一种微流体控制的实现固定解耦器去耦连续可调方法及装置

1.本发明涉及阵列天线去耦技术领域，尤其涉及一种微流体控制的实现固定解耦器去耦连续可调方法及装置。


背景技术：

2.目前，现有的固定解耦器的去耦技术包含：去耦网络，电磁带隙，超表面结构，缺陷地结构以及中和线等。具体技术涉及：(1)通过增加一个附加的并联电路，即去耦网络将阵列天线的互导纳降至零，从而消除了窄带天线单元之间的互耦。(2)以一个单频阵列天线和两个频率比不同的双频阵列天线为例，验证了所提出的去耦匹配网络设计的有效性。(3)中提出了一种对表面波传播具有明显抑制效果的的电磁带隙ebg结构。通过在两个贴片之间布置4排电磁带隙结构，在谐振频率下互耦减少可达8db左右。(4)在两个单极天线之间布置十排超材料，利用印刷在衬底两侧的四个开口谐振环(srr)表现为具有负有效磁导率的超材料，可以有效地抑制空间耦合波在双天线间的传播。(5)设计了一种由周期性的方形的开口环谐振器单元构成的超表面，并将其悬浮放置在天线阵列上方来实现去耦。(6)设计了一种由周期性的圆形的开口环谐振器单元构成的超表面。(7)在两个间距小、剖面高的单极子天线之间设计并插入了超表面，使得互耦降低了超过20db。(8)为了单线极化、双线极化和圆极化天线阵列，在地平面上分别开了长条形和哑铃形的槽来构成缺陷地结构。(9)为了平面倒f天线阵列、单极子天线阵列和矩形贴片天线阵列，在地平面上分别开了齿数不同的锯齿形槽来构成缺陷地结构。(10)为一个双天线系统设计了三条中和线，使得实测的互耦低于-15db。(11)为一个双天线系统设计了两条交叉的中和线，使得实测的隔离度低于-10db。
3.采用上述方式的去耦技术存在一旦天线被加工天线和去耦结构的尺寸就固定下来而无法改变，后期无法根据需求动态的调节隔离度的频移问题，从而导致宽带解耦具有较宽的解耦带宽，但解耦深度不够深。窄带去耦具有较深的去耦深度，但其去耦带宽不够宽，降低了固定解耦器的解耦性能。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种微流体控制的实现固定解耦器去耦连续可调方法及装置，旨在解决现有的固定解耦器的解耦性能较低的问题。
5.为实现上述目的，第一方面，本发明提供了一种微流体控制的实现固定解耦器去耦连续可调装置，微流体通道、微流体、固定解耦器和原始天线阵列，所述微流体设置于所述微流体通道内，所述固定解耦器设置于所述微流体通道底部，所述原始天线阵列设置于所述固定解耦器远离所述微流体通道的一侧，所述微流体通道由透明树脂制成，所述微流体为乙酸乙酯液体。
6.其中，所述微流体通道包括第一通道本体、六个第一安装板和六个第一固定柱，六个所述第一安装板每三个为一对，分别与所述第一通道本体固定连接，分别位于所述第一通道本体的两侧，六个所述第一固定柱分别与六个所述第一安装板固定连接，均贯穿所述
第一安装板，所述第一通道本体具有两个第一管道，两个所述第一管道分别位于所述微流体通道的两侧，所述第一通道本体的表皮厚度为1.2mm、长为103.5mm、宽为23mm、高为6.5mm，所述第一管道的表皮厚度为2.4mm、内径为3.2mm。
7.其中，所述固定解耦器包括解耦面和十五个金属单元，所述解耦面与六个所述第一固定柱固定连接，并位于所述第一通道本体底部，十五个所述金属单元以3*5的阵列设置于所述解耦面上，每一所述金属单元的y方向的间距为35mm、x方向的间距为5mm，所述金属单元包括弯曲短截线和方形，所述方形的长和宽均为14mm，所述弯曲短截线的宽为2mm、上侧长为12mm、下侧长为4.5mm。
8.其中，所述原始天线阵列包括上介质基片、四个第一连接柱、下介质基片、四个金属贴片、空气层、铝板和四个第二连接柱，所述上介质基片、所述下介质基片、所述空气层和所述铝板从上往下依次设置于四个所述第一连接柱的一侧，四个所述金属贴片两两成对分别设置于所述上介质基片和所述下介质基片的顶部，所述上介质基片、所述下介质基片、所述空气层和所述铝板的长和宽均为140mm，相邻两个之间的金属贴片之间的边缘间距为2mm，每一所述金属贴片的半径为34mm，每一所述金属贴片的圆心到馈电点之间的距离为21.5mm，所述上介质基片材质为rogers 4003c，厚度为0.203mm，所述下介质基片材质为fr4，厚度为1.6mm，所述空气层的厚度为1mm，所述铝板的厚度为1mm，四个所述第二连接柱的一侧分别与四个所述第一连接柱固定连接，四个所述第二连接柱的另一侧分别与所述解耦面固定连接，并位于所述解耦面与所述第一连接柱之间，所述解耦面与所述上介质基片的间距为31mm。
9.其中，所述微流体通道具有两个，所述微流体通道包括第二通道本体、两个第二安装板和两个第二固定柱，两个所述第二安装板分别与所述第二通道本体固定连接，分别位于所述第二通道本体的两侧，两个所述第二固定柱分别与两个所述第二安装板固定连接，均贯穿所述第二安装板，所述第二通道本体具有第二管道，所述第二通道本体的表皮厚度为1.5mm、长为50mm、宽为20mm、高为10mm，所述第二管道的内径为7mm，所述第二安装板的长和宽均为7mm。
10.其中，所述原始天线阵列包括两个单极子贴片天线和fr4基板，所述fr4基板分为上表面和下表面，两个所述单极子贴片天线分别设置于所述fr4基板的所述上表面，所述fr4基板长为144mm、宽为70.6mm，所述gnd设置于所述fr4基板的所述下表面，所述gnd长为144mm、宽为23mm，所述单极子贴片天线包括贴片本体和馈线，所述贴片本体的长为20.5mm、宽为20mm，所述馈线长为15.1mm、宽为1.9mm，两个所述贴片本体之间的边缘距离为54mm，所述贴面本体和馈线设置于基板上表面，馈线边缘到基板底部的距离长度为10mm。
11.其中，所述固定解耦器具有两个，所述固定解耦器包括t形枝节和两个哑铃形枝节，所述t形枝节设置于所述fr4基板的所述上表面，并位于所述贴片本体远离所述馈线的一侧与贴片直接相连，两个所述哑铃形枝节分别设置于所述fr4基板的所述下表面，并分别位于所述贴片本体对应的所述fr4基板的所述下表面的两侧，两个所述第二固定柱分别与所述上表面固定连接，且所述t形枝节位于所述第二通道本体与所述上表面之间，所述t形枝节包括竖枝节和横枝节，所述竖枝节的长为5.4mm、宽为1.7mm，所述横枝节的长为11.1mm、宽为1.5mm，所述哑铃形枝节包括四个矩形和三个短枝节，三个所述短枝节将四个所述矩形连接，三个所述短枝节大小相等，长为1mm、宽为0.5mm，四个所述矩形面积由大变
小，长和宽分别为4.5mm和4mm；3.6mm和3.2mm；2.7mm和2.4mm；1.8mm和1.6mm。
12.第二方面，本发明提供了一种微流体控制的实现固定解耦器去耦连续可调方法，包括以下步骤：
13.通过电控微泵将微流体抽入微流体通道内与微流体通道内的空气构成混合介质；
14.通过电控微泵控制微流体进入微流体通道内的体积改变混合介质的介电常数。
15.本发明的一种微流体控制的实现固定解耦器去耦连续可调装置，通过所述电控微泵将所述微流体抽入所述微流体通道内和空气共同构成一种混合介质，通过所述电控微泵控制所述微流体的体积大小来改变混合介质的比例，实现对等效介电常数的动态调节，从而改变所述固定解耦器的电长度，最终实现所述固定解耦器的宽带去耦的动态调节，规避了宽带解耦具有较宽的解耦带宽，但解耦深度不够深，窄带去耦具有较深的去耦深度，但其去耦带宽不够宽的缺点，解决现有的固定解耦器的解耦性能较低的问题。
附图说明
16.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
17.图1是本发明实施例2微流体通道的结构示意图。
18.图2是本发明实施例2固定解耦器的结构示意图。
19.图3是本发明实施例2微流体通道和固定解耦器的结构示意图。
20.图4是本发明实施例2原始天线阵列的结构示意图。
21.图5是本发明实施例2微流体通道、固定解耦器和原始天线阵列的结构示意图。
22.图6是本发明实施例2微流体通道注入不同体积的微流体状态的示意图。
23.图7是本发明实施例2微流体通道注入不同体积的微流体的天线s11和s21的示意图。
24.图8是本发明实施例3微流体通道的结构示意图。
25.图9是本发明实施例3固定解耦器和原始天线阵列的结构示意图。
26.图10是本发明实施例3原始天线阵列的结构示意图。
27.图11是本发明实施例3微流体通道、固定解耦器、原始天线阵列、微流体的结构示意图。
28.图12是本发明实施例3微流体通道注入不同体积的微流体的天线s11和s21的示意图。
29.图13本发明提供的一种微流体控制的实现固定解耦器去耦连续可调方法的流程图。
30.1-微流体通道、2-微流体、4-固定解耦器、5-原始天线阵列、6-第一通道本体、7-第一管道、8-第一安装板、9-第一固定柱、10-解耦面、11-金属单元、12-弯曲短截线、13-方形、14-上介质基片、15-第一连接柱、16-下介质基片、17-金属贴片、18-空气层、19-铝板、20-第二连接柱、21-第二通道本体、22-第二管道、23-第二安装板、24-第二固定柱、25-单极子贴片天线、26-fr4基板、27-上表面、28-gng、29-贴片本体、30-馈线、31-t形枝节、32-哑铃形枝
节、33-竖枝节、34-横枝节、35-矩形、36-短枝节。
具体实施方式
31.下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
32.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
33.实施例1：
34.本发明提供一种微流体控制的实现固定解耦器去耦连续可调装置，包括微流体通道1、微流体2、固定解耦器4和原始天线阵列5，所述微流体2设置于所述微流体通道1内，所述固定解耦器4设置于所述微流体通道1底部，所述原始天线阵列5设置于所述固定解耦器4远离所述微流体通道1的一侧，所述微流体通道1由透明树脂制成，所述微流体2为乙酸乙酯液体。
35.在本实施方式中，通过所述电控微泵将所述微流体2抽入所述微流体通道1内和空气共同构成一种混合介质，通过所述电控微泵控制所述微流体2的体积大小来改变混合介质的比例，实现对等效介电常数的动态调节，从而改变所述固定解耦器4的电长度，最终实现所述固定解耦器4的宽带去耦的动态调节，去耦可调装置调节微流体2体积的过程中所述原始天线阵列5的参数s11始终保持不变，即阻抗匹配良好，所述原始天线阵列5正常工作，而所述原始天线阵列5的参数s21发生了动态连续的频移得到了去耦带宽宽且去耦深度深的效果，规避了宽带解耦具有较宽的解耦带宽，但解耦深度不够深，窄带去耦具有较深的去耦深度，但其去耦带宽不够宽的缺点，解决现有的固定解耦器4的解耦性能较低的问题。
36.实施例2：
37.请参阅图1至图7，本发明提供一种微流体控制的实现固定解耦器去耦连续可调装置，包括微流体通道1、微流体2、固定解耦器4和原始天线阵列5，所述微流体2设置于所述微流体通道1内，所述固定解耦器4设置于所述微流体通道1底部，所述原始天线阵列5设置于所述固定解耦器4远离所述微流体通道1的一侧，所述微流体通道1由透明树脂制成，所述微流体2为乙酸乙酯液体。
38.在本实施方式中，通过将所述微流体2抽入所述微流体通道1内和空气共同构成一种混合介质，通过控制所述微流体2的体积大小来改变混合介质的比例，实现对等效介电常数的动态调节，从而改变所述固定解耦器4的电长度，最终实现所述固定解耦器4的宽带去耦的动态调节，去耦可调装置调节微流体2体积的过程中所述原始天线阵列5的参数s11始终保持不变，即阻抗匹配良好，所述原始天线阵列5正常工作，而所述原始天线阵列5的参数s21发生了动态连续的频移得到了去耦带宽宽且去耦深度深的效果，规避了宽带解耦具有较宽的解耦带宽，但解耦深度不够深，窄带去耦具有较深的去耦深度，但其去耦带宽不够宽的缺点，解决现有的固定解耦器4的解耦性能较低的问题。
39.进一步的，所述微流体通道1包括第一通道本体6、六个第一安装板8和六个第一固定柱9，六个所述第一安装板8每三个为一对，分别与所述第一通道本体6固定连接，分别位于所述第一通道本体6的两侧，六个所述第一固定柱9分别与六个所述第一安装板8固定连接，均贯穿所述第一安装板8，所述第一通道本体6具有两个第一管道7，两个所述第一管道7分别位于所述微流体通道1的两侧，所述第一通道本体6的表皮厚度tm为1.2mm、长lm为103.5mm、宽wm为23mm、高hm为6.5mm，所述第一管道7的表皮厚度t
p
为2.4mm、内径d
p
为3.2mm；所述固定解耦器4包括解耦面10和十五个金属单元11，所述解耦面10与六个所述第一固定柱9固定连接，并位于所述第一通道本体6底部，十五个所述金属单元11以3*5的阵列设置于所述解耦面10上，每一所述金属单元11的y方向的间距dy为35mm、x方向的间距d
x
为5mm，所述金属单元11包括弯曲短截线12和方形13，所述方形13的长lr和宽wr均为14mm，所述弯曲短截线12的宽ws为2mm、上侧长l2为12mm、下侧长l1为4.5mm；所述原始天线阵列5包括上介质基片14、四个第一连接柱15、下介质基片16、四个金属贴片17、空气层18、铝板19和四个第二连接柱20，所述上介质基片14、所述下介质基片16、所述空气层18和所述铝板19从上往下依次设置于四个所述第一连接柱15的一侧，四个所述金属贴片17两两成对分别设置于所述上介质基片14和所述下介质基片16的顶部，所述上介质基片14、所述下介质基片16、所述空气层18和所述铝板19的长和宽lg均为140mm，相邻两个之间的金属贴片17之间的边缘间距du为2mm，每一所述金属贴片17的半径ru为34mm，每一所述金属贴片17的圆心到馈电点之间的距离xf为21.5mm，所述上介质基片14材质为rogers 4003c，厚度为0.203mm，所述下介质基片16材质为fr4，厚度为1.6mm，所述空气层18的厚度ha为1mm，所述铝板19的厚度为1mm，四个所述第二连接柱20的一侧分别与四个所述第一连接柱15固定连接，四个所述第二连接柱20的另一侧分别与所述解耦面10固定连接，并位于所述解耦面10与所述第一连接柱15之间，所述解耦面10与所述上介质基片14的间距h1为31mm。
40.在本实施方式中，运用固定解耦器4实现初步静态去耦的原理：利用天线解耦面10mads放置在天线上方产生的反射波的电场、耦合波的电场来消除天线之间的干扰。
41.运用去耦可重构装置实现进一步去耦可调原理如下：在原始阵列天线的工作频带内，天线解耦面10的加入使得原始阵列天线之间的耦合降低即得到了一个静态的去耦效果，可以通过去耦可调装置从而增大或减小有效介电常数(εr)，从而改变固定解耦器4的电长度，随着解耦器电长度的改变，改变反射波的相位，实现了去耦连续动态可调。
42.将基于微流体控制的实现去耦连续可调装置和固定解耦器4结合在一起：第一步，在原始阵列天线上方只单独加载天线解耦面10mads，产生的反射波的电场、耦合波的电场来消除天线之间的干扰。实现了初步静态去耦；以此为基础，第二步，解耦面10的上表面27加入微流体控制的实现去耦连续可调的装置，通过注入或抽取乙酸乙酯微流体2于是去耦的效果实现了动态可调。
43.实施例3：
44.请参阅图8至图12，本发明提供一种微流体控制的实现固定解耦器去耦连续可调装置，包括微流体通道1、微流体2、固定解耦器4和原始天线阵列5，所述微流体2设置于所述微流体通道1内，所述固定解耦器4设置于所述微流体通道1底部，所述原始天线阵列5设置于所述固定解耦器4远离所述微流体通道1的一侧，所述微流体通道1由透明树脂制成，所述微流体2为乙酸乙酯液体。
45.在本实施方式中，通过所述电控微泵将所述微流体2抽入所述微流体通道1内和空气共同构成一种混合介质，通过所述电控微泵控制所述微流体2的体积大小来改变混合介质的比例，实现对等效介电常数的动态调节，从而改变所述固定解耦器4的电长度，最终实现所述固定解耦器4的宽带去耦的动态调节，去耦可调装置调节微流体2体积的过程中所述原始天线阵列5的参数s11始终保持不变，即阻抗匹配良好，所述原始天线阵列5正常工作，而所述原始天线阵列5的参数s21发生了动态连续的频移得到了去耦带宽宽且去耦深度深的效果，规避了宽带解耦具有较宽的解耦带宽，但解耦深度不够深，窄带去耦具有较深的去耦深度，但其去耦带宽不够宽的缺点，解决现有的固定解耦器4的解耦性能较低的问题。
46.进一步的，所述微流体通道1具有两个，所述微流体通道1包括第二通道本体21、两个第二安装板23和两个第二固定柱24，两个所述第二安装板23分别与所述第二通道本体21固定连接，分别位于所述第二通道本体21的两侧，两个所述第二固定柱24分别与两个所述第二安装板23固定连接，均贯穿所述第二安装板23，所述第二通道本体21具有第二管道22，所述第二通道本体21的表皮厚度tm为1.5mm、长ty为50mm、宽为t
x 20mm、高tz为10mm，所述第二管道22的内径hr为7mm，所述第二安装板23的长和宽hy均为7mm；所述原始天线阵列5包括两个单极子贴片天线25和fr4基板26，所述fr4基板26分为上表面27和下表面28，gnd位于所述fr4基板26的下表面28，两个所述单极子贴片天线25分别设置于所述fr4基板26的所述上表面27，所述fr4基板26的长ml为144mm、宽mw为70.6mm，所述gnd28的长ml为144mm、宽rf为23mm，所述单极子贴片天线25包括贴片本体29和馈线30，所述贴片本体29的长pl为20.5mm、宽pw为20mm，所述馈线30长pm为15.1mm、宽pn为1.9mm，两个所述贴片本体29之间的边缘距离ad为54mm，所述贴面本体设置于所述上表面27，所述馈线30设置于所述上表面27距离基板底部距离为bd 10mm；所述固定解耦器4具有两个，所述固定解耦器4包括t形枝节31和两个哑铃形枝节32，所述t形枝节31设置于所述fr4基板26的所述上表面27，并位于所述贴片本体29远离所述馈线30的一侧，两个所述哑铃形枝节32分别设置于所述fr4基板26的下表面28，并分别位于所述贴片本体对应的所述fr4基板26的下表面28的两侧，两个所述第二固定柱24分别与所述上表面27固定连接，且所述t形枝节31位于所述第二通道本体21与所述上表面27之间，所述t形枝节31包括竖枝节33和横枝节34，所述竖枝节33的长ll为5.4mm、宽tw2为1.7mm，所述横枝节34的长l2为11.1mm、宽tw1为1.5mm，所述哑铃形枝节32包括四个矩形35和三个短枝节36，三个所述短枝节36将四个所述矩形35连接，三个所述短枝节36大小相等，长rd为1mm、宽st为0.5mm，四个所述矩形35面积由大变小，长和宽分别为(rw1)4.5mm和(r11)4mm；(rw2)3.6mm和(r12)3.2mm；(rw3)2.7mm和(r13)2.4mm；(rw4)1.8mm和(r14)1.6mm。
47.在本实施方式中，解耦结构实现初步去耦的原理:利用所述贴片本体29上表面两侧的t形枝节31和下表面两侧的哑铃形枝节32构造弱场区来消除天线之间的干扰。
48.运用去耦可重构装置实现进一步去耦可调原理如下：在原始阵列天线的工作频带内，天线解耦结构的加入使得原始阵列天线之间的耦合降低即得到了一个静态的去耦效果，可以通过去耦可调装置来增大或减小有效介电常数(εr)，从而改变固定解耦器4的电长度，随着固定解耦器4电长度的改变，构造不同程度的弱场区，进而实现对去耦的可调控进而实现对去耦的可调控来控制去耦可调。
49.将基于微流体控制的实现去耦连续可调的装置和所述fr4基板26的解耦面结合在
一起：第一步，在原始阵列天线基板上侧加入t形枝节31和下侧加入哑铃形枝节32构造弱场区来消除天线之间的干扰来消除天线之间的干扰，实现了初步静态去耦；以此为基础，第二步，fr4基板26的解耦面10的上表面27加上微流体通道1，通过电控微泵注入或抽取乙酸乙酯于是去耦的频率实现了动态可调。
50.所述原始天线阵列5的s参数是表征天线性能的重要参数，其中s11用于表征天线的阻抗匹配状态，即天线是否正常工作，一般s11低于-10db以下则认为天线匹配状态良好，而s21用于表征天线单元之间的耦合情况，值越小耦合越弱，值越大耦合越强。分析s参数时，总是需要先观察s11，在保证s11小于-10db的前提下，再去关心s21是否变小，一切以牺牲s11来换取s21变小的做法都不是去耦。本方法提到的去耦可调指的是只有s21进行频移，而s11和其他特性保持不变。
51.实施例1：在放置解耦面10之后加载微流体控制的实现去耦连续可调装置，后通过注入或抽取乙酸乙酯微流体2实现去耦动态可调如图6所示。将隔离可重构的过程分为五个状态，状态1表示没有任何乙酸乙酯微流体2的微流体通道1。从状态2到状态5，每次注入微流体通道1体积四分之一的乙酸乙酯到微流体通道1内。得益于液体的流动性不同的状态可以通过电控微泵自由切换。不同状态的去耦效果s参数曲线如图6所示，s11始终保持不变，即阻抗匹配良好，天线正常工作；而注入乙酸乙酯微流体2后，天线隔离度发生了频移。
52.实施例2：在放置解耦面10之后加载微流体控制的实现去耦连续可调装置，后通过注入或抽取乙酸乙酯微流体2实现去耦动态可调，设置微流体通道1的x轴方向的距离为d
x
，在图12中绘制了d
x
从0mm变化到17mm的s11和s21。从图12的a案和b案可以看出，当d
x
增加时，由图中可以看到随着d
x
增加s21跟着频移到了较低频率。以s21≤-18db为标准，d
x
由0到17mm，s21从3.99ghz调谐到3.27ghz，调谐范围为19.8％，这意味着等效地获得宽而深的去耦效果并且在频移的过程中s11全程保持基本不变。
53.对所设计的微流体控制的实现去耦连续可调装置，固定解耦器4及其原始天线进行了实物加工和实验测试，实验结果表明：加载去耦装置和去耦可调装置后通过注入不同容量大小的微流体2实现了保持s11不变的情况下，动态调节天线s21的去耦动态可调的效果。
54.综上所述，本发明具有去耦可调性，可根据利用液体的流动性动态的调节去耦效果，规避了宽带解耦具有较宽的解耦带宽，但解耦深度不够深，窄带去耦具有较深的去耦深度，但其去耦带宽不够宽的缺点，结合二者的优点提出了解耦可重构性，实现了宽带高隔离动态可调的效果。
55.实施例4
56.请参阅图13，本发明提供了一种微流体控制的实现固定解耦器去耦连续可调方法，包括以下步骤：
57.s101通过电控微泵将微流体2抽入微流体通道1内与微流体通道1内的空气构成混合介质；
58.s102通过电控微泵控制微流体2进入微流体通道1内的体积改变混合介质的介电常数。
59.具体的，通过电控微泵控制微流体2进入微流体通道1内的体积改变混合介质的介电常数，在固定解耦器4物理结构保持不变的情况下，对固定解耦器4的电长度进行动态调
控，最终实现去耦连续可调，微流体通道1针对不同的去耦要求，调节微流体2体积大小来改变混合介质的混合比例。
60.以上所揭露的仅为本发明一种微流体控制的实现固定解耦器去耦连续可调方法及装置较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。