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具有前置驱动器和偏置控制的DC耦合放大器的制作方法

2022-06-09 00:28:32 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种放大器系统,包括:前置驱动器,被配置为接收一个或多个输入信号,并且放大所述一个或多个输入信号以产生一个或多个预放大信号;放大器,被配置为接收并放大所述一个或多个预放大器输入信号以产生一个或多个放大信号,所述放大器还具有输出驱动器终端元件;和偏置控制电路,连接在所述前置驱动器和所述放大器之间,所述偏置控制电路从所述放大器的所述输出驱动器终端元件接收至少一个偏置控制电路输入电流,其中所述前置驱动器、偏置控制电路和所述放大器形成在同一晶粒上。2.根据权利要求1所述的放大器系统,其中所述偏置控制电路包括被配置为电平转换器的一个或多个晶体管,所述电平转换器控制提供给所述前置驱动器的电压。3.根据权利要求1所述的放大器系统,其中所述晶粒为砷化镓晶粒。4.根据权利要求1所述的放大器系统,其中所述偏置控制电路包括一个或多个晶体管,所述一个或多个晶体管被配置为确保所述前置驱动器偏置电流对工艺变化和偏置电压变化不敏感。5.根据权利要求1所述的放大器系统,其中所述前置驱动器包括一个或多个放大器部分,每个放大器部分从所述偏置控制电路接收偏置信号。6.根据权利要求5所述的放大器系统,其中每个放大器部分由公共源极配置中的两个晶体管形成。7.根据权利要求1所述的放大器系统,其中所述放大器是具有共源共栅连接的晶体管的dc耦合放大器。8.根据权利要求1所述的放大器系统,还包括配置有所述前置驱动器的增益控制电路,所述增益控制电路基于增益控制信号来控制所述前置驱动器的增益。9.一种用放大器放大信号的方法,包括:在同一晶粒上提供前置驱动器、放大器和偏置控制电路;向所述前置驱动器提供一个或多个输入信号;用所述前置驱动器放大所述一个或多个输入信号,以产生一个或多个预放大信号;向所述放大器提供所述一个或多个预放大信号;放大一个或多个放大器输入信号以产生一个或多个放大信号和一个或多个偏置控制电路输入电流,向所述偏置控制电路提供所述一个或多个偏置控制电路输入电流;和用所述偏置控制电路生成一个或多个偏置控制信号。10.根据权利要求9所述的方法,其中所述偏置控制电路包括被配置为电平转换器的一个或多个晶体管,所述电平转换器控制提供给所述前置驱动器的电压。11.根据权利要求9所述的方法,其中所述晶粒为砷化镓晶粒。12.根据权利要求9所述的方法,进一步包括:提供增益控制电路;和在所述增益控制电路处接收增益控制信号,从而控制所述前置驱动器的增益。13.根据权利要求9所述的方法,其中所述前置驱动器包括一个或多个放大器部分,每个放大器部分从所述偏置控制电路接收偏置信号。
14.根据权利要求13所述的方法,其中每个放大器部分由公共源极配置中的两个晶体管形成。15.根据权利要求9所述的方法,其中所述放大器还包括输出驱动器终端元件,并且所述偏置控制电路从所述放大器的所述输出驱动器终端元件接收所述一个或多个偏置控制电路输入电流。16.一种放大器系统,包括:前置驱动器,被配置为接收一个或多个输入信号,并且预放大所述一个或多个输入信号以产生一个或多个预放大信号;增益控制系统,被配置为所述前置驱动器的一部分;所述增益控制系统响应于提供给所述增益控制系统的增益控制信号来控制所述前置驱动器增益;放大器,被配置为接收并放大所述一个或多个预放大信号,以产生一个或多个放大信号;和偏置控制电路,连接在所述前置驱动器和所述放大器之间,所述偏置控制电路从所述放大器接收至少一个偏置控制电路输入电流,其中所述前置驱动器、所述增益控制电路、所述偏置控制电路和所述放大器形成在一个晶粒上。17.根据权利要求16所述的放大器系统,其中所述偏置控制电路包括被配置为电平转换器的一个或多个晶体管,所述电平转换器控制提供给所述前置驱动器的电压。18.根据权利要求16所述的放大器系统,其中所述偏置控制电路包括一个或多个晶体管,所述一个或多个晶体管被配置为确保所述前置驱动器偏置电流对工艺变化和偏置电压变化不敏感。19.根据权利要求16所述的放大器系统,其中所述前置驱动器包括三个放大部分,每个放大部分从所述偏置控制电路接收偏置信号。20.根据权利要求19所述的放大器系统,其中每个放大器部分由公共源极配置中的两个晶体管形成。

技术总结
一种DC耦合放大器,包括前置驱动器、放大器和偏置控制电路。该前置驱动器被配置为接收一个或多个输入信号并放大该一个或多个输入信号以产生一个或多个预放大信号。该放大器具有共源共栅配置的晶体管,该晶体管被配置为接收并放大该一个或多个预放大信号以产生一个或多个放大信号,该放大器还具有输出驱动器终端元件。该偏置控制电路连接在该前置驱动器和该放大器之间,该偏置控制电路从该放大器的该输出驱动器终端元件接收至少一个偏置电流,其中该前置驱动器、该放大器和该偏置控制电路都形成在同一晶粒上。形成在同一晶粒上。形成在同一晶粒上。


技术研发人员:W.凯南 B.阮
受保护的技术使用者:MACOM技术解决方案控股公司
技术研发日:2020.05.29
技术公布日:2022/6/7
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