一种SE电池碱刻蚀方法以及SE电池与流程

技术特征：
1.一种se电池碱刻蚀方法，其特征在于，所述方法依次包括背面去psg、正面氧化、背面碱刻蚀和去除正面氧化层的步骤，所述正面氧化为在背面去psg后的硅片正面覆盖酸液，而后在紫外灯管的照射下进行光催化氧化，在正面形成氧化层。2.根据权利要求1所述的se电池碱刻蚀方法，其特征在于，所述硅片正面覆盖的酸液包括双氧水和盐酸；优选地，以上喷淋的形式，在硅片正面覆盖酸液；优选地，所述双氧水的浓度为5％～20％；优选地，所述盐酸的浓度为5％～20％。3.根据权利要求1或2所述的se电池碱刻蚀方法，其特征在于，所述紫外灯管的功率为50～200w；优选地，所述光催化氧化的时间为100～300s；优选地，所述光催化氧化在室温下进行；优选地，所述氧化层的厚度为1～5nm。4.根据权利要求1-3中任一项所述的se电池碱刻蚀方法，其特征在于，所述背面去psg的步骤为：扩散后经过激光掺杂的硅片，以水上漂形式进入酸液中，实现背面去psg；优选地，所述酸液为氢氟酸，氢氟酸的浓度1％～10％；优选地，所述以水上漂形式进入酸液中后，处理时间为50～200s，处理温度为常温；优选地，在所述实现背面去psg后，进行浸泡式溢流水洗，去除酸液及生成物。5.根据权利要求1-4中任一项所述的se电池碱刻蚀方法，其特征在于，所述正面氧化后，进行浸泡式溢流水洗，去除正面覆盖的酸液及生成物，并在正面形成水膜。6.根据权利要求1-5中任一项所述的se电池碱刻蚀方法，其特征在于，所述背面碱刻蚀以水上漂的形式进行碱刻蚀；优选地，所述背面碱刻蚀使用的碱液为koh溶液或naoh溶液，浓度为1％～10％；优选地，所述背面碱刻蚀的温度为50～70℃，时间为100～300s。7.根据权利要求1-6中任一项所述的se电池碱刻蚀方法，其特征在于，在背面碱刻蚀后进行浸泡式溢流水洗，去除碱液及生成物；优选地，在所述浸泡式溢流水洗后利用碱液以浸泡式的形式进行后清洗；优选地，所述后清洗使用的碱液为浓度为0.5％～3％的氢氧化钾和浓度为1％～5％的双氧水的混合液；优选地，所述后清洗的温度为50～70℃，时间为100～300s；优选地，在所述后清洗后进行浸泡式溢流水洗，去除碱液及生成物；优选地，所述去除正面氧化层为将后清洗以及浸泡式溢流水洗后的硅片以浸泡式的形式浸入酸液中，去除表面氧化层；优选地，去除正面氧化层使用的酸液包括浓度为5％～10％的氢氟酸，优选地，去除正面氧化层使用的酸液还包括浓度为5％～10％的盐酸；优选地，所述将后清洗以及浸泡式溢流水洗后的硅片浸入酸液中的时间为100～200s；优选地，所述去除正面氧化层后进行浸泡式溢流水洗，去除酸液及生成物，而后烘干，得到se背面碱刻蚀片。8.根据权利要求1-7中任一项所述的se电池碱刻蚀方法，其特征在于，所述se电池碱刻
蚀方法使用链式槽设备，依次包括背面去psg槽、水槽、酸液槽、正面氧化槽、水槽、背面碱刻蚀槽、水槽、碱液槽、水槽、去除正面氧化层槽、水槽和烘干槽；优选地，所述se电池碱刻蚀方法具体包括以下步骤：(1)扩散后经过激光掺杂的硅片，通过螺纹下滚轮进入01槽酸液1中，以水上漂形式，液面刚好接触到硅片背面，实现背面去psg；所述酸液1为氢氟酸，浓度1％～10％，处理时间50～200s，处理温度为常温；(2)在02水槽中进行浸泡式溢流水洗，去除酸液1及生成物；(3)上述硅片通过螺纹下滚轮进入03槽中，以上喷淋的形式，在硅片正面均匀覆盖一层酸液2；所述酸液2为浓度为5％～20％的双氧水和浓度为5％～20％的盐酸；(4)上述硅片通过螺纹下滚轮进入04槽中，实现正面(se面)氧化，正面在一根或多根紫外灯管的照射下，进行光催化氧化，光催化氧化时间100～300s，温度为常温；该氧化层在1～5nm。(5)在05水槽中进行浸泡式溢流水洗，去除酸液2及生成物，并在正面形成水膜进一步保护正面；(6)上述硅片通过螺纹上下滚轮进入06槽碱液1中，以水上漂的形式，实现背面碱刻蚀，其中所用碱液为koh溶液或者naoh溶液，浓度为1％～10％，处理温度为50～70℃，处理时间为100～300s；(7)在07水槽中进行浸泡式溢流水洗，去除碱液1及生成物；(8)上述硅片通过螺纹上下滚轮进入08槽碱液2中，以浸泡式的形式，实现后清洗，其中所述碱液2包括浓度0.5％～5％的氢氧化钾和浓度1％～5％的双氧水，浸泡时间100～200s，温度为50℃～70℃；(9)在09水槽中进行浸泡式溢流水洗，去除碱液2及生成物；(10)上述硅片通过螺纹上下滚轮进入10槽酸液3中，以浸泡式的形式，实现后清洗，去除表面氧化层，其中所述酸液3包括浓度5％～20％的氢氟酸和浓度5％～20％的盐酸，浸泡时间100～200s，温度为常温；(11)在11水槽中进行浸泡式溢流水洗，去除酸液3及生成物；(12)在12烘干槽中烘干后，即可得到se背面碱刻蚀片。9.一种se背面碱刻蚀片，其特征在于，所述se背面碱刻蚀片由如权利要求1-8中任一项所述的se电池碱刻蚀方法制备得到。10.一种se电池，其特征在于，所述se电池包括如权利要求9所述的se背面碱刻蚀片。

技术总结
本发明提供一种SE电池碱刻蚀方法以及SE电池，所述方法依次包括背面去PSG、正面氧化、背面碱刻蚀和去除正面氧化层的步骤，所述正面氧化为在背面去PSG后的硅片正面覆盖酸液，而后在紫外灯管的照射下进行光催化氧化，在正面形成氧化层。本发明的SE电池碱刻蚀方法可实现SE电池背面碱抛，同时保护正面开口区域，有效提升电池效率，无需额外的昂贵设备，操作简单，成本低。成本低。成本低。


技术研发人员：叶晓亚 曹芳 周思洁 邹帅 王栩生
受保护的技术使用者：阿特斯阳光电力集团股份有限公司
技术研发日：2020.12.07
技术公布日：2022/6/7