包括掩模的沉积装置的制作方法

包括掩模的沉积装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年12月8日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0170132号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
3.本文中本公开涉及用于制造掩模的方法和包括该掩模的沉积装置。用于制造掩模的方法可以具有改进的开口率以及包括掩模的沉积装置。


背景技术：

4.通常，发光显示设备包括设置在每个像素处的发光设备。发光设备包括设置在隔开的电极之间的发光层。包含在像素中的发光层可以被区分成组。
5.掩模组件用于将发光层的组沉积至工作衬底上。掩模组件包括框架、支撑件和掩模。工作衬底可以设置在掩模上，并且发光材料可以沉积在工作衬底上以提供图案化的发光层。
6.应当理解，该技术部分的背景部分地旨在为理解技术提供有用的背景。然而，该技术部分的背景也可以包括在本文所公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的观点、概念或认识。


技术实现要素：

7.本公开提供用于制造掩模的方法。
8.实施方式提供了沉积装置，该沉积装置可以包括：腔室；沉积源，设置在腔室中；掩模组件和设置在掩模组件上的基础衬底。掩模组件可以包括：框架，包括框架开口；掩模，设置在框架上，该掩模包括沉积孔；以及焊条，设置在掩模上。焊接槽可以沿着框架的边缘设置，焊接槽在框架的厚度方向上具有深度。焊条可以与焊接槽重叠。
9.在实施方式中，掩模可以包括：基础层，包括与基础衬底接触的第一表面和与第一表面相对的第二表面，该基础层包括第一开口；以及金属层，设置在基础层的第二表面上，该金属层包括第二开口。第一开口和第二开口可以包括彼此重叠以形成设置在掩模中的沉积孔的至少一个第一开口和至少一个第二开口。至少一个第一开口的宽度可以小于至少一个第二开口的宽度。
10.在实施方式中，第二表面的一部分可以通过至少一个第二开口从金属层暴露。
11.在实施方式中，基础层可以具有限定至少一个第一开口并且可以从基础层的第一表面倾斜的第一侧表面，并且金属层可以具有限定至少一个第二开口并且可以在与基础层的第一侧表面相同的方向上从基础层的第二表面倾斜的第二侧表面。
12.在实施方式中，第一开口和第二开口中的每一个在剖视图中可以具有梯形形状。
13.在实施方式中，焊条可以焊接至框架。掩模可以设置在框架和焊条之间。焊条可以设置在焊接槽中，使得焊条和基础层的第一表面提供其上设置有基础衬底的平坦表面。
14.在实施方式中，掩模可以具有与焊条重叠的部分，并且可以设置在焊接槽中。
15.在实施方式中，掩模可以包括设置在基础层和金属层之间的无机层。无机层可以包括第三开口。
16.在实施方式中，第一开口、第二开口和第三开口包括彼此重叠以形成设置在掩模中的沉积孔的至少一个第一开口、至少一个第二开口和至少一个第三开口。至少一个第三开口的宽度可以大于至少一个第一开口的宽度并且小于至少一个第二开口的宽度。
17.在实施方式中，沉积源可以包括有机材料，并且沉积源可以蒸发有机材料并且将蒸发的有机材料注入框架开口。
附图说明
18.通过参考附图详细描述其实施方式，本公开的以上和其它方面和特征将变得更加显而易见，其中：
19.图1是示出根据实施方式的沉积装置的示意性剖视图；
20.图2a是示出根据实施方式的掩模组件的示意性剖视图；
21.图2b是示出根据实施方式的掩模组件的示意性分解立体图；
22.图3是示出根据实施方式的掩模的示意性平面图；
23.图4是示出根据实施方式的显示面板的示意性剖视图；
24.图5是示出根据实施方式的沉积区域的示意性平面图；
25.图6是沿着图3的线i-i'截取的示意性剖视图；
26.图7是示出根据实施方式的掩模的示意性剖视图；
27.图8a是根据实施方式的用于制造掩模的方法的示意性剖视图；
28.图8b是根据实施方式的用于制造掩模的方法的示意性剖视图；
29.图8c是根据实施方式的用于制造掩模的方法的示意性剖视图；
30.图8d是根据实施方式的用于制造掩模的方法的示意性剖视图；
31.图8e是根据实施方式的用于制造掩模的方法的示意性剖视图；
32.图9a是根据实施方式的用于制造掩模的方法的示意性剖视图；
33.图9b是根据实施方式的用于制造掩模的方法的示意性剖视图；以及
34.图9c是根据实施方式的用于制造掩模的方法的示意性剖视图。
具体实施方式
35.现在将参考附图在下文中更全面地描述本公开，在附图中示出了实施方式。然而，本公开可以以不同的形式来实施，并且不应被解释为限于在本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是彻底和完整的，并且将本公开的范围完全传达给本领域技术人员。
36.在本说明书中，还将理解，当一个部件(或区域、层、部分)被称为在另一个部件“上”、“连接至”或“联接至”另一个部件时，它可以直接设置/连接/联接至一个部件上，或也可以存在介于中间的第三部件。
37.相同的附图标记始终表示相同的元件。此外，在附图中，为了说明的清楚，夸大了部件的厚度、比率和尺寸。
38.术语“和/或”包括相关列出项目中的一个或多个的任何和所有组合。
39.应当理解，尽管在本文中使用诸如“第一”和“第二”的术语来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个部件与其它部件区分开。例如，在不脱离所附权利要求的范围的情况下，在实施方式中被称为第一元件的第一元件可以在另一个实施方式中被称为第二元件。除非相反地提及，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
40.此外，“之下”、“下面”、“上面”、“上部”等用于解释附图中所示的部件的关系关联。术语可以是相对概念并且基于附图中所表达的方向来描述。
41.为易于说明，空间相对术语“下面”、“下方”、“下部”、“上面”、“上部”等可以在本文中用于描述如附图中所示的一个元件或部件与另一个元件或部件之间的关系。应当理解，除了附图中所描绘的定向之外，空间相对术语旨在包括设备在使用或操作中的不同定向。例如，在图中所示的设备被翻转的情况下，位于另一设备“下面”或“下方”的设备可以被放置在另一设备“上面”。因此，说明性术语“下面”可以包括下部位置和上部位置两者。设备也可以在其它方向上定向，并且因此空间相对术语可以根据定向而被不同地解释。
42.术语“重叠(overlap)”或“重叠(overlapped)”意味着第一对象可以在第二对象的上面或下面，或者在第二对象的一侧，并且相反，第二对象可以在第一对象的上面或下面，或者在第一对象的一侧。另外，术语“重叠(overlap)”可以包括层、叠层、面对(face)或面对(facing)、在
……
之上延伸、覆盖或部分覆盖或本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
43.除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本领域技术人员通常理解的相同的含义。如在通常使用的词典中定义的术语应被解释为具有与在相关技术上下文中相同的含义，并且除非在说明书中明显地定义，否则这些术语不被理想地或过度地解释为具有正式含义。
[0044]“包括(include)”或“包含(comprise)”的含义指定了特性、固定数字、步骤、操作、元件、部件或其组合，但不排除其它特性、固定数字、步骤、操作、元件、部件或其组合。在下文中，将参考附图描述实施方式。
[0045]
图1是示出根据实施方式的沉积装置的示意性剖视图。图2a是示出根据实施方式的掩模组件的示意性剖视图。图2b是示出根据实施方式的掩模组件的示意性分解立体图。图3是示出根据实施方式的掩模的示意性平面图。图4是示出根据实施方式的显示面板的示意性剖视图。
[0046]
参照图1至图2b，根据实施方式的沉积装置ea可以包括腔室ch、沉积源es、基座部分hm、掩模组件msa、基础衬底bs、按压部分pm和传送部分dm。沉积装置ea可以在基础衬底bs上沉积有机材料或导电材料。
[0047]
腔室ch可以提供内部空间，在该内部空间中可以执行沉积工艺。沉积源es、基座部分hm、掩模组件msa、基础衬底bs、按压部分pm和传送部分dm的传送杆ml可以设置在腔室ch的内部空间中。
[0048]
沉积源es可以向基础衬底bs提供沉积材料。例如，沉积源es可以朝向掩模ms蒸发沉积材料，诸如有机材料或导电材料。此处，沉积材料可以穿过掩模组件msa并沉积至基础衬底bs。此处，沉积源es可以通过用高温加热和蒸发沉积材料来实现。
[0049]
尽管未示出，但是沉积装置ea还可以包括用于在水平方向(例如，第一方向d1和第二方向d2)或垂直方向(例如，第三方向d3)上移动沉积源es的传送单元。
[0050]
基座部分hm可以设置在腔室ch的侧壁上以支撑掩模组件msa。然而，只要基座部分hm支撑掩模组件msa，实施方式就不受基座部分hm的形状、位置和数量的限制。
[0051]
掩模组件msa可以由基座部分hm支撑。掩模组件msa可以包括框架sp、掩模ms和焊条wb。
[0052]
框架sp可以位于基座部分hm上。框架sp可以位于基座部分hm上以支撑掩模ms。框架sp可以设置在掩模ms下方以防止由掩模ms的负载引起的偏转(或下垂)现象。
[0053]
根据实施方式的框架sp可以包括主体部分sp-b、第一分隔部分sp-1和第二分隔部分sp-2。主体部分sp-b可以具有在第一方向d1和第二方向d2上延伸的矩形框架。
[0054]
可以设置多个第一分隔部分sp-1，并且每个第一分隔部分sp-1可以在第一方向d1上延伸。第一分隔部分sp-1可以在第二方向d2上布置并且连接至主体部分sp-b。
[0055]
可以设置多个第二分隔部分sp-2，并且每个第二分隔部分sp-2可以在第二方向d2上延伸。第二分隔部分sp-2可以在第一方向d1上布置并且连接至主体部分sp-b。
[0056]
设置为第一分隔部分sp-1和第二分隔部分sp-2彼此相交的空间被限定为框架开口sp-op。框架开口sp-op可以对应于基础衬底bs的一个沉积区域va。基础衬底bs中的沉积区域va可以提供一个显示单元格，在该沉积区域va上沉积有沉积材料。
[0057]
在根据实施方式的框架sp中，可以限定通过沿框架sp的边缘在第三方向d3上移除框架sp的一部分而获得的焊接槽sp-h。焊接槽sp-h可以与焊条wb重叠。焊接槽sp-h可以限定在框架sp的主体部分sp-b中。
[0058]
在该实施方式中，焊接槽sp-h可以是在第一方向d1上延伸的矩形凹槽。然而，实施方式不限于焊接槽sp-h的横截面形状。例如，焊接槽sp-h的横截面形状可以是圆形形状、椭圆形形状或多边形形状。
[0059]
焊接槽sp-h可以设置在第二方向d2上的两端处，并且各自在第一方向d1上延伸。然而，实施方式不限于焊接槽sp-h的形状和数量。例如，焊接槽sp-h可以对应于焊条wb的形状和数量。
[0060]
如图2a中所示，焊条wb可以被焊接并联接至框架sp，且基础衬底bs设置在焊条wb之间。此处，焊条wb和与焊条wb重叠的掩模ms可以容纳在焊接槽sp-h中。根据实施方式的掩模ms可以包括柔性材料。
[0061]
尽管焊条wb设置在掩模ms上并焊接至框架sp，且基础衬底bs设置在焊条wb之间，但是由于焊接槽sp-h提供了容纳焊条wb和掩模ms的空间，所以掩模ms的表面和焊条wb的表面可以提供平坦表面fs。因此，当基础衬底bs稳定地位于框架sp上时，可以在基础衬底bs上执行均匀沉积工艺。
[0062]
焊条wb可以设置在掩模ms上。焊条wb可以与多个掩模ms重叠，并且可以焊接至框架sp，且掩模ms设置在框架sp和焊条wb之间，并且焊条wb设置成与焊接槽sp-h重叠。焊条wb的材料、形状和数量可以根据焊接的需要进行修改，并且因此，焊接槽sp-h的形状和位置也可以进行修改以适应焊条wb。
[0063]
可以设置多个掩模ms，并且掩模ms可以各自在第二方向d2上延伸并且在第一方向d1上布置。沉积孔ms-op可以限定在掩模ms中的每一个中。从沉积源es提供的沉积材料可以
通过沉积孔ms-op设置到基础衬底bs的表面上。
[0064]
根据实施方式的掩模ms可以包括柔性材料。掩模ms可以包括多个层。掩模ms的一个层可以包括有机材料，并且另一个层可以包括金属。因此，根据掩模ms的柔性，掩模ms可以连同焊条wb一起容纳在焊接槽sp-h中。稍后将描述掩模ms的层结构的详细描述。
[0065]
参照图3，掩模ms可以包括接触基础衬底bs的顶表面ms-b和接触框架sp的后表面ms-u。沉积材料可以不通过限定在与框架sp的分隔部分sp-1和sp-2重叠的区域中的沉积孔ms-op。
[0066]
尽管作为图3中的示例，沉积孔ms-op被示出为布置成正方形形状，但是实施方式不限于此。例如，沉积孔ms-op可以具有相同尺寸的相同形状，或者可以各自具有不同面积的不同形状。
[0067]
基础衬底bs可以是其上沉积有沉积材料的母衬底。基础衬底bs可以包括沉积区域va。沉积区域va可以沿着第一方向d1和第二方向d2布置成矩阵形式。沉积区域va可以由框架sp的分隔部分sp-1和sp-2分开。沉积区域va可以在随后的工艺中被切割成单个单元。
[0068]
再次参照图1，按压部分pm可以包括磁板mp和支撑板yk。尽管未示出，但是按压部分pm还可以包括设置在基础衬底bs和支撑板yk之间的冷却板。
[0069]
冷却板(未示出)可以设置在基础衬底bs和支撑板yk之间。冷却板可以冷却基础衬底bs或掩模ms，以防止基础衬底bs或掩模ms在沉积工艺期间过热。因此，可以防止基础衬底bs的变形。冷却管线可以设置在冷却板中，冷却剂或冷却空气被注入至该冷却管线。
[0070]
磁板mp可以设置在支撑板yk中。然而，只要磁板mp设置在掩模ms上方，并且可以用磁力将掩模ms和基础衬底bs耦合在一起，实施方式就不受磁板mp的位置、形状和数量的限制。
[0071]
磁板mp在基础衬底bs紧密接触掩模ms的状态下提供磁力，并且用吸引力拉动包含金属的掩模ms。因此，可以增加基础衬底bs和掩模ms之间的耦合力。
[0072]
磁板mp可以防止由于基础衬底bs和掩模ms的曲率之间的差异而产生的抬升现象，并且因此防止诸如遮蔽现象的沉积缺陷。磁板mp可以由永磁体或电磁体任何一个组成。
[0073]
支撑板yk可以容纳磁板mp。支撑板yk可以联接至传送部分dm，以允许磁板mp紧密接触基础衬底bs或将磁板mp与基础衬底bs分离。
[0074]
传送部分dm连接至按压部分pm。传送部分dm可以包括传送杆ml和传送体mc。传送体mc可以借助于传送杆ml在第三方向d3，即垂直方向上传送按压部分pm。
[0075]
例如，传送体mc可以设置在腔室ch的外部。传送体mc可以实现为汽缸或电动机。例如，当传送体mc是汽缸时，传送杆ml可以是活塞。当传送体mc是电动机时，传送杆ml可以是滚珠丝杠轴，该滚珠丝杠轴通过旋转电动机在垂直方向上是可移动的。然而，实施方式不限于此。例如，传送部分dm可以包括能够传送按压部分pm的一系列设备。
[0076]
图4是示出根据实施方式的显示面板的示意性剖视图。图4中的显示面板dp的部件中的一些可以通过图1至图3中描述的沉积装置ea来设置。例如，在图1至图3中描述的基础衬底bs可以是包含在显示面板dp的基础衬底bs中的部件。
[0077]
根据实施方式的显示面板dp的灰度显示层可以包括有机发光层。因此，显示面板dp可以是有机发光显示面板。
[0078]
有机发光显示面板包括基础衬底bs和封装衬底us。基础衬底bs包括第一衬底bl1、
设置在第一衬底bl1上的电路器件层dp-cl、设置在电路器件层dp-cl上的显示器件层dp-oled、以及设置在显示器件层dp-oled上的覆盖层cl。封装衬底us可以包括第二衬底bl2、设置在第二衬底bl2上的黑矩阵层bm、以及颜色控制层ccl。
[0079]
电路器件层dp-cl可以包括绝缘层、半导体图案、导电图案和信号线。绝缘层、半导体层和导电层通过诸如涂布和沉积的方法设置在第一衬底bl1上。此后，绝缘层、半导体层和导电层可以通过光刻方法选择性地图案化。通过使用上述方法，设置了包含在电路器件层dp-cl和显示器件层dp-oled中的半导体图案、导电图案和信号线。
[0080]
第一衬底bl1可以包括合成树脂膜。此外，第一衬底bl1可以包括玻璃衬底、金属衬底或有机/无机复合衬底。
[0081]
缓冲层bfl设置在第一衬底bl1上。缓冲层bfl增强第一衬底bl1和半导体图案之间的耦合力。缓冲层bfl可以包括氧化硅层和氮化硅层。氧化硅层和氮化硅层可以交替地彼此层叠。
[0082]
半导体图案设置在缓冲层bfl上。半导体图案可以包括多晶硅。然而，实施方式不限于此。例如，半导体图案可以包括非晶硅或金属氧化物。
[0083]
半导体图案可以包括掺杂区和非掺杂区。掺杂区可以掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂。p型晶体管包括掺杂有p型掺杂剂的掺杂区。
[0084]
掺杂区具有比非掺杂区的电导率大的电导率，并且基本上用作电极或信号线。非掺杂区基本上对应于晶体管的有源(或沟道)。半导体图案的一部分可以是晶体管的有源，另一部分可以是晶体管的源极或漏极，并且另一部分可以是连接电极或连接信号线。
[0085]
晶体管t1设置在缓冲层bfl上。可以从半导体图案设置晶体管t1的源极s1、有源a1和漏极de1。图4示出了从半导体图案提供的连接信号线scl的一部分。连接信号线scl可以在平面上连接至晶体管t1的漏极de1。
[0086]
在缓冲层bfl上设置第一绝缘层10至第六绝缘层60。第一绝缘层10至第六绝缘层60中的每一个可以是无机层或有机层。栅极g1设置在第一绝缘层10上。上电极ue可以设置在第二绝缘层20上。第一连接电极cne1可以设置在第三绝缘层30上。
[0087]
第一连接电极cne1可以通过穿过第一绝缘层10至第三绝缘层30的接触孔cnt-1连接至连接信号线scl。第二连接电极cne2可以设置在第五绝缘层50上。第二连接电极cne2可以通过穿过第四绝缘层40和第五绝缘层50的接触孔cnt-2连接至第一连接电极cne1。
[0088]
发光设备oled设置在第六绝缘层60上。第一电极ae设置在第六绝缘层60上。第一电极ae通过穿过第六绝缘层60的接触孔cnt-3连接至第二连接电极cne2。
[0089]
显示器件层dp-oled包括发光设备oled和像素限定层pdl。例如，像素限定层pdl可以是有机层。发光设备oled包括第一电极ae、空穴控制层hcl、发光层eml、电子控制层ecl和第二电极ce。
[0090]
像素限定层pdl设置在第六绝缘层60上。显示开口op被限定在像素限定层pdl中。显示开口op暴露第一电极ae的至少一部分。在实施方式中，像素限定层pdl可以具有黑色。像素限定层pdl可以包括黑色着色剂。像素限定层pdl可以包括混合在基础树脂中的黑色染料和黑色颜料。
[0091]
显示面板dp可以包括发光区域pxa和邻近于发光区域pxa设置的非发光区域npxa。基本上，发光区域pxa可以与第一电极ae的由显示开口op暴露的区域相对应地限定。
[0092]
可以在发光区域pxa和非发光区域npxa上共同设置空穴控制层hcl。空穴控制层hcl可以包括空穴传输层并且还包括空穴注入层。发光层eml设置在空穴控制层hcl上。发光层eml可以设置在对应于显示开口op的区域上。
[0093]
电子控制层ecl设置在发光层eml上。电子控制层ecl可以包括电子传输层并且还包括电子注入层。第二电极ce设置在电子控制层ecl上。
[0094]
覆盖层cl设置在第二电极ce上。覆盖层cl可以包括多个薄膜。在该实施方式中，覆盖层cl可以包括封盖层和薄膜封装层。
[0095]
第二衬底bl2与覆盖层cl间隔开。第二衬底bl2可以是玻璃衬底、塑料衬底或含有聚酰亚胺的衬底中的一种。
[0096]
颜色控制层ccl可以透射第一颜色光，或者根据光的颜色将第一颜色光转换为第二颜色光或第三颜色光。颜色控制层ccl可以包括量子点。此处，第一颜色光可以是蓝光。
[0097]
黑矩阵层bm可以与非发光区域npxa重叠。黑矩阵层bm可以具有黑色。尽管黑矩阵层bm可以包括吸收光的材料，但是实施方式不限于此。
[0098]
根据实施方式的沉积装置ea可以用于提供在发光设备oled中包含的部件之中包含有机材料的发光层eml。然而，实施方式不限于此。例如，设置在显示面板dp的基础层bl1和bl2上的部件之中的通过沉积工艺设置的部件可以通过根据实施方式的沉积装置ea来设置。
[0099]
图5是示出根据实施方式的沉积区域va-a的示意性平面图。在下文中，将描述用于在图4中的像素限定层pdl的显示开口op-r、op-g和op-b中的每一个中形成发光层eml(参考图4)的方法。
[0100]
如图5中所示，可以在像素限定层pdl中形成三种显示开口op-r、op-g和op-b。三种显示开口op-g、op-r和op-b可以包括根据其面积来区分的第一显示开口op-g、第二显示开口op-r和第三显示开口op-b。
[0101]
第一显示开口op-g、第二显示开口op-r和第三显示开口op-b中的每一个可以具有与相应像素的发光区域(或第一电极的区域)成比例的区域。在该实施方式中，第一显示开口op-g可以是提供绿色的像素，第二显示开口op-r可以是提供红色的像素，并且第三显示开口op-b可以是提供蓝色的像素。
[0102]
可以使用不同的掩模分别在第一显示开口op-g、第二显示开口op-r和第三显示开口op-b中形成绿色发光设备的发光层、红色发光设备的发光层和蓝色发光设备的发光层。
[0103]
图6是沿着图3的线i-i'截取的示意性剖视图。与图1至图5中的部件相同或相似的部件将分别用相同或相似的附图标记表示，并且将不再重复前面描述的部件。
[0104]
根据实施方式的掩模ms可以包括接触基础衬底bs(参考图1)的顶表面ms-b和与顶表面ms-b相对并接触框架sp(参考图1)的后表面ms-u。掩模ms可以包括基础层pi和金属层el。
[0105]
第一开口pi-op可以限定在基础层pi中。第一开口pi-op可以由通过在第三方向d3上穿过基础层pi而暴露的第一侧表面pi-s形成。基础层pi可以包括与基础衬底bs接触的第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且在该第二表面上设置有金属层el。第一表面可以基本上设置为掩模ms的上表面ms-b。第一侧表面pi-s可以从第一表面倾斜。可以设置多个第一开口pi-op。
[0106]
在该实施方式中，基础层pi可以包括有机材料。例如，基础层pi可以包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)和聚对苯二甲酸乙二醇酯(pete)中的至少一种。因此，基础层pi可以包括柔性材料。
[0107]
第二开口el-op可以限定在金属层el中。第二开口el-op可以由通过在第三方向d3上穿过金属层el而暴露的第二侧表面el-s形成。第二侧表面el-s可以在横截面上从基础层pi的第二表面倾斜。第二侧表面el-s的倾斜方向可以与第一侧表面pi-s的从第一表面的倾斜方向相同。第二开口el-op可以设置成多个。
[0108]
在该实施方式中，金属层el可以包括金属。例如，金属层el可以包括铝(al)、铜(cu)和透明导电氧化物中的至少一种。因此，金属层el可以与磁板mp耦合。
[0109]
根据实施方式的基础层pi的第二表面的部分pi-e可以通过第二开口el-op从金属层el暴露。这可以通过去除金属层el的附加部分同时去除金属层el的尖端部分来形成。
[0110]
在掩模ms中限定的沉积孔ms-op可以由第一开口pi-op和第二开口el-op限定，第一开口pi-op和第二开口el-op可以在第三方向d3上彼此重叠。
[0111]
根据该实施方式，第一开口pi-op在第一方向d1上可以具有比第二开口el-op的宽度小的宽度。此外，第一开口pi-op和第二开口el-op中的每一个在横截面上可以具有梯形形状。
[0112]
图7是根据实施方式的掩模的示意性剖视图。与图6中的部件相同或相似的部件将分别由相同或相似的附图标记表示，并且将不再重复它们的描述。
[0113]
根据实施方式的掩模ms-1可以包括接触基础衬底bs(参考图1)的顶表面ms-b和与顶表面ms-b相对并接触框架sp(参考图1)的后表面ms-u。掩模ms-1可以包括基础层pi、无机层br和金属层el。
[0114]
第一开口pi-op可以限定在基础层pi中。第一开口pi-op可以由通过在第三方向d3上穿过基础层pi而露出的第一侧表面pi-s形成。
[0115]
在该实施方式中，基础层pi可以包括有机材料。例如，基础层pi可以包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)和聚对苯二甲酸乙二醇酯(pete)中的至少一种。因此，基础层pi可以具有柔性特性。
[0116]
无机层br可以设置在基础层pi和金属层el之间。无机层br可以设置在基础层pi和金属层el之间，以增加基础层pi和金属层el之间的耦合力。在无机层br中可以限定之间开口(或第三开口)br-op。之间开口br-op可以由通过在第三方向d3上穿过无机层br而暴露的之间侧表面br-s形成。在该实施方式中，之间侧表面br-s可以与第一侧表面pi-s对齐并且从顶表面ms-b倾斜。
[0117]
第二开口el-op可以限定在金属层el中。第二开口el-op可以由通过在第三方向d3上穿过金属层el而暴露的第二侧表面el-s形成。
[0118]
在该实施方式中，金属层el可以包括金属。例如，金属层el可以包括铝(al)、铜(cu)和透明导电氧化物中的至少一种。因此，金属层el可以与磁板mp耦合。
[0119]
根据实施方式的无机层br的部分br-e可以通过第二开口el-op从金属层el暴露。
[0120]
在掩模ms-1中限定的沉积孔ms-op1可以由在第三方向d3上彼此重叠的第一开口pi-op、之间开口(或第三开口)br-op和第二开口el-op限定。
[0121]
根据该实施方式，之间开口br-op可以具有在第一方向d1上比第一开口pi-op的宽
op可以具有比第一开口pi-op在第一方向d1上的最大宽度大的宽度。第二开口el-op和在第三方向d3上与第二开口el-op重叠的第一开口pi-op可以构成掩模ms的沉积孔ms-op。
[0134]
此后，参考图9c，根据实施方式的掩模ms可以通过从金属层el去除掩模mk2和从基础层pi去除工作衬底bg来制造。
[0135]
根据实施方式的用于制造掩模的方法可以通过增加去除尖端部分的工艺来提供具有改善的沉积效率的掩模制造方法。
[0136]
尽管焊条设置在掩模上并焊接至框架，且基础衬底设置在焊条之间，但是根据实施方式的框架中限定的焊接槽可以提供容纳焊条和掩模的空间，并且与基础衬底接触的掩模的表面和焊条的表面可以提供平坦表面。因此，当基础衬底稳定地安置在框架上时，可以执行均匀的沉积工艺。
[0137]
此外，根据实施方式的用于制造掩模的方法可以通过增加去除尖端部分的工艺来提供具有改善的沉积效率的掩模制造方法。
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本文中已经公开了实施方式，并且尽管使用了术语，但是术语被使用并且仅以一般和描述性的意义来解释，而不是为了限制的目的。在一些情况下，如本领域的普通技术人员将会明白的，除非另外特别指出，结合实施方式描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其它实施方式描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域的普通技术人员将理解，在不脱离如所附权利要求中阐述的本公开的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。