一种HDI电路板及其制造方法、毫米波雷达传感器与流程

一种hdi电路板及其制造方法、毫米波雷达传感器
技术领域
1.本发明涉及电路板技术领域，特别是涉及一种hdi电路板及其制造方法、毫米波雷达传感器。


背景技术：

2.相比于摄像头和激光雷达，毫米波雷达的优势有：1)全天候、全天时工作特性，不论昼夜、不受天气状况限制，即使雨雪天都能正常工作；2)环境适应性强，不良天气环境下仍能正常工作，穿透能力强，雨、雾、灰尘等对毫米波雷达干扰较小；3)测速，测距能力强。
3.因此，如果不考虑成本及体积，毫米波雷达可以选用贴片天线(小尺寸、中性能、中成本)或外置的鞭状天线(大尺寸、高性能、高成本)，然而pcb(印制电路板)天线是最低成本、小尺寸，只要设计得当又能获得足够性能的天线。


技术实现要素：

4.本发明主要解决的技术问题是提供一种hdi电路板及其制造方法、毫米波雷达传感器，为毫米波雷达提供低成本、小尺寸的天线提供技术支持。
5.为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是提供一种hdi电路板的制造方法，所述电路板的制造方法包括：将至少两层第一电路基板进行层压，形成内层电路板；将所述内层电路板和一层第二电路基板进行层压，形成hdi电路板；其中，所述hdi电路板的第一表面的金属层厚大于第二表面的金属层厚；采用不同的蚀刻液喷压，同时对所述第一表面和所述第二表面进行蚀刻处理，以使在所述第一表面和所述第二表面形成线路；其中，所述不同的蚀刻液喷压分别根据所述第一表面和所述第二表面的金属层厚进行设置。
6.其中，在所述将至少两层第一电路基板进行层压，形成内层电路板之前，所述方法包括：通过内层前处理、内层曝光、内层蚀刻工艺对每个所述第一电路基板和所述第二电路基板进行预处理，以在每个所述第一电路基板和所述第二电路基板的表面形成线路。
7.其中，在所述将至少两层第一电路基板进行层压，形成内层电路板之后，所述方法包括：在所述内层电路板的预设位置制作第一盲孔和第一通孔；对所述第一盲孔和所述第一通孔进行沉铜电镀，以使所述内层电路板中的各金属层之间相互连通。
8.其中，所述在所述内层电路板的预设位置制作第一盲孔和第一通孔，包括：利用激光钻孔在位于所述内层电路板的底层的所述第一电路基板的第一预设位置开设第一盲孔，利用机械钻孔在所述内层电路板的第二预设位置开设第一通孔；所述对所述第一盲孔和所述第一通孔进行沉铜电镀，以使所述内层电路板中的各金属层之间相互连通，包括：在所述第一盲孔和所述第一通孔的孔壁分别形成薄金属层；对所述第一盲孔进行电镀，对所述第一通孔进行真空树脂塞孔，以填充所述第一盲孔和所述第一通孔；其中，填充后的所述第一盲孔与所述内层电路板的底面形成的凹陷小于25μm。
9.其中，所述将至少两层第一电路基板进行层压，形成内层电路板，包括：在相邻两层所述第一电路基板之间叠加至少一层第一绝缘层；对叠加所述第一绝缘层后的所有所述
第一电路基板进行压合，以形成所述内层电路板；所述将所述内层电路板和一层第二电路基板进行层压，形成hdi电路板，包括：在所述内层电路板和所述第二电路基板之间叠加至少一层第二绝缘层；对叠加所述第二绝缘层后的所述内层电路板和所述第二电路基板进行压合，以形成hdi电路板；其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材料相同或不同。
10.其中，在所述在相邻两层所述第一电路基板之间叠加至少一层第一绝缘层之前，所述方法包括：分别在每层所述第一电路基板、所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的对应位置进行铣槽，以使形成的所述内层电路板具有容置金属基的凹槽；所述在所述内层电路板和所述第二电路基板之间叠加至少一层第二绝缘层，包括：在所述内层电路板的顶层上叠加至少一层所述第二绝缘层；将所述金属基放置于所述凹槽中，并将所述第二电路基板叠加到所述第二绝缘层上；其中，所述金属基的横向截面为第一矩形，所述第一矩形的转角为直角，所述凹槽的横向截面为第二矩形，所述第二矩形的转角为斜角，所述直角与所述斜角的位置相对。
11.其中，在所述将所述内层电路板和一层第二电路基板进行层压，形成hdi电路板之后，所述方法包括：在所述hdi电路板的预设位置制作第二盲孔和第二通孔；对所述第二盲孔和所述第二通孔进行沉铜电镀，以使所述hdi电路板中的各金属层之间相互连通。
12.其中，所述在所述hdi电路板的预设位置制作第二盲孔和第二通孔，包括：利用激光钻孔在位于所述hdi电路板的顶层的所述第二电路基板的第三预设位置开设第二盲孔，利用机械钻孔在所述hdi电路板的第四预设位置开设第二通孔；所述对所述第二盲孔和所述第二通孔进行沉铜电镀，以使所述hdi电路板中的各金属层之间相互连通，包括：在所述第二盲孔和所述第二通孔的孔壁分别形成薄金属层；对所述第二盲孔进行电镀，对所述第二通孔进行真空树脂塞孔，以填充所述第二盲孔和所述第二通孔；其中，填充后的所述第二盲孔与所述hdi电路板的顶面形成的凹陷小于25μm。
13.其中，在所述采用不同的蚀刻液喷压，同时对所述第一表面和所述第二表面进行蚀刻处理，以使在所述第一表面和所述第二表面形成线路之前，所述方法包括：对所述第二盲孔和所述第二通孔的表面进行ldi干膜掩孔，微蚀所述hdi电路板的顶面的金属层，并铲平所述第二盲孔和所述第二通孔的孔口的金属层；在所述hdi电路板的顶面设置掩膜层，对所述hdi电路板的顶面的天线区域进行微蚀，形成所述第一表面；其中，微蚀后的所述hdi电路板的顶面的天线区域的金属层厚为22至28μm；在所述第一表面和所述第二表面制作外层图形，并在所述外层图形的拐角处设置阻蚀盘；其中，所述阻蚀盘的半径为2.5mil。
14.其中，在所述采用不同的蚀刻液喷压，同时对所述第一表面和所述第二表面进行蚀刻处理，以使在所述第一表面和所述第二表面形成线路之后，所述方法包括：对所述hdi电路板进行后续工序的制作。
15.为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是提供一种hdi电路板，采用上述任意一种hdi电路板的制造方法制备而成。
16.为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是提供一种毫米波雷达传感器，包括上述的hdi电路板。
17.本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本技术的电路板的制造方法包括：将至少两层第一电路基板进行层压，形成内层电路板；将内层电路板和一层第二电路基板进行层压，形成hdi电路板；其中，hdi电路板的第一表面的金属层厚大于第二表面的金属层
厚；采用不同的蚀刻液喷压，同时对第一表面和第二表面进行蚀刻处理，以使在第一表面和第二表面形成线路；其中，不同的蚀刻液喷压分别根据第一表面和第二表面的金属层厚进行设置。通过将至少两层第一电路基板进行层压，形成内层电路板，再将内层电路板和一层第二电路基板进行层压，所形成的hdi电路板可以满足毫米波雷达的天线需求，另外，采用不同的蚀刻液喷压，同时对具有不同金属层厚的第一表面和第二表面进行蚀刻处理，可以实现一次蚀刻来完成具有不同金属层厚的两面的线路制作，使得成本下降，可以为毫米波雷达提供低成本、小尺寸的天线提供技术支持。
附图说明
18.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
19.图1为本技术hdi电路板的制造方法的第一实施例的流程示意图；
20.图2为本技术hdi电路板的制造方法的第二实施例的流程示意图；
21.图3是图2中步骤s202一实施方式的流程示意图；
22.图4是图2中步骤s205一实施方式的流程示意图；
23.图5为本技术hdi电路板一实施例的结构示意图；
24.图6为金属基和凹槽的俯视结构示意图；
25.图7是ea值的定义示意图。
具体实施方式
26.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
27.请参阅图1，图1为本技术hdi电路板的制造方法的第一实施例的流程示意图。本实施例中的电路板的制造方法包括以下步骤：
28.s101：将至少两层第一电路基板进行层压，形成内层电路板。
29.可以理解的是，第一电路基板可以采用常用的覆铜板，具体可以为双面覆铜板，双面覆铜板包括介质层和位于介质层相对两侧的金属层。第一电路基板的层数可以根据布线的复杂程度进行设定，可以为后续在hdi(高密度互连，high density interconnector)电路板增加0成本的条件下升级版本为较复杂的电路光绘设计提供了可能。本步骤中，通过将若干层第一电路基板进行层叠设置，然后通过压合方式使若干层第一电路基板整体形成内层电路板。
30.s102：将所述内层电路板和一层第二电路基板进行层压，形成hdi电路板；其中，所述hdi电路板的第一表面的金属层厚大于第二表面的金属层厚。
31.在形成内层电路板之后，在内层电路板上叠加一层第二电路基板，然后通过压合方式使内层电路板和第二电路基板整体形成hdi电路板。第二电路基板具体也可以为双面
覆铜板，所形成的hdi电路板包括n个电路层，n大于等于6，依次为电路层l1、电路层l2、电路层l3、电路层l4
……
电路层ln-1、电路层ln，hdi电路板具有相对的第一表面和第二表面，第一表面的铜厚为第二电路基板远离内层电路板一侧的单面铜层的厚度，即电路层l1，第二表面的铜厚为第一电路基板的单面铜层的厚度，即电路层ln；可以理解的是，在电路层l1上需要形成大功率线路区域，因此，电路层l1的厚度要大于电路层ln的厚度，即第一表面的铜厚大于第二表面的铜厚。
32.s103：采用不同的蚀刻液喷压，同时对所述第一表面和所述第二表面进行蚀刻处理，以使在所述第一表面和所述第二表面形成线路；其中，所述不同的蚀刻液喷压分别根据所述第一表面和所述第二表面的金属层厚进行设置。
33.由于电路层l1和电路层ln的铜厚不一致，常规方法无法通过一次性蚀刻来完成电路层l1和电路层ln的线路制作，而采用两次单面蚀刻的方式会增加不少成本，因此，可以根据第一表面和第二表面的铜厚进行设置不同的蚀刻液喷压，采用不同的蚀刻液喷压同时对第一表面和第二表面进行蚀刻处理，可以在第一表面和第二表面形成线路。
34.本实施例中，通过将至少两层第一电路基板进行层压，形成内层电路板，再将内层电路板和一层第二电路基板进行层压，所形成的hdi电路板可以满足毫米波雷达的天线需求，另外，采用不同的蚀刻液喷压，同时对具有不同金属层厚的第一表面和第二表面进行蚀刻处理，可以实现一次蚀刻来完成具有不同金属层厚的两面的线路制作，使得成本下降，可以为毫米波雷达提供低成本、小尺寸的天线提供技术支持。
35.请参阅图2，图2为本技术hdi电路板的制造方法的第二实施例的流程示意图。本实施例中的电路板的制造方法包括以下步骤：
36.s201：通过内层前处理、内层曝光、内层蚀刻工艺对每个所述第一电路基板和所述第二电路基板进行预处理，以在每个所述第一电路基板和所述第二电路基板的表面形成线路。
37.在利用至少两层第一电路基板以及一层第二电路基板制作hdi电路板之前，首先需要形成每一层的第一电路基板、第二电路基板，并且要形成hdi电路板的每一层电路层的电路结构。具体而言，提供至少两个第一电路基板以及一个第二电路基板，通过内层前处理、内层曝光、内层蚀刻工艺对每个第一电路基板和第二电路基板进行预处理，以在每个第一电路基板和第二电路基板的表面形成线路。
38.s202：将至少两层第一电路基板进行层压，形成内层电路板。
39.在本实施场景中，本实施例提供的步骤s202与本技术提供的一种hdi电路板的制造方法的第一实施例中的步骤s101基本类似。
40.具体地，请结合图3，图3是图2中步骤s202一实施方式的流程示意图，步骤s202包括：
41.s2021：在相邻两层所述第一电路基板之间叠加至少一层第一绝缘层。
42.s2022：对叠加所述第一绝缘层后的所有所述第一电路基板进行压合，以形成所述内层电路板。
43.具体地，在相邻两个第一电路基板之间设置第一绝缘层，第一绝缘层可以是半固化片，然后对所有的第一电路基板和第一绝缘层进行压合，以使相邻两个第一电路基板通过第一绝缘层粘接在一起，于是形成内层电路板。在上述过程中，需要将待组合的第一电路
基板按照顺序排列，定位准确后进行压合；定位方法可以采用铆合定位或销钉定位，以避免多个第一电路基板之间发生错位。压合过程需要在一定的温度和压力下进行，具体的温度和压力范围可以根据第一电路基板中的介质层以及第一绝缘层的材料的性质进行确定。
44.s203：在所述内层电路板的预设位置制作第一盲孔和第一通孔。
45.具体地，可以利用激光钻孔在位于内层电路板的底层的第一电路基板的第一预设位置开设第一盲孔，由于第一盲孔仅将电路层ln-1和电路层ln连通，厚度较薄，采用向位于内层电路板的底层的第一电路基板释放能量的方式形成第一盲孔，能够有效避免机械钻孔造成盲孔深度过深、产生毛刺等结构缺陷，不仅保证了产品质量，也缩短了工艺流程。可以利用机械钻孔在内层电路板的第二预设位置开设第一通孔，由于第一通孔用于将电路层l3至电路层ln连通，厚度较大，采用机械钻孔的方式，在满足制孔厚度的情况下，可以保证孔径大小。
46.s204：对所述第一盲孔和所述第一通孔进行沉铜电镀，以使所述内层电路板中的各金属层之间相互连通。
47.通过沉铜电镀能够将各电路层之间导通，采用激光盲孔和机械通孔的方式可以实现地线gnd的连接，具体地，通过沉铜在第一盲孔和第一通孔的孔壁分别形成薄铜层；然后对第一盲孔进行电镀，以将第一盲孔填平，其中，填平后的第一盲孔与内层电路板的底面形成的凹陷小于25μm；另外，对第一通孔进行真空树脂塞孔，以填充第一通孔。另外，盲孔的数量，可以根据生产实际过程的需要进行设置，各盲孔的孔径可以相同也可以不同，设置多个盲孔除了用于将各电路层导通以外，还可以作为的金属基来进行导热，增强电路板的散热性能。
48.s205：将所述内层电路板和一层第二电路基板进行层压，形成hdi电路板；其中，所述hdi电路板的第一表面的金属层厚大于第二表面的金属层厚。
49.具体地，请结合图4，图4是图2中步骤s205一实施方式的流程示意图，步骤s205包括：
50.s2051：在所述内层电路板和所述第二电路基板之间叠加至少一层第二绝缘层。
51.s2052：对叠加所述第二绝缘层后的所述内层电路板和所述第二电路基板进行压合，以形成hdi电路板。
52.具体地，在内层电路板和第二电路基板之间设置第二绝缘层，即将第二绝缘层设置在电路层l3上，第二绝缘层可以是半固化片，然后对内层电路板、第二绝缘层和第二电路基板进行压合，以使内层电路板和第二电路基板通过第二绝缘层粘接在一起，于是形成hdi电路板。压合过程需要在一定的温度和压力下进行，具体的温度和压力范围可以根据第一电路基板、第二电路基板中的介质层以及第一绝缘层、第二绝缘层的材料的性质进行确定。
53.其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材料可以相同或不同。采用相同的材料时，压合温度和压力可以较好的控制在合适范围。而采用不同材料时，例如部分可以采用聚四氟乙烯板材，其他可以采用普通板材fr4，由于聚四氟乙烯板材能够对电路板上传输的信号进行高频率和高速率的传输，尤其适用于雷达、5g通讯设备等对信号的传输速率和传输频率要求较高的产品，因此，选用介电常数(dk值)较优的高频材料(例如罗杰斯的ro3003g2)与普通板材fr4进行混压，可以提高电路板每层的布线密度，且可以降低绝缘介质材料的厚度。
54.可以理解的是，在将内层电路板和第二电路基板进行层压以形成hdi电路板之前，还需要配置金属基，例如可以采用高导热系数的紫铜金属基，以采用高效率的嵌入式金属基的方式进行散热，高散热方案的设计为后续hdi电路板升级以集成更多的功能模块提供了基础。因此，在一实施例中，在步骤s2021之前，上述方法包括：分别在每层所述第一电路基板、所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的对应位置进行铣槽，以使形成的所述内层电路板具有容置金属基的凹槽。此时，步骤s2051具体包括：在所述内层电路板的顶层上叠加至少一层所述第二绝缘层；将所述金属基放置于所述凹槽中，并将所述第二电路基板叠加到所述第二绝缘层上；其中，所述金属基的横向截面为第一矩形，所述第一矩形的转角为直角，所述凹槽的横向截面为第二矩形，所述第二矩形的转角为斜角，所述直角与所述斜角的位置相对。
55.具体的，凹槽的内壁与金属基之间存在缝隙，缝隙中可以填充有粘合剂，以对金属基进行固定；金属基的四个直角与凹槽的四个斜角对应，通过斜角和直角的配合，使得金属基的转角至凹槽的转角的垂直距离小于金属基的外壁至凹槽的内壁的垂直距离，于是可以减小金属基在凹槽中的偏移，这样既能做到方便手工放入，同时可以改善金属基在压合过程中出现金属基朝向一个方向偏移较大而缺胶的问题。
56.s206：在所述hdi电路板的预设位置制作第二盲孔和第二通孔。
57.具体地，可以利用激光钻孔在位于hdi电路板的顶层的第二电路基板的第三预设位置开设第二盲孔，由于第二盲孔仅将电路层l1和电路层l2连通，厚度较薄，采用向位于hdi电路板的顶层的第二电路基板释放能量的方式形成第二盲孔，能够有效避免机械钻孔造成盲孔深度过深、产生毛刺等结构缺陷，不仅保证了产品质量，也缩短了工艺流程。可以利用机械钻孔在hdi电路板的第四预设位置开设第二通孔，由于第二通孔用于将电路层l1至电路层ln连通，厚度较大，采用机械钻孔的方式，在满足制孔厚度的情况下，可以保证孔径大小。
58.s207：对所述第二盲孔和所述第二通孔进行沉铜电镀，以使所述hdi电路板中的各金属层之间相互连通。
59.通过沉铜电镀能够将各电路层之间导通，具体地，通过沉铜在第二盲孔和第二通孔的孔壁分别形成薄铜层；然后对第二盲孔进行电镀，以将第二盲孔填平，其中，填平后的第二盲孔与hdi电路板的顶面形成的凹陷小于25μm；另外，对第二通孔进行真空树脂塞孔，以填充第二通孔。
60.s208：对所述第二盲孔和所述第二通孔的表面进行ldi干膜掩孔，微蚀所述hdi电路板的顶面的金属层，并铲平所述第二盲孔和所述第二通孔的孔口的金属层。
61.具体地，采用ldi干膜在电路层l1上对第二盲孔和第二通孔的表面进行掩孔，然后，利用微蚀工艺对电路层l1的外表面进行处理，并在褪除干膜后铲平第二盲孔和第二通孔的孔口的铜层，此时电路层l1的厚度可以作为大功率区域的线路铜厚。
62.s209：在所述hdi电路板的顶面设置掩膜层，对所述hdi电路板的顶面的天线区域进行微蚀，形成所述第一表面；其中，微蚀后的所述hdi电路板的顶面的天线区域的金属层厚为22至28μm。
63.s210：在所述第一表面和所述第二表面制作外层图形，并在所述外层图形的拐角处设置阻蚀盘；其中，所述阻蚀盘的半径为2.5mil。
64.在将电路层l1的厚度制作为大功率区域的线路铜厚之后，在电路层l1上设置掩膜层，然后对hdi电路板的顶面(即电路层l1)的天线区域进行微蚀，此时需要控制微蚀后的电路层l1的天线区域的铜厚在22
±
3μm，于是形成hdi电路板的第一表面。然后在褪除掩膜层后，可以在第一表面和第二表面制作外层图形。可以理解的是，采用常规的工艺流程加工hdi电路板，难以实现外层图形在蚀刻后相邻边的夹角处为直角，即ea值≤10um的要求，其中，ea值是指外层图形两相邻边的夹角处实际加工后为椭圆的顶点到理论相邻两边的交点的距离，如图7所示，该距离即为ea值，通常设计标准为ea值≤10um。本技术，通过在外层图形的拐角处设置半径为2.5mil的阻蚀盘，可以有效的控制ea值≤10um。
65.s211：采用不同的蚀刻液喷压，同时对所述第一表面和所述第二表面进行蚀刻处理，以使在所述第一表面和所述第二表面形成线路；其中，所述不同的蚀刻液喷压分别根据所述第一表面和所述第二表面的金属层厚进行设置。
66.由于电路层l1和电路层ln的铜厚不一致，常规方法无法通过一次性蚀刻来完成电路层l1和电路层ln的线路制作，而采用两次单面蚀刻的方式会增加不少成本，因此，可以根据第一表面和第二表面的铜厚进行设置不同的蚀刻液喷压，采用不同的蚀刻液喷压同时对第一表面和第二表面进行蚀刻处理，可以在第一表面和第二表面形成线路。
67.s212：对所述hdi电路板进行后续工序的制作。
68.完成电路层l1和电路层ln的线路制作后，就是进行阻焊、曝光、显影、字符、后固化的制作，至此hdi电路板基本完成制作，最后完成route、clean、o/s、hole test、avi、osp、fqa等工序即可获得电路板成品。
69.上述hdi电路板的制造方法可以完成具有复合铜射频hdi线路板的制作，所制造的线路板具有线路高精度、射频频偏小、高效率散热、高集成等功能，可以用于制作市场中高端汽车装配的毫米波雷达传感器。
70.本技术还提供了一种hdi电路板，该hdi电路板采用上述实施例提供的制作方法制作得到。请参阅图5，图5为本技术hdi电路板一实施例的结构示意图。该hdi电路板50包括内层电路板501和一第二电路基板502，内层电路板501包括层叠设置的至少两层第一电路基板5011，第二电路基板502设置于内层电路板501上，第一电路基板5011和第二电路基板502均包括一层介质层和位于介质层相对两侧的两层金属层；其中，第二电路基板502远离内层电路板501一侧的金属层为hdi电路板50的第一表面503，内层电路板501远离第二电路基板502一侧的金属层为hdi电路板50的第二表面504，hdi电路板50的第一表面503的金属层厚大于第二表面504的金属层厚，第一表面503和第二表面504上形成的线路是采用不同的蚀刻液喷压、同时对第一表面503和第二表面504进行蚀刻处理而得到的。
71.具体地，第一电路基板5011和第二电路基板502可以采用常用的覆铜板，具体可以为双面覆铜板，双面覆铜板包括介质层和位于介质层相对两侧的金属层。第一电路基板5011的层数可以根据布线的复杂程度进行设定，可以为后续在hdi电路板50增加0成本的条件下升级版本为较复杂的电路光绘设计提供了可能。通过将若干层第一电路基板5011进行层叠设置，然后通过压合方式使若干层第一电路基板5011整体形成内层电路板501，在形成内层电路板501之后，在内层电路板501上叠加一层第二电路基板502，然后通过压合方式使内层电路板501和第二电路基板502整体形成hdi电路板50。所形成的hdi电路板50包括n个电路层，n大于等于6，依次为电路层l1、电路层l2、电路层l3、电路层l4
……
电路层ln-1、电
路层ln，hdi电路板50具有相对的第一表面503和第二表面504，第一表面503的铜厚为第二电路基板502远离内层电路板501一侧的单面铜层的厚度，即电路层l1，第二表面504的铜厚为第一电路基板5011的单面铜层的厚度，即电路层ln；可以理解的是，在电路层l1上需要形成大功率线路区域，因此，电路层l1的厚度要大于电路层ln的厚度，即第一表面503的铜厚大于第二表面504的铜厚。由于电路层l1和电路层ln的铜厚不一致，常规方法无法通过一次性蚀刻来完成电路层l1和电路层ln的线路制作，而采用两次单面蚀刻的方式会增加不少成本，因此，可以根据第一表面503和第二表面504的铜厚进行设置不同的蚀刻液喷压，采用不同的蚀刻液喷压同时对第一表面503和第二表面504进行蚀刻处理，可以在第一表面503和第二表面504形成线路。
72.本实施例中，通过将至少两层第一电路基板5011进行层压，形成内层电路板501，再将内层电路板501和一层第二电路基板502进行层压，所形成的hdi电路板50可以满足毫米波雷达的天线需求，另外，采用不同的蚀刻液喷压，同时对具有不同金属层厚的第一表面503和第二表面504进行蚀刻处理，可以实现一次蚀刻来完成具有不同金属层厚的两面的线路制作，使得成本下降，可以为毫米波雷达提供低成本、小尺寸的天线提供技术支持。
73.进一步地，hdi电路板50包括第一盲孔505和第一通孔506，第一盲孔505用于将位于内层电路板501的底层的第一电路基板5011的两层金属层电连接，第一通孔506用于将所有第一电路基板5011的金属层电连接。第一盲孔505为激光孔，第一通孔506为机械孔。具体地，可以利用激光钻孔在位于内层电路板501的底层的第一电路基板5011的第一预设位置开设第一盲孔505，由于第一盲孔505仅将电路层ln-1和电路层ln连通，厚度较薄，采用向位于内层电路板501的底层的第一电路基板5011释放能量的方式形成第一盲孔505，能够有效避免机械钻孔造成盲孔深度过深、产生毛刺等结构缺陷，不仅保证了产品质量，也缩短了工艺流程。可以利用机械钻孔在内层电路板501的第二预设位置开设第一通孔506，由于第一通孔506用于将电路层l3至电路层ln连通，厚度较大，采用机械钻孔的方式，在满足制孔厚度的情况下，可以保证孔径大小。
74.进一步地，相邻两层第一电路基板5011之间叠加有至少一层第一绝缘层5012，内层电路板501和第二电路基板502之间叠加有至少一层第二绝缘层507。具体地，在相邻两个第一电路基板5011之间设置第一绝缘层5012，第一绝缘层5012可以是半固化片，然后对所有的第一电路基板5011和第一绝缘层5012进行压合，以使相邻两个第一电路基板5011通过第一绝缘层5012粘接在一起，于是形成内层电路板501。同样地，在内层电路板501和第二电路基板502之间设置第二绝缘层507，即将第二绝缘层507设置在电路层l3上，第二绝缘层507可以是半固化片，然后对内层电路板501、第二绝缘层507和第二电路基板502进行压合，以使内层电路板501和第二电路基板502通过第二绝缘层507粘接在一起，于是形成hdi电路板50。
75.可以理解的是，第一绝缘层5012和第二绝缘层507的材料相同或不同。压合过程需要在一定的温度和压力下进行，具体的温度和压力范围可以根据第一电路基板5011、第二电路基板502中的介质层以及第一绝缘层5012、第二绝缘层507的材料的性质进行确定。
76.请结合图6，在一实施例中，内层电路板501设置有凹槽5013，凹槽5013内设置有金属基5014；其中，金属基5014的横向截面为第一矩形，第一矩形的转角为直角，凹槽5013的横向截面为第二矩形，第二矩形的转角为斜角，直角与斜角的位置相对。具体地，凹槽5013
的内壁与金属基5014之间存在缝隙，缝隙中可以填充有粘合剂，以对金属基5014进行固定；金属基5014的四个直角与凹槽5013的四个斜角对应，通过斜角和直角的配合，使得金属基5014的转角至凹槽5013的转角的垂直距离小于金属基5014的外壁至凹槽5013的内壁的垂直距离，于是可以减小金属基5014在凹槽5013中的偏移，这样既能做到方便手工放入，同时可以改善金属基5014在压合过程中出现金属基5014朝向一个方向偏移较大而缺胶的问题。
77.进一步地，hdi电路板50包括第二盲孔508和第二通孔509，第二盲孔508用于将第二电路基板502的两层金属层电连接，第二通孔509用于将所有第一电路基板5011的金属层以及第二电路基板502的两层金属层电连接。第二盲孔508为激光孔，第二通孔509为机械孔。具体地，可以利用激光钻孔在位于hdi电路板50的顶层的第二电路基板502的第三预设位置开设第二盲孔508，由于第二盲孔508仅将电路层l1和电路层l2连通，厚度较薄，采用向位于hdi电路板50的顶层的第二电路基板502释放能量的方式形成第二盲孔508，能够有效避免机械钻孔造成盲孔深度过深、产生毛刺等结构缺陷，不仅保证了产品质量，也缩短了工艺流程。可以利用机械钻孔在hdi电路板50的第四预设位置开设第二通孔509，由于第二通孔509用于将电路层l1至电路层ln连通，厚度较大，采用机械钻孔的方式，在满足制孔厚度的情况下，可以保证孔径大小。
78.进一步地，hdi电路板50的第一表面503设置有大功率区域s1和天线区域s2，大功率区域s1的金属层厚大于天线区域s2的金属层厚，天线区域s2的金属层厚为22至28μm。
79.进一步地，第一表面503和第二表面504上制作有外层图形(未图示)，外层图形的拐角处的ea值≤10μm。可以理解的是，采用常规的工艺流程加工hdi电路板50，难以实现外层图形在蚀刻后相邻边的夹角处为直角，即ea值≤10um的要求，其中，ea值是指外层图形两相邻边的夹角处实际加工后为椭圆的顶点到理论相邻两边的交点的距离，如图7所示，该距离即为ea值，通常设计标准为ea值≤10um。本技术，通过在外层图形的拐角处设置半径为2.5mil的阻蚀盘，可以有效的控制ea值≤10um。
80.本技术还提供一种电子设备，该电子设备具有上述任意一种hdi电路板50。电子设备可以是毫米波雷达传感器、智能家居，可以是需求全天候、全天时、环境适应性强的各种交通工具、飞行器，还可以是需求低成本、小尺寸玩具等需要物联网感知空间的各种电子产品。
81.应当说明的是，在本技术中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
82.以上所述仅为本技术的实施方式，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效原理变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。