于工件在使用化学气相沉积法镀膜时提供反应场所。所述工件为晶圆或其他需要镀膜的工件。
36.如图1和图2所示，所述反应室100包括顶盖110和底座120，所述反应室100内设有固定挡板200，所述底座120上表面设有凹槽121，所述固定挡板200上设有对应的凸块210，所述凹槽121与所述凸块210配合，以将所述固定挡板200与所述底座120固定连接，所述固定挡板200用于遮挡所述底座120的上表面，以避免在所述反应室100内对工件进行镀膜时，镀膜涂层污染所述底座120的上表面。
37.在一些实施例中，所述顶盖110和所述底座120分别为所述反应室100的上、下内壁。
38.在一些实施例中，所述反应室100内还设有承载装置300，所述承载装置300设于所述底座120上，所述承载装置300用于承载待加工的工件。
39.结合图3和图4所示，在一些实施例中，所述固定挡板200上设有配合部220，所述配合部220的形状与所述承载装置300的形状相配合，使所述挡板可以遮挡所述底座120上除所述承载装置300覆盖外的区域。
40.在一些实施例中，所述反应室100内设有两块所述固定挡板200，所述承载装置300的两侧分别设有对称的所述凹槽121，两块所述固定挡板200上的所述凸块210分别与位于两侧的所述凹槽121配合，使两块所述固定挡板200分别固定于所述承载装置300的两侧。
41.当两块所述固定挡板200固定于所述底座120上时，两块所述固定挡板200的所述配合部220相对设置，将所述承载装置300包围于两个所述配合部220围成的区域内，使所述固定挡板200遮挡所述底座120上除所述承载装置300覆盖范围外的区域。
42.如图3所示，在其他实施例中，所述反应室100内可以设有四块所述挡板，所述承载装置300两侧分别设置对称的两块所述固定挡板200。每块所述固定挡板200固定区域内的所述底座120上均设有所述凹槽121，所述凹槽121与所述固定挡板200的所述凸块210配合，
以将四块所述固定挡板200固定于所述底座120上。四块所述固定挡板200组合在一起时，四个所述配合部220的形状与所述承载装置300的形状配合，将所述装载装置包围于四个所述配合部220围成的区域内。
43.在一些实施例中，所述承载装置300的水平截面为圆形，至少两块所述固定挡板200的所述配合部220围成的区域也为圆形，且所述配合部220与所述承载装置300之间间隔一定的距离。但不限于此，可以理解的，在其他实施例中，所述承载装置300的水平截面还可以是矩形，则至少两块所述固定挡板200的所述配合部220围成的区域也为矩形。
44.结合图5所示，在一些实施中，所述固定挡板200上设有一个所述凸块210，所述凸块210为长方体凸块210，所述凸块210在所述固定挡板200上沿所述固定挡板200的厚度方向向外凸出，所述凸块210的长度方向与所述固定挡板200的长度方向平行，所述凸块210的长度远大于所述凸块210插入所述凹槽121的深度。
45.如图6所示，在其他实施例中，所述固定挡板200上还可以设有两个所述凸块210，两块所述凸块210的长度方向均与所述固定挡板200的长度方向平行，所述底座120上设有与两块所述凸块210对应的两个所述凹槽121，两块所述凸块210分别与两个所述凹槽121配合，使所述固定挡板200与所述底座120连接更加稳定，且两个所述凸块210的设置可以使其中一个所述凸块210意外断裂时，所述固定挡板200仍可固定于所述底座120上，以防止意外事故发生。
46.图6中所述凸块210的长度占所述固定挡板200长度的比值在百分之六十至百分之百分之八十之间，经过多次实验可得，所述凸块210的长度占所述固定挡板200长度的百分之七十五时，所述凸块210与所述凹槽121的配合最佳，使所述固定挡板200与所述底座120连接紧密，且所述固定挡板200易安装于所述底座120上。
47.如图7所示，在其他实施例中，所述固定挡板200上的两个所述凸块210的长度方向均与所述固定挡板200的宽度方向平行，亦可以使所述固定挡板200与所述底座120的连接更加稳定。
48.图7中所述凸块210的长度占所述固定挡板200宽度的比值在百分之四十至百分之百分之六十之间，经过多次实验可得，所述凸块210的长度占所述固定挡板200宽度的百分之五十时，所述凸块210与所述凹槽121的配合最佳，使所述固定挡板200与所述底座120连接紧密，且所述固定挡板200易安装于所述底座120上。
49.在一些实施例中，所述凸块210还可以是弧形凸块210。操作人员可根据实际需要在所述固定挡板200上设置不同形状、不同数量的所述凸块210。所述凸块210的长度远大于所述凸块210的厚度，使所述凸块210插入所述凹槽121内或从所述凹槽121内取出时，所述凸块210不易折断。
50.本实施例提供的反应室100，通过在反应室100内设置所述固定挡板200，所述固定挡板200上的所述凸块210与所述反应室100内壁上的所述凹槽121配合，使所述固定挡板200固定于所述反应室100的内壁上。相较于销钉和销钉孔固定连接的方式，本技术所述凸块210的长度和宽度均大于所述凸块210插入所述凹槽121的深度，使所述凸块210在插入所述凹槽121内或从所述凹槽121内取出时，所述凸块210不易折断，使得所述固定挡板200的重复使用率高，有效节省了生产成本。所述凸块210受到热胀冷缩时不易断裂，避免所述挡板的意外滑动，有效提高了工件成产过程中的安全性，提高工件的良品率。所述凸块210插
入所述凹槽121时容易对准，方便所述固定挡板200安装于所述反应室100内。
51.实施例二
52.请参阅图1至图2，本实施例提供了一种反应室100，所述反应室100用于工件在使用化学气相沉积法镀膜时提供反应场所。本实施例是在上述实施例一的技术基础上做出的改进，相比于上述实施例一，区别之处在于：
53.如图1所示，所述承载装置300包括旋转座310和托盘320，所述旋转座310转动设于所述底座120上，所述旋转座310上方设有托盘320，所述托盘320用于放置工件，所述旋转座310能够通过所述托盘320带动工件转动，使工件表面生成均匀的镀膜。
54.结合图2所示，所述固定挡板200上的所述凸块210与所述底座120上的所述凹槽121配合，使所述固定挡板200固定连接于所述底座120上。所述配合部220的形状与所述旋转座310周向方向的侧面相配合，至少两块所述固定挡板200沿所述旋转座310的周向设置，将所述旋转座310包围于多块所述固定挡板200围成的区域内。
55.所述固定挡板200可以遮挡所述底座120上除所述旋转座310外的其他区域，使工件镀膜时，镀膜涂层不会沉积在所述底座120上，避免所述底座120受到污染。所述配合部220与所述旋转座310的侧面之间间隔一定距离，以便所述旋转座310转动。
56.在一些实施例中，所述底座120和所述顶盖110可选为石墨材料制成，所述底座120下方或所述顶盖110上方设有加热器(图未示)，所述加热器用于对所述底座120或所述顶盖110进行加热，为反应气体提供反应时所需的温度。但不限于此，可以理解的，在其他实施例中，所述底座120和所述顶盖110还可以由石英材料制成，亦可以达到良好的导热效果。
57.所述反应室100使用时，加热器对所述底座120或所述顶盖110进行加热，待到温度达到反应温度后，反应气体流经所述顶盖110和所述底座120之间的气流通道，所述旋转座310带动所述托盘320转动，使所述工件与反应气体充分接触，所述工件表面形成所需的镀膜。
58.所述固定挡板200可以在反应时遮挡所述底座120上除所述旋转座310外的其他区域，以避免镀膜涂层沉积在所述底座120上。所述固定挡板200上的所述凸块210与所述底座120上的所述凹槽121配合，使所述固定挡板200紧固于所述底座120上，以防止大量反应气体涌入时所述固定挡板200发生移动。
59.实施例三
60.本技术还提供了一种化学气相沉积设备，包括上述反应室100。所述化学气相沉积设备可以在所述反应室100内利用一种或几种气相化合物或单质，在工件表面上进行化学反应生成涂层。
61.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
62.尽管上面已经示出和描述了本技术的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例
性的，不能理解为对本技术的限制，本领域的普通技术人员在本技术的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。