显示装置的制作方法

1.本发明涉及显示装置。


背景技术：

2.近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用有机电致发光(electroluminescence，以下也称为“el”)元件的自发光型的有机el显示装置受到瞩目。该有机el显示装置例如具备：基底基板；设置在基底基板上的薄膜晶体管(thin film transistor，以下也称为“tft”)层；设置在tft层上的有机el元件层；和以覆盖有机el元件层的方式设置的密封膜。在此，有机el元件层例如具备设置成矩阵状的多个有机el元件。此外，密封膜具备以覆盖有机el元件层的方式设置的第一无机密封膜、设置在第一无机密封膜上的有机密封膜、以覆盖有机密封膜的方式设置在第一无机密封膜上的第二无机密封膜。并且，有机el元件具备设置在tft层上的第一电极、设置在第一电极上的有机el层、以及设置在有机el层上的第二电极。
3.例如，在专利文献1中，公开了一种具备覆盖有机发光元件的薄膜密封层的显示装置，该薄膜密封层具有将通过cvd(chemicalvapordeposition：化学气相沉积)法等形成的无机膜层和通过喷墨法等形成的有机膜层交替配置而成的层叠结构。现有技术文献专利文献
4.专利文献1：日本特开2014-86415号公报


技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题
5.然而，如上述专利文献1所公开的显示装置那样，在通过喷墨法形成有机密封膜的情况下，需要在配置有多个有机el元件的显示区域的周围的边框区域呈框状设置用于阻挡成为有机密封膜的油墨的阻挡壁。此外，为了向有机el元件供给电流，在有机el显示装置的边框区域设置有第二边框配线，该边框配线与构成tft层的电源线电连接，并与被输入高电源电压(elvdd)的第一边框配线以及与第二电极电连接，并被输入低电源电压(elvss)。这些第一边框配线以及第二边框配线被设置为在从显示区域的周围彼此相邻的状态下横穿阻挡壁而到达边框区域的端部的端子部。在此，在第一边框配线及第二边框配线上设置有平坦化膜，在平坦化膜上设置有第一电极，所述阻挡壁与平坦化膜由同一材料形成于同一层时，在阻挡壁的侧壁下部，较厚地形成用于对成为第1电极金属膜进行图案化的抗蚀剂图案。这样一来，在第一边框配线和第二边框配线之间会残存不需要的金属膜，因此，存在第一边框配线和第二边框配线短路的风险。
6.本发明是鉴于这一点而完成的，其目的在于抑制边框配线间的短路。解决问题的方案
7.为了达成上述目的，本发明所涉及的显示装置的特征在于，包括：基底基板；薄膜
晶体管层，其设置在所述基底基板上，依次层叠有半导体层、第一层间绝缘膜、第一配线层、第二层间绝缘膜、第二配线层、第三层间绝缘膜、第三配线层、第一平坦化膜、第四配线层和第二平坦化膜；发光元件层，其设置在所述薄膜晶体管层上，与构成显示区域的多个子像素对应地依次层叠有多个第一电极、共用的边缘罩、多个发光层和共用的第二电极；密封膜，其以覆盖所述发光元件层的方式设置，依次层叠有第一无机密封膜、有机配线层和第二无机密封膜；第一阻挡壁，其以在所述显示区域的周围的边框区域包围该显示区域，与所述有机密封膜的周端部重叠的方式设置，隔着以贯通所述第一平坦化膜和所述第二平坦化膜的方式形成于所述第一平坦化膜和所述第二平坦化膜的第一狭缝与所述第一平坦化膜和所述第二平坦化膜分离；第二阻挡壁，其以包围所述第一阻挡壁的方式设置于所述边框区域，隔着以贯通该第一平坦化膜及该第二平坦化膜的方式形成于所述第一平坦化膜及所述第二平坦化膜的第二狭缝与所述第一阻挡壁分离；电源线，其设置于所述显示区域作为所述第四配线层，经由薄膜晶体管与所述各第一电极电连接；第一边框配线，其设置于所述边框区域作为所述第三配线层，与所述电源线电连接；第二边框配线，其设置于所述边框区域作为所述第三配线层，与所述第二电极电连接；以及第一导电层，其在所述边框区域由与所述第一电极相同的材料设置于同一层，隔着所述第一狭缝与所述第二边框配线重叠，将该第二边框配线及所述第二电极电连接，在所述第三配线层与所述第四配线层之间设置有第四层间绝缘膜，所述第四层间绝缘膜被设置为在俯视时所述第一边框配线及所述第二边框配线相对的区域中，覆盖从所述第一狭缝露出的所述第一边框配线及所述第二边框配线中至少一方的所述显示区域侧的端部。发明效果
8.根据本发明，设置在第三配线层与第四配线层之间的第四层间绝缘膜在俯视时与第一边框配线和第二边框配线相对的区域，覆盖从第一狭缝露出的第一边框配线和第二边框配线的至少一方的显示区域侧的端部，因此能够抑制边框配线间的短路。
附图说明
9.图1是示出本发明的第一实施方式所涉及的有机el显示装置的概略构成的俯视图。图2是本发明的第一实施方式所涉及的有机el显示装置的显示区域的俯视图。图3是沿着图1中的iii一iii线的有机el显示装置的显示区域的剖视图。图4是构成本发明的第一实施方式涉及的有机el显示装置的tft层的等效电路图。图5是构成本发明的第一实施方式涉及的有机el显示装置的有机el层的剖视图。图6是沿着图1中的vi—vi线的有机el显示装置的边框区域的剖视图。图7是沿着图1中的vii—vii线的有机el显示装置的边框区域的剖视图。图8是将图1中的区域a放大的俯视图。图9是本发明的第一实施方式涉及的有机el显示装置的变形例1的俯视图，是相当于图8的图。图10是本发明的第一实施方式所涉及的有机el显示装置的变形例2的俯视图，是相当于图8的图。图11是本发明的第一实施方式所涉及的有机el显示装置的变形例3的俯视图，是
相当于图8的图。图12是本发明的第一实施方式所涉及的有机el显示装置的变形例4的俯视图，是相当于图8的图。图13是本发明的第一实施方式涉及的有机el显示装置的边框区域中的端子部的俯视图。图14是沿着图13中的xiv—xiv线的有机el显示装置的边框区域中的端子部的剖视图。图15是本发明的第一实施方式所涉及的有机el显示装置的变形例5的边框区域中的端子部的俯视图。图16是沿着图15中的xvi—xvi线的有机el显示装置的变形例5的边框区域中的端子部的剖视图。图17是本发明的第一实施方式所涉及的有机el显示装置的变形例6的边框区域中的端子部的俯视图。图18是沿着图17中的xviii—xviii线的有机el显示装置的变形例6的边框区域的端子部的剖视图。图19是本发明的第二实施方式所涉及的有机el显示装置的边框区域的剖视图，是相当于图6的图。图20是本发明的第二实施方式所涉及的有机el显示装置的边框区域的剖视图，是相当于图7的图。图21是本发明的第二实施方式的有机el显示装置的变形例的边框区域的剖视图，是相当于图20的图。
具体实施方式
10.以下，基于附图对本发明的实施方式进行详细说明。并且，本发明并不限定于以下的各实施方式。
11.《第一实施方式》图1至图18示出本发明所涉及的显示装置的第一实施方式。并且，在以下的各实施方式中，作为具备发光元件层的显示装置，例示具备有机el元件层的有机el显示装置。在此，图1是示出本实施方式的有机el显示装置50a的概略构成的俯视图。此外，图2是有机el显示装置50a的显示区域d的俯视图。此外，图3是沿图1中的iii-iii线的有机el显示装置50a的显示区域d的剖视图。此外，图4是构成有机el显示装置50a的tft层30的等效电路图。此外，图5是构成有机el显示装置50a的有机el层33的剖视图。此外，图6和图7是沿着图1中的vi-vi线和vii-vii线的有机el显示装置50a的边框区域f的剖视图。图8是将图1中的区域a放大的俯视图。此外，图9至图12是有机el显示装置50a的变形例1至变形例4的俯视图，相当于图8的图。此外，图13是有机el显示装置50a的边框区域f的端子部t的俯视图。此外，图14是沿着图13中的xiv—xiv线的有机el显示装置50a的边框区域f的端子部t的剖视图。
12.如图1所示，有机el显示装置50a例如具备：显示区域d，被矩形状设置并进行图像显示；以及边框区域f，在显示区域d的周围呈矩形框状设置。并且，在本实施方式中，例示了矩形状的显示区域d，但该矩形状还包括例如边为圆弧状的形状、角部为圆弧状的形状、边
的一部分有切口的形状等大致矩形状。
13.如图2所示，在显示区域d中矩阵状排列有多个子像素p。此外，在显示区域d中，如图2所示，例如，具有用于进行红色显示的红色发光区域lr的子像素p、具有用于进行绿色显示的绿色发光区域lg的子像素p、以及用于进行蓝色显示的蓝色发光区域lb的子像素p以相互相邻的方式设置。并且，在显示区域d中，例如，由具有红色发光区域lr、绿色发光区域lg及蓝色发光区域lb的相邻的三个子像素p构成一个像素。
14.在边框区域f的图1中右端部中，端子部t以在一个方向(图中纵向)上延伸的方式设置。此外，在边框区域f中，如图1所示，在显示区域d及端子部t之间，以图中纵向为折弯的轴，例如能够以180
°
折弯(u字状)的折弯部b以沿一个方向(图中纵向)延伸的方式设置。此外，如后所述，在端子部t上，沿着端子部t的延伸方向排列有多个端子c(参照图13)。此外，如图1和图6所示，在边框区域f中，在后述的第一平坦化膜19a和第二平坦化膜22a中以贯通第一平坦化膜19a和第二平坦化膜22a的方式设置有俯视时呈大致c状的沟槽g。在此，如图1所示，沟槽g被设置为在俯视时以端子部t侧开口的方式呈大致c字状。
15.如图3所示，有机el显示装置50a具有：作为基底基板设置的树脂基板层10、设置在树脂基板层10上的tft层30、在tft层30上作为发光元件层设置的有机el元件层35、设置在有机el元件层30上的密封膜40。
16.树脂基板层10例如由聚酰亚胺树脂等构成。
17.如图3所示，tft层30具备设置于树脂基板层10上的底涂膜11、设置于底涂膜11上的多个第一tft9a、多个第二tft9b(参照图4)、多个第三tft9c以及多个电容器9d。此外，如图3所示，tft层30具备依次设置在各第一tft9a、各第二tft9b、各第三tft9c以及各电容器9d上的第一平坦化膜19a、第四层间绝缘膜20a以及第二平坦化膜22a。
18.如图3所示，在tft层30中，半导体层12a及12b、第一层间绝缘膜13、栅极电极14a及14b以及下部导电层14c(第一配线层)、第二层间绝缘膜15、上部导电层16a(第二配线层)、第三层间绝缘膜17、源极电极18a及18c和漏极电极18b及18d(第三配线层)、第一平坦化膜19a、第四层间绝缘膜20a、电源线21a及中继层21b(第四配线层)、第二平坦化膜22a在树脂基板层10上依次层叠。在此，上述第一配线层至上述第四配线层例如由钼(mo)、钛(ti)、铝(al)、铜(cu)、钨(w)等金属单层膜或mo(上层)/al(中层)/mo(下层)、ti/al/ti、al(上层)/ti(下层)、cu/mo、cu/ti等金属层叠膜形成。此外，上述第一配线层及上述第二配线层优选由彼此相同的材料形成，例如，由厚度为200nm左右的钼膜等形成。此外，上述第三配线层及上述第四配线层优选由彼此相同的材料形成，例如，由能够以相同的蚀刻液、蚀刻气体进行蚀刻的厚度600nm左右的ti/al/ti等金属层叠膜形成。并且，上述第三配线层和上述第四配线层形成得比上述第一配线层和上述第二配线层厚。
19.并且，在本实施方式中，例示了第四层间绝缘膜20a设置于第一平坦化膜19a上的层叠结构，但第四层间绝缘膜20a也可以设置于源极电极18a及18c以及漏极电极18b及18d(第三配线层)与第一平坦化膜19a之间。在此，第四层间绝缘膜20a配置在第一平坦化膜19a上的情况下，例如，在通过干式蚀刻对第四配线层进行图案化时，第一平坦化膜19a的表面的蚀刻被抑制，能够抑制腔室内的污染。此外，在第三配线层与第一平坦化膜19a之间配置第四层间绝缘膜的情况下，在对第四配线层进行图案化时，第四层间绝缘膜成为第三配线层的保护膜。
20.在tft层30中，在显示区域d中，如图2及图4所示，以在图中横向上相互平行地延伸的方式设置有多个栅极线14d。此外，在tft层30中，在显示区域d中，如图2及图4所示，以在图中横向上相互平行地延伸的方式设置有多个发光控制线14e。并且，如图2所示那样，各发光控制线14e设置为与各栅极线14d相邻。此外，在tft层30中，在显示区域d中，如图2及图4所示，以在图中纵向上相互平行地延伸的方式设置有多个源极线18f。此外，如图1所示，在tft层30中，在显示区域d中，电源线21a设置为格子状。此外，如图4所示，在tft层30中，在各子像素p中，分别设置有第一tft9a、第二tft9b、第三tft9c及电容器9d。
21.底涂膜11例如由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。
22.如图4所示，第一tft9a在各子像素p中与对应的栅极线14d、源极线18f及第二tft9b电连接。此外，如图3所示，第一tft9a具备在底涂膜11上依次设置的半导体层12a、第一层间绝缘膜13、栅极电极14a、第二层间绝缘膜15、第三层间绝缘膜17、以及源极电极18a和漏极电极18b。在此，如图3所示，半导体层12a在底涂膜11上岛状地设置，如后所述，具有沟道区域、源极区域及漏极区域。此外，半导体层12a和后述的半导体层12b例如由低温多晶硅膜或in-ga-zn-o类的氧化物半导体膜等形成。此外，如图3所示，第一层间绝缘膜13以覆盖半导体层12a的方式设置以作为栅极绝缘膜。此外，如图3所示，栅极电极14a在第一层间绝缘膜13上以与半导体层12a的沟道区域重叠的方式设置。此外，如图3所示，第二层间绝缘膜15和第三层间绝缘膜17以覆盖栅极电极14a的方式依次设置。此外，如图3所示，源极电极18a和漏极电极18b以在第三层间绝缘膜17上相互分离的方式设置。此外，如图3所示，源极电极18a和漏极电极18b通过形成在栅极绝缘膜13、第二层间绝缘膜15和第三层间绝缘膜17的层叠膜中的各接触孔，分别与半导体层12a的源极区域和漏极区域电连接。并且，第一层间绝缘膜13、第二层间绝缘膜15、第三层间绝缘膜17及后述的第四层间绝缘膜20a例如由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。
23.如图4所示，第二tft9b在各子像素p中与对应的第一tft9a、电源线21a及第三tft9c电连接。并且，第二tft9b具有与第一tft9a及后述的第三tft9c实质上相同的构造。
24.如图4所示，第三tft9c在各子像素p中与对应的第二tft9b、电源线21a及发光控制线14e电连接。此外，如图3所示，第三tft9c具备在底涂膜11上依次设置的半导体层12b、第一层间绝缘膜13、栅极电极14b、第二层间绝缘膜15、第三层间绝缘膜17、以及源极电极18c和漏极电极18d。在此，如图3所示，半导体层12b在底涂膜11上呈岛状设置，与半导体层12a同样地，具有沟道区域、源极区域及漏极区域。此外，如图3所示，第一层间绝缘膜13以覆盖半导体层12b的方式设置以作为栅极绝缘膜。此外，如图3所示，栅极电极14b在第一层间绝缘膜13上以与半导体层12b的沟道区域重叠的方式设置。此外，如图3所示，第二层间绝缘膜15和第三层间绝缘膜17以覆盖栅极电极14b的方式依次设置。此外，如图3所示，源极电极18c和漏极电极18d以在第三层间绝缘膜17上相互分离的方式设置。此外，如图3所示，源极电极18c和漏极电极18d经由形成于第一层间绝缘膜13、第二层间绝缘膜15和第三层间绝缘膜17的层叠膜的各接触孔，分别与半导体层12b的源极区域和漏极区域电连接。
25.并且，在本实施方式中，例示了顶栅型的第一tft9a、第二tft9b以及第三tft9c，但第一tft9a、第二tft9b以及第三tft9c也可以是底栅型。
26.如图4所示，电容器9d在各子像素p中与对应的第一tft9a及电源线21a电连接。这里，如图3所示，电容器9d具备：下部导电层14c，在与栅极电极14a等同一层由同一材料形
成；第二层间绝缘膜15，以覆盖下部导电层14c的方式设置；以及上部导电层16a，在第二层间绝缘膜15上以与下部导电层14c重叠的方式设置。并且，上部导电层16a经由形成于第三层间绝缘膜17、第一平坦化膜19a以及第四层间绝缘膜20a的接触孔(未图示)与电源线21a电连接。
27.第一平坦化膜19a、第二平坦化膜22a以及后述的边缘罩32a例如由聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂等有机树脂材料构成。
28.有机el元件层35由矩阵状排列的多个有机el元件构成，如图3所示，具备在tft层30上依次设置的多个第一电极31a、边缘罩32a、多个有机el层33以及第二电极34。
29.如图3所示，多个第一电极31a以对应于多个子像素p的方式，以矩阵状设置在第二平坦化膜22a上。在此，如图3所示，第一电极31a经由形成于第一平坦化膜19a及第四层间绝缘膜20a的接触孔、形成于中继层21b及第二平坦化膜22a的接触孔，与各第三tft9c的漏极电极18d电连接。此外，第一电极31a具有向有机el层33注入空穴(hole)的功能。此外，为了提高向有机el层33注入空穴的效率，更优选由功函数大的材料形成第一电极31a。在此，作为构成第一电极31a的材料，例如可列举银(ag)、铝(al)、钒(v)、钴(co)、镍(ni)、钨(w)、金(au)、钛(ti)、钌(ru)、锰(mn)、铟(in)、镱(yb)、氟化锂(lif)、铂(pt)、钯(pd)、钼(mo)、铱(ir)、锡(sn)等金属材料。此外，构成第一电极31a的材料例如也可以是砹(at)/氧化砹(ato2)等的合金。而且，构成第一电极31a的材料例如也可以是氧化锡(sno)、氧化锌(zno)、铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)那样的导电性氧化物等。此外，第一电极31a也可以层叠多个由上述材料构成的层而形成。并且，作为功函数大的化合物材料，例如可列举铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)等。
30.如图3所示，边缘罩32a以对多个子像素p共用的方式并且覆盖各第一电极31a的周端部的方式设置成格子状。
31.如图3所示，多个有机el层33配置在各第一电极31a上，以对应于多个子像素p的方式设置成矩阵状。在此，如图5所示，各有机el层33具备在第一电极31a上依次设置的空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4以及电子注入层5。
32.空穴注入层1也称为阳极缓冲层，具有使第一电极31a与有机el层33的能级接近，改善从第一电极31a向有机el层33的空穴注入效率的功能。在此，作为构成空穴注入层1的材料，可列举出例如三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪衍生物等。
33.空穴输送层2具有提高从第一电极31a向有机el层33的空穴输送效率的功能。在此，作为构成空穴输送层2的材料，例如可列举出卟啉衍生物、芳香族叔胺化合物、苯乙烯基胺衍生物、聚乙烯基咔唑、聚对亚苯基亚乙烯基、聚硅烷、三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基链烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺取代查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪衍生物、氢化非晶硅、氢化非晶碳化硅、硫化锌、硒化锌等。
34.发光层3是在第一电极31a和第二电极34施加电压时从第一电极31a和第二电极34分别注入空穴和电子并且空穴和电子再结合的区域。在此，发光层3由发光效率高的材料形成。而且，作为构成发光层3的材料，例如可举出：金属氧簇化合物[8-羟基喹啉金属配合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯基乙烯衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍
生物、香豆素衍生物、苯并噁唑衍生物、噁二唑衍生物、噁唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙烯基胺衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、苝衍生物、紫环酮衍生物(
ペリノン
誘導体)、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、罗丹明衍生物、吖啶衍生物、吩恶唑(
フェノキサゾン
)、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对亚苯基亚乙烯基、聚硅烷等。
[0035]
电子输送层4具有使电子高效地移动到发光层3的功能。在此，作为构成电子输送层4的材料，例如，作为有机化合物，可列举出：噁二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、二苯醌衍生物、芴酮衍生物、噻咯衍生物(
シロール
誘導体)、金属氧簇化合物(金属
オキシノイド
化合物)等。
[0036]
电子注入层5具有使第二电极34与有机el层33的能量等级接近、提高从第二电极34向有机el层33注入电子的效率的功能，通过该功能，能够降低构成有机el元件层35的各有机el元件的驱动电压。并且，电子注入层5也称为阴极缓冲层。在此，作为构成电子注入层5的材料，例如可列举氟化锂(lif)、氟化镁(mgf2)、氟化钙(caf2)、氟化锶(srf2)、氟化钡(baf2)等的无机碱化合物、氧化铝(al2o3)、氧化锶(sro)等。
[0037]
如图3所示，第二电极34设置为覆盖各有机el层33和边缘罩32a，使得多个子像素p共用。此外，第二电极34具有向有机el层33注入电子的功能。此外，为了提高向有机el层33的电子注入效率，第二电极34更优选由功函数小的材料构成。在此，作为构成第二电极34的材料，例如可列举银(ag)、铝(al)、钒(v)、钙(ca)、钛(ti)、钇(y)、钠(na)、锰(mn)、铟(in)、镁(mg)、锂(li)、镱(yb)、氟化锂(lif)等。此外，第二电极34也可以由例如镁(mg)/铜(cu)、镁(mg)/银(ag)、钠(na)/钾(k)、砹(at)/氧化砹(ato2)、锂(li)/铝(al)、锂(li)/钙(ca)/铝(al)、氟化锂(lif)/钙(ca)/铝(al)等合金形成。此外，第二电极34也可以由例如氧化锡(sno)、氧化锌(zno)、铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)等导电性氧化物形成。此外，第二电极34也可以层叠多个由上述材料构成的层而形成。并且，作为功函数小的材料，例如可列举镁(mg)、锂(li)、氟化锂(lif)、镁(mg)/铜(cu)、镁(mg)/银(ag)、钠(na)/钾(k)、锂(li)/铝(al)、锂(li)/钙(ca)/铝(al)、氟化锂(lif)/钙(ca)/铝(al)等。
[0038]
如图3所示，密封膜40具备以覆盖第二电极34的方式设置且依次层叠在第二电极34上的第一无机密封膜36、有机密封膜37及第二无机密封膜38，具有保护有机el元件层35的各有机el层33免受水分、氧气影响的功能。在此，第一无机密封膜36和第二无机密封膜38例如由氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等无机绝缘膜构成。此外，有机密封膜37例如由丙烯酸树脂、环氧树脂、硅酮树脂、聚脲树脂、聚对二甲苯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂等有机树脂材料构成。
[0039]
此外，如图1所示，有机el显示装置50a在边框区域f具备：以框状设置在沟槽g的外侧的第一阻挡壁wa和以框状设置在第一阻挡壁wa的周围的第二阻挡壁wb。
[0040]
如图6及图7所示，第一阻挡壁wa具备由与第二平坦化膜22a相同的材料形成在同一层上的下层树脂层22b、以及由与边缘罩32a相同的材料形成在同一层上的上层树脂层32b。此外，如图6及图7所示，第一阻挡壁wa设置为隔着第一狭缝sa与显示区域d的第一平坦化膜19a及第二平坦化膜22a分离，该第一狭缝sa在第一平坦化膜19a及第二平坦化膜22a上以贯通第一平坦化膜19a及第二平坦化膜22a的方式形成为框状。并且，第一阻挡壁wa以与密封膜40的有机密封膜37的周端部重叠的方式设置，以抑制成为密封膜40的有机密封膜37
的油墨的扩散的方式构成。
[0041]
如图6及图7所示，第二阻挡壁wb具备由与第一平坦化膜19a相同的材料形成在同一层上的下层树脂层19b、由与第二平坦化膜22a相同的材料形成在同一层上的中层树脂层22c以及由与边缘罩32a相同的材料形成在同一层上的上层树脂层32c。此外，如图6及图7所示，第二阻挡壁wb设置为，隔着第二狭缝sb与第一阻挡壁wa分离，该第二狭缝sb在第一平坦化膜19a(下层树脂层19b)及第二平坦化膜22a(中层树脂层22c)上以贯通第一平坦化膜19a(下层树脂层19b)及第二平坦化膜22a(中层树脂层22c)的方式形成为框状。
[0042]
此外，如图1所示，有机el显示装置50a在边框区域f具备第一边框配线18h，该第一边框配线18h作为上述第三配线层而设置，在沟槽g的开口的部分宽幅较宽地延伸，在显示区域d侧的沟槽g的内侧线状地延伸，显示区域d的相反侧的两端部向端子部t延伸。在此，第一边框配线18h被构成为，在边框区域f的显示区域d侧与电源线21a电连接，在端子部t被输入高电压(elvdd)。
[0043]
此外，如图1所示，有机el显示装置50a在边框区域f具备第二边框配线18i，该第二边框配线18i在沟槽g的外侧作为上述第三配线层设置为大致c状，两端部向端子部t延伸。在此，如图6所示，第二边框配线18i被构成为，经由形成于沟槽g的第一导电层31b与第二电极34电连接，在端子部t被输入低电源电压(elvss)。需要说明的是，如图6所示，第一导电层31b被设置为由与第一电极31a相同的材料形成在同一层，在边框区域f中，隔着第一狭缝sa与第二边框配线18i重叠，将第二边框配线18i及第二电极34电连接。
[0044]
在俯视时，在第一边框配线18h和第二边框配线18i相对的区域(参照图1中的区域)中，如图8所示，第四层间绝缘膜20a(图中阴影部)以覆盖从第一狭缝sa露出的第二边框配线18i的端部和第一边框配线18h的方式设置。
[0045]
此外，在本实施方式中，虽然例示了覆盖从第一狭缝sa露出的第二边框配线18i的端部、以及第一边框配线18h的全部的第四层间绝缘膜20a，但第四层间绝缘膜20a也可以是以下的第四层间绝缘膜20aa(变形例1)、20ab(变形例2)、20ac(变形例3)及20ad(变形例4)等。即，在俯视时第一边框配线18h和第二边框配线18i相对的区域中，只要第四层间绝缘膜20a以覆盖从第一狭缝sa露出的第一边框配线18h及第二边框配线18i中的至少一方的显示区域d侧的端部的方式设置，就能够抑制第一边框配线18h及第二边框配线18i的短路。
[0046]
(变形例1)在俯视时第一边框配线18h和第二边框配线18i相对的区域中，如图9所示，第四层间绝缘膜20a以覆盖从第一狭缝sa露出的第一边框配线18h的全部的方式设置。
[0047]
(变形例2)在俯视观时第一边框配线18h和第二边框配线18i相对的区域中，如图10所示，第四层间绝缘膜20ab以覆盖从第一狭缝sa露出的第一边框配线18h和第二边框配线18i的显示区域d侧的端部的方式设置。在此，在第四层间绝缘膜20ab中，如图10所示，在第一狭缝sa的侧壁下部，由于能够获得第一边框配线18h及第二边框配线18i的间隔(图中的两箭头部)，因此能够抑制第一边框配线18h及第二边框配线18i的短路。
[0048]
(变形例3)在俯视时第一边框配线18h和第二边框配线18i相对的区域中，如图11所示，第四层间绝缘膜20ac以覆盖从第一狭缝sa露出的第一边框配线18h的显示区域d侧的端部的方
式设置。在此，在第四层间绝缘膜20ac中，如图11所示，在第一狭缝sa的侧壁下部，由于能够获得第一边框配线18h及第二边框配线18i的间隔(图中的两箭头部)，因此能够抑制第一边框配线18h及第二边框配线18i的短路。
[0049]
(变形例4)在俯视观时第一边框配线18h和第二边框配线18i相对的区域中，如图10所示，第四层间绝缘膜20ad以覆盖从第一狭缝sa露出的第二边框配线18i的显示区域d侧的端部的方式设置。在此，在第四层间绝缘膜20ad中，如图12所示，在第一狭缝sa的侧壁下部，由于能够获得第一边框配线18h及第二边框配线18i的间隔(图中的两箭头部)，因此能够抑制第一边框配线18h及第二边框配线18i的短路。
[0050]
根据变形例1至变形例4，第二平坦化膜22a的下层的第一平坦化膜19a未被第四层间绝缘膜20aa、20ab、20ac及20ad覆盖，能够高效地进行形成第一平坦化膜19a时的排气。
[0051]
此外，在本实施方式及上述变形例1至4中，例示了以覆盖从第一狭缝sa露出的第一边框配线18h及第二边框配线18i的至少一方的显示区域d侧的端部的方式设置的第四层间绝缘膜20a，但第四层间绝缘膜20a也可以以覆盖从第二狭缝sb露出的第一边框配线18h的全部的方式设置、或者以覆盖从第二狭缝sb露出的第二边框配线18i的与显示区域d相反侧的端部的方式设置。即，第四层间绝缘膜20a只要被设置成不仅覆盖从第一狭缝sa露出的第一边框配线18h及第二边框配线18i的至少一方的显示区域d侧的端部，而且还覆盖从第二狭缝sb露出的第一边框配线18h及第二边框配线18i的至少一方的与显示区域d相反侧的端部即可。在此，第一狭缝sa及第二狭缝sb可以形成在第一平坦化膜19a及第二平坦化膜22a的叠层膜上，也可以形成在覆盖第一平坦化膜19a的第二平坦化膜22a上，也可以形成在覆盖第一平坦化膜19a的第二平坦化膜22a中使第二边框配线18i的端部及第一边框配线18h露出的平坦化膜。
[0052]
此外，如图13所示，有机el显示装置50a在边框区域f的端子部t具备在端子部t的延伸方向上排列成两列的多个端子c。
[0053]
如图13和图14所示，端子c具备：第一端子电极18t，其作为上述第三配线层而设置，并与上述的栅极线14d、发光控制线14e、源极线18f、第一边框配线18h、第二边框配线18i等电连接；以及第二端子电极21t，作为上述第四配线层而设置，与第一端子电极18t电连接。
[0054]
在此，如图13及图14所示，在设置于第一端子电极18t上的第一平坦化膜19c上形成有使第一端子电极18t的接触部露出的端子第一开口部mta。并且，第一平坦化膜19c由与显示区域d的第一平坦化膜19a相同的材料形成于同一层。
[0055]
此外，如图13及图14所示，在设置于第二端子电极21t上的第二平坦化膜22d上形成有使第一端子电极21t的接触部露出的端子第二开口部mtb。并且，第二平坦化膜22d由与显示区域d的第二平坦化膜22a相同的材料形成于同一层。
[0056]
此外，如图13及图14所示，在设置于第一平坦化膜19c与第二平坦化膜22d之间的第四层间绝缘膜20a上，以与第二端子电极21t重叠的方式形成有端子第三开口部mtc。需要说明的是，如图3和图14所示，端子第三开口部mtc的周缘配置在端子第一开口部mta的周缘和端子第二开口部mtb的周缘的外侧。
[0057]
如图14所示，第二端子电极21t经由端子第一开口部mta与第一端子电极18t接触，
并且经由各向异性导电膜(anisotropic conductivefilm，以下也称为“acf”)70，与柔性印刷基板(flexible printed circuits，以下也称为“fpc”)65的相对电极61电连接。并且，如图14所示，fpc65包括具有挠性的电路基板主体60和设置在fpc主体60的表面的相对电极61。
[0058]
并且，在本实施方式中，在端子部t中，例示了端子第三开口部mtc的周缘配置在端子第一开口部mta的周缘和端子第二开口部mtb的周缘的外侧的有机el显示装置50a，但也可以是如下所示的有机el显示装置50aa(变形例5)和50ab(变形例6)。在此，图15是有机el显示装置50a的变形例5的有机el显示装置50aa的端子部t的俯视图。此外，图16是沿着图15中的xvi—xvi线的有机el显示装置50aa的端子部t的剖视图。此外，图17是有机el显示装置50a的变形例6的有机el显示装置50ab的端子部t的俯视图。此外，图18是沿着图17中的xviii-xviii线的有机el显示装置50ab的端子部t的剖视图。
[0059]
(变形例5)在有机el显示装置50aa的端部t，如图15以及图16所示，端子c具备与上述第一端子电极18t相当的第一端子电极18ta和与上述第二端子电极21t相当的第二端子电极21ta。
[0060]
在此，如图15及图16所示，在设置于第一端子电极18ta上的第一平坦化膜19ca上形成有使第一端子电极18ta的接触部露出的端子第一开口部mta。并且，第一平坦化膜19ca由与显示区域d的第一平坦化膜19a相同的材料形成于同一层。
[0061]
此外，如图15及图16所示，在设置于第二端子电极21ta上的第二平坦化膜22da上形成有使第一端子电极21ta的接触部露出的端子第二开口部mtb。并且，第二平坦化膜22da由与显示区域d的第二平坦化膜22a相同的材料形成于同一层。此外，如图15以及图16所示，端子第二开口部mtb以在俯视时不与端子第一开口部mta重叠的方式设置于端子第一开口部mta的外侧。
[0062]
此外，如图15及图16所示，在设置于第一平坦化膜19ca与第二平坦化膜22da之间的第四层间绝缘膜20ae上，以俯视时包含端子第一开口部mta及端子第二开口部mtb的方式形成有端子第三开口部mtc。
[0063]
如图16所示，第二端子电极21ta经由端子第一开口部mta与第一端子电极18ta接触，并且经由acf70与fpc65的相对电极61电连接。此外，如图15所示，第二端子电极21ta设置为在俯视时包含端子第三开口部mtc以及其周缘。
[0064]
根据上述构成的有机el显示装置50aa中，由于acf70的膜厚比有机el显示装置50a的薄，能够抑制接触不良，因此能够提高安装工序的成品率。
[0065]
(变形例6)在有机el显示装置50ab的端部t，如图17及图18所示，端子c具备与上述第一端子电极18t相当的第一端子电极18tb和与上述第二端子电极21t相当的第二端子电极21tb。
[0066]
在此，如图17及图18所示，在设置于第一端子电极18tb上的第一平坦化膜19cb上形成有使第一端子电极18ta的接触部露出的端子第一开口部mta。并且，第一平坦化膜19cb与显示区域d的第一平坦化膜19a由相同的材料形成于同一层。
[0067]
此外，如图17及图18所示，在设置于第二端子电极21ta上的第二平坦化膜22da上形成有使第一端子电极21ta的接触部露出的端子第二开口部mtb。此外，如图17以及图18所示，端子第二开口部mtb以在俯视时不与端子第一开口部mta重叠的方式设置于端子第一开
口部mta的外侧。此外，第一端子电极18tb为与上述的第一端子电极18t实质上相同的构成，如图17及图18所示，设置为在俯视时与端子第二开口部mtb重叠。
[0068]
此外，如图17及图18所示，在设置于第一平坦化膜19ca与第二平坦化膜22da之间的第四层间绝缘膜20ae上，以俯视时包含端子第一开口部mta及端子第二开口部mtb的方式形成有端子第三开口部mtc。
[0069]
如图18所示，第二端子电极21tb经由端子第一开口部mta与第一端子电极18tb接触，并且经由acf70与fpc65的相对电极61电连接。此外，如图17所示，第二端子电极21tb设置为在俯视时包含端子第三开口部mtc以及其周缘。
[0070]
根据上述构成的有机el显示装置50ab中，由于acf70的膜厚比有机el显示装置50a的薄，能够抑制接触不良，因此能够提高安装工序的成品率。进一步，根据上述构成的有机el显示装置50ab，各端子c是层叠较厚的第三配线层的第一端子电极18tb和较厚的第四配线层的第二端子电极21tb而构成，因此，在从树脂基板层10剥离玻璃基板后也能够确保刚性，能够提高安装工序的成品率。
[0071]
在上述的有机el显示装置50a中，在各子像素p中，通过栅极线14d向第一tft9a输入栅极信号，第一tft9a成为导通状态，经由源极线18f向第二tft9b的栅极电极14b及电容器9d写入与源极信号对应的规定的电压，在经由发光控制线14e向第三tft9c输入发光控制信号时，第三tft9c成为导通状态，与第二tft9b的栅极电压对应的电流从电源线21a供给至有机el层33，从而有机el层33的发光层3发光，进行图像显示。并且，在有机el显示装置50a中，即使第一tft9a成为截止状态，第二tft9b的栅极电压也由电容器9d保持，因此，发光层3的发光被各子像素p维持，直到输入下一帧的栅极信号为止。
[0072]
接着，对本实施方式的有机el显示装置50a的制造方法进行说明。并且，本实施方式的有机el显示装置50a的制造方法具备tft层形成工序、有机el元件层形成工序、密封膜形成工序以及安装工序。
[0073]
《tft层形成工序》例如，采用公知的方法在形成于玻璃基板上的树脂基板层10的表面形成底涂膜11、第一tft9a、第二tft9b、第三tft9c、电容器9d、第一平坦化膜19a、第四层间绝缘膜20a、电源线21a以及第二平坦化膜22a等，从而形成tft层30。
[0074]
《有机el元件层形成工序》在上述tft层形成工序中形成的tft层30的第二平坦化膜22a上，采用公知的方法形成第一电极31a、边缘罩32a、有机el层33(空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4、电子注入层5)、第二电极34，由此形成有机el元件层35。
[0075]
《密封膜形成工序》首先，在上述有机el元件层形成工序中形成的形成有有机el元件层35的基板表面上，使用掩模，通过等离子体cvd法例如形成氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等无机绝缘膜，从而形成第一无机密封膜36。
[0076]
接着，例如通过喷墨法，在形成有第一无机膜36的基板表面上形成丙烯酸树脂等有机树脂材料，形成有机密封膜37。
[0077]
然后，针对形成有有机膜37的基板，使用掩模，通过等离子体cvd法形成例如氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等无机绝缘膜成膜，形成第二无机密封膜38，由此形成密封膜
40。
[0078]
然后，将保护片(未图示)粘贴于形成有密封膜40的基板表面后，从树脂基板层10的玻璃基板侧照射激光，由此从树脂基板层10的下表面剥离玻璃基板，进一步，在剥离了玻璃基板的树脂基板层10的下表面粘贴保护片(未图示)。
[0079]
《安装工序》首先，对在上述密封膜形成工序中粘贴于密封膜40的表面的保护片例如通过照射激光，局部地去除保护片，使端子部t的各端子c露出。
[0080]
然后，将acf70暂时固定在端子部t的各端子c上。
[0081]
进一步，在端子部t的各端子c和fpc65的相对电极61以经由acf70重合的方式对位后，通过压接工具按压fpc65，在端子部t安装fpc65。
[0082]
如上所述，能够制造本实施方式的有机el显示装置50a。
[0083]
如以上说明的那样，根据本实施方式的有机el显示装置50a中，在第一平坦化膜19a与电源线21a的层间设置的第四层间绝缘膜20a在俯视时在第一边框配线18h与第二边框配线18i相对的区域，覆盖从第一狭缝sa和第二狭缝sb露出的第二边框配线18i的端部及第一边框配线18h。因此，即使假设在第一狭缝sa及第二狭缝sb的各侧壁下部成为第一电极31a的金属膜残存于第一边框配线18h及第二边框配线18i之间，由于在俯视时第一边框配线18h与第二边框配线18i相对的区域，第一边框配线18h及第二边框配线18i被第四层间绝缘膜20a覆盖，因此能够抑制第一边框配线18h及第二边框配线18i的短路。
[0084]
此外，根据本实施方式的有机el显示装置50a，端子部t的各端子c通过将较厚的第三配线层的第一端子电极18t和较厚的第四配线层的第二端子电极21t层叠而成，因此，在从树脂基板层10剥离玻璃基板后也能够确保刚性，能够提高安装工序的成品率。
[0085]
《第二实施方式》图19至图21示出本发明的显示装置的第二实施方式。在此，图19及图20是本实施方式的有机el显示装置50b的边框区域f的剖视图，是相当于上述第一实施方式中说明的图6及图7的图。此外，图21是作为有机el显示装置50b的变形例的有机el显示装置50ba的边框区域f的剖视图，是相当于图20的图。并且，在以下的各实施方式中，对与图1至图18相同的部分标注相同的附图标记，省略其详细的说明。
[0086]
在上述第一实施方式中，例示了在第一边框配线18h及第二边框配线18i上未层叠其他金属膜的有机el显示装置50a，但在本实施方式中，例示在第一边框配线18h及第二边框配线18i上层叠有其他金属膜的有机el显示装置50b。
[0087]
有机el显示装置50b与上述第一实施方式的有机el显示装置50a同样，具备被矩形状设置的显示区域d以及在显示区域d的周围呈框状设置的边框区域f。
[0088]
有机el显示装置50b与上述第一实施方式的有机el显示装置50a同样，具备：树脂基板层10；设置在树脂基板层10上的tft层30；设置在tft层30上的作为发光元件的有机el元件层35；以覆盖有机el元件层35的方式设置的密封膜40。
[0089]
有机el显示装置50b与上述第一实施方式的有机el显示装置50a同样，在边框区域f上具备：以框状设置在沟槽g的外侧的第一阻挡壁wa和以框状设置在第一阻挡壁wa的周围的第二阻挡壁wb。
[0090]
有机el显示装置50b与上述第一实施方式的有机el显示装置50a同样，在边框区域
f中具备主要设置于沟槽g的开口的部分的第一边框配线18h和大致呈c状地设置于沟槽g的外侧的第二边框配线18i。
[0091]
如图19所示，在第二边框配线18i上设置有由与电源线21a相同的材料形成在同一层的第二导电层21c。在此，如图19所示，在第一狭缝sa和第二狭缝sb中设置第二导电层21c，作为上述第四配线层。此外，如图19所示，第二导电层21c与第一导电层31b及第二边框配线18i接触。此外，如图19所示，相当于第一实施方式的第四层间绝缘膜20a的第四层间绝缘膜20b设置为覆盖从第一狭缝sa露出的第二边框配线18i的显示区域d侧的端部，并且覆盖从第二狭缝sb露出的第二边框配线18i的与显示区域d相反侧的端部。此外，如图19所示，在第四层间绝缘膜20b上设置有使第二边框配线18i露出的第一开口部ma，第二导电层21c被设置为覆盖从第一开口部ma露出的第二边框配线18h的全部。
[0092]
如图20所示，在第一边框配线18h上设置有由与电源线21a相同的材料形成在同一层的第三导电层21d和第四导电层21e。在此，如图16所示，第三导电层21d以与第一阻挡壁wa重叠的方式设置并作为上述第四配线层。此外，如图20所示，第四层间绝缘膜20b以覆盖从第一狭缝sa及第二狭缝sb露出的第一边框配线18h的全部的方式设置。此外，如图20所示，在第四层间绝缘膜20b上设置有与第一阻挡壁wa重叠并使第一边框配线18h露出的第二开口部mb。并且，如图20所示，第三导电层21d以覆盖从第二开口部mb露出的第一边框配线18h的全部的方式设置，从而与第一边框配线18h接触。此外，在第一平坦化膜19a中，在第一狭缝sa与显示区域d之间设置有使第一边框配线18h露出的第三开口部mc。而且，如图20所示，在第三开口部mc中，作为上述第四配线层设置有第四导电层21e。并且，如图20所示，第四导电层21e以覆盖从第三开口部mc露出的第一边框配线18h的全部的方式设置。
[0093]
上述有机el显示装置50b与上述第一实施方式的有机el显示装置50a同样地被构成为，具有可挠性，在各子像素p中，通过经由第一tft9a、第二tft9b及第三tft9c使有机el层33的发光层3适当发光，进行图像显示。
[0094]
此外，在本实施方式中，例示了以与第一阻挡壁wa重叠的方式设置有第三导电层21d的有机el显示装置50b，但也可以是，如图21所示，除了第三导电层21d以外，以与第二阻挡壁wb重叠的方式设置有第三导电层21da的有机el显示装置50ba。在此，在有机el显示装置50ba中，第一阻挡壁wa和第二阻挡壁wb具有彼此相同的截面结构，第二阻挡壁wb具有：由与第二平坦化膜22a相同的材料形成在同一层的下层树脂层22ba；由与边缘罩32a相同的材料形成在同一层的上层树脂层32c。此外，如图21所示，在相当于第四层间绝缘膜20b的第四层间绝缘膜20ba上设置有与第二阻挡壁wb重叠并使第一边框配线18h露出的第二开口部mba。
[0095]
本实施方式的有机el显示装置50b能够通过在上述第一实施方式的有机el显示装置50a的制造方法中形成电源线21a时，形成第二导电层21c及第三导电层21d来制造。
[0096]
如上所述，根据本实施方式的有机el显示装置50b，在第一平坦化膜19a与电源线21a的层间设置的第四层间绝缘膜20b在俯视时在第一边框配线18h与第二边框配线18i相对的区域，覆盖从第一狭缝sa及第二狭缝sb露出的第一边框配线18h。因此，即使假设在第一狭缝sa及第二狭缝sb的各侧壁下部成为第一电极31a的金属膜残存于第一边框配线18h及第二边框配线18i之间，由于在俯视时第一边框配线18h与第二边框配线18i相对的区域，第一边框配线18h及第二边框配线18i被第四层间绝缘膜20b覆盖，因此能够抑制第一边框
配线18h及第二边框配线18i的短路。
[0097]
此外，根据本实施方式的有机el显示装置50b，在第一边框配线18h上层叠有第三导电层21d以及第四导电层21e，在第二边框配线18i上层叠有第二导电层21c，因此，能够降低第一边框配线18h以及第二边框配线18i的配线电阻。
[0098]
《其他实施方式》在上述各实施方式中，例示出了空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层及电子注入层的5层层叠结构的有机el层，但有机el层例如也可以是空穴注入层兼空穴输送层、发光层及电子输送层兼电子注入层的3层层叠结构。
[0099]
此外，在上述各实施方式中，例示了将第一电极作为阳极、将第二电极作为阴极的有机el显示装置，但本发明也能适用于使有机el层的层叠结构反转、将第一电极作为阴极、将第二电极作为阳极的有机el显示装置。
[0100]
此外，在上述各实施方式中，例示了将连接于第一电极的tft的电极作为漏极电极的有机el显示装置，但本发明也能适用于将连接于第一电极的tft的电极称为源极电极的有机el显示装置。
[0101]
此外，在上述各实施方式中，作为显示装置，列举了有机el显示装置为例进行了说明，但本发明能够适用于具备由电流驱动的多个发光元件的显示装置。例如，能够应用于具备使用了量子点含有层的发光元件即qled(quantum-dot lightemitting diode：正交发光二极管)的显示装置。
[0102]
如上所述，本发明对柔性显示装置是有用的。附图标记说明
[0103]
c 端子d 显示区域f 边框区域ma 第一开口部mb 第二开口部mc 第三开口部mta 端子第一开口部mtb 端子第二开口部mtc 端子第三开口部p 子像素sa 第一狭缝sb 第二狭缝t 端子部wa 第一阻挡壁wb 第二阻挡壁9b、9c tft10 树脂基板层(基底基板)12a、12b 半导体层13 第一层间绝缘膜
14c 下部导电层(第一配线层)14d 栅极线(第一配线层)14e 发光控制线(第一配线层)15 第二层间绝缘膜16a 上部导电层(第二配线层)17 第三层间绝缘膜18f 源极线(第三配线层)18h 第一边框配线(第三配线层)18i 第二边框配线(第三配线层)18t、18ta、18tb 第一端子电极19a、19c、19ca、19cb 第一平坦化膜20a、20aa、20ab、20ac、20aa、20ae、20b 第四层间绝缘膜21a 电源线(第四配线层)21t、21ta、21tb 第二端子电极21c 第二导电层(第四配线层)21d 第三导电层(第四配线层)21e 第四导电层(第四配线层)22a、22d、22da 第二平坦化膜30 tft层31a 第一电极31b 第一导电层32a 边缘罩33 有机el层(发光层)34 第二电极35 有机el元件层36 第一无机密封膜37 有机密封膜38 第二无机密封膜40 密封膜50a、50a、50b、50b、50b 有机el显示装置61 相对电极65 柔性印刷基板70 各向异性导电膜